RU96109312A - Способ получения пленки диоксида кремния на подложке - Google Patents
Способ получения пленки диоксида кремния на подложкеInfo
- Publication number
- RU96109312A RU96109312A RU96109312/25A RU96109312A RU96109312A RU 96109312 A RU96109312 A RU 96109312A RU 96109312/25 A RU96109312/25 A RU 96109312/25A RU 96109312 A RU96109312 A RU 96109312A RU 96109312 A RU96109312 A RU 96109312A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- substrate
- dioxide film
- gas
- wavelength
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N Nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SHHIADHOJKLUIZ-UHFFFAOYSA-N azane;molecular hydrogen Chemical compound N.[H][H] SHHIADHOJKLUIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N Tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ получения пленки диоксида кремния на подложке, включающий подготовку поверхности подложки путем обработки ее в газовых реагентах при воздействии УФ-излучения с длиной волны 185,254 нм и температуре 200-250oC и последующее осаждение в едином технологическом цикле диоксида кремния из газовых реагентов при воздействии УФ-излучения с длиной волны 185,254 нм и температуре 200-250oC, отличающийся тем, что перед подготовкой поверхности подложку обрабатывают в газовой смеси трифторида азота и водорода с парциальными давлениями 500-700 Па каждого при УФ-облучении с длиной волны не выше 170 нм при 100-120oC, при этом при подготовке поверхности в качестве газовых реагентов используют смесь трифторида азота, водорода и кислорода при парциальных давлениях 500-700 Па, 500-700 Па и 100-200 Па соответственно, а для осаждения пленки диоксида кремния в качестве газовых реагентов используют смесь тетраметоксисилана и кислорода при парциальных давлениях 50-100 Па и 500-1000 Па соответственно.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96109312A RU2116686C1 (ru) | 1996-05-05 | 1996-05-05 | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96109312A RU2116686C1 (ru) | 1996-05-05 | 1996-05-05 | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2116686C1 RU2116686C1 (ru) | 1998-07-27 |
| RU96109312A true RU96109312A (ru) | 1998-08-27 |
Family
ID=20180392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96109312A RU2116686C1 (ru) | 1996-05-05 | 1996-05-05 | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2116686C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2449413C2 (ru) * | 2010-04-08 | 2012-04-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Метод получения пленки диоксида кремния |
| RU2539801C1 (ru) * | 2013-07-01 | 2015-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния |
-
1996
- 1996-05-05 RU RU96109312A patent/RU2116686C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hampson et al. | Survey of photochemical and rate data for twenty‐eight reactions of interest in atmospheric chemistry | |
| US4936940A (en) | Equipment for surface treatment | |
| Chung et al. | The photochemistry of sulfur dioxide excited within its first allowed band (3130 Å) and the “forbidden” band (3700–; 4000 Å) | |
| Ferris et al. | Ammonia photolysis and the role of ammonia in chemical revolution | |
| CA2222146A1 (en) | A method for flame stabilization in a process for preparing synthesis gas | |
| EP0186419A3 (en) | Method of dry etching or film formation | |
| DE69113335D1 (de) | Mit nur einem Isotop versehene epitaktische Einkristalldiamantfilme und ihre Herstellung. | |
| EP0256684A3 (en) | Method and apparatus for measuring dissolved organic carbon in water | |
| AU4256889A (en) | Method for the synthesis of polymers based on boron and nitrogen | |
| Kizaki et al. | Synthesis and characterization of Si3N4 powder produced by laser-induced chemical reaction | |
| DE3361615D1 (en) | Process for performing chemical reactions with participation of atomic hydrogen | |
| MX9308009A (es) | Proceso para reducir el nivel de oxigeno residual en una corriente de nitrogeno producido en forma no criogenica. | |
| RU96109312A (ru) | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке | |
| EP0204538A3 (en) | Phototreating method and apparatus therefor | |
| Bos et al. | Matrix isolation infrared study of the reaction between germanium vapor and molecular oxygen. Characterization and mechanism of formation of moleclar germanium dioxide and ozone | |
| Shirk et al. | Oxygen atom reactions with SiHCl3 in solid argon: The infrared spectrum of SiCl3OH | |
| JPS56133247A (en) | Production of 2-chloroethylamine hydrochloride | |
| EP0798769A3 (en) | Dielectric layers for semiconductors | |
| Smardzewski et al. | Infrared study of the photolysis of trifluoromethyl hypofluorite and hypochlorite in argon matrices at 8. deg. K | |
| DE69801011D1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Gasgemisches enthaltend ein Trägergas, eine oxidierendes Gas und ein Silan | |
| DE69718382D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von gasförmigem Wasserstoffbromid und Vorrichtung zu dessen Durchführung | |
| DE59001847D1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliciumdiimid mit geringem kohlenstoffgehalt. | |
| JPS5522611A (en) | Preparation of carboxylic acid amide | |
| JPS6414927A (en) | Forming method of silicon nitride film or silicon oxynitride film | |
| JPS5645759A (en) | Preparation of vapor growth film |