Claims (7)
1. Способ формирования многослойных структур с разными электрофизиче- скими свойствами на основе использования одного сверхпроводящего материала для формирования слоев различной проводимости, отличающийся тем, что последовательно формируют по меньшей мере два слоя, проявляющих при температуре жидкого азота различные электропроводящие свойства из ряда: сверхпроводник, нормальный проводник, полупроводник, изолятор путем нанесения на подложку материала YВа2Сu3O7-х при установленной для формирования указанных слоев температуре подложек, определенной для каждого отдельного слоя, в пределах от 950 до 300oC в атмосфере воздуха или кислорода при давлении в пределах от 0,05 до 0,5 торр методом лазерной абляции.1. A method of forming multilayer structures with different electrophysical properties based on the use of one superconducting material to form layers of different conductivity, characterized in that at least two layers are successively formed, exhibiting various electrically conductive properties from the series at a temperature of liquid nitrogen: superconductor, normal conductor, semiconductor, insulator by coating the substrate material YBa 2 Cu 3 O 7-x at a set for forming said layers temperature planchet k determined for each individual layer in the range from 950 to 300 o C in air or oxygen at a pressure in the range of 0.05 to 0.5 Torr by laser ablation.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что устанавливают импульсный режим работы лазера с параметрами: длиной волны l = 1,06 мкм, длительностью импульса t = 20 - 30 нс, плотностью мощности Р = 108Вт/см2, частотой следования импульсов n = 12 - 14 Гц.2. The method according to p. 1, characterized in that the pulse mode of the laser is set with the following parameters: wavelength l = 1.06 μm, pulse duration t = 20 - 30 ns, power density P = 10 8 W / cm 2 , frequency pulse repetition n = 12 - 14 Hz.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение слоев с различными электропроводящими свойствами осуществляется в одной камере при неизменном положении мишени и лазерного луча, а также при неизменном давлении, устанавливаемом в камере перед началом напыления пленок (процесса). 3. The method according to p. 1, characterized in that the deposition of layers with different electrically conductive properties is carried out in one chamber with a constant position of the target and the laser beam, as well as at a constant pressure set in the chamber before the deposition of films (process).
4. Способ по пп. 1 - 3, отличающийся тем, что для нанесения сверхпроводящего слоя YВаСuО подложку нагревают до 780 - 950oC.4. The method according to PP. 1-3, characterized in that for applying a superconducting layer of YВаСuО the substrate is heated to 780 - 950 o C.
5. Способ по пп.1 - 3, отличающийся тем, что для нанесения слоя нормальной проводимости устанавливают температуру подложки 700 - 750oC.5. The method according to PP.1 to 3, characterized in that for applying a layer of normal conductivity set the temperature of the substrate 700 - 750 o C.
6. Способ по пп. 1 - 3, отличающийся тем, что для нанесения полупроводникового слоя устанавливают температуру подложки 400 - 650oC.6. The method according to PP. 1 to 3, characterized in that for applying the semiconductor layer set the temperature of the substrate 400 - 650 o C.
7. Способ по пп. 1 - 3, отличающийся тем, что для нанесения изоляционного слоя устанавливают температуру подложки 270 - 350oC.7. The method according to PP. 1 to 3, characterized in that for applying the insulating layer set the temperature of the substrate 270 - 350 o C.