Claims (75)
1. Композиция материалов, содержащая первый слой материала M(1-x-y)CdxRy, где М - элемент, выбранный из группы, состоящей из Pb, Zn и Te, а R - элемент, выбранный из группы, состоящей из Si и Ge, причем x и y - величины, находящиеся в диапазоне 0 ≤ x ≤ 1,0 ≤ y ≤ 1, и 0 ≤ (x + y) ≤; второй слой Se(1-z)Sz, сформированный на первом слое, причем z - величина, находящаяся в диапазоне 0 ≤ z ≤ 1; и третий слой Fe(1-w)Crw, сформированный на втором слое, причем w - величина, находящаяся в диапазоне 0 ≤ w ≤ 1.1. The composition of materials containing the first layer of material M (1-xy) Cd x R y , where M is an element selected from the group consisting of Pb, Zn and Te, and R is an element selected from the group consisting of Si and Ge, with x and y being values in the range 0 ≤ x ≤ 1.0 ≤ y ≤ 1, and 0 ≤ (x + y) ≤; the second layer Se (1-z) S z formed on the first layer, and z is a value in the range 0 ≤ z ≤ 1; and a third layer Fe (1-w) Cr w formed on the second layer, and w is a value in the range 0 ≤ w ≤ 1.
2. Композиция материалов по п.1, отличающаяся тем, что первый слой включает в себя по меньшей мере один из следующих элементов: Bi, O, N и элемент, выбранный из группы, состоящей из Ag, Au, Pt и Cu. 2. The composition of materials according to claim 1, characterized in that the first layer includes at least one of the following elements: Bi, O, N and an element selected from the group consisting of Ag, Au, Pt and Cu.
3. Композиция материалов по п.2, отличающаяся тем, что второй слой включает в себя по меньшей мере один из следующих элементов: Bi, O, N и элемент, выбранный из группы, состоящей из Ag, Au, Pt и Cu. 3. The composition of materials according to claim 2, characterized in that the second layer includes at least one of the following elements: Bi, O, N and an element selected from the group consisting of Ag, Au, Pt and Cu.
4. Композиция материалов по п.3, отличающаяся тем, что третий слой включает в себя по меньшей мере один из следующих элементов: Bi, O, N и элемент, выбранный из группы, состоящей из Ag, Au, Pt и Cr. 4. The composition of materials according to claim 3, characterized in that the third layer includes at least one of the following elements: Bi, O, N and an element selected from the group consisting of Ag, Au, Pt and Cr.
5. Композиция материалов по п.1, отличающаяся тем, что величина находится в диапазоне 0,09 ≤ x ≤ 0,11. 5. The composition of materials according to claim 1, characterized in that the value is in the range of 0.09 ≤ x ≤ 0.11.
6. Композиция материалов по п.5, отличающаяся тем, что величина y находится в диапазоне 0,09 ≤ x ≤ 0,11. 6. The composition of materials according to claim 5, characterized in that the y value is in the range of 0.09 ≤ x ≤ 0.11.
7. Композиция материалов по п.6, отличающаяся тем, что величина z находится в диапазоне 0,09 ≤ x ≤ 0,11. 7. The composition of materials according to claim 6, characterized in that the value of z is in the range of 0.09 ≤ x ≤ 0.11.
8. Композиция материалов по п.7, отличающаяся тем, что величина w находится в диапазоне 0,18 ≤ x ≤ 0,30. 8. The composition of materials according to claim 7, characterized in that the value of w is in the range of 0.18 ≤ x ≤ 0.30.
9. Композиция материалов по п.8, отличающаяся тем, что величина w находится в диапазоне 0,22 ≤ x ≤ 0,26. 9. The composition of materials according to claim 8, characterized in that the value of w is in the range of 0.22 ≤ x ≤ 0.26.
10. Композиция материалов по п.1, отличающаяся тем, что величина x по существу равна 0,10. 10. The composition of materials according to claim 1, characterized in that the value of x is essentially 0.10.
11. Композиция материалов по п.10, отличающаяся тем, что величина y по существу равна 0,10. 11. The composition of materials according to claim 10, characterized in that the y value is essentially 0.10.
12. Композиция материалов по п.11, отличающаяся тем, что величина z по существу равна 0,10. 12. The composition of materials according to claim 11, characterized in that the value of z is essentially 0.10.
13. Композиция материалов по п.12, отличающаяся тем, что величина w по существу равна 0,24. 13. The composition of materials according to p. 12, characterized in that the value of w is essentially equal to 0.24.
14. Композиция материалов по п.13, отличающаяся тем, что первый слой по существу имеет толщину 0,5 мкм. 14. The composition of materials according to item 13, wherein the first layer essentially has a thickness of 0.5 μm.
15. Композиция материалов по п.14, отличающаяся тем, что второй слой по существу имеет толщину 0,5 мкм. 15. The composition of materials according to 14, characterized in that the second layer essentially has a thickness of 0.5 μm.
16. Композиция материалов по п.15, отличающаяся тем, что третий слой по существу имеет толщину 0,5 мкм. 16. The composition of materials according to clause 15, wherein the third layer essentially has a thickness of 0.5 μm.
17. Способ изготовления композиции материалов, обладающий ферромагнитными, электрооптическими и пьезоэлектрическими свойствами, предусматривающий формирование первого слоя материала, имеющего состав M(1-x-y)CdxRy, где M - элемент, выбранный из группы, состоящей из Pb, Zn и Te, а R - элемент, выбранный из группы, состоящей из Si и Ge, причем x и y - величины, находящиеся в диапазоне 0 ≤ x ≤ 1,0 ≤ y ≤ 1, и 0 ≤ (x+y) ≤ 1; формирование второго слоя Se(1-z)Sz, на первом слое, причем z - величина, находящаяся в диапазоне 0 ≤ z ≤ 1; и формирование третьего слоя Fe(1-w)Crw на втором слое, причем w - величина, находящаяся в диапазоне 0 ≤ w ≤ 1.17. A method of manufacturing a composition of materials having ferromagnetic, electro-optical and piezoelectric properties, providing for the formation of a first layer of material having the composition M (1-xy) Cd x R y , where M is an element selected from the group consisting of Pb, Zn and Te , and R is an element selected from the group consisting of Si and Ge, with x and y being values in the range 0 ≤ x ≤ 1,0 ≤ y ≤ 1, and 0 ≤ (x + y) ≤ 1; the formation of the second layer Se (1-z) S z , on the first layer, and z is a value in the range 0 ≤ z ≤ 1; and the formation of a third layer of Fe (1-w) Cr w on the second layer, and w is a value in the range 0 ≤ w ≤ 1.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что дополнительно включает введение по меньшей мере одного из элементов: Bi, O, N и элемент, выбранный из группы, состоящей из Ag, Au, Pt и Cu в первый, второй и третий слои. 18. The method according to 17, characterized in that it further includes the introduction of at least one of the elements: Bi, O, N and an element selected from the group consisting of Ag, Au, Pt and Cu in the first, second and third layers .
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что дополнительно включает добавление по меньшей мере одного из элементов Bi, O, N или Ag в первый, второй и третий слои. 19. The method according to 17, characterized in that it further includes adding at least one of the elements Bi, O, N or Ag in the first, second and third layers.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что введение по меньшей мере одного из элементов Bi, O, N, Ag включает погружение композиции материалов в электролит, содержащий Bi2O3 и AgNO3 и проведение электролиза.20. The method according to claim 19, characterized in that the introduction of at least one of the elements Bi, O, N, Ag includes immersing the composition of materials in an electrolyte containing Bi 2 O 3 and AgNO 3 and conducting electrolysis.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что электролит насыщен AgNO3.21. The method according to claim 20, characterized in that the electrolyte is saturated with AgNO 3 .
22. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно включает непрерывное перемешивание электролита. 22. The method according to claim 20, characterized in that it further includes continuous mixing of the electrolyte.
23. Способ по п.22, отличающийся тем, что дополнительно включает нагрев электролита. 23. The method according to p. 22, characterized in that it further includes heating the electrolyte.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что дополнительно включает поддержание электролита при температуре, по существу равной 97o.24. The method according to p. 23, characterized in that it further includes maintaining the electrolyte at a temperature essentially equal to 97 o .
25. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно включает приложение отрицательного электрического потенциала к композиции материалов относительно электролита. 25. The method according to claim 20, characterized in that it further includes applying a negative electric potential to the composition of materials relative to the electrolyte.
26. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно включает попеременное приложение положительного и отрицательного электрических потенциалов к композиции материалов относительно электролита. 26. The method according to claim 20, characterized in that it further includes the alternate application of positive and negative electric potentials to the composition of materials relative to the electrolyte.
27. Способ по п.26, отличающийся тем, что в течение 24 ч отрицательный потенциал прикладывают, в основном, в течение 14 часов, а положительный потенциал прикладывают, в основном, в течение 10 ч. 27. The method according to p. 26, characterized in that within 24 hours the negative potential is applied mainly within 14 hours, and the positive potential is applied mainly within 10 hours
28. Способ по п.20, отличающийся тем, что электролиз проводят, в основном, за 45 суток. 28. The method according to claim 20, characterized in that the electrolysis is carried out mainly in 45 days.
29. Способ по п.17, отличающийся тем, что величина x находится в диапазоне 0,09 ≤ x ≤ 0,11. 29. The method according to 17, characterized in that the value of x is in the range of 0.09 ≤ x ≤ 0.11.
30. Способ по п.29, отличающийся тем, что величина y находится в диапазоне 0,09 ≤ x ≤ 0,11. 30. The method according to clause 29, wherein the value of y is in the range of 0.09 ≤ x ≤ 0.11.
31. Способ по п.30, отличающийся тем, что величина z находится в диапазоне 0,09 ≤ x ≤ 0,11. 31. The method according to item 30, wherein the value of z is in the range of 0.09 ≤ x ≤ 0.11.
32. Способ по п.31, отличающийся тем, что величина w находится в диапазоне 0,22 ≤ x ≤ 0,26. 32. The method according to p, characterized in that the value of w is in the range of 0.22 ≤ x ≤ 0.26.
33. Способ по п.17, отличающийся тем, что величина x по существу равна 0,10. 33. The method according to 17, characterized in that the value of x is essentially 0.10.
34. Способ по п.33, отличающийся тем, что величина y по существу равна 0,10. 34. The method according to p, characterized in that the y value is essentially 0.10.
35. Способ по п.34, отличающийся тем, что величина z по существу равна 0,10. 35. The method according to clause 34, wherein the value of z is essentially 0.10.
36. Способ по п.35, отличающийся тем, что величина w по существу равна 0,24. 36. The method according to clause 35, wherein the value of w is essentially equal to 0.24.
37. Энергонезависимое запоминающее устройство с произвольной выборкой, содержащее подложку, имеющую первую и вторую поверхности; первую адресную шину, сформированную на первой поверхности подложки; вторую адресную шину, сформированную на второй поверхности подложки; первую композицию материалов, обладающую ферромагнитными и пьезоэлектрическими свойствами, сформированную на первой адресной шине и первой поверхности подложки; и вторую композицию материалов, обладающую ферромагнитными и пьезоэлектрическими свойствами, сформированную на второй адресной шине и второй поверхности подложки. 37. Non-volatile random access memory containing a substrate having a first and second surface; a first address line formed on a first surface of the substrate; a second address line formed on the second surface of the substrate; a first composition of materials having ferromagnetic and piezoelectric properties formed on the first address bus and the first surface of the substrate; and a second composition of materials having ferromagnetic and piezoelectric properties formed on the second address bus and the second surface of the substrate.
38. Устройство по п.37, отличающееся тем, что вторая адресная шина по существу ортогональна первой адресной шине. 38. The device according to clause 37, wherein the second address bus is essentially orthogonal to the first address bus.
39. Устройство по п. 37, отличающееся тем, что дополнительно содержит первый электрод, сформированный на первой композиции материалов, и второй электрод, сформированный на второй композиции материалов. 39. The device according to p. 37, characterized in that it further comprises a first electrode formed on the first composition of materials, and a second electrode formed on the second composition of materials.
40. Устройство по п.37, отличающееся тем, что первая и вторая композиции материалов по существу идентичны. 40. The device according to clause 37, wherein the first and second compositions of materials are essentially identical.
41. Устройство по п.40, отличающееся тем, что первая и вторая композиции материалов содержит три последовательно сформированных слоя, причем наружные слои обладают ферромагнитными свойствами. 41. The device according to p, characterized in that the first and second composition of materials contains three sequentially formed layer, and the outer layers have ferromagnetic properties.
42. Устройство по п.41, отличающееся тем, что каждая из первой и второй композиций материалов содержит слой Se(1-z)Sz, расположенный между слоем M(1-x-y)CdxRy, где M - элемент, выбранный из группы, состоящей из Pb, Zn и Te, а R - элемент, выбранный из группы, состоящей из Si и Ge, и слоем Fe(1-w)Crw, причем x, y, z и w - величины, находящиеся в диапазоне 0 ≤ x ≤ 1,0 ≤ y ≤ 1, и 0 ≤ (x+y) ≤ 1,0 ≤ z ≤ 1 и 0 ≤ w ≤ 1.42. The device according to paragraph 41, wherein each of the first and second compositions of materials contains a layer Se (1-z) S z located between the layer M (1-xy) Cd x R y , where M is the element selected from the group consisting of Pb, Zn and Te, and R is an element selected from the group consisting of Si and Ge and a layer of Fe (1-w) Cr w , with x, y, z and w being the quantities in in the range 0 ≤ x ≤ 1.0 ≤ y ≤ 1, and 0 ≤ (x + y) ≤ 1.0 ≤ z ≤ 1 and 0 ≤ w ≤ 1.
43. Устройство по п. 42, отличающееся тем, что слои Pb(1-x-y)CdxSiy, Se(1-z)Sz и Fe(1-w)Crw включает по меньшей мере один из элементов: Bi, O, N и элемент, выбранный из группы, состоящей из Ag, Au, Pt и Cu.43. The device according to p. 42, characterized in that the layers of Pb (1-xy) Cd x Si y , Se (1-z) S z and Fe (1-w) Cr w includes at least one of the elements: Bi , O, N and an element selected from the group consisting of Ag, Au, Pt and Cu.
44. Устройство по п.43, отличающееся тем, что x, y, z и w - величины, находящиеся в диапазонах 0,09 ≤ x ≤ 0,11, 0,09 ≤ y ≤ 0,11, 0,09 ≤ z ≤ 0,11 и 0,18 ≤ w ≤ 0,30. 44. The device according to item 43, wherein x, y, z and w are values in the ranges 0.09 ≤ x ≤ 0.11, 0.09 ≤ y ≤ 0.11, 0.09 ≤ z ≤ 0.11 and 0.18 ≤ w ≤ 0.30.
45. Устройство по п.44, отличающееся тем, что w - величина, находящаяся в диапазоне 0,22 ≤ w ≤ 0,26. 45. The device according to item 44, wherein w is a value in the range of 0.22 ≤ w ≤ 0.26.
46. Устройство по п. 44, отличающееся тем, что величина x по существу равна 0,10, величина y по существу равна 0,10, величина z по существу равна 0,10 и величина w по существу равна 0,24. 46. The device according to p. 44, characterized in that the value of x is essentially 0.10, the value of y is essentially 0.10, the value of z is essentially 0.10, and the value of w is essentially 0.24.
47. Устройство по п.41, отличающееся тем, что подложка является изолятором. 47. The device according to paragraph 41, wherein the substrate is an insulator.
48. Устройство по п.41, отличающееся тем, что подложка является кремниевой подложкой. 48. The device according to paragraph 41, wherein the substrate is a silicon substrate.
49. Устройство по п. 41, отличающееся тем, что подложка является подложкой из BaF2.49. The device according to p. 41, characterized in that the substrate is a substrate of BaF 2 .
50. Устройство по п.41, отличающееся тем, что первая и вторая адресные шины выполнены из проводящего материала. 50. The device according to paragraph 41, wherein the first and second address buses are made of conductive material.
51. Устройство по п.50, отличающееся тем, что проводящим материалом является серебро. 51. The device according to p. 50, characterized in that the conductive material is silver.
52. Устройство по п. 51, отличающееся тем, что адресные шины являются металлическими полосами. 52. The device according to p. 51, characterized in that the address lines are metal strips.
53. Способ изготовления энергонезависимого запоминающего устройства с произвольной выборкой, предусматривающий формирование первой адресной шины на первой поверхности подложки; формирование второй адресной шины на второй стороне подложки; формирование первой композиции материалов на первой адресной шине и первой поверхности подложки, причем первая композиция материалов обладает ферромагнитными и пьезоэлектрическими свойствами; формирование второй композиции материалов на второй адресной шине и второй поверхности подложки, причем вторая композиция материалов обладает ферромагнитными и пьезоэлектрическими свойствами. 53. A method of manufacturing a non-volatile random access memory device, comprising forming a first address bus on a first surface of a substrate; forming a second address bus on a second side of the substrate; the formation of the first composition of materials on the first address bus and the first surface of the substrate, and the first composition of materials has ferromagnetic and piezoelectric properties; the formation of the second composition of materials on the second address bus and the second surface of the substrate, and the second composition of materials has ferromagnetic and piezoelectric properties.
54. Способ по п.53, отличающийся тем, что дополнительно включает формирование первого электрода на первой композиции материалов и формирование второго электрода на второй композиции материалов. 54. The method according to item 53, characterized in that it further includes forming a first electrode on the first composition of materials and forming a second electrode on the second composition of materials.
55. Способ по п.53, отличающийся тем, что вторая адресная шина по существу ортогональна первой адресной шине. 55. The method according to item 53, wherein the second address bus is essentially orthogonal to the first address bus.
56. Способ по п.53, отличающийся тем, что формирование каждой из первой и второй композиций материалов дополнительно включают формирование первого слоя материала, имеющего состав Me(1-x-y)CdxRy, где Me - элемент, выбранный из группы, состоящей из Pb, Zn и Te, а R - элемент, выбранный из группы, состоящей из Si и Ge, и слоем Fe(1-w)Crw, причем x и y - величины, находящиеся в диапазонах 0 ≤ x ≤ 1,0 ≤ y ≤ 1, и 0≤ (x+y) ≤ 1; формирование второго слоя Se(1-z)Sz, на первом слое, причем z - величина, находящаяся в диапазоне 0 ≤ z ≤ 1; и формирование третьего слоя Fe(1-w)Crw на втором слое, причем w - величина, находящаяся в диапазоне 0 ≤ w ≤ 1.56. The method according to item 53, wherein the formation of each of the first and second compositions of materials further includes forming a first layer of material having the composition Me (1-xy) Cd x R y , where Me is an element selected from the group consisting of from Pb, Zn and Te, and R is an element selected from the group consisting of Si and Ge and a layer of Fe (1-w) Cr w , with x and y being values in the ranges 0 ≤ x ≤ 1.0 ≤ y ≤ 1, and 0≤ (x + y) ≤ 1; the formation of the second layer Se (1-z) S z , on the first layer, and z is a value in the range 0 ≤ z ≤ 1; and the formation of a third layer of Fe (1-w) Cr w on the second layer, and w is a value in the range 0 ≤ w ≤ 1.
57. Способ по п.56, отличающийся тем, что x, y, z и w находятся в диапазонах 0,09 ≤ x ≤ 0,11, 0,09 ≤ y ≤ 0,11, 0,09 ≤ z ≤ 0,11 и 0,22 ≤ w ≤ 0,26. 57. The method according to p, characterized in that x, y, z and w are in the ranges of 0.09 ≤ x ≤ 0.11, 0.09 ≤ y ≤ 0.11, 0.09 ≤ z ≤ 0, 11 and 0.22 ≤ w ≤ 0.26.
58. Способ по п.57, отличающийся тем, что величина x по существу равна 0,10, величина y по существу равна 0,10, величина z по существу равна 0,10 и величина w по существу равна 0,24. 58. The method according to clause 57, wherein the value of x is essentially 0.10, the value of y is essentially 0.10, the value of z is essentially 0.10, and the value of w is essentially 0.24.
59. Способ по п.56, отличающийся тем, что формирование адресных шин дополнительно включает осаждение проводящих слоев на поверхности подложки и травление проводящих слоев. 59. The method according to p, characterized in that the formation of address lines further includes the deposition of conductive layers on the surface of the substrate and etching the conductive layers.
60. Способ запоминания двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства с произвольной выборкой, причем обращение к каждой такой ячейке осуществляют по первой и второй адресным шинам, предусматривающий подачу двух электрических токов, имеющих одинаковые полярности, на первую и вторую адресные шины соответственно для запоминания первого бита двоичных данных в ячейке памяти и подачу двух электрических токов, имеющих противоположные полярности, на первую и вторую адресные шины соответственно для запоминания второго бита двоичной информации в ячейке памяти. 60. A method of storing two independent bits of binary data in one memory cell of a non-volatile memory device with random sampling, and access to each such cell is carried out on the first and second address buses, providing for the supply of two electric currents having the same polarity to the first and second address buses accordingly, for storing the first bit of binary data in a memory cell and supplying two electric currents having opposite polarities to the first and second address buses, respectively Essentially for storing the second bit of binary information in a memory cell.
61. Способ по п.60, отличающийся тем, что токи, подаваемые для запоминания первого бита данных, имеют по существу одинаковые амплитуды. 61. The method according to p. 60, characterized in that the currents supplied for storing the first bit of data have essentially the same amplitude.
62. Способ по п.61, отличающийся тем, что токи, подаваемые для запоминания второго бита данных, имеют по существу одинаковые амплитуды. 62. The method according to p, characterized in that the currents supplied to store the second bit of data have essentially the same amplitude.
63. Способ по п.62, отличающийся тем, что амплитуды электрических токов, подаваемых для запоминания первого и второго битов данных, таковы, что одного тока не достаточно для изменения двоичной величины запомненных данных. 63. The method according to item 62, wherein the amplitudes of the electric currents supplied to store the first and second bits of data are such that one current is not enough to change the binary value of the stored data.
64. Способ по п.63, отличающийся тем, что каждый ток, подаваемый для запоминания первого бита данных, по существу равен 20 мкА. 64. The method according to p, characterized in that each current supplied to store the first bit of data is essentially equal to 20 μA.
65. Способ по п.64, отличающийся тем, что каждый ток, поданный для запоминания второго бита данных, по существу равен 20 мкА. 65. The method according to item 64, wherein each current supplied to store the second bit of data is essentially equal to 20 μA.
66. Способ по п.62, отличающийся тем, что дополнительно включает выявление пьезоэлектрического напряжения, показывающего, что двоичные данные запомнены в ячейке. 66. The method according to p, characterized in that it further includes the detection of piezoelectric voltage, indicating that the binary data is stored in the cell.
67. Способ по п.60, отличающийся тем, что подача двух электрических токов для запоминания первого бита данных включает запоминание первой двоичной величины путем подачи двух электрических токов, оба из которых имеют первую полярность и одну и ту же амплитуду, на первую и вторую адресные шины соответственно и запоминание второй двоичной величины путем подачи двух электрических токов, имеющих вторую полярность, которая противоположна первой полярности, и одну и ту же амплитуду, на первую и вторую адресные шины соответственно. 67. The method according to p. 60, characterized in that the supply of two electric currents for storing the first bit of data includes storing the first binary value by supplying two electric currents, both of which have the first polarity and the same amplitude, to the first and second address bus, respectively, and storing the second binary value by supplying two electric currents having a second polarity that is opposite to the first polarity and the same amplitude to the first and second address buses, respectively.
68. Способ по п.67, отличающийся тем, что два электрических тока для запоминания первого бита данных подают в виде двух синхронизированных импульсов электрического тока, имеющих одинаковые полярности. 68. The method according to p, characterized in that two electric currents for storing the first bit of data are supplied in the form of two synchronized pulses of electric current having the same polarity.
69. Способ по п.67, отличающийся тем, что подача двух электрических токов для запоминания второго бита данных включает запоминание первой двоичной величины путем подачи двух электрических токов, имеющих первую и вторую полярности и одинаковые амплитуды, на первую и вторую адресные шины соответственно и запоминание второй двоичной величины путем подачи двух электрических токов, имеющих вторую и первую полярности и одинаковые амплитуды, на первую и вторую шины соответственно. 69. The method according to p. 67, characterized in that the supply of two electric currents for storing the second data bit includes storing the first binary value by supplying two electric currents having the first and second polarities and the same amplitudes to the first and second address buses, respectively, and storing the second binary value by supplying two electric currents having a second and first polarity and the same amplitude to the first and second bus, respectively.
70. Способ по п. 69, отличающийся тем, что два электрических тока для запоминания второго бита данных подают в виде двух синхронизированных импульсов электрического тока, имеющих противоположные полярности. 70. The method according to p. 69, characterized in that two electric currents for storing the second data bit are supplied in the form of two synchronized electric current pulses having opposite polarities.
71. Способ воспроизведения первого и второго независимых битов данных, запомненных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства с произвольной выборкой, причем обращение к каждой такой ячейке осуществляют по первой и второй адресным шинам, предусматривающий подачу двух электрических токов, имеющих одну и ту же полярность, к первой и второй адресным шинам соответственно для воспроизведения первого бита данных, причем амплитуда токов по существу одинакова, а сложенные амплитуды токов недостаточны для изменения двоичной величины запомненных данных; и подачу двух электрических токов, имеющих противоположные полярности, на первую и вторую адресные шины соответственно для воспроизведения второго бита данных, причем амплитуды токов по существу одинаковы, а сложенные амплитуды токов недостаточны для изменения двоичной величины запомненных данных. 71. A method for reproducing the first and second independent data bits stored in one memory cell of a non-volatile memory device with random sampling, and access to each such cell is carried out on the first and second address buses, providing for the supply of two electric currents having the same polarity, to the first and second address buses, respectively, to reproduce the first bit of data, and the amplitude of the currents is essentially the same, and the combined amplitudes of the currents are insufficient to change hydrochloric stored data values; and supplying two electric currents having opposite polarities to the first and second address buses, respectively, to reproduce the second data bit, the current amplitudes being essentially the same and the combined current amplitudes insufficient to change the binary value of the stored data.
72. Способ по п.71, отличающийся тем, что дополнительно включает считывание пьезоэлектрического напряжения, генерируемого в ответ на поданные токи. 72. The method according to p, characterized in that it further includes reading the piezoelectric voltage generated in response to the supplied currents.
73. Способ по п.72, отличающийся тем, что амплитуды двух электрических токов, поданных для воспроизведения первого или второго битов данных, по существу равна 15 мкА. 73. The method of claim 72, wherein the amplitudes of the two electric currents supplied to reproduce the first or second data bits are substantially 15 μA.
74. Способ по п.72, отличающийся тем, что два электрических тока подают для воспроизведения первого бита данных в виде двух синхронизированных импульсов электрического тока, имеющих одинаковые амплитуды и полярности. 74. The method according to p, characterized in that two electric currents are supplied to reproduce the first bit of data in the form of two synchronized pulses of electric current having the same amplitudes and polarities.
75. Способ по п.74, отличающийся тем, что два электрических тока подают для воспроизведения второго бита данных в виде двух синхронизированных импульсов электрического тока, имеющих одинаковые амплитуды и полярности. 75. The method according to p. 74, characterized in that two electric currents are supplied to reproduce the second bit of data in the form of two synchronized pulses of electric current having the same amplitude and polarity.