RU95118513A

RU95118513A - Открытая излучающая система

Info

Publication number: RU95118513A
Application number: RU95118513/09A
Authority: RU
Inventors: В.Я. Гоц; В.К. Корнеенков; В.И. Луценко; В.С. Мирошниченко
Original assignee: В.Я. Гоц; В.К. Корнеенков; В.И. Луценко; В.С. Мирошниченко
Filing date: 1995-10-27
Publication date: 1997-11-10

Claims

1. Открытая излучающая система, состоящая из рефлектора, выполненного в виде сегмента цилиндрической поверхности с прямоугольным раскрывом, полупроводникового диода, расположенного на оси симметрии рефлектора с его вогнутой стороны и источника напряжения смещения, отличающаяся тем, что в раскрыв рефлектора введен планарный диэлектрический волновод, вблизи которого размещена периодическая структура, а противоположный конец планарного диэлектрического волновода введен в прямоугольный раскрыв второго рефлектора, на оси симметрии которого с его вогнутой стороны размещен второй полупроводниковый диод.

2. Открытая излучающая система по п.1, отличающаяся тем, что рефлекторы выполнены в виде сегмента параболического цилиндра, а полупроводниковые диоды размещены на пересечении фокальной оси параболического цилиндра и оси симметрии соответствующего рефлектора.

3. Открытая излучающая система по п.1, отличающаяся тем, что рефлекторы выполнены в виде сегмента кругового цилиндра, торцевые грани планарного диэлектрического волновода выполнены в виде двумерной линзы, фокальная ось которой совмещена с осью соответствующего кругового цилиндра, а полупроводниковые диоды размещены на пересечении оси соответствующего кругового цилиндра и оси симметрии рефлектора.

4. Открытая излучающая система по п.1, отличающаяся тем, что рефлекторы выполнены в виде секториального рупорно-волноводного перехода, полупроводниковые диоды размещены в фазовом центре соответствующего секториального рупора, в прямоугольном волноводе которого на расстоянии от полупроводникового диода размещен короткозамыкатель, а торцевые грани планарного диэлектрического волновода выполнены в виде двумерной линзы, фокальная ось которой проходит через фазовый центр соответствующего рупора.

5. Открытая излучающая система по пп. 1 - 4, отличающаяся тем, что второй полупроводниковый диод является смесительным диодом.

6. Открытая излучающая система по пп. 1 - 5, отличающаяся тем, что периодическая структура выполнена в виде отражательной дифракционной решетки.

7. Открытая излучающая система по пп. 1 - 5, отличающаяся тем, что периодическая структура выполнена в виде ленточной решетки, расположенной на широкой грани планарного диэлектрического волновода, противоположная грань которого соприкасается с металлической подложкой.

8. Открытая излучающая система по пп. 1 - 5, отличающаяся тем, что периодическая структура выполнена в виде двойной решетки, состоящей из ленточной решетки, расположенной на широкой грани планарного диэлектрического волновода, и отражательной дифракционной решетки, расположенной вблизи второй широкой грани планарного диэлектрического волновода.

9. Открытая излучающая система по п.8, отличающаяся тем, что ленточная решетка выполнена с прозрачностью Т, возрастающей от центра излучающей апертуры к ее краям по следующему закону:
T = T_o+ T₁(sin(π(x -A)/(2A))),
где T₀ и T₁ - постоянные коэффициенты, 0 < T₁ < T₀, T₀ + T₁ ≤ 1;
x - бегущая координата вдоль излучающей апертуры, |x| ≥ a;
[-A, A] - излучающая апертура ленточной решетки, A > 0.