RU2000119984A - Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный - Google Patents

Claims (2)

1. Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный, содержащий в герметичной оболочке, состоящей из корпуса с выводами и крышки со стеклом, решетку лазерных диодов, установленных на плоскости корпуса, перпендикулярной оси излучения, отличающийся тем, что решетка лазерных диодов выполнена в виде одинаковых блоков лазерных диодов, минимальное число которых определено соотношением:

где θ_∥ - типовая расходимость излучения блока лазерных диодов в плоскости параллельной p-n переходам по уровню 0,5;
θ_u- расходимость излучения излучателя по заданному уровню силы излучения,
а все n блоков лазерных диодов развернуты друг относительно друга в плоскости, перпендикулярной оси излучения, причем углы между направлениями их p-n переходов и направлением начала отсчета углов в плоскости зеркал образуют ряд 0,α,2α,...,(n-1)α градусов, где α = 180•n^-1 градусов.

2. Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный по п. 1, отличающийся тем, что все n блоков лазерных диодов расположены по окружности с угловым шагом 2α относительно ее центра, причем диаметр окружности выбран минимальным.