Claims (1)
Предлагаемое изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано как датчик освещенности в различных устройствах автоматизированного управления технологическими процессами. Цель: создание полупроводникового датчика освещенности, который обладает высокой чувствительностью и точностью измерений. Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве осуществляется преобразование емкости в частоту, для чего полевые фототранзисторы выступают в качестве управляемых светом емкостных элементов колебательного контура, а индуктивным элементом служит пассивная индуктивность. Такая конструкция устройства при подаче управляющих напряжений обеспечивает на зажимах сток-сток полевых фототранзисторов отрицательное сопротивление, которое приводит к возникновению электрических колебаний в контуре, образованном параллельным включением полного сопротивления с емкостным характером на зажимах сток-сток полевых фототранзисторов и индуктивным сопротивлением пассивной индуктивности. При подаче оптического излучения на полевые фототранзисторы происходит изменение емкостной составляющей полного сопротивления на зажимах сток-сток, что приводит к изменению резонансной частоты контура.The present invention relates to instrumentation and can be used as a light sensor in various devices for automated control of technological processes. Purpose: creation of a semiconductor light sensor, which has high sensitivity and measurement accuracy. This is achieved by the fact that in the proposed device, the capacitance is converted to frequency, for which field phototransistors act as light-controlled capacitive elements of the oscillatory circuit, and the passive inductance serves as an inductive element. Such a design of the device when supplying control voltages provides negative resistance at the drain-drain terminals of field-effect phototransistors, which leads to the occurrence of electrical oscillations in the circuit, formed by the parallel inclusion of impedance with a capacitive nature at the drain-drain terminals of field-effect phototransistors and inductive resistance of passive inductance. When optical radiation is applied to field-effect phototransistors, the capacitive component of the impedance changes at the drain-drain terminals, which leads to a change in the resonant frequency of the circuit.