RU92004097A - SEMICONDUCTOR GAS SENSOR - Google Patents

SEMICONDUCTOR GAS SENSOR

Info

Publication number
RU92004097A
RU92004097A RU92004097/25A RU92004097A RU92004097A RU 92004097 A RU92004097 A RU 92004097A RU 92004097/25 A RU92004097/25 A RU 92004097/25A RU 92004097 A RU92004097 A RU 92004097A RU 92004097 A RU92004097 A RU 92004097A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
drain
gas
transistors
terminals
capacitive element
Prior art date
Application number
RU92004097/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2053504C1 (en
Inventor
В.С. Осадчук
Е.В. Осадчук
А.В. Осадчук
Original Assignee
В.С. Осадчук
Е.В. Осадчук
А.В. Осадчук
Filing date
Publication date
Application filed by В.С. Осадчук, Е.В. Осадчук, А.В. Осадчук filed Critical В.С. Осадчук
Priority to RU92004097A priority Critical patent/RU2053504C1/en
Priority claimed from RU92004097A external-priority patent/RU2053504C1/en
Publication of RU92004097A publication Critical patent/RU92004097A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2053504C1 publication Critical patent/RU2053504C1/en

Links

Claims (1)

Предлагаемое изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано как датчик концентрации газа в различных устройствах автоматизированного управления технологическими процессами. Техническим результатом настоящего изобретения является увеличение чувствительности и точности измерений. Технический результат достигается тем, что по сравнению с известным устройством, в котором изменение емкости преобразуется в ток, в предлагаемом устройстве осуществляется преобразование емкости в частоту, для чего полевые газочувствительные транзисторы выступают в качестве управляемого газом емкостного элемента колебательного контура, а индуктивным элементом служит пассивная индуктивность. Такая конструкция устройства при подаче управляющих напряжений обеспечивает работу транзисторов в режиме насыщения. При этом на зажимах сток-сток этих транзисторов возникает отрицательное сопротивление, которое приводит к возникновению электрических колебаний в контуре, образованном параллельным включением полного сопротивления с емкостным характером на зажимах сток-сток транзисторов и индуктивным сопротивлением пассивной индуктивности. При подаче газа на газочувствительный подзатворный диэлектрик емкостного элемента происходит изменение емкостной составляющей полного сопротивления на зажимах сток-сток емкостного элемента, что приводит к изменению резонансной частоты контура.The present invention relates to the field of instrumentation technology and can be used as a gas concentration sensor in various devices for automated process control. The technical result of the present invention is to increase the sensitivity and accuracy of measurements. The technical result is achieved by the fact that in comparison with the known device, in which the capacitance change is converted to current, the proposed device converts the capacitance into a frequency, for which the gas field-effect transistors act as a gas-controlled capacitive element of the oscillating circuit, and the inductance . This design of the device when applying control voltages ensures the operation of transistors in the saturation mode. In this case, a negative resistance occurs at the terminals of the drain-drain of these transistors, which leads to electrical oscillations in the circuit formed by the parallel connection of an impedance with a capacitive character at the terminals of the drain-drain of the transistors and the inductive resistance of passive inductance. When gas is applied to the gas-sensitive gate dielectric of the capacitive element, the capacitance component of the impedance changes at the terminals of the drain-drain of the capacitive element, which leads to a change in the resonant frequency of the circuit.
RU92004097A 1992-10-16 1992-10-16 Semiconductor gas detector RU2053504C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92004097A RU2053504C1 (en) 1992-10-16 1992-10-16 Semiconductor gas detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92004097A RU2053504C1 (en) 1992-10-16 1992-10-16 Semiconductor gas detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU92004097A true RU92004097A (en) 1995-01-27
RU2053504C1 RU2053504C1 (en) 1996-01-27

Family

ID=20131545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU92004097A RU2053504C1 (en) 1992-10-16 1992-10-16 Semiconductor gas detector

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2053504C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU93057194A (en) METHOD OF NON-CONTACT MEASUREMENT IN DYNAMIC MODE OF DISPLACEMENT OR DIELECTRIC CONSTANT USING A CAPACITIVE SENSOR
KR920704150A (en) Self-detection device
EP0309085A3 (en) A detector device
RU92004097A (en) SEMICONDUCTOR GAS SENSOR
CA2194956A1 (en) Capacitive measuring device with mosfet
KR890010543A (en) Electronic thermometer
RU1824566C (en) Device for measuring gas concentration
RU2103801C1 (en) Generator converter
RU94028635A (en) Semiconductor light detector
RU2104619C1 (en) Electrostatic microphone
RU2092933C1 (en) Semiconductor magnetic field sensor
RU2053504C1 (en) Semiconductor gas detector
SE8500205L (en) DEVICE FOR TESTLESS TESTING THE PRESENCE OF ELECTRIC VOLTAGE
RU92004093A (en) SEMICONDUCTOR MAGNETIC FIELD SENSOR
SU1173346A1 (en) Capacitance-to-voltage converter
SU1679342A1 (en) Capacitance moisture meter
RU2016376C1 (en) Film thickness measuring device
RU2122713C1 (en) Semiconductive temperature pickup
SU1049817A1 (en) Bridge circuit of measuring capacity pickup
RU2078317C1 (en) Measuring generator
RU2086048C1 (en) Semiconductor magnetic-to-optical converter
KR830004038A (en) High Frequency Induction Heating Circuit
SU1640717A1 (en) Analog multiply-divider
SU1628012A1 (en) Device for measuring electrical and non-electrical quantities
SU129366A1 (en) Humidity sensor to electronic moisture meter