SU1396156A1 - Electronics teaching device - Google Patents

Electronics teaching device Download PDF

Info

Publication number
SU1396156A1
SU1396156A1 SU864088941A SU4088941A SU1396156A1 SU 1396156 A1 SU1396156 A1 SU 1396156A1 SU 864088941 A SU864088941 A SU 864088941A SU 4088941 A SU4088941 A SU 4088941A SU 1396156 A1 SU1396156 A1 SU 1396156A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
capacitor
output
varicap
voltage
Prior art date
Application number
SU864088941A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Александрович Аваев
Юрий Евгеньевич Наумов
Original Assignee
Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе filed Critical Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе
Priority to SU864088941A priority Critical patent/SU1396156A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1396156A1 publication Critical patent/SU1396156A1/en

Links

Landscapes

  • Instructional Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к области учебных приборов по электронике. Целью изобретени   вл етс  повьппение надежности работы. Учебный прибор по электронике содержит источник посто нного регулируемого напр жени  2, генератор синусоидального напр жени  1, регистрирующий прибор 14 и модель реальной МДП-структуры, содержащую варикап 8, импульсный диод 11, резисторы 9, 10, 13 и конденсаторы 5, 12, 1 ил.This invention relates to the field of electronic training devices. The aim of the invention is to improve reliability. The electronic training device contains a constant-voltage source 2, a sinusoidal voltage generator 1, a recording device 14 and a model of a real MIS structure containing a varicap 8, a pulse diode 11, resistors 9, 10, 13 and capacitors 5, 12, 1 silt

Description

ff ff

(L

сwith

f f

lUlU

1212

hh

соwith

CDCD

о: елabout: ate

ОдOd

ww

5 Й   5 th

Изобретение относитс  к учебньм пособи м по электронике и может быть использовано при изучении свойств структуры ГЩП (метагш-диэлектрик- полупроводник).The invention relates to textbooks on electronics and can be used in the study of the properties of the structure of a GSP (meta-dielectric-semiconductor).

Целью изобретени   вл етс  повьшш ние надежности работы путем снижени  чувствительности к зар дам статического электричества.The aim of the invention is to increase the reliability of operation by reducing the sensitivity to static electricity charges.

На чертеже представлена принципиальна  схема прибора.The drawing shows a schematic diagram of the device.

Учебный прибор по электронике содержит генератор 1 синусоидального напр жени  регулируемой частоты, ис- точник 2 посто нкюго регулируемого напр жени , первый резистор 3, первы вывод которого соединен с источником 2 посто нного напр жени , первый конденсатор 4, первый вывод которого со динен с генератьром 1 синусоидального напр жени , и эталонньм конденсатор 5. Модель структуры МДП содержитThe electronic training device contains a sinusoidal voltage controlled voltage generator 1, a constant voltage source 2, the first resistor 3, the first output of which is connected to a constant voltage source 2, the first capacitor 4, the first output of which is connected to the generator. 1 sinusoidal voltage, and a standard capacitor 5. The model of the MIS structure contains

параллельно включенные вторые резистор 6 и конденсатор 7, первые выводы которых соединены с вторыми выводами первых резистора 3 и конденсатора 4,, вторые выводы вторьп: р.езистора 6 и конденсатора 7 соединены с катодом варикапа 8, параллегшно которому включен третий рс зистор 9, анод варикапа 8 соединен с выводом эталонного конденсатора 5, параллельно которому подключен п тьй резистор Ю, Ка . тод варикапа 8 соединен с анодом им- пульсного диода 11, катод которого через третий конденсатор 12 соединен с анодом варикапа 8, а через четвертый резистор 13 - с вторым выходом источника 2 посто нного Напр же- ни , причем параллельно этaлoннo f5 конденсатору 5 подключен регистрирующий прибор 14 (милливольтметр переменного напр жени )„ second resistor 6 and capacitor 7 connected in parallel, the first terminals of which are connected to the second terminals of the first resistor 3 and capacitor 4, the second terminals of the second resistor 6 and the capacitor 7 are connected to the cathode of the varicap 8, which is connected to the third RSistor 9, anode Varicap 8 is connected to the output of the reference capacitor 5, in parallel with which is connected a five resistor Yu, Ka. The varicap diode 8 is connected to the anode of a pulsed diode 11, the cathode of which is connected via the third capacitor 12 to the anode of varicap 8, and via the fourth resistor 13 to the second output of the source 2 of a constant voltage, and a recording capacitor 5 is connected in parallel to the standard f5. device 14 (millivoltmeter of alternating voltage) „

Учебный прибор по электронике ра ботает следующим образом.The electronic training device operates as follows.

От источника 2 посто нного регулируемого напр жени  через резистор 3, служащий дл  разв зки по переменному току, на модель структуры МДП подаетс  посто нное напр жение смещени , величину которого можно плавно регулировать. От генератора 1 синусоидального напр зкени  через конденсатор 4, служащий дл  разв зки по посто нному току, на модель подаетс  синусоидальное напр жение малой амплитуды с плавно регулируемой частотой. Конденсатор 7 имитируFrom a constant-voltage source 2, through a resistor 3, which serves to disconnect by alternating current, a constant bias voltage is applied to the MDP structure model, the magnitude of which can be smoothly controlled. From the generator 1 of sinusoidal voltage through the capacitor 4, which serves to disconnect over a direct current, the model is supplied with a sinusoidal voltage of small amplitude with a smoothly controlled frequency. Condenser 7 imitation

0 0

5 О 5 o

д d

5 five

« "

5five

ет емкость диэлектрика структуры МДП, варикап 8 - емкость обедненного сло , импульсный диод 11 (его диффузионна  емкость - емкость инверсного сло  структуры МДП. Цепочка резисторов 6, 9 и 10 служит дл  установлени  нужного распределени  посто нного- регули руемого напр жени  смещени  между . вторым конденсатором 7, варикапом 8 и эталонным конденсатором 5. Конденсатор 12 св зывает по переменному току анод варикапа 8 с катодом импульсного диода 11. Резистор 13 служит дл  разв зки по переменному току источника посто нного напр жени .em capacitance of the MDP structure, varicap 8 — depletion layer capacitance, pulsed diode 11 (its diffusion capacitance is the capacitance of the inverse layer of the MDP structure. A chain of resistors 6, 9 and 10 serves to establish the desired distribution of the constant-controlled bias voltage between the second a capacitor 7, a varicap 8 and a reference capacitor 5. A capacitor 12 connects the alternating current to the anode of the varicap 8 with the cathode of a pulsed diode 11. The resistor 13 serves to disconnect from the alternating current of the constant voltage source.

Шкала регистрирующего прибора 14 (милливольтметра переменного напр жени ) проградуирована так, что по ней непосредственно производитс  отсчет емкости структуры МДП (модели). Таким образом, учебный прибор позвол ет снимать вольт-фарадную и частотную характеристики структуры МДП (модели). Напр жение смещени , подаваемое с второго выхода источника 2 посто нного напр жени , позвол ет измен ть пороговое напр жение на вольт-фарадной характеристике на оси напр жений, что эквивалентно изменению плотности поверхностного зар да в структуре МДП.The scale of the recording device 14 (millivoltmeter of alternating voltage) is calibrated so that it reads directly the capacitance of the MIS structure (model). Thus, the training device allows you to capture the capacitance-voltage and frequency characteristics of the MIS structure (model). The bias voltage supplied from the second output of the source 2 DC voltage, allows you to change the threshold voltage on the voltage-capacitance characteristic on the voltage axis, which is equivalent to the change in the density of the surface charge in the structure of the MIS.

Удобство пользовани  и высока  надежность учебного прибора обеспечиваютс  тем, 4Vo вместо реальной структуры МДП, котора  очень часто выходит из стро  при ее использовании в учебной лаборатории, в данном приборе применена проста  и надежна  модель структуры МДП, правильно отражающа  все основные свойства реаль- ной структуры МДП.Convenience of use and high reliability of the training device are provided by the 4Vo instead of the real TIR structure, which very often fails when used in the educational laboratory, this device uses a simple and reliable model of the TIR structure that correctly reflects all the basic properties of the real TIR structure. .

Кроме того, в модели использованы варикап и импульсный диод , имею- npie большие емкости (50,,..100 пФ) по сравнению с паразитными емкост ми милливольтметра переменного напр жени , соединительных проводников и других элементов учебного прибора , что значительно упрощает его схему.In addition, the model uses a varicap and a pulsed diode, which has large capacitances (50 ,, .. 100 pF) compared with the parasitic capacitances of the alternating voltage millivoltmeter, connecting conductors and other elements of the training device, which greatly simplifies its circuit.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Учебный прибор по электроникеElectronic training device преимущественно дл  изучени  характеристик и параметров структур металл- диэлектрик-полупроводник , содержащий генератор синусоидального напр жени  с регулировкой частоты, подключенный к первому выводу первого конденсатора , источник посто нного регулируемого напр жени , соединенный с первым выводом первого резистора, регистрирующий прибор и эталонный конденсатор, от, личающий- с   тем, что, с целью повьшени  надежности работы путем снижени  чув-. ствительности к статического электричества, он снабжен моделью структуры металл-диэлектрик-провод- ник, содержащей варикап, импульсный диод, резисторы и конденсаторы, приmainly for studying the characteristics and parameters of metal-dielectric-semiconductor structures, containing a sinusoidal voltage generator with frequency control, connected to the first output of the first capacitor, a constant adjustable voltage source connected to the first output of the first resistor, a registering device and a reference capacitor from , with the fact that, in order to increase the reliability of work by reducing chu-. static electricity, it is equipped with a model of the metal-dielectric-conductor structure containing a varicap, a pulsed diode, resistors and capacitors, with чем вторые вьгаоды первых резистора и конденсатора через параллельно соединенные вторые резистор и конденсатор подключены к первому вьшоду третьего резистора, катоду варикапа и аноду импульсного диода, св занного катодом через четвертый резистор с вторым выходом источника посто нного регулируемого- напр жени , а через третий конденсатор - с анодом варикапа , вторым выводом третьего резистора и параллельно включенньвв п тым резистором, эталонным конденсатором и регистрирукщим прибором.than the second terminals of the first resistor and capacitor are connected via a parallel connected second resistor and a capacitor to the first output of the third resistor, the varicap cathode and the anode of a pulsed diode connected to the cathode through the fourth resistor with the second output of a constant regulated voltage source, and through the third capacitor - with the varicap anode, the second output of the third resistor, and in parallel the switch on the fifth resistor, the reference capacitor, and a recording device.
SU864088941A 1986-07-14 1986-07-14 Electronics teaching device SU1396156A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864088941A SU1396156A1 (en) 1986-07-14 1986-07-14 Electronics teaching device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864088941A SU1396156A1 (en) 1986-07-14 1986-07-14 Electronics teaching device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1396156A1 true SU1396156A1 (en) 1988-05-15

Family

ID=21245777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864088941A SU1396156A1 (en) 1986-07-14 1986-07-14 Electronics teaching device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1396156A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Измерение коицентрагщи носителей и времени жизни неосновных носителей в эпитаксильных полупроводниковых сло х, - Solid State. Electronic (SSE);, 1966, V. 9, № 4, p. 315-319. Yund C., Poirier R. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4806846A (en) High accuracy direct reading capacitance-to-voltage converter
KR930005013A (en) Dynamic Adjustment of Voltage Reference for Ferroelectric Circuits
JPS609696Y2 (en) Liquid level detection device
CN1113577A (en) Watch including a manual control device
US3165694A (en) Average signal value measuring means using storage means alternately connected to the signal and a d.c. measuring means
SU1396156A1 (en) Electronics teaching device
DE3382614D1 (en) CAPACITOR MONITORING CIRCUIT.
WO1996006361A1 (en) Capacitive measuring device with mosfet
US5495130A (en) Point level switch
CN2165453Y (en) Integrated digital electrostatic potentiometer
ATE164947T1 (en) ARRANGEMENT FOR POTENTIALLY ISOLATED CAPACITY MEASUREMENT, ESPECIAL. FOR CAPACITIVE FILL LEVEL MEASUREMENT
SU1186935A1 (en) Apparatus for testing thickness of dielectric coating on dielectric base
KR900005306Y1 (en) Voltage current property defective circuit
SU550592A1 (en) Measuring capacitors capacitors, shunted resistors
SU1629877A1 (en) Capacitance meter
CN2888456Y (en) Rapid measurement gauge for inductive DC resistance
SU1659915A1 (en) Device fpr measuring distribution of surface electrical potential
SU978084A1 (en) Device for registering volt-farad characteristics
SU1173346A1 (en) Capacitance-to-voltage converter
SU1109677A1 (en) Method of measuring electric field strength
SU1392338A1 (en) Capacitance-electronic device for converting displacements
RU2103801C1 (en) Generator converter
SU411469A1 (en)
RU2114490C1 (en) Semiconductor optical detector
SU1049817A1 (en) Bridge circuit of measuring capacity pickup