RU93051353A - Способ и устройство для измерения концентрации неосновных носителей в полупроводниковых материалах - Google Patents
Способ и устройство для измерения концентрации неосновных носителей в полупроводниковых материалахInfo
- Publication number
- RU93051353A RU93051353A RU93051353/25A RU93051353A RU93051353A RU 93051353 A RU93051353 A RU 93051353A RU 93051353/25 A RU93051353/25 A RU 93051353/25A RU 93051353 A RU93051353 A RU 93051353A RU 93051353 A RU93051353 A RU 93051353A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- microwave
- antenna
- energy
- measurements
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 5
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
Claims (1)
- Устройство для бесконтактного обнаружения загрязняющих примесей в полупроводниковом образце содержит настраиваемый генератор СВЧ, соединенный коаксиальным кабелем с настроенной узкополосной микрополосковой антенной, имеющей сквозное отверстие. Энергия СВЧ направляется антенной на первую поверхность образца, расположенного относительно нее в зоне ближнего поля. Благодаря этому образец подвергается действию более сильного поля СВЧ, чем в известных системах, кроме того, он образует оконечный импеданс цепи СВЧ, включающий генератор СВЧ и антенну, в силу чего механические вибрации образца не влияют на результаты измерений. Импульсный лазер подает оптическую энергию через отверстие в антенне на первую поверхность образца. Оптическая энергия генерирует в образце неосновные носители, которые начинают рекомбинироваться по окончании каждого импульса. Уменьшение времени жизни неосновных носителей влияет на энергию СВЧ, отраженную освобожденными электронами и дырками в образце. Отраженная энергия от антенны поступает в приемник и предпочтительно в компютерную систему, которая управляет устройством и обрабатывает сигнал с выхода приемника. Благодаря высокой чувствительности к СВЧ, измерения могут проводиться по широкому динамическому диапазону оптической энергии, что позволяет осуществлять спектроскопические инжекционные измерения. Компьютерная система на базе данных о рекомбинационном времени жизни обеспечивает воспроизведение на дисплее местоположения и значений концентрации загрязняющих примесей в образце. Устройство позволяет выполнять измерения на неоксидированном образце, помещенном в электролит, который пассивирует поверхности образца и сводит к минимуму влияние поверхностной рекомбинации на результаты измерений.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| HU8290/90 | 1990-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU93051353A true RU93051353A (ru) | 1996-03-10 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tanaka et al. | New method of superheterodyne light beating spectroscopy for Brillouin scattering using frequency-tunable lasers | |
| US4707652A (en) | Impurity detector measuring parallel polarized scattered electromagnetic radiation | |
| Uttam et al. | Precision time domain reflectometry in optical fiber systems using a frequency modulated continuous wave ranging technique | |
| US6348683B1 (en) | Quasi-optical transceiver having an antenna with time varying voltage | |
| US3144601A (en) | Method of discovering and locating the position of localized electrically non-conducting defects in non-conducting materials | |
| SE9903348L (sv) | Apparat och metod för detektering av främmande kroppar i produkter | |
| US5081414A (en) | Method for measuring lifetime of semiconductor material and apparatus therefor | |
| US5640245A (en) | Spectroscopic method with double modulation | |
| US6653850B2 (en) | Surface passivation method and arrangement for measuring the lifetime of minority carriers in semiconductors | |
| ATE120546T1 (de) | Methode und vorrichtung zur messung der minoritäts-ladungsträgerlebensdauer in halbleitermaterialien. | |
| KR100833646B1 (ko) | 펄스 플라즈마 전자밀도 및 전자온도 모니터링 장치 및방법 | |
| US3574470A (en) | Method and device for detecting voids in low-density material | |
| US7423279B2 (en) | Systems and methods that detect changes in incident optical radiation | |
| RU93051353A (ru) | Способ и устройство для измерения концентрации неосновных носителей в полупроводниковых материалах | |
| US5138255A (en) | Method and apparatus for measuring lifetime of semiconductor material including waveguide tuning means | |
| US20150377782A1 (en) | Terahertz system | |
| AU648005B2 (en) | Microwave steel belt location sensor for tires | |
| Vural et al. | A light-modulated scattering technique for diffraction field measurements | |
| DK1017996T3 (da) | Ikke-destruktiv prövning af dielektriske materialer | |
| WO2001004610A2 (en) | Method and apparatus for sensitive measurement of the lifetime of minority carriers in semiconductor materials | |
| SU813211A1 (ru) | Устройство дл дефектоскопиидиэлЕКТРиКОВ | |
| Vertiy et al. | Surface wave technique at millimeter waveband for semiconductor testing by photoexcitation | |
| SU1725073A1 (ru) | Способ определени шероховатости поверхности | |
| SU1550436A1 (ru) | Способ определени диэлектрической проницаемости материалов | |
| JPS54148483A (en) | Automatic detecting method for reference mark of exposure |