RU93042335A - Способ получения полуизолирующего арсенида галлия - Google Patents
Способ получения полуизолирующего арсенида галлияInfo
- Publication number
- RU93042335A RU93042335A RU93042335/26A RU93042335A RU93042335A RU 93042335 A RU93042335 A RU 93042335A RU 93042335/26 A RU93042335/26 A RU 93042335/26A RU 93042335 A RU93042335 A RU 93042335A RU 93042335 A RU93042335 A RU 93042335A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- agp
- heat treatment
- irradiation
- single crystals
- parameters
- Prior art date
Links
- 241001101998 Galium Species 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ относится к технологии полупроводниковых соединений типа АI I IBV и может быть использован при получении монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия (АГП) с улучшенными параметрами. Предлагаемый способ заключается в улучшении параметров АГП облучением нейтронами ядерного реактора и последующей термообработкой. Сущность способа заключается в том, что в качестве исходного можно использовать монокристаллы АГП с любой степенью компенсации, а облучение вести только быстрыми нейтронами (Е > 0,1 МэВ) с плотностью потока не более 5 • 101 2 см- 2с- 2 до флюенса ф=(0,4oC5,0)•101 6 см- 2. Термообработку необходимо провести при температурах 850-900oС с определенными скоростями нагрева и охлаждения. Такая циклическая обработка образцов (облучение и термообработка) приводит к значительному повышению однородности и термостабильности свойств материала и улучшению его оптических характеристик. Применение радиационно-модифицированного материала в производстве полупроводниковых приборов (сверхбольшие интегральные схемы - СБИС, СВЧ и оптоэлектронные приборы и др.) открывает новые перспективы в микроэлектронике.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93042335A RU2046164C1 (ru) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | Способ получения полуизолирующего арсенида галлия |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93042335A RU2046164C1 (ru) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | Способ получения полуизолирующего арсенида галлия |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2046164C1 RU2046164C1 (ru) | 1995-10-20 |
| RU93042335A true RU93042335A (ru) | 1996-03-27 |
Family
ID=20146875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93042335A RU2046164C1 (ru) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | Способ получения полуизолирующего арсенида галлия |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2046164C1 (ru) |
-
1992
- 1992-08-25 RU RU93042335A patent/RU2046164C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Levinson et al. | Defect states in electron bombarded n‐InP | |
| Suezawa et al. | Optical studies of heat‐treated Si‐doped GaAs bulk crystals | |
| RU93042335A (ru) | Способ получения полуизолирующего арсенида галлия | |
| Basov et al. | Use of indirect transitions in semiconductors for the determination of states with negative absorption coefficients | |
| RU1676409C (ru) | Способ образования нз-центров окраски в алмазе | |
| Kang et al. | Characteristics of GaAs with inverted thermal conversion | |
| Barnes | Thermal and injection annealing of neutron-irradiated p-type silicon between 76 K and 300 K | |
| US4257824A (en) | Photo-induced temperature gradient zone melting | |
| Newman et al. | The localized vibrations of boron impurities in indium phosphide | |
| Kuriyama et al. | Photoquenching phenomenon enhanced by proton irradiation in semi‐insulating GaAs | |
| RU2046164C1 (ru) | Способ получения полуизолирующего арсенида галлия | |
| JPS5533020A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| Kolin et al. | Electrical properties of indium arsenide[with dopant concentrations of 5 multiplied by 10 sup 1 sup 6- 2 multiplied by 10 sup 1 sup 7 cm- sup 3] irradiated with fast neutrons | |
| Osip'yan et al. | Interaction of dislocations with hydrogen and oxygen in silicon | |
| Bolotov et al. | Laser annealing of defects responsible for additional optical absorption in ion-irradiated gallium arsenide | |
| Gulamova et al. | Radiation‐Induced Defect Formation in Silica Glasses | |
| Pearton et al. | The nature of the dominant γ-induced defects in high-purity germanium | |
| SU849928A1 (ru) | Способ повышени стабильности характеристик кремни | |
| Tanimura et al. | Thermo-chemical reactions of freed halogen interstitials in KBr; Na | |
| Tiainen et al. | Radiation Damage in Selenium Single Crystals | |
| Almazov | Enrichment of an InSb Surface with Free Carriers in Crossed Electrical and Magnetic Fields | |
| Dvurechensky et al. | Production and rearrangement of radiation defects in ion implanted semiconductors | |
| Gasanov et al. | Influence of radiation and thermal treatment on x-ray luminescence of quartz glasses | |
| Fedorovich | Diffusion of silver and sodium in lead selenide | |
| Brudnyi et al. | Radiation defects in gallium arsenide |