RU8544U1 - TWO-POWER POWER AMPLIFIER - Google Patents

TWO-POWER POWER AMPLIFIER Download PDF

Info

Publication number
RU8544U1
RU8544U1 RU98105716/20U RU98105716U RU8544U1 RU 8544 U1 RU8544 U1 RU 8544U1 RU 98105716/20 U RU98105716/20 U RU 98105716/20U RU 98105716 U RU98105716 U RU 98105716U RU 8544 U1 RU8544 U1 RU 8544U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
base
push
transistor
power amplifier
Prior art date
Application number
RU98105716/20U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
А.Н. Крутицкий
Л.П. Янкевич
Original Assignee
Государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт "Гранит"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт "Гранит" filed Critical Государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт "Гранит"
Priority to RU98105716/20U priority Critical patent/RU8544U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU8544U1 publication Critical patent/RU8544U1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Двухтактный усилитель мощности, содержащий операционный усилитель, охваченный цепью отрицательной обратной связи с выхода двухтактного усилителя мощности на инвертирующий вход операционного усилителя, первый и второй промежуточные каскады, входы которых соединены с выходом операционного усилителя, первый мощный транзистор структуры n-p-n, база которого соединена с выходом первого промежуточного каскада, коллектор соединен с положительной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер через первый токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через первый балластный резистор - к базе первого транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой первого мощного транзистора структуры n-p-n, второй мощный транзистор структуры p-n-p, база которого соединена с выходом второго промежуточного каскада, коллектор соединен с отрицательной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер через второй токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через второй балластный резистор - к базе второго защитного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой второго мощного транзистора структуры p-n-p, отличающийся тем, что в него введены первый дополнительный резистор, включенный между выходом операционного усилителя и базой первого защитного транзистора структуры n-p-n, и второй дополнительный резистор, включенный между выходом операционного усилителя и базой второго защитного транзистора структуры p-n-p.A push-pull power amplifier containing an operational amplifier, covered by a negative feedback circuit from the output of a push-pull power amplifier to the inverting input of the operational amplifier, the first and second intermediate stages, the inputs of which are connected to the output of the operational amplifier, the first powerful transistor of the npn structure, the base of which is connected to the output of the first of the intermediate stage, the collector is connected to the positive bus of the bipolar power source, and the emitter through the first current-limiting resistor the output of the push-pull power amplifier and through the first ballast resistor to the base of the first transistor, the emitter of which is connected to the output of the push-pull power amplifier, and the collector to the base of the first powerful transistor of the npn structure, the second powerful transistor of the pnp structure, the base of which is connected to the output of the second intermediate of the cascade, the collector is connected to the negative bus of the bipolar power source, and the emitter is connected through the second current-limiting resistor to the output of the push-pull power amplifier and through the second oh the ballast resistor - to the base of the second protective transistor, the emitter of which is connected to the output of the push-pull power amplifier, and the collector - to the base of the second powerful transistor of the pnp structure, characterized in that the first additional resistor connected between the output of the operational amplifier and the base of the first protective a transistor of structure npn, and a second additional resistor connected between the output of the operational amplifier and the base of the second protective transistor of structure pnp.

Description

ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИTWO-POWER POWER AMPLIFIER

Полезная модель относится к усилительной технике и может быть использована в автоматике, системах управления, аудиоаппаратуре и других областях техники, где требуется усиление по мощности разнополярных сигналов.The utility model relates to amplification technology and can be used in automation, control systems, audio equipment and other areas of technology where power amplification of bipolar signals is required.

Известны двухтактные усилители мощности, содержащие пару мощных транзи го в, один из которых имеет структуру п-р-п, дфугой имеет структуру р-п-р. В эмитте ШЫе цепи мощных транзисторов )1 токоограничительные резисторы, к кокЪрым подключены защитные транзисторы, шунтирующие входные цепи мощных транзисторов при превышении допустимых токов ч&рез них (см., напртлер, 1).Push-pull power amplifiers are known that contain a pair of high-power transients, one of which has a p-p-p structure, and the dfug has a p-p-p structure. The emitter has WAY circuits of powerful transistors) 1 current-limiting resistors, protective transistors are connected to the circuits, shunting the input circuits of power transistors when the permissible currents are exceeded (see, for example, 1).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является двухтактный усилитель мощности 2, соце жеащш операционный усилитель, охваченный отрицательной обратной связи с выхода двухтактного усилителя мощности на инвертирующий вход операционного усилителя, и второй тфомежугочные каскады, входы которых соединены с выходом операционного усилителя, первый мощный транзистор структуры в-р-п, база которого соединена с выходом первого 1фомежугочного каскада, коллектор соединен с положительной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер токоо1раничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через баллвшный резистор к базе первого защитного транзисго{}| эмнтг которого соединен с выходом двухта щого усилителя мощности, а колле|ст р - с базой першр мощного транзистора структурыThe closest in technical essence to the proposed one is a push-pull power amplifier 2, comprising an operational amplifier, covered by negative feedback from the output of a push-pull power amplifier to the inverting input of the operational amplifier, and the second interfacial cascades, the inputs of which are connected to the output of the operational amplifier, the first powerful transistor of the structure vp, whose base is connected to the output of the first 1-stage cascade, the collector is connected to the positive bus of a bipolar power source, and an emitter a current-limiting resistor is connected to the output of a push-pull power amplifier and through a resistor to the base of the first protective transformer {} | EMTG which is connected to the output of a two-ampere power amplifier, and the collector | st p - with the base of the transistor of a powerful transistor of the structure

Н 03 F 3/20, Н 03 F 3/26H 03 F 3/20, H 03 F 3/26

n-p-n, второй мощный траюистор структуры р-п-р, база которого соединена с выходом второго промежуточного каскада, коллектор соединен с отрицательной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер через второй токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через второй балластный резистор к базе второго защитного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой второго мощного транзистора структуры р-в-р. Первый и второй промежуточные каскады выполнены по схемам генераторов тока с диодами в выходных цепях для обеспечения смещения и температурной компенсащга напряжения смещения мощных транзисторов. Мощные транзисторы выполнены составными.npn, the second powerful traistor of the rpn structure, the base of which is connected to the output of the second intermediate stage, the collector is connected to the negative bus of the bipolar power source, and the emitter is connected through the second current-limiting resistor to the output of the push-pull power amplifier and through the second ballast resistor to the base of the second a protective transistor, the emitter of which is connected to the output of a push-pull power amplifier, and the collector to the base of the second powerful transistor of the r-v-r structure. The first and second intermediate stages are made according to the schemes of current generators with diodes in the output circuits to provide bias and temperature compensation of the bias voltage of powerful transistors. Power transistors are made composite.

Недостатком устройства-прототипа является высокое значение тока короткого замыкания, что приводит к значительному нагреву мощных транзисторов, снижению надёжности усилителя и нагрузке источника питания.The disadvantage of the prototype device is the high value of the short circuit current, which leads to a significant heating of powerful transistors, reducing the reliability of the amplifier and the load of the power source.

Задачей полезной модели является снижение тока короткого замыкания при сохранении параметров усилителя в рабочем режиме.The objective of the utility model is to reduce the short circuit current while maintaining the parameters of the amplifier in operating mode.

Для рещения поставл шой задачи, в двухтактный усилитель мощности, содержащий операционный усилитель, охваченный цепью отрицательной обратной связи с выхода двухтактиого усилителя мощности на инвер11фующий вход операционного усилителя, первый и второй промежуточные каскады, входы которых соединены с выходом операционного усилителя, первый мощный транзистор структуры п-р-п, база которого соединена с выходом первого промежуточного каскада, коллектор соединен с положительной щиной двуполярного источника питания, а эмиттер через первый токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через первый балластный резистор к базе первого защитного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой первого мощного транзиспфа структуры п-р-п второй мощный транзистор структуры р-п-р, база которого соединена с выходом второго промежуточного каскада, коллектор соединен с отрицательной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер через второй токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через второй балластный резистор к базе второго защитного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой второго мощного транзистора структуры р-п-р, введены первый дополнительный резистор, включенный между выходом операционного усилителя и базой первого защитного транзистора структуры п-р-п, и второй дополнительный резистор, включенный между выходом операционного усилителя и базой второго защитного транзистора структуры р-п-р.To solve the problem, in a push-pull power amplifier containing an operational amplifier, covered by a negative feedback circuit from the output of a two-phase power amplifier to the inverting input of the operational amplifier, the first and second intermediate stages, the inputs of which are connected to the output of the operational amplifier, the first powerful transistor of the structure -r-p, the base of which is connected to the output of the first intermediate stage, the collector is connected to the positive bus of a bipolar power source, and the emitter through the first t the co-limiting resistor is connected to the output of the push-pull power amplifier and through the first ballast resistor to the base of the first protective transistor, the emitter of which is connected to the output of the push-pull power amplifier, and the collector is connected to the base of the first powerful transistor of the structure p-p-p second powerful transistor of the structure p-p- p, the base of which is connected to the output of the second intermediate stage, the collector is connected to the negative bus of the bipolar power source, and the emitter is connected to the output through the second current-limiting resistor of a push-pull power amplifier and through the second ballast resistor to the base of the second protective transistor, the emitter of which is connected to the output of the push-pull power amplifier, and the collector to the base of the second powerful transistor of the rpn structure, the first additional resistor is inserted, connected between the output of the operational amplifier and the base the first protective transistor of the structure pnp, and the second additional resistor connected between the output of the operational amplifier and the base of the second protective transistor of the structure pnp.

Сущность предлагаемой полезной моделн поясняется чертежом, на котором прнведена принципиальная схема предлагаемого двухтактного усилителя мощности.The essence of the proposed useful model is illustrated in the drawing, which shows a schematic diagram of the proposed push-pull power amplifier.

Предлагаемый двухтактный усилитель мощности содержит операционный усилитель 1, охваченный цепью отрицательной обратной связи с выхода двухтактного усилителя мощности на инвертирующий вход операционного усилителя 1. Цепь отрицательной обратной связи вьшолнена на резисторах 2 и 3 образующих делитель напряжения включенный между выходом двухтактного усилителя мощности и его входом. Этот делитель может бить включен между выходом двухтакгного усилителя мощности н шиной нулевого потенциала. В этом случае неинвертирующий вход операционного усилителя 1 является входом двухтактного усилителя мощности. Соотношения сопротивлений резисторов 2 и 3 определяют коэффициент усиления двухтактного усилителя мощности. Для обеспечения частотных свойств двухтактного усилителя мощности и его устойчивости схема усилителя может содержать различные элементы коррекцнн, например в виде конденсаторов 4 и 5, подключенных соответственно между выходом операционного уснлшеля 1 и его инвертирующим входом а также между выходом двухтактного усилиггеля мощности и инвертирующим входом операционного усилителя 1. Схема включения входной цепи двухтактного усилителя мощности и цепи отрицательной обратной связи и элементов коррекции не влияег на сущность полезной модели. Двухтактный усилитель мощности содержит также первый и второй промежуточные 6 и 7, входы которых соединены с выходом операционного усилителя 1, первый мощный транзистор 8 струюуры п-р-п, база которого соединена с выходом нового промежуточного каскада 6, коллектор соедннен с положнтельной шиной 9 (+ипиг.) двуполярного источника питания, а эмиттер через первый токоограничительный резистор 10 подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через первый балластный резистор 11 к базе первого защитного транзистора 12, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного уснлителя мощности, а коллектор - с базой первого мощного транзистора 8 структуры п-р-п, второй мощный транзистор 13 структуры р-п-р, база которого соединена с выходом второго промежуточного каскада 7, коллектор соединен с отрицательной щиной 14 (-Unm-.) двуполярного источника питания, а эмшт через второй токоограничигельный резистор 15 подключен к выходу двухтактного усилителя мощиости и через второй балластный резистор 16 к базе второго защитного транзистора 17, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой второго мощного транзистора 13 структуры р-п-р. В общем случае каждый из мощных транзисторов 8 или 15 может быть выполнен составным. Между выходом операционного усшпггеля 1 и базой первого защитного транзнстора 12 структуры п-р-п включён первый дополнительный резистор 18. Между выходом оп }ационного усилителя 1 и базой второго защитного транзистора 17 структуры р-в-р включён второй дополнительный резистор 19.The proposed push-pull power amplifier contains an operational amplifier 1, covered by a negative feedback circuit from the output of a push-pull power amplifier to the inverting input of the operational amplifier 1. The negative feedback circuit is implemented on resistors 2 and 3 forming a voltage divider connected between the output of the push-pull power amplifier and its input. This divider can be switched on between the output of a two-stage power amplifier with a zero potential bus. In this case, the non-inverting input of the operational amplifier 1 is the input of a push-pull power amplifier. The resistance ratios of resistors 2 and 3 determine the gain of a push-pull power amplifier. To ensure the frequency properties of the push-pull power amplifier and its stability, the amplifier circuit may contain various correction elements, for example, in the form of capacitors 4 and 5, connected respectively between the output of the operational amplifier 1 and its inverting input and also between the output of the push-pull power amplifier and the inverting input of the operational amplifier 1 The circuit of the input circuit of the push-pull power amplifier and the negative feedback circuit and correction elements does not affect the essence of the useful mode and. The push-pull power amplifier also contains the first and second intermediate 6 and 7, the inputs of which are connected to the output of the operational amplifier 1, the first powerful transistor 8 of the flow circuit, the base of which is connected to the output of the new intermediate stage 6, the collector is connected to the positive bus 9 ( + ipig.) of a bipolar power source, and the emitter through the first current-limiting resistor 10 is connected to the output of the push-pull power amplifier and through the first ballast resistor 11 to the base of the first protective transistor 12, the emitter of which is connected with the output of a push-pull power amplifier, and the collector with the base of the first powerful transistor 8 of the structure rpn, the second powerful transistor 13 of the structure rpn, the base of which is connected to the output of the second intermediate stage 7, the collector is connected to the negative bus 14 ( -Unm-.) Of a bipolar power source, and emst through a second current-limiting resistor 15 is connected to the output of a push-pull power amplifier and through a second ballast resistor 16 to the base of the second protective transistor 17, the emitter of which is connected to the output of a push-pull amplifier power, and the collector - with the base of the second powerful transistor 13 of the structure r-p-p. In the General case, each of the powerful transistors 8 or 15 can be made integral. The first additional resistor 18 is connected between the output of the operational uspggel 1 and the base of the first protective transistor 12 of the r-p-p structure. Between the output of the optional amplifier 1 and the base of the second protective transistor 17 of the r-v-r structure, the second additional resistor 19 is turned on.

Первый и второй промежуточные каскады 6 и 7 могут быть выполнены, например, по схеме эмиттерных повторителей на транзисторах 20 и 21 структуры р-п-р и п-р-п, соответственно, с диодно-резистивными делителями в их базовых цепях на элементах 22-25 и нагрузочными цепями на элементах 26-31. Диоды 22 и 27 обеспечивают взаимную компенсацию падший нахфяжений на них в рабочем режиме и защиту от обратного пробоя транзисторов 20 и 8 в режиме короткого замыкания нагрузки 32. аналогичные функции имеют диоды 24 и 30. В общем случае промежуточные каскады 6 и 7 могут бьпъ выполнены и по другим известным схемам, например, по схемам источников тока, обеспечивающих передачу сигнала от операционного усилителя к мощным транзисторам, как в усилителе-прототипе.The first and second intermediate stages 6 and 7 can be performed, for example, according to the pattern of emitter followers on transistors 20 and 21 of the structure r-p-p and p-p-p, respectively, with diode-resistive dividers in their base circuits on the elements 22 -25 and load chains on elements 26-31. Diodes 22 and 27 provide mutual compensation of the falling voltage on them in the operating mode and protection against reverse breakdown of transistors 20 and 8 in the short circuit mode of the load 32. The diodes 24 and 30 have similar functions. In general, the intermediate stages 6 and 7 can be performed and according to other known schemes, for example, according to the schemes of current sources, providing a signal from the operational amplifier to powerful transistors, as in the prototype amplifier.

Предлагаемый двухтактный усилитель мощности работает следующим .The proposed push-pull power amplifier operates as follows.

Входной снгнал двухтактного усилителя мощносга усиливается операционным усилителем 1 и поступает на кэтод диода 22 и анод диода 24, которые являются входами промежуточных каскадов 6 и 7, соответственно. Дноды 22 и 24 открьлты постоянным током, протекающим через делжгель, состоящий из резистора 23, диодов 22, 24 и резистора 25. Через открытые диоды 22 и 24 сигнал с выхода операционного усилителя 1 поступает на базы траюисторов 20 и 21, работающих в режиме эмиттерных повторителей. Усиленные по току сигналы поступают с эмиттеров транзисторов 20 и 21 через открытые диоды 27 и 30 на базы транзисторов 8 и 13, соответственно. Усиленный по току сигиал с эмиттеров транзисторов 8 и 13 через резисторы 10 и 15 поступает в нагрузку 32. Причём сигнал положительной полярности усиливается транзистором 8, а сигнал отрицательной пол1фности транзистором 13. Такой режим работы обеспечивается цепочками из элементов 26-28 и 29-31, с помощью которых устанавливается незначительный ток покоя, необходимый для работы выходных мощных транзисторов в режиме АБ.The input signal of the push-pull power amplifier is amplified by the operational amplifier 1 and fed to the cathode of the diode 22 and the anode of the diode 24, which are inputs of the intermediate stages 6 and 7, respectively. The days 22 and 24 are opened by direct current flowing through the dividing gel, consisting of a resistor 23, diodes 22, 24 and a resistor 25. Through open diodes 22 and 24, the signal from the output of the operational amplifier 1 goes to the base of the traistor 20 and 21 operating in the emitter follower mode . The current-amplified signals arrive from the emitters of transistors 20 and 21 through open diodes 27 and 30 to the bases of transistors 8 and 13, respectively. The current-amplified signal from the emitters of transistors 8 and 13 through resistors 10 and 15 enters the load 32. Moreover, the signal of positive polarity is amplified by transistor 8, and the signal of negative polarity is transistor 13. This mode of operation is provided by chains of elements 26-28 and 29-31, with the help of which an insignificant quiescent current is established, which is necessary for the output power transistors to operate in AB mode.

В нормальном режиме работы двухтактного усилителя мощности ток, протекающий через нагрузку 32, и следовательно, через резисторы 10 и 15, не превыщает допустимого значения. При этом падения напряжения на резисторах 10 и 15 не достаточно для открытия транзисторов 12 и 17, и эти транзисторы не влияют на работу усилтеля.In the normal operation mode of a push-pull power amplifier, the current flowing through the load 32, and therefore through the resistors 10 and 15, does not exceed the permissible value. In this case, the voltage drop across the resistors 10 and 15 is not enough to open the transistors 12 and 17, and these transistors do not affect the operation of the amplifier.

В случае короткого замыкания нагрузки 32 резко увеличивается ток, протекающий через один из транзисторов мощности, например, транзистор 8 (при положительной полярности выходного напряжения). При этом увеличивается падение напряжения на резисторе 10, транзистор 12 открывается и шу1ттирует переход база-эмкп транзистора 8, предотвращая чрезм ное увеличение тока ч&рез него. Одновременно из-за уменьщения сигнала на выходе двухтактного усилителя мощности уменьщается сигнал отрицательной обратной связи, поступающий на инвертирующий вход операционного усилителя 1, в результате чего его выходной сигнал возрастает до напряжения, близкого к положительному нагфяжению двуполярного источника питания. Увеличение напряжеиия на выходе оп ациош1ого усилителя 1 приводит к увеличению тока, протекающего через резистор 18 и базу транзистора 12, уменьшению тока, тфотекающего через мощный транзистор 8 структуры р-п-р, уменьщению мощности, выделяемой на этом транзисторе и уменьшению тока, потребляемого от двуполярного источника питания. При устранении режима короткого замыкания нагрузки 32 на ней появляется напряжение, восстанавливается сигнал отрицательной обратной связи, операционный усилитель 1 выходит из режима иасыщения, и усилитель мощности переходит в нормальный режим работы. Степень снижения тока в режиме короткого замыкания в предлагаемом двухтактном усилителе мощности по сравнению с усилителем-прототипом зависит от соотношент сопротивлений резисторов 18 и 11. Чем меньше соотношение этих сопротивлений, тем больше степень снижения тока в режиме короткого замыкания.In the case of a short circuit of the load 32, the current flowing through one of the power transistors, for example, transistor 8 (with a positive polarity of the output voltage) increases sharply. In this case, the voltage drop across the resistor 10 increases, the transistor 12 opens and switches on the base-emkp transition of the transistor 8, preventing an instantaneous increase in the current through it. At the same time, due to a decrease in the signal at the output of the push-pull power amplifier, the negative feedback signal supplied to the inverting input of the operational amplifier 1 decreases, as a result of which its output signal increases to a voltage close to the positive voltage of the bipolar power source. An increase in the voltage at the output of the optional amplifier 1 leads to an increase in the current flowing through the resistor 18 and the base of the transistor 12, to a decrease in the current flowing through the powerful transistor 8 of the p-p-p structure, to a decrease in the power allocated to this transistor, and to a decrease in the current consumed from bipolar power source. When eliminating the short circuit mode of the load 32, a voltage appears on it, the negative feedback signal is restored, the operational amplifier 1 exits saturation mode, and the power amplifier goes into normal operation mode. The degree of reduction of current in the short circuit mode in the proposed push-pull power amplifier compared to the prototype amplifier depends on the ratio of the resistances of the resistors 18 and 11. The lower the ratio of these resistances, the greater the degree of reduction in current in the short circuit mode.

При этом соотношения сопротивлений резисторов 18 и И (19 и 16) выбирают таким образом, чтобы при максимально возможном напряжении на выходе оп ационного усилителя 1 (режим насыщения) и отсутствии короткого замыкания на выходе двухтактного усилителя мощности защитый транзистор 12 (17) оставался за1фытым. В противном случае после устранения короткого замыкания защитный транзистор 12 (17) будет оставаться во включенном состоянии, и нормальное функцнонированне усилителя мощности будет обеспечено только после последовательного выключения и включения напряжения питания.In this case, the ratios of the resistances of the resistors 18 and I (19 and 16) are selected so that, at the maximum possible voltage at the output of option amplifier 1 (saturation mode) and the absence of a short circuit at the output of a push-pull power amplifier, the protective transistor 12 (17) remains closed. Otherwise, after eliminating the short circuit, the protective transistor 12 (17) will remain in the on state, and a normal functionally-powered power amplifier will be ensured only after sequential switching off and on of the supply voltage.

Аналогично происходит работа предлагаекюго усилителя мощности при отрицательных значения выходного тока.Similarly, the proposed power amplifier operates at negative output current values.

Таким образом, предлагаемая схема двухтактного усилителя мощности обеспечивает снижение тока короткого замыкания при сохранении параметров усилителя в рабочем режиме.Thus, the proposed circuit push-pull power amplifier provides a reduction in short-circuit current while maintaining the parameters of the amplifier in operating mode.

Промышленная применимость полезной модели определяется тем, что предлагаемый двухтактный усилитель мощности может бьпъ изготовлен на основании приведенного описания и чертика при использовании обычных электронных компонентов и использован в автоматике, системах управления, аудиоаппаратуре и других областях техники, где требуется усиление по мощности разнополярных сигналов.The industrial applicability of the utility model is determined by the fact that the proposed push-pull power amplifier can be made on the basis of the above description and draw using conventional electronic components and is used in automation, control systems, audio equipment and other areas of technology where power amplification of bipolar signals is required.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫLIST OF REFERENCES

1.Л. Фолкенбери. Применение операционных усилигелей и линейных ИС. Москва: Мир - 1985г.1.L. Falkenbury. The use of operational amplifiers and linear ICs. Moscow: World - 1985

2.Лш Williams, Boost op-amp output vithout sacrificing drift and gain SPCS. EDN, 1986, May, pp. 131-134, прототип.2.Ls Williams, Boost op-amp output vithout sacrificing drift and gain SPCS. EDN, 1986, May, pp. 131-134, prototype.

Claims (1)

Двухтактный усилитель мощности, содержащий операционный усилитель, охваченный цепью отрицательной обратной связи с выхода двухтактного усилителя мощности на инвертирующий вход операционного усилителя, первый и второй промежуточные каскады, входы которых соединены с выходом операционного усилителя, первый мощный транзистор структуры n-p-n, база которого соединена с выходом первого промежуточного каскада, коллектор соединен с положительной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер через первый токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через первый балластный резистор - к базе первого транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой первого мощного транзистора структуры n-p-n, второй мощный транзистор структуры p-n-p, база которого соединена с выходом второго промежуточного каскада, коллектор соединен с отрицательной шиной двуполярного источника питания, а эмиттер через второй токоограничительный резистор подключен к выходу двухтактного усилителя мощности и через второй балластный резистор - к базе второго защитного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом двухтактного усилителя мощности, а коллектор - с базой второго мощного транзистора структуры p-n-p, отличающийся тем, что в него введены первый дополнительный резистор, включенный между выходом операционного усилителя и базой первого защитного транзистора структуры n-p-n, и второй дополнительный резистор, включенный между выходом операционного усилителя и базой второго защитного транзистора структуры p-n-p.
Figure 00000001
A push-pull power amplifier containing an operational amplifier, covered by a negative feedback circuit from the output of a push-pull power amplifier to the inverting input of the operational amplifier, the first and second intermediate stages, the inputs of which are connected to the output of the operational amplifier, the first powerful transistor of the npn structure, the base of which is connected to the output of the first of the intermediate stage, the collector is connected to the positive bus of the bipolar power source, and the emitter is connected via the first current-limiting resistor is connected to the output of the push-pull power amplifier and through the first ballast resistor to the base of the first transistor, the emitter of which is connected to the output of the push-pull power amplifier, and the collector to the base of the first powerful transistor of the npn structure, the second powerful transistor of the pnp structure, the base of which is connected to the output of the second intermediate of the cascade, the collector is connected to the negative bus of the bipolar power source, and the emitter is connected through the second current-limiting resistor to the output of the push-pull power amplifier and through the second allost resistor - to the base of the second protective transistor, the emitter of which is connected to the output of the push-pull power amplifier, and the collector - to the base of the second powerful transistor of the pnp structure, characterized in that the first additional resistor connected between the output of the operational amplifier and the base of the first protective transistor is inserted into it npn structures, and a second additional resistor connected between the output of the operational amplifier and the base of the second protective transistor of the pnp structure.
Figure 00000001
RU98105716/20U 1998-03-30 1998-03-30 TWO-POWER POWER AMPLIFIER RU8544U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98105716/20U RU8544U1 (en) 1998-03-30 1998-03-30 TWO-POWER POWER AMPLIFIER

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98105716/20U RU8544U1 (en) 1998-03-30 1998-03-30 TWO-POWER POWER AMPLIFIER

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU8544U1 true RU8544U1 (en) 1998-11-16

Family

ID=48270372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98105716/20U RU8544U1 (en) 1998-03-30 1998-03-30 TWO-POWER POWER AMPLIFIER

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU8544U1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106330112A (en) * 2016-09-23 2017-01-11 四川万康节能环保科技有限公司 Surge suppression amplifier circuit for air purifier exhaust fan driving system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106330112A (en) * 2016-09-23 2017-01-11 四川万康节能环保科技有限公司 Surge suppression amplifier circuit for air purifier exhaust fan driving system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4544869A (en) Electronic control circuit for bi-directional motion
EP1421678B1 (en) Switching power supply for rf power amplifiers
JP4072765B2 (en) Power amplifier circuit
US5491437A (en) Amplifier circuit and method
EP0012027A1 (en) DC switching voltage regulator with extended input voltage capability
US10855239B2 (en) Amplifier class AB output stage
US4922208A (en) Output stage for an operational amplifier
JPS60157326A (en) Monolithic integrated circuit
RU8544U1 (en) TWO-POWER POWER AMPLIFIER
US5659266A (en) Low volatage output stage with improved output drive
US4717839A (en) Transistor comparator circuit having split collector feedback hysteresis
US4165494A (en) Bi-state linear amplifier
US5500625A (en) Controlled current output stage amplifier circuit and method
EP1014567B1 (en) Improvements in or relating to an operational amplifier
US4262262A (en) Electric amplifier
US5122759A (en) Class-A differential amplifier and method
EP0317015A1 (en) Quiescent current setting for an amplifier circuit
US20020121933A1 (en) Class AB, high speed, input stage with base current compensation for fast settling time
US6154063A (en) Class AB emitter follower buffers
SU1628183A1 (en) Power amplifier
JPS58114510A (en) Power amplifier
SU915233A1 (en) Pulse amplifier
RU1748611C (en) Power amplifier
SU864469A1 (en) Inverter
RU67359U1 (en) TRANSFORMER-FREE TRANSFORMER POWER AMPLIFIER