RU84626U1 - Полупроводниковый излучатель - Google Patents

Abstract

Полезная модель относится к электронной технике, в частности к полупроводниковой технике, светоизлучающим диодам.

Цель, достигаемая в предлагаемой полезной модели, заключается в получении равномерного распределения светового потока в пространственном угле равном 180°.

Цель достигается тем, что полупроводниковый излучатель, содержащий крышку выполненную в виде собирающей излучение полусферической линзы и цилиндрического основания, подложку и излучающий кристалл, причем излучающий кристалл располагается над подложкой, покрытой отражающим слоем, при этом излучающая плоскость кристалла направлена на подложку.

Положительный эффект связан с отражением и рассеиванием потока света от подложки. В результате достигается равномерность распределения светового потока в пространственном угле равном 180°.

Description

Полезная модель относится к электронной технике, в частности к полупроводниковой технике, светоизлучающим диодам.

Известна конструкция светоизлучающего диода (пат. РФ, №2114492, МПК Н01L 33/00, - Опубл. 27 июня 1998 г.), содержащая крышку, выполненную в виде собирающей излучение полусферической линзы и цилиндрического основания, подложку и излучающий кристалл, при этом излучающий кристалл находится в углублении подложки, которая расположена в основании крышки, причем подложка имеет углубление в форме усеченного конуса, а излучающая плоскость кристалла направлена в сторону линзы.

Данный светодиод принят за прототип. Недостатком данной конструкции является то, что не удается получить равномерное распределение светового потока в пространственном угле равном 180°.

Цель, достигаемая в предлагаемой полезной модели, заключается в получении равномерного распределения светового потока в пространственном угле равном 180°.

Цель достигается тем, что полупроводниковый излучатель, содержащий крышку, выполненную в виде собирающей излучение полусферической линзы и цилиндрического основания, подложку и излучающий кристалл, причем излучающий кристалл располагается над подложкой, покрытой отражающим слоем, при этом излучающая плоскость кристалла направлена на подложку.

Сущность полезной модели поясняется фигурой 1.

На фигуре 1 представлена конструкция полупроводникового излучателя.

Полупроводниковый излучатель содержит крышку с собирающей излучение линзой 1 и основанием 2, при этом крышка выполнена в виде полусферической линзы 1 с цилиндрическим основанием 2. В основании 2 располагается подложка 3, покрытая отражающим слоем. Над подложкой 3 находится излучающий кристалл 4, излучающая плоскость которого направлена на подложку 3.

Полупроводниковый излучатель работает следующим образом. При прохождении тока через кристалл излучается свет, который, попадая на поверхность подложки, отражается и рассеивается на линзу. Принцип распределения потока света поясняется фигурой 2. Положительный эффект связан с отражением и рассеиванием потока света от подложки. В результате достигается равномерность распределения светового потока в пространственном угле равном 180°.

Claims (1)

1. Полупроводниковый излучатель, содержащий крышку, выполненную в виде собирающей излучение полусферической линзы и цилиндрического основания, подложку и излучающий кристалл, отличающийся тем, что излучающий кристалл располагается над подложкой, покрытой отражающим слоем, при этом излучающая плоскость кристалла направлена на подложку.