RU51788U1 - Охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство - Google Patents
Охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU51788U1 RU51788U1 RU2005131786/22U RU2005131786U RU51788U1 RU 51788 U1 RU51788 U1 RU 51788U1 RU 2005131786/22 U RU2005131786/22 U RU 2005131786/22U RU 2005131786 U RU2005131786 U RU 2005131786U RU 51788 U1 RU51788 U1 RU 51788U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- matrix
- frequency
- photodiodes
- heterodyne
- pse
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Заявляемая полезная модель относится к области приема ИК-излучения в диапазоне волн 10-12 мкм в режиме оптического гетеродирования. Настоящее предложение решает задачу увеличения чувствительности и пространственного разрешения лидарного комплекса, предназначенного для дистанционного контроля загрязнения атмосферы. Был изготовлен и испытан экспериментальный образец предлагаемого матричного ГФПУ на основе фотодиодов из КРТ р-типа проводимости. На изготовленном образце получены требуемые параметры.
Description
Заявляемая полезная модель относится к технике приема оптического излучения в диапазоне длин волн 10-12 мкм и может широко применяться в ИК-аппаратуре для измерения скорости быстродвижущихся объектов, системах ориентации и управления, пирометрии, дальнометрии, оптических средствах связи, разведке полезных ископаемых, медицине и других научных исследованиях. Для этого спектрального диапазона известны фотоприемники (ФП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на основе тройного соединения CdxHg1-xTe (KPT) состава x≅0,21, работающие при температуре 77К.
По физическим принципам регистрации и первичной обработки информации, содержащейся в фотосигнале, различают ряд способов приема оптического излучения. Наиболее распространены прямой (некогерентный) и гетеродинный методы.
При некогерентном приеме осуществляется выделение информационного сигнала, которым промодулирован по интенсивности сигнал оптической несущей, с учетом внешнего фонового излучения и внутренних тепловых шумов ФПУ. Влиянием внутренних тепловых шумов можно пренебречь, если обеспечить режим ограничения дробовыми шумами, который достигается при высокой интенсивности оптического сигнала. Однако обеспечить высокий уровень сигнального поля на входе ФПУ, особенно, для систем большой дальности часто бывает невозможно.
Другой способ приема фотосигналов - метод оптического гетеродинирования. В этом случае сигнальное оптическое излучение суммируется или смешивается с оптическим полем местного гетеродина
(СО2-лазера) на фоточувствительной площадке ФПУ. Именно факт использования дополнительного оптического поля местного гетеродина позволяет увеличить дробовый шум гетеродинного ФПУ (ГФПУ) до уровня, при котором как тепловые шумы, так и дробовые шумы, вызываемые любыми источниками шума, кроме местного гетеродина, становятся пренебрежимо малыми, что позволяет добиться максимального отношения сигнал/шум и, следовательно, максимальной фоточувствительности.
Известны одно- и 10-элементные фотоприемники и фотоприемные устройства для гетеродинного приема излучения на длине волны 10,6 мкм [1, 2]. Фоточувствительные элементы (ФЧЭ) представляют собой фотодиоды КРТ р-типа проводимости, область n-типа формируется ионной имплантацией. Корпуса ФПУ - стеклометалические дьюары, охлаждение осуществляется заливкой жидкого азота. Пороговая чувствительность в гетеродинном режиме для обоих типов ГФПУ не превышает 1×10-19 Вт/Гц. Одноэлементное гетеродинное ФПУ, как наиболее близкое к предлагаемому, принято за прототип [2].
Основными недостатками данного устройства являются:
- недостаточная чувствительность из-за малого размера фотоприемной площадки диаметром 300 мкм;
- охлаждение ФЧЭ до рабочей температуры осуществляется заливкой жидкого азота, что существенно снижает возможности применения.
Настоящее предложение решает задачу комплектации измерительной аппаратуры лидарного комплекса для дистанционного контроля загрязнения атмосферы фотоприемным модулем, свободным от перечисленных выше недостатков.
Принцип работы лидарного комплекса заключается в следующем. Излучение СO2-лазера разделяется на 2 канала. Один луч направляется в атмосферу, отражается от нее, возвращается в приемный тракт лидара,
модулируется в диапазоне частот 20-30 МГц и фокусируется на фоточувствительную площадку ГФПУ. Второй луч, являющийся местным гетеродином, направляется непосредственно на фоточувствительную площадку ГФПУ. Оба оптических сигнала смешиваются на фоточувствительной поверхности, при этом на выходе ГФПУ возникает сигнал промежуточной частоты 20-30 МГц.
Поскольку увеличение площади фотоприемника приводит к росту чувствительности комплекса, то для данной задачи можно было бы использовать одноэлементное ФПУ с фоточувствительной площадкой диаметром 2 мм, как это предложено в работе [3]. Однако из-за турбулентности атмосферы отраженный волновой фронт имеет неоднородную по плоскости фотоприемного элемента фазовую структуру, из-за чего увеличение площади фотоприемного элемента не эффективно, так как величина сигнала после гетеродинирования резко уменьшается. Кроме того, увеличение размера фоточувствительной площадки приводит к уменьшению быстродействия фотоприемника из-за увеличения емкости ФЧЭ и сопротивления растеканию тока по подложке КРТ.
Поэтому нами предложено большую фоточувствительную площадку разбить на элементы меньшего размера и параметры оптической системы лидара рассчитать таким образом, чтобы каждый фоточувствительный элемент ГФПУ принимал однородный по фазе фрагмент волнового фронта. После гетеродинирования сигналов фоточувствительными элементами и математической обработки скалярные амплитудные составляющие сигнала каждого элемента складываются, и определяется суммарный потенциал принимаемого излучения. Такой метод регистрации позволяет увеличить отношение сигнал/шум, повысить чувствительность лидарного комплекса и обеспечить дальность контроля до 15 км.
Для решения этой задачи было разработано и изготовлено охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство на длину волны 10,6 мкм с увеличением числа ФЧЭ до 25-и и ортогональным
пространственным расположением их в матрицу 5×5 элементов. Фоточувствительные элементы представляют собой фотодиоды на основе КРТ р-типа проводимости состава x≅0,21, n-область которых формировалась методом ионной имплантации. Необходимые размеры ФЧЭ и их взаимное расположение обеспечиваются фотолитографическими методами. Кристалл с матрицей ФЧЭ приклеивается в центре сапфирового растра диаметром 20 мм и толщиной 1 мм. Здесь же располагаются 25 сопротивлений нагрузки фотодиодов и фильтрующий конденсатор. Величина сопротивлений нагрузки выбирается, исходя из верхней границы полосы частот ГФПУ с учетом известной емкости фотодиода при рабочем напряжении смещения (~20 пФ), и составляет ~300 Ом.
Охлаждаемый узел, представляющий собой сапфировый растр с матрицей ФЧЭ, сопротивлениями нагрузки и фильтрующим конденсатором, проиллюстрированный рис.1, располагается в фокальной плоскости вакуумного криостатируемого корпуса, предназначенного для стыковки с микрокриогенной системой охлаждения (МКС) типа МСМГ-3А-0,6/80, охлаждающей фотоприемник до 80К. Входное окно криостата изготовлено из германия, просветленного на длину волны 10,6 мкм.
Блок предварительных усилителей матричного ГФПУ состоит из:
- 25-и высокочастотных (ВЧ) предусилителей со схемой смещения;
- 25-и низкочастотных (НЧ) предусилителей для контроля мощности гетеродинного излучения;
- стабилизаторов питания операционных усилителей и схемы смещения рабочей точки фотодиодов;
- стабилизатора тока термодатчика со схемой его развязки от цепей управления микрокриогенной системы охлаждения.
Высокочастотные усилители блока предварительных усилителей выполнены на операционных усилителях (ОУ) с граничной частотой не менее 600 МГц. Заданная полоса частот ГФПУ 30 МГц при выбранном
коэффициенте усиления усилителя ≈50 (определяется требуемым значением вольт-ваттной чувствительности ГФПУ) реализуется при использовании ОУ AD 8002.
Низкочастотные усилители блока предварительных усилителей используются для контроля мощности излучения лазерного гетеродина, падающего на каждый фотодиод матрицы. Данные усилители выполнены на низкочастотных, малошумящих ОУ ОР270. Коэффициент усиления усилителей рассчитывается, исходя из токовой чувствительности фотодиодов и диапазона уровней мощности излучения лазерного гетеродина.
На выходах всех высокочастотных усилителей установлены высокочастотные разъемы SMB-JR, а выходы низкочастотных усилителей подсоединены к контактам низкочастотного разъема DHR-26M.
Питание высокочастотных и низкочастотных усилителей осуществляется от интегральных стабилизаторов напряжения, выполненных на микросхемах 78L05 и 79L05, по входу и выходу которых установлены фильтрующие конденсаторы.
Напряжение смещения на все фотодиоды матрицы формируется при помощи интегрального стабилизатора L7905 и смещенного в прямом направлении кремниевого диода, удерживающего это напряжение на уровне 0,7 В.
Для стабилизации температуры матрицы фотодиодов, охлаждаемой микрокриогенной системой охлаждения, используется датчик температуры, установленный рядом с матрицей в холодной зоне криостата. Датчик температуры включается в цепь обратной связи микрокриогенной системы. Для защиты матрицы фотодиодов и цепей усилителей от наводок, создаваемых микрокриогенной системой охлаждения, в блоке предварительных усилителей предусмотрен стабилизатор тока термодатчика и развязывающий операционный усилитель.
Питание блока предварительных усилителей осуществляется от источника питания с напряжениями +9 В и -9 В. Питание подается через контакты 1 и 2 разъема РС7ТВ. К другим контактам разъема подключены выводы термодатчиков.
Вакуумный криостат с матрицей ФЧЭ и электронные блоки ГФПУ собраны в едином металлическом корпусе для обеспечения высокой помехозащищенности от электромагнитных наводок.
Был изготовлен и исследован экспериментальный образец предлагаемого матричного ГФПУ. На изготовленном образце получены следующие основные фотоэлектрические параметры:
- Расположение элементов | ортогональное, 5×5 |
- Шаг элементов, мкм | 200 |
- Зазор между соседними ФЧЭ, мкм | 20 |
- Коэффициент взаимосвязи между соседними ФЧЭ, %, не более | 5 |
- Вольтовая чувствительность в максимуме
спектральной характеристики, В/Вт | (1,4±0,2)×104 |
- Пороговая чувствительность на длине волны 10,6 мкм
при мощности гетеродина 0,25 мВт/элемент на частоте
30 МГц, Вт/Гц, не более | 2×10-19 |
- Верхняя граничная частота, МГц | 30 |
- Нижняя граничная частота, кГц | 1,5 |
- Неравномерность частотной характеристики в пределах
полосы частот 20кГц-30 МГц, дБ, не более | 3 |
Таким образом, создан новый тип гетеродинного фотоприемного устройства - матричное ГФПУ, характеризующееся высокой чувствительностью и быстродействием.
От прототипа - одноканального ГФПУ - предлагаемый образец отличается большим числом элементов (25), расположенных в виде матрицы (5×5), широкой рабочей полосой частот и тем, что охлаждение ФЧЭ до рабочей температуры осуществляется не заливкой жидкого азота,
а автономной микрокриогенной системой, что существенно расширяет возможности применения предлагаемого образца ГФПУ.
Литература
1. A.M.Filachev, V.P.Ponomarenko, I.I.Taubkin, V.E.Lojnikov and etc. High-speed photodetectors and photodetective assemblies for receiving laser radiation in 0.3- to 11μm spectral range // Research, Development and Production Ctr. ORION (Russia), Proceedings of SPIE Vol.5126, 2003, pp.206-214.
2. V.E.Lojnikov, K.O.Boltar, I.D.Bourlakov, S.V.Golovin, N.G.Mansvetov, LWIR heterodyne HgCdTe detectors // Proceeding of SPIE, Vol.4340, p.p.81-84, 2000.
3. Clinton В. Carlisle, Jan E. van der Laan, Lewis W. Carr, Philippe Adam, Jean-Pierre Chiaroni, CO2 laser-based differential absorption lidar system for range-resolved and long-range detection of chemical vapor plumes // APPLIED OPTICS, Vol.34, No.27, p.p.6187-6199, 1995.
Claims (1)
- Матричное гетеродинное фотоприемное устройство, содержащее фотоприемный модуль на основе КРТ-фотодиодов, блок высокочастотных (ВЧ) предусилителей со схемой смещения, блок низкочастотных (НЧ) предусилителей для контроля мощности гетеродинного излучения, вакуумный криостатируемый корпус, предназначенный для стыковки с микрокриогенной системой охлаждения, отличающееся тем, что в качестве фотоприемного модуля использована матрица фоточувствительных элементов (ФЧЭ) из 25 фотодиодов с ортогональным пространственным расположением, сформированных методом ионной имплантации на подложке КРТ р-типа проводимости в виде областей n-типа размером 160×160 мкм с шагом 200 мкм, причем контакты к n-области каждого фотодиода выведены сформированными фотолитографическим методом металлическими полосками, изолированным от подложки диэлектриком толщиной 10 мкм, имеющими ширину 20 мкм и толщину 5 мкм, на соответствующие контактные площадки у края кристалла, а общий для всех ФЧЭ контакт к c-области выведен на 4 контактные площадки в углах кристалла КРТ, который приклеен в центре сапфирового растра диаметром 20 мм и толщиной 1 мм, на котором по периферии закреплены 25 нагрузочных резисторов, с сопротивлением ~300 Ом, включаемых последовательно с фотодиодами и фильтрующего конденсатора, охлаждаемый узел, состоящий из матрицы ФЧЭ и сапфирового растра расположены в фокальной плоскости на металлостеклянном держателе вакуумного криостатируемого корпуса, стыкуемого с микрокриогенной системой охлаждения типа МСМГ-3А-0,6/80, в теплой зоне которого размещаются 25 предварительных усилителей высокой частоты на базе операционных усилителей AD8002 и 25 низкочастотных предусилителей на базе операционных усилителей ОР270; криостат с матрицей ФЧЭ и блоки предусилителей объединены в единый металлический корпус для обеспечения помехозащищенности от электромагнитных наводок.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005131786/22U RU51788U1 (ru) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | Охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005131786/22U RU51788U1 (ru) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | Охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU51788U1 true RU51788U1 (ru) | 2006-02-27 |
Family
ID=36115394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005131786/22U RU51788U1 (ru) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | Охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU51788U1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2546219C1 (ru) * | 2013-10-29 | 2015-04-10 | ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов" | Оптический блок неконтактного взрывателя боеприпаса |
RU2581439C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель |
-
2005
- 2005-10-13 RU RU2005131786/22U patent/RU51788U1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2546219C1 (ru) * | 2013-10-29 | 2015-04-10 | ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов" | Оптический блок неконтактного взрывателя боеприпаса |
RU2581439C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-04-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации | Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4939369A (en) | Imaging and tracking sensor designed with a sandwich structure | |
EP0727928B1 (en) | Electronic assembly having improved thermal characteristics | |
US8759776B2 (en) | Teramos-terahertz thermal sensor and focal plane array | |
CN104251741B (zh) | 一种自适应红外焦平面阵列读出电路 | |
Corcos et al. | Antenna-coupled MOSFET bolometers for uncooled THz sensing | |
Vojetta et al. | Linear photon-counting with HgCdTe APDs | |
Foubert et al. | Development of HgCdTe single-element APDs based detectors for low flux short wave infrared applications | |
Marczewski et al. | THz detectors based on Si-CMOS technology field effect transistors–advantages, limitations and perspectives for THz imaging and spectroscopy | |
RU51788U1 (ru) | Охлаждаемое матричное гетеродинное фотоприемное устройство | |
KR101660943B1 (ko) | 근적외선 광 검출기 및 이를 채용한 이미지 센서, 그 반도체 제조 방법 | |
JPH01207640A (ja) | 半導体光検出装置と紫外線検出方法および半導体光検出素子とその製造方法 | |
Rothman et al. | HgCdTe APDs for time-resolved space applications | |
US11127868B2 (en) | Photo-activated quantum dot capacitor photodetectors | |
US20040099791A1 (en) | Optical detector and method for detecting incident light | |
Eminoğlu | Uncooled Infrared Focal Plane Arrays with Integrated Readout Circuritry Using MEMS and Standard CMOS Technologies | |
Camargo et al. | Miniaturized InSb photovoltaic infrared sensor operating at room temperature | |
Refaat et al. | MCT avalanche photodiode detector for two-micron active remote sensing applications | |
Spears | Theory and status of high performance heterodyne detectors | |
JPH09229769A (ja) | 微弱光測定装置および微弱光測定方法 | |
Spears | Wide-bandwidth CO2 laser photomixers | |
CN115274909B (zh) | 雪崩光电平衡探测器 | |
Kravtchenko et al. | Ultraviolet small-sized multichannel photodetecting assembly based on a GaP photodiode | |
Palojaervi et al. | Photodiodes for high-frequency applications implemented in CMOS and BiCMOS processes | |
JP4634282B2 (ja) | 光検出器 | |
Dean et al. | The serial addition of SPRITE infrared detectors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20091014 |