RU42894U1 - Тензопреобразователь давления - Google Patents

Тензопреобразователь давления

Info

Publication number
RU42894U1
RU42894U1 RU2004124148/22U RU2004124148U RU42894U1 RU 42894 U1 RU42894 U1 RU 42894U1 RU 2004124148/22 U RU2004124148/22 U RU 2004124148/22U RU 2004124148 U RU2004124148 U RU 2004124148U RU 42894 U1 RU42894 U1 RU 42894U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pressure
membrane
strain
output signal
transverse
Prior art date
Application number
RU2004124148/22U
Other languages
English (en)
Inventor
В.А. Гридчин
В.В. Грищенко
В.М. Любимский
Original Assignee
Новосибирский государственный технический университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский государственный технический университет filed Critical Новосибирский государственный технический университет
Priority to RU2004124148/22U priority Critical patent/RU42894U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU42894U1 publication Critical patent/RU42894U1/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидкостей и газов. Тензопреобразователь для измерения давления, содержит плоскую жестко защемленную квадратную мембрану, выполненную из монокристаллического кремния 1 с поперечными 2 и продольными 3 резисторами из поликристаллического кремния, расположенных в близи краев мембраны с центрами резисторов находящихся на осях симметрии мембраны. Предложенный Тензопреобразователь давления имеет нелинейную зависимость выходного сигнала от давления, описываемую формулой(D - коэффициент пропорциональности). Это позволяет компенсировать нелинейность между расходом газа или жидкости и перепадом давления в трубе Вентури и уменьшить на порядок погрешность измерения малых расходов газа или жидкости по сравнению с тензопреобразователем, имеющим линейную зависимость между давлением и выходным сигналом.

Description

Полезная модель относится к измерительной технике и может быть использована в датчиках для измерения расходов жидкостей и газов. Особый интерес представляет использование тензопреобразователя для измерения перепада давления (относительного давления) в трубе Вентури для измерения расходов жидкостей или газов.
Известен тензопреобразователь давления мембранного типа с мембраной, имеющей два концентратора механического напряжения (деформации) [1]. Все тензорезисторы расположены поперек оси симметрии мембраны (поперечные тензорезисторы): два между ее краем и концентратором механического напряжения (1 и 3 тензорезисторы) и два в центре мембраны между двумя концентраторами механического напряжения (2 и 4 тензорезисторы). Под действием давления два тензорезистора увеличивают свое сопротивление, а два других - уменьшают. При этом сопротивление Rj тензорезистора j зависит от деформации (ε) поверхности мембраны в месте расположения резистора
Rj=Rj(ε).
Деформация s пропорциональна приложенному давлению Р
ε=B·P,
где В - коэффициент упругого преобразования, который определяется конструкцией тензопреобразователя давления и упругими характеристиками применяемых в нем материалов.
Сопротивление j - тензорезистора под действием деформации, возникающей при подаче давления, изменяется как:
Rj=R(1+Ktεj), j=1, 2, 3, 4,
где Kt - коэффициент тензочувствительности поперечного тензорезистора.
В тензопреобразователе тензорезисторы соединены в мостовую схему, выходной сигнал которой при питании от генератора напряжения записывается в виде:
где Uпит. - напряжение питания моста,
ε1, ε2, ε3, ε4 - деформации 1, 2, 3, 4 тензорезисторов.
Коэффициенты тензочувствительности поперечных тензорезисторов кремния р-типа равны:
Kt=-(1+vSi)m44,
где vSi - коэффициент Пуассона кремния,
m44 - коэффициент эластосопротивления кремния р-типа.
Тензорезисторы расположены так, что ε13, ε24 и имеют разные знаки. Тогда формула (1), без учета знаков деформаций тензорезисторов, может быть записана в виде:
Uвых.=Uпит.Kt12)/2.
Деформации ε1 и ε2 пропорциональны измеряемому перепаду давлений. Поэтому выходной сигнал датчика оказывается равным
где B1 и В2 - коэффициенты пропорциональности.
Наличие концентраторов механических напряжений на мембране позволяет увеличить деформацию в местах расположения поперечных тензорезисторов из кремния р-типа по сравнению с плоской мембраной и соответственно увеличить выходной сигнал мостовой схемы до 50% без увеличения нелинейности выходного сигнала мостовой схемы [1].
Недостатком данного тензопреобразователя давления является то, что, так как величина потока жидкости или газа Ф через трубу Вентури пропорциональна квадратному корню из перепада давления Р между двумя сечениями в трубе Вентури
где А - коэффициент пропорциональности, то использование датчика с линейной зависимостью выходного сигнала Uвых. от давления приводит к нелинейной зависимости выходного сигнала от потока, как это следует из (1)-(3):
где С - коэффициент пропорциональности и расход жидкости или газа Q нелинейно связан с выходным напряжением
где S - площадь поперечного сечения трубы,
t - время, в течение которого измеряется расход.
В этом случае зависимость между расходом жидкости или газа - нелинейная и при измерении расхода жидкости или газа в начале диапазона возникают значительные ошибки измерений.
Кроме того, известен тензопреобразователь давления мембранного типа [2], являющийся прототипом предлагаемого изобретения и содержащий мост из поликремниевых тензорезисторов, расположенных на окисленной подложке из монокристаллического кремния, ориентированной в плоскости (100). Тензорезисторы в виде мезаструктур расположены у краев плоской мембраны на осях ее симметрии, первый и третий вдоль оси, а два других (второй и четвертый) - перпендикулярно оси.
Механические напряжения в плоской квадратной мембране имеют наибольшие значения на краях и в центре мембраны, причем на краях мембраны механические напряжения вдоль оси ее симметрии (TL) значительно больше механических напряжений в перпендикулярном направлении (Tt) и связаны с деформациями следующими соотношениями:
εL=S11·TL+S12·Tt, εt=S12·TL+S11·Tt,
где S11 и S12 - коэффициенты упругой податливости кремниевой подложки.
Учитывая, что на оси симметрии мембраны у края мембраны TL≫Tt и εt≈0, выходной сигнал мостовой схемы тензопреобразователя давления может быть записан в виде:
Uвых.=Uпит.(KLεL1tεL2LεL3tεL4)/4,
где KL - коэффициент тензочувствительности продольного тензорезистора,
Kt - коэффициент тензочувствительности поперечного тензорезистора,
εL1, εL2, εL3, εL4 - деформации 1, 2, 3, 4 тензорезисторов.
Недостатком данного тензопреобразователя, как и предыдущего, является то, что из-за линейной зависимости выходного сигнала от приложенного давления при малых расходах наблюдается большая погрешность измерений.
Задачей предлагаемой полезной модели является разработка тензопреобразователя с нелинейной зависимостью выходного сигнала от перепада давления, компенсирующей нелинейность между потоком и давлением и поэтому с малой погрешностью измерений при малых расходах жидкости или газа.
Если выходной сигнал тензопреобразователя Uвых от перепада давления Р описываемой формулой
где D - коэффициент пропорциональности,
то
и выходной сигнал пропорционален потоку
а расход жидкости или газа, в соответствии с формулой (5), пропорционален выходному сигналу датчика:
Поставленная задача достигается тем, что в известном тензопреобразователе мембранного типа с продольными и поперечными резисторами, расположенными у края мембраны, плоская мембрана имеет определенное отношение толщины к стороне.
На ФИГ.1 приведен общий вид тензопреобразователя давления, на ФИГ.2 - зависимости продольной εL и поперечной εt деформации в мембране в месте расположения одного из поперечных резисторов, на ФИГ. 3 - зависимости выходных сигналов датчиков Uвых от давления Р.
Тензопреобразователь давления (ФИГ.1) содержит: 1 - мембрану, 2 - поперечные тензорезисторы, расположенные на мембране 1, 3 - продольные тензорезисторы, расположенные на мембране 1, 4 - алюминиевую разводку, соединяющую тензорезисторы 2, 3, 5 - контактные окна к тензорезисторам.
Квадратная мембрана 1 (см. ФИГ.1) расположена в средней части тензопреобразователя давления и сформирована анизотропным травлением подложки из монокристаллического кремния со слоем изолирующего окисла. На поверхности мембраны 1 (см. ФИГ.1) сформированы поперечные 2 и продольные 3 тензорезисторы из поликристаллического кремния. Для стабилизации характеристик Тензопреобразователь давления покрыт слоем защитного окисла, в котором вскрыты окна под контактные площадки 5.
Устройство работает следующим образом: под действием перепада давления на Тензопреобразователь происходит деформация мембраны 1, которая передается поперечным 2 и продольным 3 тензорезисторам, расположенным у края мембраны около осей симметрии. Если мембрана тонкая, то пропорциональность между деформацией тензорезисторов и действующим на мембрану давлением нарушается и ее преобразовательная характеристика становится нелинейной. Выбором толщины и размера мембраны можно нелинейностью преобразовательной характеристики упругого элемента компенсировать нелинейность между потоком и давлением (3). Для этого отношение толщины мембраны к длине ее стороны
должно быть 0.007-0.0076. Так деформации у края мембраны с общим размером 2а×2а=1970×1970 мкм и толщиной 15 мкм в месте расположения одного из поперечных резисторов, рассчитанные по [3], приведены на ФИГ.2 (1 - продольная деформация εL, 2 - поперечная деформация εt). Из ФИГ.2 видно, что деформации от давления нелинейны. На ФИГ.3 приведены экспериментальная зависимость выходного сигнала датчика от давления с мембранным тензопреобразователем и аппроксимирующая ее зависимость: 1 - экспериментальные результаты, 2 - аппроксимирующая зависимость Uвыx.=1.35·P1/2. Длина стороны квадратной мембраны равна 1970 мкм при толщине 15 мкм, отношение толщины к длине стороны равно 0.0076. Из ФИГ.3 видно, что экспериментальные результаты хорошо аппроксимируются зависимостью вида
и расход жидкости или газа, в соответствии с формулами (6) и (7), линейно зависит от выходного сигнала, поэтому погрешность измерения расхода жидкости или газа при малых давлениях на порядок меньше, чем у тензопреобразователей с линейной зависимостью выходного сигнала от давления.
Литература.
1. L.В.Wilner, A diffused silicon pressure transducer with stress concentrated at transverse gages, ISA Transactions, v.7, No.1, p.83-87.
2. Патент SU 1830138 A3, G 01 L 9/04.
3. В.А.Гридчин, В.М.Любимский, А.В.Шапорин. Нелинейность прямоугольных диафрагм. Микроэлектроника. 2003. Т.32. с.294-394.

Claims (1)

  1. Тензопреобразователь для измерения давления, содержащий плоскую жестко защемленную квадратную мембрану, выполненную из монокристаллического кремния, с продольными и поперечными резисторами из поликристаллического кремния, расположенными вблизи краев мембраны с центрами резисторов, находящихся на осях симметрии мембраны, отличающийся тем, что отношение толщины мембраны к длине ее стороны равно 0,007-0,0076.
    Figure 00000001
RU2004124148/22U 2004-08-09 2004-08-09 Тензопреобразователь давления RU42894U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004124148/22U RU42894U1 (ru) 2004-08-09 2004-08-09 Тензопреобразователь давления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004124148/22U RU42894U1 (ru) 2004-08-09 2004-08-09 Тензопреобразователь давления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU42894U1 true RU42894U1 (ru) 2004-12-20

Family

ID=48232286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004124148/22U RU42894U1 (ru) 2004-08-09 2004-08-09 Тензопреобразователь давления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU42894U1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105424236B (zh) 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法
CN100561156C (zh) Soi全硅结构充硅油耐高温压力传感器
US20080105057A1 (en) Dual span absolute pressure sense die
EP1363104A2 (en) Tilt sensor and method of forming such device
Tanigawa et al. MOS integrated silicon pressure sensor
US7918137B2 (en) Method for temperature compensation of a piezoresistive gaged metal diaphragm
US3289134A (en) Gaged diaphragm pressure transducer
RU2362133C1 (ru) Микроэлектронный датчик абсолютного давления и чувствительный элемент абсолютного давления
Bicking PRESSURE SENSOR TECHNOLOGY
RU42894U1 (ru) Тензопреобразователь давления
RU42893U1 (ru) Тензопреобразователь давления
RU2329480C2 (ru) Тензопреобразователь давления
SU1716979A3 (ru) Способ измерени давлени и преобразователь давлени
RU2237873C2 (ru) Тензопреобразователь давления
Matsuoka et al. Differential pressure/pressure transmitters applied with semiconductor sensors
JPH041472Y2 (ru)
JPH0455542B2 (ru)
RU2243517C2 (ru) Тензопреобразователь давления
SU960559A2 (ru) Датчик давлени
SU767585A1 (ru) Преобразователь давлени
RU45526U1 (ru) Устройство для измерения давления
RU2818501C1 (ru) Интегральный преобразователь давления
RU2316743C2 (ru) Устройство для измерения давления
JP2001124645A (ja) 半導体圧力センサ
JPS59163533A (ja) 圧力変換器とその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20090810