RU42894U1 - Тензопреобразователь давления - Google Patents
Тензопреобразователь давленияInfo
- Publication number
- RU42894U1 RU42894U1 RU2004124148/22U RU2004124148U RU42894U1 RU 42894 U1 RU42894 U1 RU 42894U1 RU 2004124148/22 U RU2004124148/22 U RU 2004124148/22U RU 2004124148 U RU2004124148 U RU 2004124148U RU 42894 U1 RU42894 U1 RU 42894U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pressure
- membrane
- strain
- output signal
- transverse
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидкостей и газов. Тензопреобразователь для измерения давления, содержит плоскую жестко защемленную квадратную мембрану, выполненную из монокристаллического кремния 1 с поперечными 2 и продольными 3 резисторами из поликристаллического кремния, расположенных в близи краев мембраны с центрами резисторов находящихся на осях симметрии мембраны. Предложенный Тензопреобразователь давления имеет нелинейную зависимость выходного сигнала от давления, описываемую формулой(D - коэффициент пропорциональности). Это позволяет компенсировать нелинейность между расходом газа или жидкости и перепадом давления в трубе Вентури и уменьшить на порядок погрешность измерения малых расходов газа или жидкости по сравнению с тензопреобразователем, имеющим линейную зависимость между давлением и выходным сигналом.
Description
Полезная модель относится к измерительной технике и может быть использована в датчиках для измерения расходов жидкостей и газов. Особый интерес представляет использование тензопреобразователя для измерения перепада давления (относительного давления) в трубе Вентури для измерения расходов жидкостей или газов.
Известен тензопреобразователь давления мембранного типа с мембраной, имеющей два концентратора механического напряжения (деформации) [1]. Все тензорезисторы расположены поперек оси симметрии мембраны (поперечные тензорезисторы): два между ее краем и концентратором механического напряжения (1 и 3 тензорезисторы) и два в центре мембраны между двумя концентраторами механического напряжения (2 и 4 тензорезисторы). Под действием давления два тензорезистора увеличивают свое сопротивление, а два других - уменьшают. При этом сопротивление Rj тензорезистора j зависит от деформации (ε) поверхности мембраны в месте расположения резистора
Rj=Rj(ε).
Деформация s пропорциональна приложенному давлению Р
ε=B·P,
где В - коэффициент упругого преобразования, который определяется конструкцией тензопреобразователя давления и упругими характеристиками применяемых в нем материалов.
Сопротивление j - тензорезистора под действием деформации, возникающей при подаче давления, изменяется как:
Rj=R(1+Ktεj), j=1, 2, 3, 4,
где Kt - коэффициент тензочувствительности поперечного тензорезистора.
В тензопреобразователе тензорезисторы соединены в мостовую схему, выходной сигнал которой при питании от генератора напряжения записывается в виде:
где Uпит. - напряжение питания моста,
ε1, ε2, ε3, ε4 - деформации 1, 2, 3, 4 тензорезисторов.
Коэффициенты тензочувствительности поперечных тензорезисторов кремния р-типа равны:
Kt=-(1+vSi)m44,
где vSi - коэффициент Пуассона кремния,
m44 - коэффициент эластосопротивления кремния р-типа.
Тензорезисторы расположены так, что ε1=ε3, ε2=ε4 и имеют разные знаки. Тогда формула (1), без учета знаков деформаций тензорезисторов, может быть записана в виде:
Uвых.=Uпит.Kt(ε1-ε2)/2.
Деформации ε1 и ε2 пропорциональны измеряемому перепаду давлений. Поэтому выходной сигнал датчика оказывается равным
где B1 и В2 - коэффициенты пропорциональности.
Наличие концентраторов механических напряжений на мембране позволяет увеличить деформацию в местах расположения поперечных тензорезисторов из кремния р-типа по сравнению с плоской мембраной и соответственно увеличить выходной сигнал мостовой схемы до 50% без увеличения нелинейности выходного сигнала мостовой схемы [1].
Недостатком данного тензопреобразователя давления является то, что, так как величина потока жидкости или газа Ф через трубу Вентури пропорциональна квадратному корню из перепада давления Р между двумя сечениями в трубе Вентури
где А - коэффициент пропорциональности, то использование датчика с линейной зависимостью выходного сигнала Uвых. от давления приводит к нелинейной зависимости выходного сигнала от потока, как это следует из (1)-(3):
где С - коэффициент пропорциональности и расход жидкости или газа Q нелинейно связан с выходным напряжением
где S - площадь поперечного сечения трубы,
t - время, в течение которого измеряется расход.
В этом случае зависимость между расходом жидкости или газа - нелинейная и при измерении расхода жидкости или газа в начале диапазона возникают значительные ошибки измерений.
Кроме того, известен тензопреобразователь давления мембранного типа [2], являющийся прототипом предлагаемого изобретения и содержащий мост из поликремниевых тензорезисторов, расположенных на окисленной подложке из монокристаллического кремния, ориентированной в плоскости (100). Тензорезисторы в виде мезаструктур расположены у краев плоской мембраны на осях ее симметрии, первый и третий вдоль оси, а два других (второй и четвертый) - перпендикулярно оси.
Механические напряжения в плоской квадратной мембране имеют наибольшие значения на краях и в центре мембраны, причем на краях мембраны механические напряжения вдоль оси ее симметрии (TL) значительно больше механических напряжений в перпендикулярном направлении (Tt) и связаны с деформациями следующими соотношениями:
εL=S11·TL+S12·Tt, εt=S12·TL+S11·Tt,
где S11 и S12 - коэффициенты упругой податливости кремниевой подложки.
Учитывая, что на оси симметрии мембраны у края мембраны TL≫Tt и εt≈0, выходной сигнал мостовой схемы тензопреобразователя давления может быть записан в виде:
Uвых.=Uпит.(KLεL1-КtεL2+КLεL3-КtεL4)/4,
где KL - коэффициент тензочувствительности продольного тензорезистора,
Kt - коэффициент тензочувствительности поперечного тензорезистора,
εL1, εL2, εL3, εL4 - деформации 1, 2, 3, 4 тензорезисторов.
Недостатком данного тензопреобразователя, как и предыдущего, является то, что из-за линейной зависимости выходного сигнала от приложенного давления при малых расходах наблюдается большая погрешность измерений.
Задачей предлагаемой полезной модели является разработка тензопреобразователя с нелинейной зависимостью выходного сигнала от перепада давления, компенсирующей нелинейность между потоком и давлением и поэтому с малой погрешностью измерений при малых расходах жидкости или газа.
Если выходной сигнал тензопреобразователя Uвых от перепада давления Р описываемой формулой
где D - коэффициент пропорциональности,
то
и выходной сигнал пропорционален потоку
а расход жидкости или газа, в соответствии с формулой (5), пропорционален выходному сигналу датчика:
Поставленная задача достигается тем, что в известном тензопреобразователе мембранного типа с продольными и поперечными резисторами, расположенными у края мембраны, плоская мембрана имеет определенное отношение толщины к стороне.
На ФИГ.1 приведен общий вид тензопреобразователя давления, на ФИГ.2 - зависимости продольной εL и поперечной εt деформации в мембране в месте расположения одного из поперечных резисторов, на ФИГ. 3 - зависимости выходных сигналов датчиков Uвых от давления Р.
Тензопреобразователь давления (ФИГ.1) содержит: 1 - мембрану, 2 - поперечные тензорезисторы, расположенные на мембране 1, 3 - продольные тензорезисторы, расположенные на мембране 1, 4 - алюминиевую разводку, соединяющую тензорезисторы 2, 3, 5 - контактные окна к тензорезисторам.
Квадратная мембрана 1 (см. ФИГ.1) расположена в средней части тензопреобразователя давления и сформирована анизотропным травлением подложки из монокристаллического кремния со слоем изолирующего окисла. На поверхности мембраны 1 (см. ФИГ.1) сформированы поперечные 2 и продольные 3 тензорезисторы из поликристаллического кремния. Для стабилизации характеристик Тензопреобразователь давления покрыт слоем защитного окисла, в котором вскрыты окна под контактные площадки 5.
Устройство работает следующим образом: под действием перепада давления на Тензопреобразователь происходит деформация мембраны 1, которая передается поперечным 2 и продольным 3 тензорезисторам, расположенным у края мембраны около осей симметрии. Если мембрана тонкая, то пропорциональность между деформацией тензорезисторов и действующим на мембрану давлением нарушается и ее преобразовательная характеристика становится нелинейной. Выбором толщины и размера мембраны можно нелинейностью преобразовательной характеристики упругого элемента компенсировать нелинейность между потоком и давлением (3). Для этого отношение толщины мембраны к длине ее стороны
должно быть 0.007-0.0076. Так деформации у края мембраны с общим размером 2а×2а=1970×1970 мкм и толщиной 15 мкм в месте расположения одного из поперечных резисторов, рассчитанные по [3], приведены на ФИГ.2 (1 - продольная деформация εL, 2 - поперечная деформация εt). Из ФИГ.2 видно, что деформации от давления нелинейны. На ФИГ.3 приведены экспериментальная зависимость выходного сигнала датчика от давления с мембранным тензопреобразователем и аппроксимирующая ее зависимость: 1 - экспериментальные результаты, 2 - аппроксимирующая зависимость Uвыx.=1.35·P1/2. Длина стороны квадратной мембраны равна 1970 мкм при толщине 15 мкм, отношение толщины к длине стороны равно 0.0076. Из ФИГ.3 видно, что экспериментальные результаты хорошо аппроксимируются зависимостью вида
и расход жидкости или газа, в соответствии с формулами (6) и (7), линейно зависит от выходного сигнала, поэтому погрешность измерения расхода жидкости или газа при малых давлениях на порядок меньше, чем у тензопреобразователей с линейной зависимостью выходного сигнала от давления.
Литература.
1. L.В.Wilner, A diffused silicon pressure transducer with stress concentrated at transverse gages, ISA Transactions, v.7, No.1, p.83-87.
2. Патент SU 1830138 A3, G 01 L 9/04.
3. В.А.Гридчин, В.М.Любимский, А.В.Шапорин. Нелинейность прямоугольных диафрагм. Микроэлектроника. 2003. Т.32. с.294-394.
Claims (1)
- Тензопреобразователь для измерения давления, содержащий плоскую жестко защемленную квадратную мембрану, выполненную из монокристаллического кремния, с продольными и поперечными резисторами из поликристаллического кремния, расположенными вблизи краев мембраны с центрами резисторов, находящихся на осях симметрии мембраны, отличающийся тем, что отношение толщины мембраны к длине ее стороны равно 0,007-0,0076.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004124148/22U RU42894U1 (ru) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | Тензопреобразователь давления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004124148/22U RU42894U1 (ru) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | Тензопреобразователь давления |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU42894U1 true RU42894U1 (ru) | 2004-12-20 |
Family
ID=48232286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2004124148/22U RU42894U1 (ru) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | Тензопреобразователь давления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU42894U1 (ru) |
-
2004
- 2004-08-09 RU RU2004124148/22U patent/RU42894U1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105424236B (zh) | 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 | |
CN100561156C (zh) | Soi全硅结构充硅油耐高温压力传感器 | |
US20080105057A1 (en) | Dual span absolute pressure sense die | |
EP1363104A2 (en) | Tilt sensor and method of forming such device | |
Tanigawa et al. | MOS integrated silicon pressure sensor | |
US7918137B2 (en) | Method for temperature compensation of a piezoresistive gaged metal diaphragm | |
US3289134A (en) | Gaged diaphragm pressure transducer | |
RU2362133C1 (ru) | Микроэлектронный датчик абсолютного давления и чувствительный элемент абсолютного давления | |
Bicking | PRESSURE SENSOR TECHNOLOGY | |
RU42894U1 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
RU42893U1 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
RU2329480C2 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
SU1716979A3 (ru) | Способ измерени давлени и преобразователь давлени | |
RU2237873C2 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
Matsuoka et al. | Differential pressure/pressure transmitters applied with semiconductor sensors | |
JPH041472Y2 (ru) | ||
JPH0455542B2 (ru) | ||
RU2243517C2 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
SU960559A2 (ru) | Датчик давлени | |
SU767585A1 (ru) | Преобразователь давлени | |
RU45526U1 (ru) | Устройство для измерения давления | |
RU2818501C1 (ru) | Интегральный преобразователь давления | |
RU2316743C2 (ru) | Устройство для измерения давления | |
JP2001124645A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPS59163533A (ja) | 圧力変換器とその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20090810 |