RU3838U1 - LIQUID ETCHING DEVICE - Google Patents
LIQUID ETCHING DEVICE Download PDFInfo
- Publication number
- RU3838U1 RU3838U1 RU95102085/20U RU95102085U RU3838U1 RU 3838 U1 RU3838 U1 RU 3838U1 RU 95102085/20 U RU95102085/20 U RU 95102085/20U RU 95102085 U RU95102085 U RU 95102085U RU 3838 U1 RU3838 U1 RU 3838U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- rotor
- pump
- etchant
- etching
- cage
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Устройство для жидкостного травления, содержащее емкость для травителя с размещенными внутри нее дефлектором потока травителя и объектом травления, и центробежный насос, включающий обойму с ротором, отличающееся тем, что обойма с ротором насоса размещена внутри емкости для травителя, ротору насоса приданы магнитные свойства, на центральной части крышки обоймы ротора как на опоре размещен объект травления, вне емкости соосно с насосом размещен магнит привода.A device for liquid etching, comprising a container for an etchant with an etch flow deflector and an etched object inside it, and a centrifugal pump including a cage with a rotor, characterized in that the cage with the pump rotor is placed inside the etchant, and the pump rotor is magnetically attached to the central part of the cover of the rotor cage as an etching object is placed on a support; the drive magnet is coaxially aligned with the pump outside the tank.
Description
-j)-j)
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВИНШDEVICE FOR LIQUID TRAVINSH
Жолевная модель относится к области микроэлектроники, в частности к однокристально производству и лабораторной практике .химической обработки KOivmoHeHTOB полупроводниковых приборов.The jelly model relates to the field of microelectronics, in particular, to single-chip production and laboratory practice. Chemical processing of KOivmoHeHTOB semiconductor devices.
Известно, что изготовление матричных фоточувствпте.яьнихIt is known that the fabrication of matrix photosensitive
элементов, nanpiiiviep, з CdHjj,.n&, требует ш м леокого стравл ваняя дефектного слжя толщиной Порядка 10 ьнда, образовавшегося после механичеекой обработки кристалла. При этом необходо.ю сохранить -плоскостность фоточувствительного кристалла размерами порядка I см в пределах 1-2 для последующего успешного соединершя с ИС обработки .фотосигнала, что производится, например, с помощью индиевых столбиков небольшой высоты. Выделение индиевых столбиков из сло индия толщиной несколько микрон ме тодом фотолитографии также требует проведения равномерного травления индия по всей поверхности образца.elements, nanpiiiviep, s CdHjj, .n &, requires a small etching of the defective layer with a thickness of the order of 10 und formed after mechanical processing of the crystal. In this case, it is necessary to maintain the plane of the photosensitive crystal with dimensions of the order of I cm within 1-2 for the subsequent successful connection of the photo signal with the IC, which is made, for example, using indium columns of small height. The isolation of indium columns from an indium layer several microns thick by photolithography also requires uniform etching of indium over the entire surface of the sample.
В полупроводниковой промышленности используются серийно изготавливаемые реакторы, минимальная доза травителя которых составляет /v. I литр, в них применяются дорогие, ядовитые, быстродеградирующие травители, а равномерность травления невысокая. В нашем случае применение таких реакторов не целесообразно. В лабораторной практике обычно используют реакторы гравитационные ЕЛИ с магнитной мешалкой (см., напр., С.И. НиШК орова-ДеНисова Механическая и .химическая обработка. М., Ъысш. школа, 1989). Реактор с магнитной мешалкой представляет собой Ц11линдр11ческу1э эыкость жд диаглаглитного материала, на дно Которой пой;ецзно ферромагнитное тело в .}с::.1:1Чзски стойкой оболочка (ыешалка). Под дном цилиндра расположен магнит, взаимодействующий с мешалкой и приводящий ее во вращение. Возникает квацистационарное распределениеThe semiconductor industry uses commercially available reactors with a minimum etchant dose of / v. I liter, they use expensive, poisonous, quick-degrading etchants, and the etching uniformity is low. In our case, the use of such reactors is not advisable. In laboratory practice, gravitational FIR reactors with a magnetic stirrer are usually used (see, for example, S.I. NishK Oorova-DeNisova Mechanical and. Chemical Processing. Moscow, Higher School, 1989). A reactor with a magnetic stirrer is a cylinder with a diaglite material at the bottom of which there is a ferro magnetic body in.}. ::. 1: 1 Czsche resistant shell. Under the bottom of the cylinder is a magnet that interacts with the mixer and drives it into rotation. There is a quasi-stationary distribution
.м:, г .m :, g
HOI 21/302 С2Ж 1/04 с скоростей движения реактива в реакторе, которое испытывает некоторме возмущения при погружении образца в реактор. Недостатком реактора с магнитной мешалкой, как и гравитащонного, является отсутствие средств существенного измзнэния оотношенЕЯ скоростей травителя в пределах образца li связанной с GTEH возможности подборв рэжимн равномэрного травления. Наиболее близкшл техническим решением к заявляемое,/TOAejtfutT по совокупности признаков, принятж.1 за прототип, явля-. ется устройство для хшдкостного травления, реализующее способ по патенту СМ 3732133(. Устройство содержит емкость для жидкого травитеЛя и размещенный в ней на опорном кольце объект трав ления (по указанному-патенту - сетка маски цветного телевизионного кинескопа). Выше объекта травления на держателе установлен дефлектор потока травителя. В нижней части емкости имеется выпуокное отверстие, соединенное находящимся вне емкости трубопро водом с центробежным насосом. Насос в свою очередь соединен с распределяющим кольцевым трубопроводом, который опоясывает часть емкости. По периметру емкости расположены впускные отверстия для жидкого травителя. Детали устройства изготавливают из золоченой нержавеющей стали. Работает устройство следующим образом. Травитель. из нижней части емкости через выпускное отверстие по трубопроводу насосом нагнетается в распределшощш требопровод и через впускные отверстия поступает в емкость. Образуя осесшшетр чный поток. Размещенный по ходу потока дефлектор дЗорзжрует распределэниз скоростей травителя в,пределах объекта травления так, чтобы получить требуемую зависимость величины отверстия от его расположения на объекте.HOI 21/302 С2Ж 1/04 from the speeds of the reagent in the reactor, which experiences some disturbances when the sample is immersed in the reactor. The disadvantage of a reactor with a magnetic stirrer, as well as a gravitational one, is the lack of means of substantially varying the ratio of the etchant speeds within the specimen li associated with GTEH the possibility of selecting the mode of uniform etching. The closest technical solution to the claimed, / TOAejtfutT on the set of features accepted.1 for the prototype, is-. there is a device for hard pickling that implements the method according to patent SM 3732133 (. The device contains a container for liquid pickling and a pickling object placed on it on the support ring (according to the said patent - a mask of a color television picture tube mask). A deflector is mounted on the holder above the pick-up There is a discharge opening in the lower part of the tank, connected by a piping located outside the tank to a centrifugal pump, and the pump, in turn, is connected to a distribution ring pipe, which The girdle surrounds part of the tank. Inlet openings for liquid etching agent are located around the container. The device parts are made of gilded stainless steel. The device operates as follows: Etchant. From the bottom of the container through the outlet through the pipeline, the pump is pumped into the distribution line and through the inlet holes a capacitance, forming an oscillating flow, a deflector located along the flow path, forcing the distribution of the etchant velocities in, within the etching object, so that the floor to study the required dependence of the size of the hole on its location on the object.
-i-i
/fiOl SS 1/ fiOl SS 1
Такое устройство целесообразно применять в поточном производстве при большом количестве обрабатмваеми о ектов в овя8и с большим объемом используемого травителя, что обусловлено конструкцией центробежного насоса, в частности, химически стойкого уплотнения вала механического привода.It is advisable to use such a device in continuous production with a large number of processes to be processed in oats with a large volume of the etchant used, which is due to the design of a centrifugal pump, in particular, a chemically resistant shaft seal of a mechanical drive.
В основу заявляемой полезной модзли полодана задача мпш озащш объзма травят эля при шщкостном травлен::; когдпонзнтов полупроводниковых приборов.The basis of the claimed useful modlie was completed. The task of protecting the lens is to poison the ale during batch etching ::; when the semiconductor devices
Поставленная задача решается тем, что, согласно тюлёзной -модел.и на дне егжости для травителя размещена обоша с ротором . центробежного насоса. Ротору центробежного насоса приданы магнитные свойства, например, укреплением магнита на нижней поверхности ротора, или выполнением ротора из материала с магнитными свойствами, или иным способом. Магнит имеет защитное покрытие. Обойма ротора сверху закрыта крышкой, имеющей в центре впуск нме отверстия и выцускные - на периферии. На внешней стороне крышки выполнены радиальные канавки, сходящиеся к вцускнжм отверстиям. На центральной части крышки обойьш как на опоре расположен объект травления. С упором на периферийную часть крышки установлен дефлектор потока травителя. Вне емкости для травителя соосно с центробежным насосом установлен внешний магнит привода вращения насоса.The problem is solved by the fact that, according to the model-model, and at the bottom of the fuselage for the etchant is placed around the rotor. centrifugal pump. The rotor of the centrifugal pump is given magnetic properties, for example, by strengthening the magnet on the lower surface of the rotor, or by making the rotor from a material with magnetic properties, or in another way. The magnet has a protective coating. The rotor cage is closed from above with a lid having holes in the center of the inlet and exhaust ports at the periphery. On the outside of the lid there are radial grooves converging to the insertion holes. On the central part of the cover, both the etched object is located on the support. With an emphasis on the peripheral part of the cover, an etchant flow deflector is installed. Outside the tank for the etchant, an external magnet for the rotation of the pump is installed coaxially with the centrifugal pump.
На фиг. I показан один из вариантов конструкщш устройства для жидкостного травления.In FIG. I shows one embodiment of a liquid etching device.
На дно емкости I для травителя помещена обоша 2 ротора 3 насоса, оснащенного магнитом 4 насоса. Внешний магнит 5 привода вращения насоса расположен на одном уровне с магнитом 4 насоса. OбoЙIvш 2 ротора 3 насоса сверху закрыта крышкой 6 .ш роуора, имеющей впускныэ отверст ;ш 7 для травителл в цздтральяой области я выпускные отверстия 8 на периферрш. На внешней стороне крышкиAt the bottom of the tank I for the etchant is placed around the 2 rotors 3 of the pump, equipped with a magnet 4 of the pump. The external magnet 5 of the pump rotation drive is located at the same level as the pump magnet 4. BOTH II rotors 3 of the pump are closed from above by a cover 6. W of the road with an inlet; w 7 for travitella in the central region and outlet 8 on the periphery. On the outside of the cover
обоймы ротора выполнены радиальнме канавки 9, сходящиеся к впуокнмм отверстиям 7. Объект 10 травления размещен на централь ной жастж крмшки 6 обоймм ротора 3, которая является опорой объекта IQ травления. На периферийную часть крьшпж б установлен дефлектор II.the rotor cages are made radially grooves 9, converging to the openings of the hole 7. The etching object 10 is placed on the central axis of the casing 6 of the rotor cage 3, which is the support of the etching object IQ. A deflector II is installed on the peripheral part of the roof.
Детали устройства могут быть выполнены из .химически стойкого материала, напршлер.,. сТзтороплгста, стожкого к широкому спэьстру травитзлзж.Parts of the device can be made of chemically resistant material, for example,. sTztoroplgsta, stozhku to a wide spetsstra grassyzzzzh.
Уотроистзо работает слэдующэл юбразои. Внзшнии нагнпт 5 11ривода вращения насоса приводит во вращение ротор 3 центробежного насоса. Травитель, засасывае ж через впускные отверстия 7 в центральной части крышки 6 обойг ш 2 ротора 3, выбрасывается через выпускные отверстия 8 на периферии. Затем травитель поднимается к отверстию дефлектора II и направляется шл на объектWatroistzo works as follows. The external pump 5 of the pump rotation drive drives the rotor 3 of the centrifugal pump. The etchant, sucked in through the inlet openings 7 in the central part of the cover 6 of the cuff w 2 of the rotor 3, is ejected through the outlet openings 8 at the periphery. Then the etchant rises to the hole of the deflector II and is sent to the object
10травления. Травитель обтекает объект 10 травления и по радиальным канавкаГЛ 9 в крышке 6 обож/ш 2 ротора 3 попадает во впускные отверстия 7. (Ток травителя показан стрелками). Так как скорость потока травителя в радиальных канавках 9 крмшки 6 обоймы ротора вмше скдрости потока над поверхностью объекта 10 травления,10 etching. The etcher flows around the etching object 10 and along the radial groove GL 9 in the cover 6 of the burner / rotor 2 of the rotor 3 enters the inlets 7. (The etchant current is shown by arrows). Since the etch flow rate in the radial grooves 9 of the arm 6 of the rotor cage is higher than the flow velocity above the surface of the etching object 10,
то в соответствии с законом Бернулли, объект 10 травления прижимается к крышке 6 обоймы ротора. Изменяя размер, форму отверстия или отверстий дефлектора II, расстояние мевду дефлекторомthen, in accordance with Bernoulli's law, the etching object 10 is pressed against the cover 6 of the rotor cage. By changing the size, shape of the hole or holes of the deflector II, the distance between the deflector
11и объектом травления 10, регулируя скорость вращения ротора 3 центробежного насоса, можно получать желаемве распределение скоростей травления по. поверхности объекта 10 травления.11 and the etched object 10, by adjusting the rotational speed of the rotor 3 of the centrifugal pump, it is possible to obtain the desired distribution of etching rates in. the surface of the object 10 etching.
Объем травителя, необходшушй для работы, связ-ан с характерным размером объекта 10-травления (образца А) соотношением4.The volume of the etchant necessary for operation is connected with the characteristic size of the 10-etched object (sample A) by a ratio of 4.
-6йшкроскопа через отверстие дефлектора II. Дяя этого достаточно устранить рябь на поверхности травителя, например, с помощью прозрачного поплавка или крышки (на чертеже не показан).-6scope through the hole of the deflector II. To do this, it is enough to eliminate ripples on the surface of the etchant, for example, using a transparent float or cover (not shown in the drawing).
Тарш образом, предлагаемое уотройетво жидкостного трайления по сравнению с устройством прототипа имеет меньшие габариты и нуждается для работы в меньшем количестве травителя.Tarsh way, the proposed three liquid trawling in comparison with the device of the prototype has a smaller size and needs to work in a smaller amount of etchant.
Зам. генерального директораDeputy CEO
В.П. ПономаренкоV.P. Ponomarenko
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU95102085/20U RU3838U1 (en) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | LIQUID ETCHING DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU95102085/20U RU3838U1 (en) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | LIQUID ETCHING DEVICE |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU3838U1 true RU3838U1 (en) | 1997-03-16 |
Family
ID=48266060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU95102085/20U RU3838U1 (en) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | LIQUID ETCHING DEVICE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU3838U1 (en) |
-
1995
- 1995-02-13 RU RU95102085/20U patent/RU3838U1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7635410B2 (en) | Apparatus for dispensing photo-resist in semiconductor device fabrication equipment | |
US4557785A (en) | Apparatus for wet processing | |
US3676983A (en) | Apparatus and method for degassing a liquid | |
US5070813A (en) | Coating apparatus | |
JPH05253412A (en) | Apparatus and method for vacuum degassing | |
GB1410890A (en) | Aerating apparatus for liquids | |
RU3838U1 (en) | LIQUID ETCHING DEVICE | |
JPH05112837A (en) | Device for dispersing bubbles in molten metal degassing furnace | |
JP4504537B2 (en) | Spin processing equipment | |
US4840701A (en) | Etching apparatus and method | |
JP4759183B2 (en) | Spin processing device | |
KR100303230B1 (en) | Method and apparatus for wet processing of substrates in containers | |
KR19990062376A (en) | Wet etching method of silicon semiconductor wafer | |
JPH0568094B2 (en) | ||
KR20040063125A (en) | Beaker type dyeing machine | |
JP2010212363A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CN1444740B (en) | Improved method for developing process in wafer photolithography | |
JPH04122403A (en) | Feeder of liquid and defoaming method | |
TW584915B (en) | Liquid collection apparatus for single wafer spin etcher | |
JP4358410B2 (en) | Spin processing equipment | |
EP0474221A1 (en) | Device for agitating and mixing liquid | |
JP2004259742A (en) | Spin cleaner for single wafer | |
SU1368271A1 (en) | Device for dispersing gas in liquid | |
JPS59305A (en) | Apparatus for removing air bubble | |
SU787102A1 (en) | Apparatus for producing dome-type film of liquid |