RU2814419C1 - METHOD FOR PASSIVATING GaAs LASERS BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION WITH ION ASSISTANCE - Google Patents
METHOD FOR PASSIVATING GaAs LASERS BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION WITH ION ASSISTANCE Download PDFInfo
- Publication number
- RU2814419C1 RU2814419C1 RU2022127830A RU2022127830A RU2814419C1 RU 2814419 C1 RU2814419 C1 RU 2814419C1 RU 2022127830 A RU2022127830 A RU 2022127830A RU 2022127830 A RU2022127830 A RU 2022127830A RU 2814419 C1 RU2814419 C1 RU 2814419C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thickness
- layer
- resonator
- beam evaporation
- electron
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
Изобретение относится к способу защиты зеркал резонатора лазерных диодов с помощью пассивирующих покрытий.The invention relates to a method for protecting resonator mirrors of laser diodes using passivating coatings.
Мощные полупроводниковые лазеры в настоящее время находят применение во многих различных областях науки и техники. Но срок службы лазерного диода может быть ограничен из-за такого эффекта, как спонтанная катастрофическая оптическая деградация (разрушение) выходного зеркала резонатора. Это связано с оптическим поглощением на зеркалах, что приводит к образованию электронно-дырочных пар, которые безызлучательно рекомбинируют в области грани, вызывая ее нагрев. Поэтому работы по повышению оптической прочности зеркал лазерных диодов являются актуальными.High-power semiconductor lasers are currently used in many different fields of science and technology. But the service life of a laser diode may be limited due to an effect such as spontaneous catastrophic optical degradation (destruction) of the output mirror of the cavity. This is due to optical absorption on the mirrors, which leads to the formation of electron-hole pairs, which non-radiatively recombine in the region of the face, causing it to heat up. Therefore, work to improve the optical strength of laser diode mirrors is relevant.
Порог катастрофической оптической деградации может быть повышен путем применения методики скалывании грани в сверхвысоком вакууме и нанесении защитного покрытия, а также специальных процедур пассивации граней и т.д. Все методики в большинстве случаев направлены на уменьшение скорости поверхностной рекомбинации и оптического поглощения на передней грани, что в конечном итоге приводит к увеличению срока службы полупроводниковых лазерных диодов.The threshold for catastrophic optical degradation can be increased by using the technique of edge chipping in ultra-high vacuum and applying a protective coating, as well as special edge passivation procedures, etc. All techniques in most cases are aimed at reducing the rate of surface recombination and optical absorption at the leading edge, which ultimately leads to an increase in the service life of semiconductor laser diodes.
Известен способ пассивации и защиты граней резонатора полупроводниковых лазеров RU 2421856, который способствует увеличению оптической прочности выходных зеркал и выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров, а также увеличению долговременной надежности полупроводниковых лазеров. При реализации способа гетероструктуру расщепляют на линейки или кристаллы лазерных диодов во внешней атмосфере, обеспечивая сколотые грани резонатора. Затем линейку или кристалл лазерного диода помещают в вакуумную камеру с остаточным давлением по кислороду не более 10-10 торр, где с целью удаления образовавшихся окислов грани резонатора обрабатывают ионами плазмы аргона при отрицательном потенциале на образцах (-5)-(-10) В. Создают пассивирующий нитридный поверхностный слой на гранях резонатора с использованием плазмы, содержащей азот, при отрицательном потенциале на образцах (-20)-(-30) В. Напыляют, по меньшей мере, один слой блокирующего кислород и взаимную диффузию покрытия Si3N4 толщиной 20-30 нм на каждую обрабатываемую грань резонатора при отрицательном потенциале на образцах (-10)-(-15) В. После обработки ионами плазмы азота проводят локальный прогрев обрабатываемых граней резонатора ускоренными электронами плазмы ионов аргона при положительном потенциале на образцах 20-30 В.There is a known method for passivation and protection of the resonator edges of semiconductor lasers RU 2421856, which helps to increase the optical strength of the output mirrors and the output optical power of semiconductor lasers, as well as to increase the long-term reliability of semiconductor lasers. When implementing the method, the heterostructure is split into lines or crystals of laser diodes in the external atmosphere, providing cleaved edges of the resonator. Then the laser diode line or crystal is placed in a vacuum chamber with a residual oxygen pressure of no more than 10 -10 Torr, where, in order to remove the formed oxides, the resonator faces are treated with argon plasma ions at a negative potential on samples (-5) - (-10) V. A passivating nitride surface layer is created on the edges of the resonator using nitrogen-containing plasma at a negative potential on the samples (-20)-(-30) V. At least one layer of an oxygen-blocking and interdiffusion-blocking Si 3 N 4 coating with a thickness of 20-30 nm for each processed face of the resonator at a negative potential on the samples (-10)-(-15) V. After treatment with nitrogen plasma ions, local heating of the processed faces of the resonator is carried out with accelerated electrons of the plasma of argon ions at a positive potential on the samples 20-30 V .
Наиболее близким технически решением к предлагаемому является метод пассивации зеркал полупроводниковых лазерных диодов (US 5144634). Ключевыми этапами метода являются: (1) обеспечение свободной от загрязнений поверхности зеркала с последующим (2) нанесением сплошного изолирующего (или слабопроводящего) пассивирующего слоя. Этот слой образован материалом, который действует как диффузионный барьер для примесей, способных вступать в реакцию с полупроводником, но не вступающих в реакцию с поверхностью зеркала. Чистая зеркальная поверхность получается скалыванием в чистой среде или скалыванием на воздухе с последующим травлением зеркала и последующей очисткой поверхности зеркала. Пассивирующий слой состоит из Si, Ge или Sb. Заявлен также второй слой Si, содержащий Si3N4.The closest technical solution to the proposed one is the method of passivation of mirrors of semiconductor laser diodes (US 5144634). The key steps of the method are: (1) ensuring that the mirror surface is free of contamination, followed by (2) applying a continuous insulating (or weakly conductive) passivating layer. This layer is formed by a material that acts as a diffusion barrier to impurities that can react with the semiconductor but do not react with the mirror surface. A clean mirror surface is obtained by cleaving in a clean environment or by cleaving in air, followed by etching of the mirror and subsequent cleaning of the mirror surface. The passivation layer consists of Si, Ge or Sb. A second Si layer containing Si 3 N 4 is also claimed.
К недостаткам указанных патентов можно отнести тот факт, что после разделения на линейки или кристаллы лазерных диодов во внешней атмосфере происходит очистка поверхности граней с помощью бомбардировки ионами. Обычно после такого процесса остается приповерхностный поврежденный ионами слой, содержащий радиационные дефекты. Этот слой может приводить к безызлучательной рекомбинации на радиационных дефектах, вызывая нагрев, приводящий к катастрофической оптической деградации.The disadvantages of these patents include the fact that after dividing laser diodes into lines or crystals in the external atmosphere, the surface of the faces is cleaned using ion bombardment. Typically, after such a process, a near-surface layer damaged by ions, containing radiation defects, remains. This layer can lead to non-radiative recombination at radiation defects, causing heating leading to catastrophic optical degradation.
Задачей настоящего изобретения является создание способа изготовления полупроводниковых лазеров, обеспечивающего увеличение оптической прочности выходных зеркал и увеличение срока службы. Поставленная задача решается тем, что способ создания полупроводниковых лазеров содержит этапы, на которых разделяют гетероструктуру на линейки или кристаллы полупроводниковых лазеров во внешней атмосфере, затем наносят тонкий слой кремния, толщиной от 2 до 3 нм электронно-лучевым испарением. После чего ионами азота нитридизируют осажденный слой кремния, что обеспечивает слой кремния толщиной от 1,2 нм до 1,5 нм и слой Si3N4 также толщиной от 1,2 нм до 1,5 нм. Затем наносят просветляющее покрытие из Al2O3 толщиной 150 нм также электронно-лучевым испарением с ионным ассистированием кислородом. Толщины пассивирующего нитридного слоя Si3N4 достаточно, чтобы решить задачу диффузии кислорода из последующих кислородсодержащих слоев. Кроме этого, наличие системы слоев Si/Si3N4 обеспечивает защиту от ионов при ионном ассистировании ионам кислорода при напылении слоя оксида алюминия.The objective of the present invention is to create a method for manufacturing semiconductor lasers that increases the optical strength of output mirrors and increases service life. The problem is solved by the fact that the method for creating semiconductor lasers contains stages in which the heterostructure is divided into lines or crystals of semiconductor lasers in an external atmosphere, then a thin layer of silicon, 2 to 3 nm thick, is applied by electron beam evaporation. After that, the deposited silicon layer is nitrided with nitrogen ions, which provides a silicon layer with a thickness of 1.2 nm to 1.5 nm and a Si 3 N 4 layer also with a thickness of 1.2 nm to 1.5 nm. Then an antireflection coating of Al 2 O 3 with a thickness of 150 nm is applied, also by electron beam evaporation with ion assisted oxygen. The thickness of the passivating nitride layer Si 3 N 4 is sufficient to solve the problem of oxygen diffusion from subsequent oxygen-containing layers. In addition, the presence of a system of Si/Si 3 N 4 layers provides protection against ions during ion assisted oxygen ions when sputtering a layer of aluminum oxide.
Отличием от аналога в настоящем способе является проведение процессов напыления без первичной очистки поверхности граней с помощью бомбардировки ионами, напылением покрытия из Al2O3, поверх пассивирующего слоя, выступающего в качестве толстого защитного слоя, а также наличия слоя Si3N4, выступающего в роли слоя для защиты от ионов при ионном ассистировании ионам кислорода при напылении слоя Al2O3.The difference from the analogue in this method is the carrying out of sputtering processes without primary cleaning of the surface of the faces using ion bombardment, spraying a coating of Al 2 O 3 on top of a passivating layer acting as a thick protective layer, as well as the presence of a Si 3 N 4 layer protruding into the role of the layer for protection against ions during ion assistance to oxygen ions during sputtering of the Al 2 O 3 layer.
Настоящий способ создания полупроводниковых лазеров поясняется чертежом (фиг. 1).The present method for creating semiconductor lasers is illustrated by the drawing (Fig. 1).
На фиг. 1 схематично изображен вариант способа пассивации зеркал резонатора лазерных диодов.In fig. Figure 1 schematically shows a variant of the method for passivating laser diode resonator mirrors.
На фиг. 1 введены следующие обозначения:In fig. 1 the following notations are introduced:
1 - слой Al2O3;1 - layer Al 2 O 3 ;
2 - тонкий слой Si3N4;2 - thin layer of Si 3 N 4 ;
3 - тонкий слой Si;3 - thin layer of Si;
4 - гетероструктура на основе GaAs.4 - heterostructure based on GaAs.
На фиг. 2 показано, как снижается мощность лазера со временем работы устройства для лазера, в котором используется вышеупомянутый процесс (кривая 1) и для лазера, в котором не проводилась пассивация граней резонатора (кривая 2).In fig. Figure 2 shows how the laser power decreases with operating time of the device for a laser in which the above-mentioned process is used (curve 1) and for a laser in which passivation of the resonator faces was not carried out (curve 2).
Предлагаемый способ осуществляют путем последовательного выполнения следующих операций. На подложке GaAs выращивают лазерную гетероструктуру. После чего на выращенной гетероструктуре формируют омические контакты с размерами, необходимыми для решения поставленных задач. Лазерную гетероструктуру разделяют на линейки полупроводниковых лазеров. Скалывание на линейки может происходить в кислородсодержащей атмосфере. Геометрические размеры линеек: ширина задает количество одиночных полупроводниковых лазеров, а длина - длину резонатора полупроводниковых лазеров. После чего линейки загружают в камеру, для дальнейших процессов напыления. На следующем этапе проводят напыление тонкого слоя кремния, толщиной от 2 до 3 нм электронно-лучевым испарением. После чего ионами азота нитридизируют осажденный слой кремния, что обеспечивает слой кремния толщиной от 1,2 нм до 1,5 нм и слой Si3N4 также толщиной от 1,2 нм до 1,5 нм. Наличие системы слоев Si/Si3N4 указанной толщины обеспечивает условия, когда атмосферный кислород или кислород из кислородсодержащих пленок не оказывает воздействие на поверхность граней резонатора. Напыление пассивирующего нитридного слоя с большей толщиной приводит к падению мощности и уменьшению времени жизни полупроводниковых лазеров. Последующее просветляющее покрытие Al2O3 напыляют электронно-лучевым испарением с ионным ассистированием кислородом, толщиной около 150 нм. The proposed method is carried out by sequentially performing the following operations. A laser heterostructure is grown on a GaAs substrate. After that, ohmic contacts with the dimensions necessary to solve the problems are formed on the grown heterostructure. The laser heterostructure is divided into lines of semiconductor lasers. Chipping on rulers can occur in an oxygen-containing atmosphere. Geometric dimensions of the rulers: the width specifies the number of single semiconductor lasers, and the length specifies the length of the semiconductor laser resonator. After which the rulers are loaded into the chamber for further deposition processes. At the next stage, a thin layer of silicon, 2 to 3 nm thick, is deposited using electron beam evaporation. After that, the deposited silicon layer is nitrided with nitrogen ions, which provides a silicon layer with a thickness of 1.2 nm to 1.5 nm and a Si 3 N 4 layer also with a thickness of 1.2 nm to 1.5 nm. The presence of a system of Si/Si 3 N 4 layers of the specified thickness provides conditions when atmospheric oxygen or oxygen from oxygen-containing films does not affect the surface of the resonator faces. Sputtering a passivating nitride layer with a greater thickness leads to a drop in power and a decrease in the lifetime of semiconductor lasers. The subsequent antireflection coating Al 2 O 3 is sprayed by electron beam evaporation with ion assisted oxygen, with a thickness of about 150 nm.
В результате реализации заявленного способа пассивации лазеров GaAs получают линейки полупроводниковых лазеров на внешней грани резонатора которого сформированы пассивирующее и просветляющее покрытие.As a result of the implementation of the claimed method of passivation of GaAs lasers, lines of semiconductor lasers are obtained on the outer edge of the resonator of which a passivating and antireflection coating is formed.
Заявляемый способ пассивации позволяет увеличить срок службы полупроводниковых лазеров. Достигнуто это за счет использования системы слоев Si/Si3N4, суммарной толщиной от 2 до 4 нм. Заявленной толщины достаточно, чтобы решить задачу диффузии кислорода из последующих кислородсодержащих слоев и при этом не повлиять на падение мощности полупроводникового лазера.The inventive passivation method makes it possible to increase the service life of semiconductor lasers. This was achieved through the use of a system of Si/Si 3 N 4 layers with a total thickness of 2 to 4 nm. The stated thickness is sufficient to solve the problem of oxygen diffusion from subsequent oxygen-containing layers without affecting the power drop of the semiconductor laser.
ПримерExample
Для реализации способа была выращена гетероструктура, содержащая алюминий в волноводе и эмиттере, которая обеспечивает лазерную генерацию на длине волны 975 нм. Гетероструктуру расщепляли на линейки в кислородсодержащей атмосфере. Затем проводили напыление первого слоя Si производилось методом электронно-лучевого испарения без использования источника ионного ассистирования. Процесс проводился при остаточном давлении внутри камеры 10-4 и температуре подложек 200°С. Контроль толщины покрытия осуществлялся косвенно с помощью системы спектрального оптического контроля посредством измерения спектра пропускания свидетеля из стекла К8. При значении коэффициента пропускания, равном 65% на длине волны 380 нм, толщина кремния составила 2,8 нм. После осаждения слоя производилась его нитридизация с помощью ионного источника Холловского типа с подачей газа N2 непосредственно в анодное пространство источника. После процесса нитридизации, коэффициент пропускания свидетеля на выбранной длине волны составил 85%, что соответствует толщине кремния 1,5 нм и толщине нитрида кремния 1,3 нм. Во время процесса нитридизации использовались следующие параметры источника асситирования: ускоряющее напряжение - 120 В; ток анода 3,6 А; ток спирали - 17 А. После проведения процесса нитридизации, осаждалось просветляющее защитное покрытие из оксида алюминия с толщиной 150 нм. Геометрические размеры кристаллов: тело свечения 90×500 нм, а длина 4 мм задает длину резонатора полупроводниковых лазеров. На фиг. 2 показано, как снижается мощность лазера со временем работы устройства для лазера, в котором используется вышеупомянутый процесс (кривая 1) и для лазера, в котором не проводилась пассивация граней резонатора (кривая 2). Испытания на долговременную надежность показали, что время наработки на отказ составляет не менее 800 часов при работе на 10 Вт выходной оптической мощности, в то время как у полупроводниковых лазеров без пассивирующего слоя время наработки на отказ составляет не больше 170 часов при работе на 10 Вт выходной оптической мощности.To implement the method, a heterostructure was grown containing aluminum in the waveguide and emitter, which provides laser lasing at a wavelength of 975 nm. The heterostructure was split into lines in an oxygen-containing atmosphere. Then the first layer of Si was deposited using the electron beam evaporation method without using an ion assist source. The process was carried out at a residual pressure inside the chamber of 10 -4 and a substrate temperature of 200°C. Coating thickness control was carried out indirectly using a spectral optical control system by measuring the transmittance spectrum of a K8 glass witness. With a transmittance of 65% at a wavelength of 380 nm, the silicon thickness was 2.8 nm. After the layer was deposited, it was nitridized using a Hall-type ion source with N2 gas supplied directly to the anode space of the source. After the nitridation process, the transmittance of the witness at the selected wavelength was 85%, which corresponds to a silicon thickness of 1.5 nm and a silicon nitride thickness of 1.3 nm. During the nitridation process, the following parameters of the assistance source were used: accelerating voltage - 120 V; anode current 3.6 A; spiral current - 17 A. After the nitridation process, an antireflective protective coating of aluminum oxide with a thickness of 150 nm was deposited. Geometric dimensions of the crystals: the luminescence body is 90 × 500 nm, and the length of 4 mm specifies the length of the resonator of semiconductor lasers. In fig. Figure 2 shows how the laser power decreases with operating time of the device for a laser in which the above-mentioned process is used (curve 1) and for a laser in which passivation of the resonator faces was not carried out (curve 2). Long-term reliability tests have shown that the MTBF is no less than 800 hours when operating at 10 W optical output power, while semiconductor lasers without a passivation layer have a MTBF of no more than 170 hours when operating at 10 W output. optical power.
Claims (2)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2814419C1 true RU2814419C1 (en) | 2024-02-28 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144634A (en) * | 1989-09-07 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes |
| RU2421856C1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм" | Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers |
| RU2646529C1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-03-05 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation |
| US11196231B2 (en) * | 2017-04-20 | 2021-12-07 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser diode and method for manufacturing a semiconductor laser diode |
| RU208280U1 (en) * | 2020-05-07 | 2021-12-13 | Акционерное общество "ВЗПП-Микрон" | Semiconductor protective coating |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144634A (en) * | 1989-09-07 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes |
| RU2421856C1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм" | Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers |
| RU2646529C1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-03-05 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation |
| US11196231B2 (en) * | 2017-04-20 | 2021-12-07 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser diode and method for manufacturing a semiconductor laser diode |
| RU208280U1 (en) * | 2020-05-07 | 2021-12-13 | Акционерное общество "ВЗПП-Микрон" | Semiconductor protective coating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6618409B1 (en) | Passivation of semiconductor laser facets | |
| US7442628B2 (en) | Semiconductor laser manufacturing method | |
| US7687291B2 (en) | Laser facet passivation | |
| CN101394062B (en) | Chamber surface passivation method for semi-conductor laser | |
| US5668049A (en) | Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur | |
| JP2004538652A (en) | Contaminant laser mirrors and methods of obtaining their passivation | |
| US9450375B2 (en) | High-power diode laser and method for producing a high-power diode laser | |
| CN111106528A (en) | Film coating method of semiconductor laser and semiconductor laser | |
| EP1251608B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor laser device | |
| KR100500908B1 (en) | Uv/halogen treatment for dry oxide etching | |
| RU2814419C1 (en) | METHOD FOR PASSIVATING GaAs LASERS BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION WITH ION ASSISTANCE | |
| US7338821B2 (en) | Method for the passivation of the mirror-faces surfaces of optical semi-conductor elements | |
| JP4860210B2 (en) | Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
| US20090162962A1 (en) | Method of manufacturing nitride semiconductor laser | |
| US6744796B1 (en) | Passivated optical device and method of forming the same | |
| RU2676230C1 (en) | Semiconducting lasers manufacturing method | |
| RU2421856C1 (en) | Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers | |
| JP2001223427A (en) | Manufacturing method of semiconductor laser element | |
| GB2309582A (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device with a nitride layer | |
| JP2000150504A (en) | Method and device for forming thin film | |
| JPS6057634A (en) | Formation of surface protective film | |
| CN118198853A (en) | Method for passivating a semiconductor structure after dicing | |
| WO2024017553A1 (en) | Method for manufacturing an edge emitting semiconductor laser diode | |
| JPH0856053A (en) | Forming method of optical thin film and its forming equipment | |
| Kozyrev et al. | Study of materials for protecting the output mirrors of semiconductor lasers based on AlGaAs/GaAs heterojunctions |