RU2813237C1 - Fibre-optic temperature sensor based on silicon thermo-optical effect - Google Patents
Fibre-optic temperature sensor based on silicon thermo-optical effect Download PDFInfo
- Publication number
- RU2813237C1 RU2813237C1 RU2023118041A RU2023118041A RU2813237C1 RU 2813237 C1 RU2813237 C1 RU 2813237C1 RU 2023118041 A RU2023118041 A RU 2023118041A RU 2023118041 A RU2023118041 A RU 2023118041A RU 2813237 C1 RU2813237 C1 RU 2813237C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- fibre
- silicon
- optic
- optical
- fiber
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004861 thermometry Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к термометрии, в том числе с использованием волоконно-оптических каналов и предназначено для применения в статичных электромагнитных устройствах, таких как силовые трансформаторы, для осуществления непрерывного прямого измерения температуры под напряжением.The invention relates to measuring technology, namely to thermometry, including using fiber-optic channels and is intended for use in static electromagnetic devices, such as power transformers, for continuous direct measurement of temperature under voltage.
Существуют проблемы прямого оперативного измерения температуры обмоток и магнитопровода трансформатора, для быстрого предаварийного диагностирования перегрева высоковольтного оборудования, а также прогнозирования периода межремонтной эксплуатации электрооборудования на основании фактического термического износа изоляции. Использование для прямого контроля температуры обмотки трансформаторов традиционных термопар и термосопротивлений ограничено напряжением 110 кВ ввиду низких диэлектрических характеристик и высоких электромагнитных наводок. Косвенные методы расчета температуры обмоток требуют сложных вычислений и связаны с контролем ряда параметров нагруженности трансформатора, что приводит к высокой вероятности ошибки. Прямой метод измерения температуры обмоток любых трансформаторов возможен при помощи волоконно-оптических датчиков, в первую очередь за счет использования в их конструкции диэлектрических материалов, а также малых размеров от 0,1 до 5 мм, что соответствует зазору между обмотками трансформатора.There are problems with direct operational measurement of the temperature of the windings and magnetic core of the transformer, for quick pre-accident diagnosis of overheating of high-voltage equipment, as well as predicting the period between overhauls of electrical equipment based on the actual thermal wear of the insulation. The use of traditional thermocouples and thermal resistances for direct temperature control of transformer windings is limited to a voltage of 110 kV due to low dielectric characteristics and high electromagnetic interference. Indirect methods for calculating winding temperature require complex calculations and are associated with monitoring a number of transformer load parameters, which leads to a high probability of error. A direct method for measuring the temperature of the windings of any transformers is possible using fiber-optic sensors, primarily due to the use of dielectric materials in their design, as well as small sizes from 0.1 to 5 mm, which corresponds to the gap between the transformer windings.
Известны волоконно-оптические датчики температуры и системы на их основе, принцип работы которых использует эффект температурного “тушения” флюоресценции (US №5183338, G01K 11/20, G01J 5/08, 2.02.1993,US №6572265 (B1), G01 J 5/08, G01 J 5/28, G01 K 1/14, G01 K 11/20, F 21 V 8/00, G 01 B 6/00, 3.06.2003,US №20060251147A1,G 01 K 1/14, G 01 K 11/3213, 09.11.2006)[1, 2, 3]. Такие датчики содержат капсулу, в которой находится флюоресцирующее вещество, спектр излучения которого зависит от температуры окружающей среды. Капсула связана оптическим волокном с оптическим спектроанализатором, с помощью которого оценивается спектр флюоресценции, а по нему - температура среды. Такие датчики имеют широкий диапазон измеряемых температур, определяемый типом флюоресцирующего вещества, и высокую точность измерений. Однако необходимость применения оптических спектроанализаторов в системе регистрации выходных сигналов этих датчиков существенно усложняет и удорожает их, что является недостатком.Fiber-optic temperature sensors and systems based on them are known, the operating principle of which uses the effect of temperature “quenching” of fluorescence (US No. 5183338, G01K 11/20, G01J 5/08, 02.02.1993, US No. 6572265 (B1), G01 J 5/08, G01 J 5/28, G01 K 1/14, G01 K 11/20, F 21 V 8/00, G 01 B 6/00, 06/3/2003, US No. 20060251147A1, G 01 K 1/14 , G 01 K 11/3213, 09.11.2006)[1, 2, 3]. Such sensors contain a capsule containing a fluorescent substance, the emission spectrum of which depends on the ambient temperature. The capsule is connected by an optical fiber to an optical spectrum analyzer, with the help of which the fluorescence spectrum is assessed, and from it the temperature of the environment. Such sensors have a wide range of measured temperatures, determined by the type of fluorescent substance, and high measurement accuracy. However, the need to use optical spectrum analyzers in the system for recording the output signals of these sensors significantly complicates and increases their cost, which is a disadvantage.
Известна конструкция полупроводникового датчика температуры (US №4136566A,G01К 11/18,30.01.1979)[4], использующего полупроводниковый чувствительный элемент из арсенида галлия, который поглощает энергию монохроматического излучения в зависимости от температуры. Недостатком является использование единичных волокон в качестве доставки оптического сигнала, так как в случае повреждения волокна датчик выходит из строя. Второй недостаток связан с самим принципом измерения температуры, который осуществляется путем оценки спектра излучения, поступающего на приемник излучения, и требует достаточно сложных и дорогостоящих оптических спектроанализаторов. Известна также проблема, связанная с разрушением датчиков от циклического температурного воздействия, это происходит из-за того, что коэффициент термического линейного расширения (КТЛР) арсенида галлия в 12 раз больше, чем у оптического стекла, из которого выполнен световод.The design of a semiconductor temperature sensor is known (US No. 4136566A, G01K 11/18, 01/30/1979) [4], using a semiconductor sensing element made of gallium arsenide, which absorbs the energy of monochromatic radiation depending on temperature. The disadvantage is the use of single fibers to deliver the optical signal, since if the fiber is damaged, the sensor fails. The second drawback is associated with the very principle of temperature measurement, which is carried out by assessing the spectrum of radiation entering the radiation receiver, and requires quite complex and expensive optical spectrum analyzers. There is also a known problem associated with the destruction of sensors from cyclic temperature exposure; this occurs due to the fact that the coefficient of thermal linear expansion (CTLE) of gallium arsenide is 12 times greater than that of the optical glass from which the light guide is made.
Прототипом предлагаемого датчика является волоконно-оптический датчик температуры (RU №31447G01К 11/12, 05.11.2001)[5], содержащий оптическое волокно и расположенный на выходном торце оптического волокна термочувствительный элемент из кремния, соединенный с волокном согласующим слоем из окиси кремния. Измерение температуры осуществляется за счет регистрации оптического сигнала, передаваемого по оптическому волокну и отраженного от поверхности термочувствительного элементы из кремния, коэффициент отражения которого изменяется от температуры. Ключевые недостатки датчика заключаются в возможном влиянии термодеформации термочувствительного элемента на отраженный оптический сигнал, а также отсутствие учета температурного дрейфа источника излучения [6]. Использование сложных методов электродугового разряда применяемых для осаждения последовательных слоев окиси кремния и кремния на торце оптического волокна останавливает широкое внедрение этих датчиков в промышленности.The prototype of the proposed sensor is a fiber-optic temperature sensor (RU No. 31447G01K 11/12, 05.11.2001) [5], containing an optical fiber and a temperature-sensitive element made of silicon located at the output end of the optical fiber, connected to the fiber by a matching layer of silicon oxide. Temperature measurement is carried out by recording an optical signal transmitted through an optical fiber and reflected from the surface of a temperature-sensitive silicon element, the reflection coefficient of which varies with temperature. The key disadvantages of the sensor are the possible influence of thermal deformation of the temperature-sensitive element on the reflected optical signal, as well as the lack of taking into account the temperature drift of the radiation source [6]. The use of complex electric arc discharge techniques used to deposit successive layers of silicon oxide and silicon at the end of the optical fiber has stopped the widespread adoption of these sensors in industry.
Указанные проблемы решаются за счет того, что в волоконно-оптическом датчике температуры на основе термооптического эффекта кремния, содержащем оптическое волокно и расположенный на выходном торце оптического волокна термочувствительный элемент из кремния, отличающегося тем, что термочувствительный элемент из кремния выполнен в виде плоскопараллельной пластины из кремния, за которой с одной стороны расположено диэлектрическое зеркало, а с другой волоконно-оптическая сборка приема, содержащая от 6 до 15 волокон и волоконно-оптический разветвитель, содержащий от 2 до 5 волокон, одно из которых является контрольным, при этом все элементы склеены оптическим эпоксидным клеем, источником излучения является лазер с длиной волны соответствующей коротковолновому краю поглощения кремния от 900 до 1150 нм, работающий в импульсном режиме, который синхронизирован с приемником излучения, выполненным в виде группы фотодиодов чувствительных к указанному диапазону, причем источник излучения связан со входом волоконно-оптического разветвителя, выход которого соединен с приемником излучения, к которому также присоединен выход волоконно-оптической сборки приема.These problems are solved due to the fact that in a fiber-optic temperature sensor based on the thermo-optical effect of silicon, containing an optical fiber and a temperature-sensitive element made of silicon located at the output end of the optical fiber, characterized in that the temperature-sensitive element of silicon is made in the form of a plane-parallel silicon plate , behind which, on one side, there is a dielectric mirror, and on the other, a fiber-optic receiving assembly containing from 6 to 15 fibers and a fiber-optic splitter containing from 2 to 5 fibers, one of which is a control one, while all elements are glued together with an optical epoxy glue, the radiation source is a laser with a wavelength corresponding to the short-wave absorption edge of silicon from 900 to 1150 nm, operating in a pulsed mode, which is synchronized with a radiation receiver made in the form of a group of photodiodes sensitive to the specified range, and the radiation source is connected to the fiber input an optical splitter, the output of which is connected to the radiation receiver, to which the output of the fiber-optic receiving assembly is also connected.
На фигуре 1 изображен волоконно-оптический датчик температуры на основе термооптического эффекта кремния, где: 1 - источник оптического излучения, 2 - волоконно-оптический разветвитель, 3 - волоконно-оптическая сборка приема, 4 - плоскопараллельная пластина из кремния, 5 - диэлектрическое зеркало, 6 - приемник оптического излучения с аналого-цифровым преобразователем и микропроцессором.Figure 1 shows a fiber-optic temperature sensor based on the thermo-optical effect of silicon, where: 1 - source of optical radiation, 2 - fiber-optic splitter, 3 - fiber-optic receiving assembly, 4 - plane-parallel silicon plate, 5 - dielectric mirror, 6 - optical radiation receiver with an analog-to-digital converter and microprocessor.
Импульсное оптическое излучение с начальной мощностью (Pi) в диапазоне длин волн от 900 до 1150 нм от источника оптического излучения (1) направляется в волоконно-оптический разветвитель, содержащий от 2 до 5 волокон (2), где происходит его разделение на две пропорциональные части одна из которых является контрольной и сразу поступает по одному волокну на приемник оптического излучения с аналого-цифровым преобразователем и микропроцессором (6), а другая, являющаяся сигнальной, следуя по оптическому тракту, содержащему от 1 до 4 волокон, дважды проходит сквозь плоскопараллельную пластину из кремния (4) благодаря отражению от расположенного за ней диэлектрического зеркала (5), и попадает в волоконно-оптическую сборку приема, содержащую от 6 до 15 волокон (3), по которой доставляется на приемник оптического излучения с аналого-цифровым преобразователем и микропроцессором (6). Элементы 2, 3, 4, 5 скреплены термостойким оптическим эпоксидным клеем прозрачным в соответствующем диапазоне длин волн.Pulsed optical radiation with an initial power ( Pi ) in the wavelength range from 900 to 1150 nm from the optical radiation source (1) is sent to a fiber-optic splitter containing from 2 to 5 fibers (2), where it is divided into two proportional parts, one of which is a control part and immediately enters one fiber at a time to an optical radiation receiver with an analog-to-digital converter and a microprocessor (6), and the other, which is a signal part, following an optical path containing from 1 to 4 fibers, passes twice through a plane-parallel plate from silicon (4) due to reflection from the dielectric mirror located behind it (5), and enters the fiber-optic receiving assembly containing from 6 to 15 fibers (3), through which it is delivered to the optical radiation receiver with an analog-to-digital converter and microprocessor (6). Elements 2, 3, 4, 5 are bonded with heat-resistant optical epoxy adhesive, transparent in the corresponding wavelength range.
Технический результат изобретения достигается благодаря реализации термооптического свойства кремния, а именно, смещения коротковолнового края поглощения в сторону длинных волн, которое приводит к изменению амплитуды проходящего сигнала в зависимости от температуры. Расположение волокон приемной сборки вокруг волокон сигнальной части оптического разветвителя устраняет влияние температурной деформации плоскопараллельной пластины из кремния и диэлектрического зеркала на проходящее и отраженное оптическое излучение. Синхронизация контрольной и сигнальной частей оптического излучения поступающих на приемник оптического излучения с аналого-цифровым преобразователем и микропроцессором (6) минимизирует влияние температурного дрейфа источника излучения и повышает надежность датчика.The technical result of the invention is achieved through the implementation of the thermo-optical property of silicon, namely, the shift of the short-wave absorption edge towards long waves, which leads to a change in the amplitude of the transmitted signal depending on temperature. The arrangement of the fibers of the receiving assembly around the fibers of the signal part of the optical splitter eliminates the influence of thermal deformation of the plane-parallel silicon wafer and dielectric mirror on transmitted and reflected optical radiation. Synchronization of the control and signal parts of the optical radiation arriving at the optical radiation receiver with an analog-to-digital converter and microprocessor (6) minimizes the influence of temperature drift of the radiation source and increases the reliability of the sensor.
Наличие элементов, изготовленных из диэлектрических материалов - кварца, кремния, оксидов металлов для диэлектрического зеркала обеспечивает устойчивость передаваемого по каналам оптического сигнала к воздействию электромагнитного излучения, таким образом, отсутствует искажение сигнала и гарантируется помехозащищенность системы, а также обеспечивается возможность применения в высоковольтном оборудовании.The presence of elements made of dielectric materials - quartz, silicon, metal oxides for the dielectric mirror ensures the stability of the optical signal transmitted through the channels to the effects of electromagnetic radiation, thus, there is no signal distortion and the noise immunity of the system is guaranteed, and also ensures the possibility of use in high-voltage equipment.
Использование технологии склейки волоконно-оптического разветвителя, волоконно-оптической сборки приема, плоскопараллельной пластины из кремния и диэлектрического зеркала упрощают процесс массового производства датчиков и делают его доступным для потребителей.The use of bonding technology for a fiber-optic splitter, a fiber-optic receiving assembly, a plane-parallel silicon wafer and a dielectric mirror simplifies the process of mass production of sensors and makes it accessible to consumers.
Приведен конкретный пример исполнения волоконно-оптического датчика температуры на основе термооптического эффекта кремния. В качестве источника излучения (1) использован диодный лазер «Эльфолюм №0016» с шириной импульса 50 мс и мощностью 0,2 Вт, на длине волны 1064 нм, при этом волоконно-оптический разветвитель (2) содержал 2 кварцевых волокна с полиимидным покрытием диаметром 100/125/145 мкм (сердцевина/оболочка/защитное покрытие) длиной 3 метра, волоконно-оптическая сборка приема (3), содержала 6 таких же волокон и такой же длины. Сигнальная часть разветвителя и 6 торцов волокон сборки приема были приклеены к одной стороне плоскопараллельной пластины из кремния (4) толщиной 0,5 мм, а с другой стороны приклеено диэлектрическое зеркало (5). Приемник оптического излучения (6) включал 2 фотодиода BPW20RF контрольный и сигнальный, к которым были подключены волокно контрольной части разветвителя и волокна оптической сборки приема соответственно.A specific example of the design of a fiber-optic temperature sensor based on the thermo-optical effect of silicon is given. As a radiation source (1), a diode laser “Elfolum No. 0016” was used with a pulse width of 50 ms and a power of 0.2 W, at a wavelength of 1064 nm, while the fiber-optic splitter (2) contained 2 quartz fibers with a polyimide coating with a diameter of 100/125/145 microns (core/cladding/protective coating) 3 meters long, fiber optic receiving assembly (3), contained 6 of the same fibers and the same length. The signal part of the splitter and 6 ends of the fibers of the receiving assembly were glued to one side of a plane-parallel silicon wafer (4) 0.5 mm thick, and a dielectric mirror (5) was glued to the other side. The optical radiation receiver (6) included 2 BPW20RF control and signal photodiodes, to which the fiber of the control part of the splitter and the fiber of the optical receiving assembly were connected, respectively.
Часть датчика содержащая кремний была погружена в масляный термостат и выполнено измерение температуры от 20 до 200°С точность измерений составила 0,2°С.The part of the sensor containing silicon was immersed in an oil thermostat and the temperature was measured from 20 to 200°C; the measurement accuracy was 0.2°C.
Таким образом, по сравнению с прототипом в предлагаемом датчике устранены технологические недостатки, связанные с надежностью и доступностью при сохранении показателей по точности измерения температуры и диэлектрическим свойствам.Thus, in comparison with the prototype, the proposed sensor eliminates technological shortcomings associated with reliability and availability while maintaining the accuracy of temperature measurement and dielectric properties.
[1] US №4136566A, G01К 11/18,30.01.1979.[1] US No. 4136566A, G01K 11/18, 01/30/1979.
[2] US №5183338, G01K 11/20, G01J 5/08, 2.02.1993.[2] US No. 5183338, G01K 11/20, G01J 5/08, 02.02.1993.
[3] US №6572265 (B1), G01 J 5/08, G01 J 5/28, G01 K 1/14, G01 K 11/20, F 21 V 8/00, G 01 B 6/00, 3.06.2003.[3] US No. 6572265 (B1), G01 J 5/08, G01 J 5/28, G01 K 1/14, G01 K 11/20, F 21 V 8/00, G 01 B 6/00, 3.06. 2003.
[4] US №4136566A,G01К 11/18,30.01.1979[4] US No. 4136566A, G01K 11/18, 30.01.1979
[5] RU №31447G01К 11/12, 05.11.2001[5] RU No. 31447G01K 11/12, 05.11.2001
[6] Магунов А.Н., Лукин О.В., Оптические методы измерения температуры полупроводниковых кристаллов в диапазоне 300-800 К, Микроэлектроника. 1996. Т25, №2. С.97-111.[6] Magunov A.N., Lukin O.V., Optical methods for measuring the temperature of semiconductor crystals in the range of 300-800 K, Microelectronics. 1996. T25, No. 2. P.97-111.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2813237C1 true RU2813237C1 (en) | 2024-02-08 |
Family
ID=
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4136566A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-30 | University Of Utah | Semiconductor temperature sensor |
| RU31447U1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-08-10 | Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение) | FIBER OPTICAL TEMPERATURE SENSOR |
| EP1319174B1 (en) * | 2000-03-23 | 2004-05-19 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Assembly consisting of electronic components and comprising a temperature sensor |
| CN104697663A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-10 | 深圳先进技术研究院 | Optical fiber temperature sensing system based on silicon substrate G-T cavity |
| RU2573449C1 (en) * | 2014-09-19 | 2016-01-20 | Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Electronic module temperature sensor |
| CN110160571A (en) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 上海大学 | It is a kind of based on the Fabry Perot sensor of silicon core fibre and its preparation and application |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4136566A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-30 | University Of Utah | Semiconductor temperature sensor |
| EP1319174B1 (en) * | 2000-03-23 | 2004-05-19 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Assembly consisting of electronic components and comprising a temperature sensor |
| RU31447U1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-08-10 | Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение) | FIBER OPTICAL TEMPERATURE SENSOR |
| CN104697663A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-10 | 深圳先进技术研究院 | Optical fiber temperature sensing system based on silicon substrate G-T cavity |
| RU2573449C1 (en) * | 2014-09-19 | 2016-01-20 | Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Electronic module temperature sensor |
| CN110160571A (en) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 上海大学 | It is a kind of based on the Fabry Perot sensor of silicon core fibre and its preparation and application |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4362057A (en) | Optical fiber temperature sensor | |
| JP3662282B2 (en) | Method and sensor for measuring temperature in real time in a processing unit | |
| US4302970A (en) | Optical temperature probe employing rare earth absorption | |
| US20010022804A1 (en) | Fiber optic temperature measurement | |
| US10520355B1 (en) | Fiber-optic temperature and flow sensor system and methods | |
| Korenko et al. | Novel fiber-optic relative humidity sensor with thermal compensation | |
| KR970007812B1 (en) | A birefringent temperature sensor | |
| KR910001090B1 (en) | The board of tr fiber coupler temperature transducer | |
| Zimmerman et al. | Fiber-optic sensors using high-resolution optical time domain instrumentation systems | |
| RU2813237C1 (en) | Fibre-optic temperature sensor based on silicon thermo-optical effect | |
| Harmer | Principles of optical fibre sensors and instrumentation | |
| KR20170141150A (en) | a optic-fiber current sensor system | |
| Hartl et al. | Fiber optic temperature sensor using spectral modulation | |
| US20190277747A1 (en) | Optically Heated and Optically Measured Fouling Sensor | |
| CN208595984U (en) | A kind of high sensitivity optical fiber temperature sensor | |
| Grattan et al. | Fiber‐optic absorption temperature sensor using fluorescence reference channel | |
| Zhao et al. | Fiber-optic temperature sensor used for oil well based on semiconductor optical absorption | |
| Patterson et al. | A fiber-optic current sensor for aerospace applications | |
| US6350056B1 (en) | Method for fiber optic temperature measurement and fiber optic temperature sensor | |
| GB2453232A (en) | Optical fiber coating system with encapsulated optical fiber coils | |
| Salour et al. | Semiconductor-platelet fibre-optic temperature sensor | |
| Dedyulin et al. | Progress on silicon photonic thermometry for secondary and working measurement standards | |
| Beheim | Fiber-optic temperature sensor using a thin-film Fabry-Perot interferometer | |
| RU2082119C1 (en) | Fiber-optical multiplexer which measures temperature | |
| Fang et al. | A fiber-optic high-temperature sensor |