RU2783070C1 - Способ создания сенсора для детектирования водорода - Google Patents
Способ создания сенсора для детектирования водорода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2783070C1 RU2783070C1 RU2021139244A RU2021139244A RU2783070C1 RU 2783070 C1 RU2783070 C1 RU 2783070C1 RU 2021139244 A RU2021139244 A RU 2021139244A RU 2021139244 A RU2021139244 A RU 2021139244A RU 2783070 C1 RU2783070 C1 RU 2783070C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- vacuum
- film
- creating
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002360 explosive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001953 sensory Effects 0.000 description 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N Boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N iso-propanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011068 load Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001929 titanium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 description 1
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- GBFHNZZOZWQQPA-UHFFFAOYSA-J platinum(4+);tetrachloride;dihydrochloride Chemical group [H+].[H+].Cl[Pt-2](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl GBFHNZZOZWQQPA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к датчикам измерения состава окружающей среды при высоких температурах и может быть использовано для обнаружения утечек водорода и предотвращения создания взрывоопасной воздушно-водородной смеси при использовании в водородной энергетике. Способ создания сенсора для детектирования водорода включает размещение образца из 4H-SiC в вакуумной камере, создание вакуума с последующим нанесением пленки Ni методом импульсного лазерного осаждения с последующим отжигом образца в вакууме и охлаждением образца до комнатной температуры, поворот образца другой стороной и повторное создание вакуума, напуск рабочего газа до давления 25 Па и нагрев изделия с последующим нанесением основной пленки W18O49 методом импульсного лазерного осаждения, затем создают вакуум и наносят поверх пленки W18O49 каталитическую пленку, после чего охлаждают и извлекают образец, при этом после создания вакуума до остаточного давления 10-5 Па наносят слой Ni толщиной до 100 нм в течение времени до 10 мин, затем проводят отжиг образца при температурах 500-1000°С в течение времени не менее 30 мин с последующим охлаждением образца до комнатной температуры и поворотом образца другой стороной, после поворота образца и повторного создания вакуума поверхность образца нагревают до температуры 350-800°С и затем наносят дополнительный слой ВС3 толщиной 50-100 нм при давлении 10-5 Па методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции композитной мишени, состоящей из бора и углерода в отношении 1:3, далее напускают кислород до давления 25 Па и осаждают основную пленку W18O49 толщиной до 500 нм в течение времени до 60 мин, после чего создают вакуум и наносят каталитический слой Pd при давлении 10-5 Па толщиной до 50 нм в течение времени до 1,0 мин. Изобретение обеспечивает возможность создать сенсор, обладающий повышенной чувствительностью к водороду при температурах свыше 300°С и увеличенным сроком службы, за счет увеличения толщины чувствительной к водороду пленки и улучшения ее адгезионных свойств. 3 ил.
Description
Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к датчикам измерения состава окружающей среды при высоких температурах и может быть использовано для обнаружения утечек водорода и предотвращении создания взрывоопасной воздушно-водородной смеси при использовании в водородной энергетике.
Известен способ создания сенсора для детектирования водорода [1], в котором каталитический электрод выполнен в виде слоя из нанотрубок оксида титана, на которые нанесен металл платиновой группы. Добавка металла платиновой группы может быть выполнена в виде нанокластеров (10-50 нм) платины. А нанотрубки для каталитического чувствительного электрода готовят методом высокотемпературного изотермического испарения хлоридного флюса, содержащего исходные прекурсоры, после чего нанотрубки платинируют разложением гексахлорплатиновой кислоты, а сенсор собирают в корпусе, одновременно являющемся пресс-формой, методом послойного прессования порошков. Основным недостатком данного сенсора является использование в качестве рабочего электрода нанотрубок оксида титана, имеющего очень плохую чувствительность к водороду при повышенных (более 300°С) температурах.
Наиболее близким по технической сущности и принятым в качестве прототипа является способ создания сенсора для детектирования водорода [2], включающий в себя нагрев подложки из 4H-SiC до температуры ~ 600°С и нанесение на нее пленки, чувствительной к водороду, из W18O49 толщиной ~ 200 нм методом импульсного лазерного осаждения при давлении 25 Па при использовании в качестве рабочего газа воздух, затем нанесение на поверхность пленки из W18O49 платины в качестве каталитического слоя.
До нанесения пленки из W18O49 на обратную поверхность подложки из 4H-SiC наносили никель методом импульсного лазерного осаждения, отжигали при температуре ~ 900°С в течении 15 минут и дополнительно наносили платину.
Основными недостатками такого способа является небольшой срок службы сенсора вследствие малой толщины основного чувствительного к водороду слоя W18O49, а также плохой его адгезии к подложке.
Технический результат изобретения направлен на повышение чувствительности сенсора к водороду и увеличению срока его службы, за счет увеличения толщины чувствительной к водороду пленки и улучшения ее адгезионных свойств.
Технический результат достигается способом создания сенсора для детектирования водорода, включающим размещение образца из 4H-SiC в вакуумной камере, создание вакуума с последующим нанесением пленки Ni методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической никелевой мишени, далее проводят отжиг образца с никелевым покрытием в вакууме и последующим охлаждением образца до комнатной температуры, после чего осуществляют поворот образца другой стороной и повторное создание вакуума, затем осуществляют напуск рабочего газа до давления 25 Па и нагрев изделия с последующим нанесением основной пленки W18O49 методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической вольфрамовой мишени, далее создают вакуум и наносят поверх пленки W18O49 каталитическую пленку методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической мишени, после чего охлаждают и извлекают образец. Способ отличается тем, что после создания вакуума до остаточного давления 10-5 Па наносят слой Ni толщиной до 100 нм в течение времени до 10 мин, затем проводят отжиг образца при температурах 500-1000°С в течение времени не менее 30 мин с последующим охлаждением образца до комнатной температуры и поворотом образца другой стороной, после поворота образца и повторного создания вакуума поверхность образца нагревают до температуры 350-800°С и затем наносят дополнительный слой ВС3 толщиной 50-100 нм при давлении 10-5 Па методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции композитной мишени, состоящей из бора и углерода в отношении 1:3, далее напускают кислород до давления 25 Па и осаждают основную пленку W18O49 толщиной до 500 нм в течение времени до 60 мин, после чего создают вакуум и наносят каталитический слой Pd при давлении 10-5 Па толщиной до 50 нм в течение времени до 1,0 мин.
Технический результат достигается благодаря следующему.
В качестве материала для основной пленки был выбран W18O49, обладающий хорошей чувствительностью к водороду при температурах свыше 300°С.
Увеличение толщины чувствительной к водороду пленки W18O49 до 500 нм приводит к повышению чувствительности сенсора к водороду и увеличению срока его службы.
Отжиг образца с нанесенной пленкой никеля при давлении 10-5 Па, температурах 500-1000°С в течение времени не менее 30 мин позволяет атомам никеля глубже проникнуть в слой карбида кремния и улучшить адгезию нанесенного слоя. При температурах ниже 500°С диффузия мала, при температуре свыше 1000°С происходят структурные изменения в никеле.
Нанесение дополнительного слоя ВС3 толщиной 50-100 нм приводит к улучшению адгезии основного чувствительного к водороду слоя W18O49 к подложке и позволяет увеличить толщину основного слоя в 2,5 раза, что приводит к увеличению срока службы сенсора.
Осаждение основной пленки W18O49 на нагретую до 350-800°С поверхность образца с нанесенными на нее пленками никеля и карбида бора позволяет улучшить адгезию и создать пленку необходимой кристаллической структуры. При температуре подложки с нанесенными на нее пленками никеля и карбида бора ниже 350°С формируется аморфная пленка WxOy, обладающая плохой чувствительностью к водороду, при температурах свыше 800°С начинает формироваться вольфрамовая бронза, также снижающая чувствительность сенсора к водороду.
Нанесение пленки W18O49 в кислороде при давлении 25 Па позволяет увеличить толщину наносимого слоя и создать необходимую кристаллическую структуру, не изменяя энергетические параметры лазера.
В качестве материала для каталитического слоя был выбран палладий, обладающий лучшим коэффициентом распыления по сравнению с платиной, что сокращает по времени процесс нанесения при тех же самых энергетических параметрах лазера и без ухудшения каталитических свойств по отношению к водороду.
Совокупность всех перечисленных выше признаков позволяет разработку способа создания сенсора для детектирования водорода в окружающей среде, обладающего повышенной чувствительностью к водороду при температурах свыше 300°С и увеличенным сроком службы, за счет увеличения толщины чувствительной к водороду пленки и улучшения ее адгезионных свойств.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где проиллюстрирован заявляемый способ:
на фиг. 1 показана принципиальная схема осуществления способа;
на фиг. 2 представлена схема измерения сенсорных характеристик;
на фиг. 3 диаграмма зависимости измеренной разности потенциалов от содержания водорода в воздухе;
На фиг. 1 обозначено: образец 1, держатель из нержавеющей стали 2, вакуумная камера 3, мишень 4, лазер 5, омический нагреватель 6.
На фиг. 2 обозначено: 7 - нагреватель, 8 - сапфир (Al2O3), 9 - золото (Au), 10 - сенсор (Pd/W18O49/BC3/SiC/Ni), 11 - пленка никеля (Ni), 12 -подложка 4H-SiC, 13 - W18O49, 14 - палладий (Pd), 15 - графитовые иглы.
Пример конкретного осуществления способа.
В качестве образца была использована пластина из 4H-SiC размерами 10×10 мм и толщиной 450 мкм. Предварительно одна сторона образца полировалась, другая сторона - шлифовалась. Далее обработка образца осуществлялась в ультразвуковой ванне в среде изопропилового спирта в течение 10 минут.
Образец 1 размещался на держателе 2 шлифованной стороной вверх, а полированной стороной вниз, и с помощью держателя вводился в вакуумную камеру 3 на расстоянии 40 мм от мишени 4. Мишень 4 состояла из четырех пластинок размерами 10×10×1 мм. Первая пластинка была изготовлена из никеля, вторая пластинка - из вольфрама, третья пластинка - из палладия, четвертая пластинка представляла собой композит, состоящий из бора и углерода в отношении 1:3. Вакуумная камера 3 откачивалась насосом до остаточного давления 10-5 Па. Далее наносили Ni методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции никелевой пластинки в мишени. Энергия лазерного излучения была в пределе ~50 мДж, а плотность энергии в пятне фокусировки ~9 Дж/см2. В качестве источника лазерного излучения использовался лазер 5 с длиной волны 266 нм, длительностью 10 нс и частотой следования импульсов 20 Гц. Нанесение покрытия производилось в течение времени 10 мин. Толщина покрытия составила 100 нм. Далее проводили отжиг при температуре 700°С в течение времени 45 мин. Нагрев образца до необходимой температуры осуществлялся с помощью встроенного в держатель образца омического нагревателя 6. Контроль температуры осуществляли термопарой хромель-алюмель, расположенной на держателе образца. После нанесения покрытия образец охлаждали до комнатной температуры и разворачивали полированной стороной вверх. Далее вакуумную камеру откачивали до давления 10-5 Па и нагревали поверхность образца 1 с помощью омического нагревателя 6 до температуры 700°С. После чего наносили дополнительный слой ВС3 толщиной 80 нм при давлении 10-5 Па методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции композитной пластинки мишени. Далее, в вакуумную камеру напускали кислород до давления 25 Па и осаждали пленку W18O49 толщиной 400 нм в течение времени 40 мин, после чего вакуумную камеру откачивали до давления 10-5 Па и наносили каталитический слой Pd толщиной 20 нм в течение времени 1 мин.
Для проверки работоспособности полученного описанным выше способом сенсора 10, он помещался в камеру из нержавеющей стали и устанавливался на пластине сапфира 8 с тонким покрытием золота 9 (См. Фиг. 2). Сапфировая пластинка 8 являлась изолятором между сенсором и нагревателем. Тонкий слой золота 9, напыленный на одну из плоскостей сапфировой пластины, дает возможность проводить электрофизические измерения. Электрофизические и сенсорные измерения проводилось в диапазоне температур 22-350°С на воздухе и в смеси воздуха с водородом. Стабилизированные значение температуры контролировались подключенным к ПК датчиком температур. Нагрев до 350°С осуществлялся тэновым нагревателем 7. Концентрация водорода в воздушной смеси варьировалась от 0,5 до 2% от объема камеры. В качестве электрических контактов использовались графитовые иглы 15, диаметр которых составлял ~ 400 мкм. Диаметр иглы на несколько порядков превышали толщину пленки W18O49. Этот факт позволил предполагать, что токопрохождение в основном происходило через плоскопараллельные слои и не выходило за область, образованную диаметром иглы.
Для измерения сенсорных свойств полученной структуры сенсора (Pd/W18O49/BC3/SiC/Ni) (Фиг. 2) последовательно к исследуемому образцу подключалось нагрузочное сопротивление RH. Регистрация сигнала напряжения на нагрузочном сопротивлении RH дифференциальным вольтметром В2-34 давала информацию об образовавшейся, при различии температур, в следствии взаимодействия сенсора (Pd/W18O49/BC3/SiC/Ni) с водородосодержащей средой, величины разности потенциалов между верхней и нижней плоскостями образца. В воздушной среде между плоскостью на которую нанесен слой Ni и плоскостью с нанесенным слоем Pd существует разность потенциалов, которая составляет ~100 μВ. При напуске водорода до концентрации 2% от объема камеры разность потенциалов возрастала до значения ~1000 μВ. На Фиг. 3 приведены диаграммы полученной разности потенциалов в зависимости от концентрации водорода в воздухе.
Таким образом, был разработан способ создания сенсора для детектирования водорода в окружающей среде, обладающего повышенной чувствительностью к водороду при температурах свыше 300°С и увеличенным сроком службы, за счет увеличения толщины чувствительной к водороду пленки и улучшения ее адгезионных свойств.
Список использованных источников:
1. RU 2371713, 27.10.2009.
2. Fominski V. et al. Comparison of hydrogen detection by WOx/SiC and Pt/WOx/SiC structures using amperometric and potentiometric modes of measurement. // Thin Solid Films. - 2019. - Vol. 669. - P. 461-470.
Claims (1)
- Способ создания сенсора для детектирования водорода, включающий размещение образца из 4H-SiC в вакуумной камере, создание вакуума с последующим нанесением пленки Ni методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической никелевой мишени, далее проводят отжиг образца с никелевым покрытием в вакууме с последующим охлаждением образца до комнатной температуры, после чего осуществляют поворот образца другой стороной и повторное создание вакуума, затем осуществляют напуск рабочего газа до давления 25 Па и нагрев изделия с последующим нанесением основной пленки W18O49 методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической вольфрамовой мишени, далее создают вакуум и наносят поверх пленки W18O49 каталитическую пленку методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической мишени, после чего охлаждают и извлекают образец, отличающийся тем, что после создания вакуума до остаточного давления 10-5 Па наносят слой Ni толщиной до 100 нм в течение времени до 10 мин, затем проводят отжиг образца при температурах 500-1000°С в течение времени не менее 30 мин с последующим охлаждением образца до комнатной температуры и поворотом образца другой стороной, после поворота образца и повторного создания вакуума поверхность образца нагревают до температуры 350-800°С и затем наносят дополнительный слой ВС3 толщиной 50-100 нм при давлении 10-5 Па методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции композитной мишени, состоящей из бора и углерода в отношении 1:3, далее напускают кислород до давления 25 Па и осаждают основную пленку W18O49 толщиной до 500 нм в течение времени до 60 мин, после чего создают вакуум и наносят каталитический слой Pd при давлении 10-5 Па толщиной до 50 нм в течение времени до 1,0 мин.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2783070C1 true RU2783070C1 (ru) | 2022-11-08 |
Family
ID=
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1752071A1 (ru) * | 1990-03-30 | 1994-06-15 | Институт новых химических проблем АН СССР | Электрод сравнения для твердотельного электрохимического детектора водорода |
| RU2371713C2 (ru) * | 2007-11-07 | 2009-10-27 | Некоммерческая организация Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН) | Сенсор для детектирования водорода и способ его изготовления |
| EP2643690A1 (de) * | 2011-03-25 | 2013-10-02 | ODB-Tec GmbH & Co.KG | Dioden-dünnschichtanordnung zur detektion von wasserstoff und verfahren zu ihrer herstellung sowie wasserstoffsensor |
| CN103424458A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 株式会社日立制作所 | 半导体气体传感器及其制造方法 |
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1752071A1 (ru) * | 1990-03-30 | 1994-06-15 | Институт новых химических проблем АН СССР | Электрод сравнения для твердотельного электрохимического детектора водорода |
| RU2371713C2 (ru) * | 2007-11-07 | 2009-10-27 | Некоммерческая организация Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН) | Сенсор для детектирования водорода и способ его изготовления |
| EP2643690A1 (de) * | 2011-03-25 | 2013-10-02 | ODB-Tec GmbH & Co.KG | Dioden-dünnschichtanordnung zur detektion von wasserstoff und verfahren zu ihrer herstellung sowie wasserstoffsensor |
| CN103424458A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 株式会社日立制作所 | 半导体气体传感器及其制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Fominski V. et al. Comparison of hydrogen detection by WOx/SiC and Pt/WOx/SiC structures using amperometric and potentiometric modes of measurement. Thin Solid Films. 2019. Vol. 669. P. 461-470. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2813578B2 (ja) | 水素センサ | |
| TWI786062B (zh) | 環境感測器與用於環境感測器的方法 | |
| US6673644B2 (en) | Porous gas sensors and method of preparation thereof | |
| US6893892B2 (en) | Porous gas sensors and method of preparation thereof | |
| EP2154520B1 (en) | Gas sensor, gas measuring system using the gas sensor, and gas detection method | |
| EP1269177A2 (en) | Mis hydrogen sensors | |
| Etzel et al. | A microcalorimeter for measuring heat effects of electrochemical reactions with submonolayer conversions | |
| CN113061839B (zh) | 一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法 | |
| RU2783070C1 (ru) | Способ создания сенсора для детектирования водорода | |
| Yoshimura et al. | A hydrogen sensor based on Mg–Pd alloy thin film | |
| Tsunozaki et al. | Fabrication and electrochemical characterization of boron-doped diamond microdisc array electrodes | |
| JP4743375B2 (ja) | 可燃性ガス濃度測定方法 | |
| Aroutiounian et al. | Noise spectroscopy of gas sensors | |
| Liu et al. | A new carbon monoxide sensor using a polypyrrole film grown on an interdigital-capacitor substrate | |
| Yoshimura et al. | Room-temperature hydrogen sensor based on Pd-capped Mg2Ni thin film | |
| US20160091445A1 (en) | Hydrogen Gas Sensor And Method For Fabrication Thereof | |
| Kecskeméti et al. | Production of porous PTFE–Ag composite thin films by pulsed laser deposition | |
| Bruzzi et al. | First study of humidity sensors based on nanostructured carbon films produced by supersonic cluster beam deposition | |
| Ding et al. | Effects of microstructure on electrochemical reactivity and conductivity in nanostructured ceria thin films | |
| Demin et al. | Dynamics of response of In 2 O 3-Ga 2 O 3 gas sensors | |
| Zuev et al. | Effect of hydrogen on the electrical characteristics of structural elements of the Pt/WO x/6 H-SiC | |
| Achahour et al. | Suppression of contact noise in a study on 1/f noise as a function of film thickness in Al-doped ZnO | |
| Bruzzi et al. | Electrical conduction in nanostructured carbon films produced by supersonic cluster beam deposition | |
| Kaur et al. | Shelf Life Study of NiO Nanowire Sensors for NO | |
| Fitl et al. | Sensing properties of tin acetylacetonate-based thin films doped with platinum |