RU2765563C1 - Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита - Google Patents

Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита Download PDF

Info

Publication number
RU2765563C1
RU2765563C1 RU2021126342A RU2021126342A RU2765563C1 RU 2765563 C1 RU2765563 C1 RU 2765563C1 RU 2021126342 A RU2021126342 A RU 2021126342A RU 2021126342 A RU2021126342 A RU 2021126342A RU 2765563 C1 RU2765563 C1 RU 2765563C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
anode
film
lipon
crucible
current
Prior art date
Application number
RU2021126342A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Васильевич Гаврилов
Александр Сергеевич Каменецких
Петр Васильевич Третников
Original Assignee
Акционерное Общество "Наука И Инновации"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное Общество "Наука И Инновации" filed Critical Акционерное Общество "Наука И Инновации"
Priority to RU2021126342A priority Critical patent/RU2765563C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2765563C1 publication Critical patent/RU2765563C1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой аморфной пленки из фосфор-оксинитрида лития LiPON на подложку. Проводят нагрев, плавление, испарение ортофосфата лития Li3PO4 и формирование пленки на поверхности подложки в плазме разряда низкого давления с самонакаливаемым полым катодом и анодом, состоящим из двух частей. Одной частью анода является анод-тигель, внутрь которого помещают порошок испаряемого вещества Li3PO4 и испаряют его со скоростью, регулируемой изменением величины тока в цепи анода-тигля. Второй частью анода является полый электрод-ионизатор. Плотность генерируемой плазмы регулируют изменением величины тока в цепи электрода-ионизатора. Li3PO4 испаряют в закрытом аноде-тигле, имеющем в крышке отверстие 6 мм для потока паров. Реактивный азот подают через полый электрод-ионизатор и увеличивают ток в цепи электрода выше порогового значения 30 А, при котором формируется аморфная пленка LiPON с высокой ионной проводимостью. Пленку LiPON формируют на поверхности подложки, имеющей плавающий потенциал и температуру ниже 200°С. После достижения требуемой толщины пленки выключают разряд, перекрывают напуск реактивного азота в реакционный объем. Затем в вакууме не выше 0,01 Па проводят стабилизирующий отжиг путем нагрева сформированной пленки LiPON до температуры 250°С и выдержки при этой температуре в течение 2 часов. Обеспечивается увеличение скорости осаждения пленки твердого электролита из фосфор-оксинитрида лития LiPON. 3 ил.

Description

Изобретение относится к области нанесения тонких пленок в вакууме и может быть использовано при разработке полностью твердотельных литий-ионных двуслойных суперконденсаторов для микроэлектроники. Известен способ [J.B. Bates, N.J. Dudney, G.R. Gruzalski, R.A. Zuhr, A. Choudhury, C.F. Luck, J.D. Robertson. Journal of Power Sources, 43-44 (1993) 103-110] изготовления тонких пленок фосфор-оксинитрида лития высокочастотным магнетронным распылением мишени из ортофосфата лития (Li3PO4). Недостатком известного способа является невысокая скорость (0.05-0.1 нм/мин) нанесения пленок, обусловленная малой величиной допустимой плотности мощности на поверхности распыляемых мишеней из-за их низкой термической стойкости. Неравномерный нагрев мишени при распылении приводит к возникновению механических напряжений в мишени и ее растрескиванию. Особенно существенно это для мишеней большой площади.
Целью предлагаемого изобретения является увеличение скорости осаждения пленок твердого электролита путем использования термического испарения Li3PO4.
Известный способ осаждения пленок фосфор-оксинитрида лития термическим испарением реализован с использованием электронного пучка [Y.G. Kim, H.N.G. Wadley. Journal of Power Sources 187 (2009) 591-598]. Пары Li3PO4, создаваемые при воздействии электронного пучка на Li3PO4 мишень, транспортировались в направлении подложки с помощью сверхзвуковой газовой (Не+N2) струи. Вблизи подложки с помощью разряда с полым катодом создавалась аргоновая плазма, которая обеспечивала ионизацию азота и его реактивное введение в Li3PO4 пленку. Таким методом была достигнута скорость осаждения пленки оксинитрида фосфора лития от 113 до 178 нм/мин. Однако, способ не получил распространения из-за сложности его технической реализации.
Прототипом изобретения является способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия [Гаврилов Н.В., Каменецких А.С. Третников П.В. Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия. Патент №2676719], в котором нанесение покрытия осуществляют реактивным анодным испарением алюминия в разряде низкого давления, который зажигают между самонакаливаемым катодом и двумя электродами, имеющими анодный потенциал: анодом-тиглем и анодом-ионизатором. Регулировкой тока в цепи самонакаливаемый катод - анод-тигель осуществляют нагрев и плавление алюминия в полости анода-тигля и его испарение с заданной скоростью. Регулировкой тока в цепи анода-ионизатора обеспечивают генерацию в объеме кислородной плазмы с требуемой плотностью. Регулируя плотность ионного тока из плазмы, потенциал смещения и температуру образцов формируют нанокристаллическую фазу оксида алюминия в покрытии. В указанном способе испаряется электропроводящий металл, получаемое покрытие имеет кристаллическую структуру, для формирования которой подложка поддерживается при повышенной температуре 500-600°С, а поверхность растущего покрытия подвергается интенсивной бомбардировке ионами с энергией 50-150 эВ и высокой плотностью ионного тока 5-15 мА/см2. Таким образом, способ имеет существенные особенности, обусловленные требованиями к структуре осаждаемой пленки.
Технической задачей, решаемой изобретением, является создание способа нанесения тонких пленок твердого электролита из фосфор-оксинитрида лития с высокой скоростью.
В отличие от прототипа в предлагаемом способе испаряется непроводящий материал, поэтому необходимо использовать косвенный метод нагрева и стабилизировать скорость испарения материала, формирующаяся пленка из оксинитрида фосфора лития должна быть аморфной, поэтому необходимо ограничивать температуру пленки в процессе осаждения во избежание ее кристаллизации, кроме того, после осаждения пленки требуется проведение низкотемпературного отжига для стабилизации структуры и свойств пленки.
Предлагаемый способ решает задачу увеличения скорости осаждения аморфных тонких пленок из фосфор-оксинитрида лития следующим образом. В тигель помещают порошок или компакт из Li3PO4. Тигель закрывают крышкой с малым отверстием диаметром порядка 5 мм. Через полый анод напускают азот. Зажигают разряд с самонакаливаемым полым катодом, ток которого распределяют между анодом-тиглем, в котором происходит плавление и испарение Li3PO4, и полым анодом-ионизатором. Увеличением тока в цепи анода-тигля нагревают его до температур свыше 1220°С, обеспечивающих плавление Li3PO4 в полости анода-тигля и его испарение с заданной скоростью. Устанавливают величину тока в цепи полого анода-ионизатора, при которой плотность азотной плазмы при заданных значениях скорости испарения Li3PO4 обеспечивает формирование аморфной пленки фосфор-оксинитрида лития с высокой ионной проводимостью. Для стабилизации структуры и свойств пленки фосфор-оксинитрида лития после нанесения выключают разряд, прекращают подачу газов и в вакууме 0,01 Па нагревают подложку с пленкой до температуры 250°С и выдерживают ее при этой температуре в течение 2 часов. Для формирования пленки фосфор-оксинитрида лития с ионной проводимостью не менее 0,5*106 (Ом*см)-1 со скоростью 0,2-0,3 мкм/ч устанавливают ток в цепи анода-тигля на уровне 7-10 А, ток в цепи анода испарителя не менее 40 и давление азота в реакционном объеме 2-3 Па. Покрытие наносят на подложку, имеющую плавающий потенциал и температуру не более 190°С.
В отличие от прототипа [Гаврилов Н.В., Каменецких А.С. Третников П.В. Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия. Патент №2676719] в предложенном способе испаряют не металлический, а диэлектрический материал, аморфную тонкую пленку осаждают при низких температурах (менее 200°С), в процессе осаждения воздействуют на поверхность пленки плотным потоком низкоэнергетических частиц азота в отсутствие напряжения смещения, а полученное покрытие подвергают низкотемпературному стабилизирующему отжигу.
Предложенный способ был реализован на установке, схема которой показана на Фиг. 1. Установка включала вакуумную камеру 1, на верхней крышке которой был установлен катодный узел 2, состоявший из водоохлаждаемого корпуса и самонакаливаемого полого катода из нитрида титана в виде трубки с внутренним диаметром 11 мм. Внутри вакуумной камеры 1 размещался неохлаждаемый графитовый анод-тигель 3 с диаметром полости 8 мм, и водоохлаждаемый анод-ионизатор 4, помещенный внутрь цилиндрического экранирующего электрода 5. Напротив анода-тигля 3 на расстоянии 15 см был установлен держатель образцов 6. С тыльной стороны держателя образцов 6 размещался резистивный нагреватель 7, тепловое излучение которого обеспечивало стабилизирующий отжиг пленки фосфор-оксинитрида лития при 200°С. Азот напускался в реакционный объем через полость анода-ионизатора 4 со скоростью 150 см3/мин. Поток азота через полый катод 2 составлял 30 см3/мин. Токи в цепях анода-тигля 3 и анода-ионизатора 4 регулировались двумя независимыми источниками питания 8 и 9. Между анодом-тиглем 3 и держателем образцов 5 на стадии разогрева тигля до температуры, при которой достигается требуемая скорость испарения алюминия, устанавливалась заслонка 10.
Способ нанесения тонкой пленки осуществлялся следующим образом. Подложки устанавливали на держатель 6. В анод-тигель 3 загружали порошок Li3PO4 (СТП ТУ КОМП 2-307-11) массой 0,5 гр. Вакуумную камеру 1 откачивали до давления 10-3 Па. Затем подавали азот через катодную полость и включали блок питания 8, который обеспечивал зажигание разряда, разогрев самонакаливаемого катода и его переход в термоэмиссионный режим. Увеличивали ток в цепи анода-тигля блоком питания 8 до значений 7-10 А, при которых обеспечивается плавление Li3PO4 и его испарение с требуемой скоростью, которая контролировалась по амплитуде линии атома лития в спектре излучения плазмы. Устанавливали поток азота через анод-ионизатор 4 равным 150 см3/мин и задавали величину тока в цепи анода-ионизатора 4 не менее 40 А блоком питания 9. Аморфные пленки фосфор-оксинитрида лития с высокой ионной проводимостью формировались со скоростью 0,2-0,3 мкм/ч при температуре образцов 200°С и плавающем потенциале подложки. Открывали заслонку 10 и в течение 2 часов наносили пленку. Затем выключали разряд, прекращали подачу газа, включали нагреватель и при температуре 250°С в течение 2 часов проводили стабилизирующий отжиг.
Результаты измерения ионной проводимости методом импедансной спектроскопии (Фиг. 2) свидетельствуют о формировании пленки твердого электролита с ионной проводимостью не менее 0,5*106 (Ом*см)-1. Использование заявленного метода позволяет увеличить скорость осаждения по сравнению с методом магнетронного осаждения с 6 до 250 нм/час. Влияние стабилизирующего отжига иллюстрируется на Фиг. 3. Неотожженные пленки имеют низкую ионную проводимость, которая быстро снижается с увеличением времени выдержки в атмосфере (Фиг. 3, кривая 1). Пленки, прошедшие отжиг, имеют большую проводимость и меньшую скорость деградации в воздухе (Фиг. 3, кривая 2).

Claims (1)

  1. Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой аморфной пленки из фосфор-оксинитрида лития LiPON на подложку, включающий нагрев, плавление, испарение ортофосфата лития Li3PO4 и формирование пленки на поверхности подложки в плазме разряда низкого давления с самонакаливаемым полым катодом и анодом, состоящим из двух частей, одной из которых является анод-тигель, внутрь которого помещают порошок испаряемого вещества Li3PO4 и испаряют его со скоростью, регулируемой изменением величины тока в цепи анода-тигля, второй частью анода является полый электрод-ионизатор, при этом плотность генерируемой плазмы регулируют изменением величины тока в цепи электрода-ионизатора, отличающийся тем, что Li3PO4 испаряют в закрытом аноде-тигле с малым отверстием 6 мм для потока паров в крышке анода-тигля, реактивный азот подают через полый электрод-ионизатор и увеличивают ток в цепи электрода выше порогового значения 30 А, при котором формируется аморфная пленка LiPON с высокой ионной проводимостью, пленку LiPON формируют на поверхности подложки, имеющей плавающий потенциал и температуру ниже 200°С, после достижения требуемой толщины пленки выключают разряд, перекрывают напуск реактивного азота в реакционный объем и в вакууме не выше 0,01 Па проводят стабилизирующий отжиг путем нагрева сформированной пленки LiPON до температуры 250°С и выдержки при этой температуре в течение 2 часов.
RU2021126342A 2021-09-07 2021-09-07 Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита RU2765563C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021126342A RU2765563C1 (ru) 2021-09-07 2021-09-07 Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021126342A RU2765563C1 (ru) 2021-09-07 2021-09-07 Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2765563C1 true RU2765563C1 (ru) 2022-02-01

Family

ID=80214558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021126342A RU2765563C1 (ru) 2021-09-07 2021-09-07 Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2765563C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2793941C1 (ru) * 2022-06-27 2023-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Способ вакуумно-плазменного осаждения тонкой пленки из оксинитрида фосфора лития

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009046340A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Ulvac Material Kk リン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングターゲット
RU2513987C2 (ru) * 2009-12-03 2014-04-27 Фмк Корпорейшн Тонкодисперсно осажденный порошок металлического лития
CN105256275A (zh) * 2015-11-03 2016-01-20 基迈克材料科技(苏州)有限公司 薄膜锂电池用电解质层材料磷酸锂靶材粉末冶金制备工艺
RU2583762C1 (ru) * 2015-04-20 2016-05-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН) Способ получения порошкообразного твердого электролита с высокой проводимостью по иону лития
US10158115B2 (en) * 2013-06-06 2018-12-18 Quantumscape Corporation Flash evaporation of solid state battery component

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009046340A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Ulvac Material Kk リン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングターゲット
RU2513987C2 (ru) * 2009-12-03 2014-04-27 Фмк Корпорейшн Тонкодисперсно осажденный порошок металлического лития
US10158115B2 (en) * 2013-06-06 2018-12-18 Quantumscape Corporation Flash evaporation of solid state battery component
RU2583762C1 (ru) * 2015-04-20 2016-05-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН) Способ получения порошкообразного твердого электролита с высокой проводимостью по иону лития
CN105256275A (zh) * 2015-11-03 2016-01-20 基迈克材料科技(苏州)有限公司 薄膜锂电池用电解质层材料磷酸锂靶材粉末冶金制备工艺

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2793941C1 (ru) * 2022-06-27 2023-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Способ вакуумно-плазменного осаждения тонкой пленки из оксинитрида фосфора лития

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6570172B2 (en) Magnetron negative ion sputter source
US3472751A (en) Method and apparatus for forming deposits on a substrate by cathode sputtering using a focussed ion beam
US20050287724A1 (en) Transparent conductive films and processes for forming them
TWI405235B (zh) 充電腹鈑或箔之方法
Musa et al. Pure metal vapor plasma source with controlled energy of ions
CN103469164B (zh) 一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法
JP4240471B2 (ja) 透明導電膜の成膜方法
RU2765563C1 (ru) Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита
US6913675B2 (en) Film forming apparatus, substrate for forming oxide thin film, and production method thereof
US20150140231A1 (en) Method and apparatus for deposition of thin film materials for energy storage devices
JP3979859B2 (ja) リチウム二次電池用電極の製造方法
JPS5919190B2 (ja) 鉛皮膜の製造方法
EP1239056A1 (en) Improvement of a method and apparatus for thin film deposition, especially in reactive conditions
CN114540779B (zh) 复合阴极、磁控溅射镀膜设备及镀膜方法
RU2793941C1 (ru) Способ вакуумно-плазменного осаждения тонкой пленки из оксинитрида фосфора лития
EP0047456B1 (en) Ion plating without the introduction of gas
JP4351777B2 (ja) デポジションアシスト蒸着装置及び薄膜形成方法
JPS5850419B2 (ja) 圧電性薄膜の製造方法
KR100800799B1 (ko) Pvd를 이용한 반도체 기판 상 금속박막 증착 방법
RU2676719C1 (ru) Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия
JP2004076025A (ja) 酸化亜鉛薄膜およびその成膜方法
KR102248000B1 (ko) 플라즈마 저항성을 갖는 코팅층 형성방법
US4089990A (en) Battery plate and method of making
RU2759822C1 (ru) Способ нанесения антиэмиссионного покрытия из пиролитического углерода на сеточные электроды мощных электровакуумных приборов
JPH09165673A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法