RU2758311C9 - Method for producing silicon carbide felt - Google Patents
Method for producing silicon carbide felt Download PDFInfo
- Publication number
- RU2758311C9 RU2758311C9 RU2021107781A RU2021107781A RU2758311C9 RU 2758311 C9 RU2758311 C9 RU 2758311C9 RU 2021107781 A RU2021107781 A RU 2021107781A RU 2021107781 A RU2021107781 A RU 2021107781A RU 2758311 C9 RU2758311 C9 RU 2758311C9
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- felt
- temperature
- silicon carbide
- carbon
- silicon
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/984—Preparation from elemental silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Настоящее изобретение относится к получению войлока карбида кремния, который может быть использован для получения керамики, в качестве армирующего компонента, градиентной керамики, для производства деталей, работающих в окислительных средах при высоких температурах, также такой карбид кремния может быть использован в качестве химически стойких фильтрующих элементов.The present invention relates to the production of silicon carbide felt, which can be used for producing ceramics, as a reinforcing component, gradient ceramics, for the production of parts operating in oxidizing environments at high temperatures, and such silicon carbide can also be used as chemically resistant filter elements ...
Известен способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала пропиткой углеродных волокон расплавленным кремнием RU № 2576439, опубл. 10.03.2016, B01D 39/20 «Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов». В соответствии с данным способом проводится перемещение натянутой ленты из углеродной сетчатой ткани в горизонтальной плоскости в среде вакуума с подачей к ее поверхности расплавленного кремния. В результате силицирования углерод исходной сетчатой ткани превращается в карбид кремния с сохранением структуры ткани. Связка продольных нитей основы и поперечных нитей утка обеспечивается при силицировании ткани естественным образом. Функцию связующего выполняет кремний. Пластины силицированного материала нарезают алмазным инструментом и подвергают обработке в смеси плавиковой и азотной кислот с целью удаления избыточного кремния, что необходимо для вскрытия окон в материале, а также для увеличения температурного диапазона его использования. После отмывки и сушки материал может быть использован в качестве фильтрующего как в виде отдельных пластин, так и в виде пакетов из них. Недостатками метода являются технологическая сложность метода и низкая производительность, использование кислот в технологическом процессе, а также неоднородность получаемого продукта.A known method of manufacturing a high-temperature filter material by impregnating carbon fibers with molten silicon RU No. 2576439, publ. 03/10/2016, B01D 39/20 "Method of manufacturing high-temperature filter material for corrosive liquids and gases." In accordance with this method, a stretched ribbon of carbon mesh fabric is displaced in a horizontal plane in a vacuum environment with the supply of molten silicon to its surface. As a result of siliconizing, the carbon of the original mesh fabric is converted into silicon carbide with the preservation of the fabric structure. A bunch of longitudinal warp threads and transverse weft threads is ensured by natural siliconising of the fabric. Silicon acts as a binder. Plates of siliconized material are cut with a diamond tool and subjected to processing in a mixture of hydrofluoric and nitric acids in order to remove excess silicon, which is necessary to open windows in the material, as well as to increase the temperature range of its use. After washing and drying, the material can be used as a filtering material both in the form of separate plates and in the form of packages of them. The disadvantages of the method are the technological complexity of the method and low productivity, the use of acids in the technological process, as well as the heterogeneity of the resulting product.
Известен способ получения волокон SiC методом химического осаждения из газовой фазы на нить-подложку (Galasso F., Basche М., Kuehl D. Preparation, structure and properties of continuous silicon carbide filaments // Appl. Phys. Lett. 1966, 9 (1), 37-39). В соответствии с данным способом в качестве реагентов используют газовые смеси метилхлорсиланов (CH3SiCl3, CH3SiHCl2, (CH3)2SiCl2) с водородом, либо другим газом-носителем, а в качестве подложек - вольфрамовые или углеродные нити диаметром 15-30 мкм. Осаждение проводят при температурах 1200-1400°С. Данный способ позволяет получать непрерывные волокна SiC диаметром 80-140 мкм, которые обладают высокими показателями предела прочности на разрыв и модуля упругости. Недостатком метода является ограничение в применении получаемых волокон из-за их высокой жесткости и большого диаметра.There is a known method of producing SiC fibers by chemical vapor deposition on a filament-substrate (Galasso F., Basche M., Kuehl D. Preparation, structure and properties of continuous silicon carbide filaments // Appl. Phys. Lett. 1966, 9 (1 ), 37-39). In accordance with this method, gas mixtures of methylchlorosilanes (CH 3 SiCl 3 , CH 3 SiHCl 2 , (CH 3 ) 2 SiCl 2 ) with hydrogen or another carrier gas are used as reagents, and tungsten or carbon filaments with a diameter 15-30 microns. The deposition is carried out at temperatures of 1200-1400 ° C. This method makes it possible to obtain continuous SiC fibers with a diameter of 80-140 microns, which have high tensile strength and modulus of elasticity. The disadvantage of this method is the limitation in the use of the resulting fibers due to their high rigidity and large diameter.
Известен способ получения протяженных карбидокремниевых волокон путем пиролиза кремнийорганических соединений [A novel method for massive fabrication of β-SiC nanowires. F.Li, E.G. Wen. J Mater Sci (2007) 42: 4125-4130]. При пиролизе при температурах 1500÷1600°С получают протяженные нановолокна карбида кремния диаметром 50÷200 нм. Недостатками данного метода являются высокая температура синтеза, низкий выход продукта и высокая стоимость исходных реагентов.A known method of obtaining extended silicon carbide fibers by pyrolysis of organosilicon compounds [A novel method for massive fabrication of β-SiC nanowires. F. Li, E.G. Wen. J Mater Sci (2007) 42: 4125-4130]. During pyrolysis at temperatures of 1500 ÷ 1600 ° C, extended nanofibers of silicon carbide with a diameter of 50 ÷ 200 nm are obtained. The disadvantages of this method are the high synthesis temperature, low product yield, and high cost of the starting reagents.
Известен способ получения карбидкремниевых волокон RU №2427673 С1 «Прядильный раствор для электроформования, способ получения волокон электроформованием и волокна карбида кремния» опубл. 27.08.2011 D01D 1/02, D01D 5/00. Способ включает приготовление раствора поликарбосилана (ПКС) со сшивающим агентом и (по желанию) фотоинициатором, получение волокон ПКС методом электроформования с одновременной сшивкой волокон ПКС за счет облучения светом в видимом или ультрафиолетовом диапазонах и последующую термообработку для конвертации волокон ПКС в волокна карбида кремния. Полимерный войлок подвергали термической обработке для конвертации волокон поликарбосилана в керамические волокна. Режимы такой термообработки зависели от условий, при которых проводилось облучение образца УФ, в частности от атмосферы. Для войлока, облучение которого проводилось в инертной атмосфере, термообработка проводилась по следующей схеме:A known method of producing silicon carbide fibers RU No. 2427673 C1 "Spinning solution for electrospinning, a method for producing fibers by electrospinning and silicon carbide fibers" publ. 08/27/2011
1) нагрев в слабом потоке защитного газа (азот, аргон) до 220°С со скоростью не более 1°С в минуту;1) heating in a weak flow of protective gas (nitrogen, argon) up to 220 ° C at a rate of no more than 1 ° C per minute;
2) выдержка при 220°С в течение 2 ч;2) exposure at 220 ° C for 2 hours;
3) нагрев до 600°С со скоростью не более 1°С в минуту;3) heating up to 600 ° C at a rate of no more than 1 ° C per minute;
4) выдержка при 600°С в течение не менее 1 ч;4) exposure at 600 ° C for at least 1 hour;
5) нагрев до 1600°С со скоростью не более 3°С в минуту;5) heating up to 1600 ° C at a rate of no more than 3 ° C per minute;
6) выдержка при 1600°С в течение не менее 3 ч;6) exposure at 1600 ° C for at least 3 hours;
7) охлаждение до комнатной температуры.7) cooling to room temperature.
При таких режимах термообработки получали волокна из кристаллического карбида кремния. Содержание аморфной фазы карбида кремния ниже предела регистрации рентгенофазовым методом. Выход карбида кремния составляет 65-80% от массы поликарбосилана в зависимости от типа и концентраций сшивающего агента и фотоинициатора. К недостаткам метода можно отнести трудоемкий процесс сшивки волокон ПКС, длительный режим термообработки и низкий выход продукта.Under such heat treatment regimes, fibers from crystalline silicon carbide were obtained. The content of the amorphous phase of silicon carbide is below the detection limit by the X-ray phase method. The silicon carbide yield is 65-80% by weight of polycarbosilane, depending on the type and concentration of the crosslinking agent and photoinitiator. The disadvantages of this method include the laborious process of cross-linking of PCL fibers, long-term heat treatment, and low product yield.
Наиболее близким является способ получения волокон, описанный в патенте RU №2694340 опубл. 11.07.2019 С01В 32/956, С01В 32/97 «Способ получения текстильных карбидокремниевых материалов». Углеродные волокна или текстильные материалы на их основе, имеющие форму ткани, ленты, нити, нетканого полотна или иные, помещают в реактор периодического действия, внутри которого находится материал, генерирующий при нагревании газ SiO в количестве не менее 1.85 г на 1 г силицируемого углеволоконного материала. В качестве материала, генерирующего газ SiO, используют реакционные смеси, содержащие SiO2 в комбинации либо с кремнием, либо с углеродом, либо с карбидом кремния. Силицирующую термическую обработку проводят в условиях непрерывной вакуумной откачки газообразных продуктов при температуре не ниже 1350°С в течение не менее 120 минут, при этом нагрев выше 1300°С ведут со скоростью не более 6°С/мин. Полученный материал представляет собой карбид кремния со структурой кубической полиморфной модификации (β-SiC). Недостатками данного метода являются сложная конструкция реактора и продольное растрескивание волокон, что будет сказываться на физико-механических свойствах.The closest is the method for producing fibers, described in patent RU No. 2694340 publ. 07/11/2019 С01В 32/956, С01В 32/97 "Method of obtaining textile silicon carbide materials." Carbon fibers or textile materials based on them, in the form of fabric, tape, thread, nonwoven fabric or others, are placed in a batch reactor, inside which there is a material that generates SiO gas when heated in an amount of at least 1.85 g per 1 g of siliconized carbon fiber material ... Reaction mixtures containing SiO 2 in combination with either silicon, carbon, or silicon carbide are used as the SiO gas generating material. Siliconizing heat treatment is carried out under conditions of continuous vacuum pumping of gaseous products at a temperature of at least 1350 ° C for at least 120 minutes, while heating above 1300 ° C is carried out at a rate of no more than 6 ° C / min. The resulting material is silicon carbide with the structure of a cubic polymorphic modification (β-SiC). The disadvantages of this method are the complex design of the reactor and longitudinal cracking of the fibers, which will affect the physical and mechanical properties.
Задачей настоящего изобретения является получение карбидкремниевого войлока методом парофазного силицирования углеродного войлока, который может быть использован в качестве химически стойких фильтрующих элементов, армирующего компонента для создания композиционных керамических изделий, для производства деталей, работающих в окислительных средах при высоких температурах.The objective of the present invention is to obtain silicon carbide felt by the method of vapor-phase siliconizing of carbon felt, which can be used as chemically resistant filter elements, a reinforcing component for creating composite ceramic products, for the production of parts operating in oxidizing environments at high temperatures.
Технический результат заключается в методе парофазного синтеза войлока карбида кремния, техническую простоту, сравнительно низкую температуру синтеза, а, следовательно, сравнительно низкую энергоемкость и химическую чистоту получаемого продукта.The technical result consists in the method of vapor-phase synthesis of silicon carbide felt, technical simplicity, a relatively low synthesis temperature, and, consequently, a relatively low energy consumption and chemical purity of the resulting product.
Технический результат достигается тем, что способ получения карбидкремниевого войлока включает размещение в вакуумной печи периодического действия углеродного текстильного материала, силицирование углеродного материала методом парофазного силицирования с применением температуры свыше 1300°С, отличающийся тем, что для силицирования углеродных волокон в качестве источника газа использовали пары кремния, в качестве силицируемого материала используют углеродный войлок в виде квадратных образцов, которые вертикально помещают в тигель, выстилаемый углеродной фольгой для предотвращения взаимодействия тигля с жидким кремнием, засыпают порошком кремния, предварительно термообрабатывают в сушильном шкафу в течение 5 часов при температуре 100°С, нагревают в вакуумной печи при вакууме 1×10-5 мбар до температуры 1100°С со скоростью нагревания 5°С/мин, затем камеру вакуумной печи заполняют аргоном до избыточного давления давлении 1,2 атм и продолжают нагревание до 1650°С со скоростью 10°С/мин, с выдержкой при указанной температуре в течение 20 минут, после чего охлаждают, полученные образцы войлока обрабатывают сжатым воздухом для удаления порошка засыпки с поверхности.The technical result is achieved in that the method for producing silicon carbide felt includes placing a carbon textile material in a batch-type vacuum furnace, siliconizing the carbon material by the vapor-phase siliconizing method using a temperature above 1300 ° C, characterized in that silicon vapor was used as a gas source for siliconizing carbon fibers , as a siliconized material, carbon felt in the form of square samples is used, which are vertically placed in a crucible lined with carbon foil to prevent interaction of the crucible with liquid silicon, covered with silicon powder, preliminarily heat-treated in an oven for 5 hours at a temperature of 100 ° C, heated in a vacuum furnace at a vacuum of 1 × 10-5 mbar to a temperature of 1100 ° C with a heating rate of 5 ° C / min, then the vacuum furnace chamber is filled with argon to an overpressure of 1.2 atm and heating is continued to 1650 ° C at a rate of 10 ° S / min, s out Holding at the specified temperature for 20 minutes, after which they are cooled, the obtained felt samples are treated with compressed air to remove the backfill powder from the surface.
Вакуумирование необходимо для удаления из реакционной емкости кислорода и влаги, чтобы не допустить окисления поверхности частиц кремния. В качестве кремния необходимо использовать порошок кремния с содержанием примесей не более 0,01% с размером частиц 0,5-10 мкм, а в качестве углеродного войлока использовать углеродный войлок Карбопон В-22 с содержанием углерода не менее 99,9% и диаметром волокон 7-10 мкм. Перед проведением силицирования графитовый тигель с углеродным войлоком и засыпкой кремния предварительно термообрабатывают в сушильном шкафу при температуре 100°С в течение 5 часов.Evacuation is necessary to remove oxygen and moisture from the reaction vessel in order to prevent oxidation of the surface of silicon particles. As silicon, it is necessary to use silicon powder with an impurity content of not more than 0.01% with a particle size of 0.5-10 microns, and as a carbon felt, use carbon felt Carbopon V-22 with a carbon content of at least 99.9% and a fiber diameter 7-10 microns. Before siliconizing, a graphite crucible with carbon felt and silicon backfill is preliminarily heat treated in a drying oven at a temperature of 100 ° C for 5 hours.
Атмосфера аргона необходима для процесса парофазного силицирования. Процесс парофазного силицирования основан на испарении паров кремния и их осаждении на поверхности и в объеме пористого углеродного войлока, сопровождающимся образованием карбида кремния по реакции (1):An argon atmosphere is required for the vapor phase siliciding process. The process of vapor-phase siliconization is based on the evaporation of silicon vapors and their deposition on the surface and in the volume of a porous carbon felt, accompanied by the formation of silicon carbide according to reaction (1):
В вакууме происходит силицирование путем пропитки расплавом кремния, краевые углы смачивания составляют 120°, в то время как в атмосфере аргона силицирование войлока происходит парофазным методом, краевые углы смачивания составляют 50° соответственно.In a vacuum, siliconization occurs by impregnation with a silicon melt, the contact angles of wetting are 120 °, while in an argon atmosphere, siliciding of the felt occurs by the vapor-phase method, the contact angles are 50 °, respectively.
Отличие от прототипа состоит в том, что на стадии силицирования используются готовые волокна углерода в виде войлока, процесс термообработки занимает значительно меньше времени, камеру вакуумной печи заполняли аргоном по достижении температуры 1000°С, выдержку при максимальной температуре проводили 20 минут.The difference from the prototype is that at the siliconizing stage, ready-made carbon fibers in the form of felt are used, the heat treatment process takes much less time, the vacuum furnace chamber was filled with argon upon reaching a temperature of 1000 ° C, holding at the maximum temperature was carried out for 20 minutes.
Способ осуществляется следующим образом.The method is carried out as follows.
На рисунке 1 представлен графитовый тигель, в котором осуществляется синтез карбидкремниевого войлока. В графитовый тигель (1), выстланный внутри углеродной фольгой (2) для предотвращения взаимодействия тигля с жидким кремнием, вертикально устанавливали углеродный войлок в виде квадратных образцов (3). В тигель засыпали порошок кремния (4) так, чтобы он полностью покрывал образцы. Тигель помещали в сушильный шкаф и термообрабатывали в течение 5 часов при температуре 100°С. Затем тигель помещали в вакуумную печь. Получение войлока SiC проводили при следующих параметрах: в вакууме (1×10-5 мбар) до температуры 1100°С скорость нагревания составляла 5°С/мин, затем камеру вакуумной печи заполняют аргоном до избыточного давления давлении 1,2 атм и продолжают нагревание до 1650°С со скоростью 10°С/мин, выдержку при указанной температуре проводили в течение 20 минут. Полученные образцы войлока обрабатывают сжатым воздухом для удаления порошка засыпки с поверхности. На рисунке 2 представлена СЭМ полученного карбидкремниевого войлока.Figure 1 shows a graphite crucible in which the synthesis of silicon carbide felt is carried out. In a graphite crucible (1), lined inside with carbon foil (2) to prevent the interaction of the crucible with liquid silicon, a carbon felt in the form of square samples (3) was vertically installed. Silicon powder (4) was poured into the crucible so that it completely covered the samples. The crucible was placed in an oven and heat treated for 5 hours at a temperature of 100 ° C. Then the crucible was placed in a vacuum oven. The production of SiC felt was carried out under the following parameters: in vacuum (1 × 10 -5 mbar) to a temperature of 1100 ° C, the heating rate was 5 ° C / min, then the vacuum furnace chamber was filled with argon to an excess pressure of 1.2 atm and heating was continued until 1650 ° C at a rate of 10 ° C / min, exposure at this temperature was carried out for 20 minutes. The obtained felt samples are treated with compressed air to remove the backfill powder from the surface. Figure 2 shows the SEM of the obtained silicon carbide felt.
На рис. 3 показана дифрактограмма полученного войлока карбида кремния. Полученный материал представляет собой смесь модификаций карбид кремния β-SiC и α-SiC в соотношении 42,6:57,4.In fig. 3 shows a diffraction pattern of the obtained silicon carbide felt. The resulting material is a mixture of modifications of silicon carbide β-SiC and α-SiC in a ratio of 42.6: 57.4.
Войлок карбида кремния является перспективным для использования в виде армирующего компонента. Его привлекательность обусловлена сочетанием важных эксплуатационных характеристик: высокая температура плавления, химическая стойкость, высокая прочность и модуль упругости. Введение войлока карбида кремния армирует структуру материала, повышая показатель трещиностойкости и значение прочности на изгиб.Silicon carbide felt is promising for use as a reinforcing component. Its attractiveness is due to the combination of important performance characteristics: high melting point, chemical resistance, high strength and elastic modulus. The introduction of silicon carbide felt reinforces the structure of the material, increasing the fracture toughness and the value of the flexural strength.
Настоящее изобретение относится к технологии получения войлока из карбида кремния.The present invention relates to a technology for producing felt from silicon carbide.
Карбидкремниевый войлок получают следующим образом: В качестве исходных компонентов использовали промышленный порошок кремния с содержанием примесей не более 0.01% (ООО "Платина"), углеродный войлок Карбопон В-22 с содержанием углерода не менее 99.9%.Silicon carbide felt was prepared as follows: As the initial components, we used industrial silicon powder with an impurity content of not more than 0.01% (Platina LLC), carbon felt Carbopon V-22 with a carbon content of not less than 99.9%.
Графитовый тигель выстилали углеродной фольгой для предотвращения взаимодействия тигля с жидким кремнием, в тигель вертикально помещали углеродный войлок в виде квадратных образцов. В тигель засыпали порошок кремния так, чтобы он полностью покрывал образцы. Тигель помещали в сушильный шкаф и термообрабатывали в течение 5 часов при температуре 100°С. Затем тигель помещали в вакуумную печь. Получение войлока SiC проводили при следующих параметрах обжига: в вакууме (1×10-5 мбар) до температуры 1100°С скорость нагревания составляла 5°С/мин, затем камеру вакуумной печи заполняют аргоном до избыточного давления давлении 1,2 атм и продолжают нагревание до 1650°С со скоростью 10°С/мин, выдержку при указанной температуре проводили в течение 20 минут. Полученные образцы войлока обрабатывают сжатым воздухом для удаления порошка засыпки с поверхности.The graphite crucible was lined with carbon foil to prevent the interaction of the crucible with liquid silicon; carbon felt in the form of square samples was vertically placed in the crucible. Silicon powder was poured into the crucible so that it completely covered the samples. The crucible was placed in an oven and heat treated for 5 hours at a temperature of 100 ° C. Then the crucible was placed in a vacuum oven. The production of SiC felt was carried out with the following firing parameters: in vacuum (1 × 10-5 mbar) to a temperature of 1100 ° C, the heating rate was 5 ° C / min, then the vacuum furnace chamber was filled with argon to an overpressure of 1.2 atm and heating was continued up to 1650 ° C at a rate of 10 ° C / min, holding at this temperature was carried out for 20 minutes. The obtained felt samples are treated with compressed air to remove the backfill powder from the surface.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021107781A RU2758311C9 (en) | 2021-03-24 | 2021-03-24 | Method for producing silicon carbide felt |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021107781A RU2758311C9 (en) | 2021-03-24 | 2021-03-24 | Method for producing silicon carbide felt |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2758311C1 RU2758311C1 (en) | 2021-10-28 |
| RU2758311C9 true RU2758311C9 (en) | 2021-12-08 |
Family
ID=78466372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021107781A RU2758311C9 (en) | 2021-03-24 | 2021-03-24 | Method for producing silicon carbide felt |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2758311C9 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2788976C1 (en) * | 2022-04-26 | 2023-01-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН) | Method for obtaining silicon carbide felt material |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115057441A (en) * | 2022-07-08 | 2022-09-16 | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 | Method for synthesizing high-purity silicon carbide raw material |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8940391B2 (en) * | 2010-10-08 | 2015-01-27 | Advanced Ceramic Fibers, Llc | Silicon carbide fibers and articles including same |
| RU2014114789A (en) * | 2014-04-14 | 2015-10-20 | Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" | METHOD FOR PRODUCING PRODUCTS FROM COMPOSITE MATERIAL |
| RU2694340C1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-07-11 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Химии Коми Научного Центра Уральского Отделения Российской Академии Наук | Method of producing textile silicon carbide materials |
| DE102018100681A1 (en) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | Universität Paderborn | Method for producing silicon carbide |
-
2021
- 2021-03-24 RU RU2021107781A patent/RU2758311C9/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8940391B2 (en) * | 2010-10-08 | 2015-01-27 | Advanced Ceramic Fibers, Llc | Silicon carbide fibers and articles including same |
| RU2014114789A (en) * | 2014-04-14 | 2015-10-20 | Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" | METHOD FOR PRODUCING PRODUCTS FROM COMPOSITE MATERIAL |
| DE102018100681A1 (en) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | Universität Paderborn | Method for producing silicon carbide |
| RU2694340C1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-07-11 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Химии Коми Научного Центра Уральского Отделения Российской Академии Наук | Method of producing textile silicon carbide materials |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2788976C1 (en) * | 2022-04-26 | 2023-01-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН) | Method for obtaining silicon carbide felt material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2758311C1 (en) | 2021-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bunsell et al. | A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres | |
| CN107419364B (en) | A kind of preparation method of the highly crystalline near stoichiometric proportion continuous SiC fiber of high temperature tolerance | |
| KR100264706B1 (en) | Method for preparation of polycrystalline silicon carbide fibers | |
| US9045347B2 (en) | Stiochiometric silicon carbide fibers from thermo-chemically cured polysilazanes | |
| US4560589A (en) | Method for providing a coating layer of silicon carbide on substrate surface | |
| US20120237765A1 (en) | Stiochiometric silicon carbide fibers from thermo-chemically cured polysilazanes | |
| RU2758311C9 (en) | Method for producing silicon carbide felt | |
| Takeda et al. | Thermal stability of SiC fiber prepared by an irradiation-curing process | |
| RU2694340C1 (en) | Method of producing textile silicon carbide materials | |
| Wang et al. | Revealing the formation mechanism of the skin-core structure in nearly stoichiometric polycrystalline SiC fibers | |
| JP4514846B2 (en) | High purity carbon fiber reinforced carbon composite material and method for producing the same | |
| Xie et al. | Synthesis and growth mechanism of SiC/SiO2 nanochains by catalyst-free thermal evaporation method in Ar/CO atmosphere | |
| WO2010035692A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING SiC FIBER BONDED CERAMIC | |
| JP7318650B2 (en) | Crystalline silicon carbide fiber, method for producing the same, and ceramic composite substrate | |
| CN109402786A (en) | Preparation method of near-stoichiometric SiC fibers | |
| JP6960448B2 (en) | Method for Producing Silicon Carbide Complex | |
| JP2000351689A (en) | Carbon fiber-reinforced carbon composite material coated with pyrolyzed carbon and part for single crystal-pulling device | |
| EP0448236B1 (en) | Curing preceramic polymers by exposure to nitrogen dioxide | |
| JP2006131451A (en) | Crucible for drawing-up single crystal and its manufacturing method | |
| CN110106583B (en) | Preparation method of SiC fibers with low boron content | |
| Idesaki et al. | Fine silicon carbide fibers synthesized from polycarbosilane-polyvinylsilane polymer blend using electron beam curing | |
| KR101684600B1 (en) | Manufacturing method for silicon carbide fiber and silicon carbide fiber thereof | |
| JP2023006364A (en) | C/C COMPOSITE AND Si SINGLE CRYSTAL PULLING-UP FURNACE COMPONENT | |
| JP2000103686A (en) | Production of carbon fiber reinforced carbon composite material | |
| CN1142332C (en) | Method of preparing silicon carbide fiber or fabric |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: CORRECTION TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL 31-2021 FOR INID CODE(S) (72) |
|
| TH4A | Reissue of patent specification |