RU2743225C1 - Полевой транзистор с барьером шотки - Google Patents
Полевой транзистор с барьером шотки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2743225C1 RU2743225C1 RU2020130346A RU2020130346A RU2743225C1 RU 2743225 C1 RU2743225 C1 RU 2743225C1 RU 2020130346 A RU2020130346 A RU 2020130346A RU 2020130346 A RU2020130346 A RU 2020130346A RU 2743225 C1 RU2743225 C1 RU 2743225C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- active semiconductor
- source
- gate electrode
- semi
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000011093 chipboard Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Заявлен полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку, электроды истока, затвора, стока, на полуизолирующей подложке выполнен неоднородно легированный активный полупроводниковый слой из двух частей - первой и второй, первая часть - на заданном расстоянии от электрода затвора, с концентрацией легирующей примеси более 2×1017 см-3 и заданной поверхностной плотностью этой примеси, вторая часть - между упомянутой первой частью и электродом затвора, с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3, электрод затвора выполнен на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя. Полуизолирующая подложка выполнена из монокристаллического арсенида галлия, упомянутая первая часть неоднородно легированного активного полупроводникового слоя выполнена на расстоянии от электрода затвора более 0,05 мкм, толщиной менее 0,07 мкм, с поверхностной плотностью легирующей примеси (0,6-3,0)×1012 см-2, полевой транзистор с барьером Шотки дополнительно содержит буферный и контактный слои, при этом буферный слой выполнен между упомянутой полуизолирующей подложкой и неоднородно легированным активным полупроводниковым слоем, толщиной более 0,2 мкм, контактный слой выполнен на второй части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя, толщиной более 0,01 мкм, с концентрацией легирующей примеси более 2×1018 см-3, на противоположной его поверхности выполнены электроды истока и стока, расстояние между границами контактного слоя под электродами истока и стока более 0,8 мкм, упомянутый электрод затвора выполнен длиной менее 0,7 мкм, на равном расстоянии от центра между границами контактного слоя под электродами истока и стока, либо смещен в сторону электрода истока. Технический результат - повышение коэффициента усиления полевого транзистора с барьером Шотки, снижение уровня низкочастотных шумов устройств СВЧ на ПТШ. 3 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к полупроводниковом приборам, полевым транзисторам с барьером Шотки.
Полевой транзистор с барьером Шотки (ПТШ) - полевой транзистор, в котором управляющим элементом является барьер Шотки на границе металл-полупроводник.
Усилительные свойства ПТШ целесообразно характеризовать крутизной проходной характеристики S - отношение ΔIc/ΔUзи, где
Ic - ток стока,
Uзи - напряжение затвор-исток.
При этом передаточная характеристика устройств СВЧ на ПТШ линейна в области, где крутизна проходной характеристики постоянна.
Известны полевые транзисторы с барьером Шотки с однородным распределением легирующей примеси в активном полупроводниковом слое, обеспечивающим необходимую концентрацию основных носителей заряда и - протекание электрического тока при подаче управляющего напряжения. В которых активный полупроводниковый слой выполнен на полуизолирующей подложке, а на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя выполнены электроды истока, затвора, стока, при этом электрод затвора образует с активным полупроводниковым слоем барьер Шотки [Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М, Мир, 1984, т. 1 с. 330].
Camiade М. Bert A. Graffeuil J. Pataut G. Low noise FET oscilators // 13th microwave Conf. Dig. 1983, p. 297-302].
Rohdin H. Su C.Y. Sfolte C. A study of the relation between device low-frequency noise and oscilator phas noise for GaAs MESFET's // IEEE MTT-Dig. Conf. 1984, p. 267-269].
Недостаток этих ПТШ заключается:
во-первых, малом коэффициенте усиления в рабочем режиме и его зависимости от амплитуды сигнала СВЧ из-за уменьшения крутизны проходной характеристики ПТШ при увеличении отрицательного напряжения затвор-исток,
во-вторых, высоком уровне низкочастотных шумов (на частотах ниже 1 МГц), обусловленных сильной зависимостью входной емкости (Свх) от напряжения затвор-исток (Uзи), что в свою очередь обусловлено флуктуацией концентрации и подвижности основных носителей заряда в активном полупроводниковом слое и соответственно высоком уровне низкочастотных шумов устройств СВЧ на ПТШ, ограничивающих применение ПТШ в ряде устройств СВЧ, и прежде всего, в усилителях и генераторах СВЧ.
Известен полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку с выполненным на ней активным полупроводниковым слоем, на противоположной поверхности которого выполнены электроды истока, затвора, стока.
В котором, с целью повышения линейности передаточной характеристики путем уменьшения зависимости крутизны проходной характеристики от напряжения затвор-исток, активный полупроводниковый слой выполнен неоднородно легированным, при этом концентрация основных носителей заряда в активном полупроводниковом слое увеличивается в направлении от электрода затвора к полуизолирующей подложке, либо плавно, либо ступенчато [Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М, Мир, 1984, т.1, с. 348].
Неоднородно легированный активный полупроводниковый слой позволил устранить недостатки характерные для ПТШ с однородно легированным активным полупроводниковым слоем, но недостаточно в ряде случаев его применения в устройствах СВЧ.
Известен полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку с выполненным на ней активным полупроводниковым слоем, на противоположной поверхности которого выполнены электроды истока, затвора и стока. При этом активный полупроводниковый слой выполнен, как и в предыдущем аналоге, неоднородно легированным.
В котором, как и в предыдущем аналоге, с целью повышения линейности передаточной характеристики, часть активного полупроводникового слоя, расположенная на расстоянии от электрода затвора превышающем 0,08 мкм, выполнена с концентрацией легирующей примеси большей 2×1017 см-3 и поверхностной плотностью этой примеси (1,3-2,5)×1012 см-2, а часть активного полупроводникового слоя между упомянутой его частью и электродом затвора выполнена с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3 [/Патент 2093925 РФ. Полевой транзистор / Богданов Ю.М., Пашковский А.Б. Тагер А.С., Яцюк Ю.А., Петров К.И. // Бюл. - 1997 г. - №29/] - прототип.
Оптимизация профиля легирования активного полупроводникового слоя обеспечила уменьшение:
- зависимости входной емкости, крутизны проходной характеристики и линейности передаточной характеристики от напряжения затвор-исток.
- влияния флуктуаций концентрации и подвижности основных носителей заряда в активном полупроводниковом слое на параметры эквивалентной схемы ПТШ и соответственно снижение низкочастотных шумов ПТШ и устройств СВЧ на ПТШ.
Однако, при уменьшении длины электрода затвора менее 1 мкм (типичная длина электрода затвора современных ПТШ менее 0,5 мкм) в заявленных границах, не всегда удается обеспечить область постоянной крутизны проходной характеристики и линейности передаточной характеристики и соответственно - высокий коэффициент усиления и низкий уровень низкочастотных шумов ПТШ и устройств СВЧ на ПТШ.
Техническим результатом изобретения является повышение коэффициента усиления, снижение уровня низкочастотных шумов полевых транзисторов с барьером Шотки и устройств СВЧ на них.
Указанный технический результат достигается заявленным полевым транзистором с барьером Шотки, содержащим полуизолирующую подложку, электроды истока, затвора, стока, на полуизолирующей подложке выполнен неоднородно легированный активный полупроводниковый слой из двух частей - первой и второй, первая часть -на заданном расстоянии от электрода затвора, с концентрацией легирующей примеси более 2×1017 см-3 и заданной поверхностной плотностью этой примеси, вторая часть - между первой частью и электродом затвора, с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3, электрод затвора выполнен на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя.
В котором
полуизолирующая подложка выполнена из монокристаллического арсенида галлия,
упомянутая первая часть неоднородно легированного активного полупроводникового слоя выполнена на расстоянии от электрода затвора более 0,05 мкм, толщиной менее 0,07 мкм, с поверхностной плотностью легирующей примеси (0,6-3,0)×1012 см-2,
полевой транзистор с барьером Шотки дополнительно содержит буферный и контактный слои,
при этом буферный слой выполнен между упомянутой полуизолирующей подложкой и неоднородно легированным активным полупроводниковым слоем, толщиной более 0,2 мкм,
контактный слой выполнен на второй части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя, толщиной более 0,01 мкм, с концентрацией легирующей примеси более 2×1018 см-3, на противоположной его поверхности выполнены электроды истока и стока, расстояние между границами контактного слоя под электродами истока и стока более 0,8 мкм,
упомянутый электрод затвора выполнен длиной менее 0,7 мкм, на равном расстоянии от центра между границ контактного слоя под электродами истока и стока, либо смещен в сторону электрода истока.
Раскрытие сущности изобретения.
Выполнение:
полуизолирующей подложки из монокристаллического арсенида галлия,
первой части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя на расстоянии от электрода затвора более 0,05 мкм, толщиной менее 0,07 мкм, с поверхностной плотностью легирующей примеси (0,6-3,0)×1012 см-2.
Наличие в полевом транзисторе с барьером Шотки дополнительно буферного и контактного слоев, при этом когда:
буферный слой выполнен между упомянутой полуизолирующей подложкой и неоднородно легированным активным полупроводниковым слоем, толщиной более 0,2 мкм,
контактный слой выполнен на второй части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя, толщиной более 0,01 мкм, с концентрацией легирующей примеси более 2×1018 см-3,
на противоположной его поверхности выполнены электроды истока и стока, расстояние между границами контактного слоя под электродами истока и стока более 0,8 мкм,
электрод затвора выполнен длиной менее 0,7 мкм, на равном расстоянии от центра между границами контактного слоя под электродами истока и стока, либо смещен в сторону электрода истока.
Это обеспечивает:
во-первых, исключение миграции неконтролируемых примесей из полуизолирующей подложки в активный полупроводниковый слой, в том числе канал полевого транзистора с барьером Шотки и, тем самым обеспечивает:
а) высокую подвижность основных носителей заряда в активном полупроводниковом слое и, соответственно, - увеличение выходного тока в канале полевого транзистора с барьером Шотки и, как следствие, -повышение коэффициента усиления ПТШ,
б) дальнейшее уменьшение влияния флуктуаций концентрации и подвижности основных носителей заряда в активном полупроводниковом слое на параметры эквивалентной схемы ПТШ и, как следствие, -снижение низкочастотных шумов устройств СВЧ на ПТШ,
во-вторых, оптимизацию конструкции полевого транзистора с барьером Шотки и, тем самым - возможность подбора для каждой любой длины электрода затвора соответствующих параметров активного полупроводникового слоя, обеспечивающих постоянство входной емкости при изменении напряжения затвор-исток и при достаточно высоком пробивном напряжении (Uпр) и, тем самым - увеличение области постоянной крутизны проходной характеристики (линейности передаточной характеристики) и, как следствие, -
во-первых, повышение коэффициента усиления ПТШ,
во-вторых, снижение уровня низкочастотных шумов ПТШ.
И соответственно указанное выше и в устройствах СВЧ на ПТШ.
Выполнение первой части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя:
на расстоянии от электрода затвора менее 0,05 мкм, равно как толщиной более 0,07 мкм и поверхностной плотностью легирующей примеси менее 0,6×1012 см-2 не допустимо, из-за возникающей сильной зависимости входной емкости и крутизны проходной характеристики от напряжения затвор-исток.
с поверхностной плотностью легирующей примеси более 3,0×1012 см-2 не желательно из-за:
а) увеличения напряжения отсечки (Uотс) ПТШ и соответственно падения его рабочего напряжения,
б) проявления краевых эффектов, приводящих к более сильной зависимости входной емкости от напряжения на электродах затвор-исток.
Выполнение буферного слоя толщиной менее 0,2 мкм не желательно из-за потери его функциональности.
Выполнение контактного слоя на второй части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя толщиной менее 0,01 мкм, равно как с концентрацией легирующей примеси менее 2×1018 см-3 нежелательно из-за увеличения сопротивления электрода истока и соответственно уменьшения коэффициента усиления ПТШ.
Выполнение расстояния между границами контактного слоя под электродами истока и стока менее 0,8 мкм нежелательно из-за уменьшения пробивного напряжения ПТШ.
Выполнение электрода затвора длиной более 0,7 мкм нежелательно из-за уменьшения коэффициента усиления ПТШ.
Итак, совокупность существенных признаков заявленного полевого транзистора с барьером Шотки, в полной мере, обеспечивает указанный технический результат, а именно повышение коэффициента усиления, снижение уровня низкочастотных шумов ПТШ и устройств СВЧ на ПТШ.
Изобретение поясняется чертежами.
На фиг. 1. Дано схематическое изображение заявленного полевого транзистора с барьером Шотки, где
- полуизолирующая подложка из монокристаллического арсенида галлия - 1,
электроды истока, затвора, стока - 2, 3, 4 соответственно,
неоднородно легированный активный полупроводниковый слой - 5, из двух частей: первой - 5 а и второй - 5 б.
дополнительно буферный - 6 и контактный - 7 слои.
На фиг. 2. Дана реализация профиля концентрации легирующей (донорной) примеси по глубине активного полупроводникового слоя от электрода затвора.
На фиг. 3. Даны зависимости входной емкости (Свх) от напряжения затвор-исток (Uзи) заявленного полевого транзистора с барьером Шотки (сплошная линия) и полевого транзистора с барьером Шотки - прототипа (пунктирная линия).
Примеры реализации заявленного полевого транзистора с барьером Шотки.
Пример 1.
На полуизолирующей подложке из монокристаллического арсенида галлия - 1 с атомарно гладкой поверхностью (АГПЧ-76,2-450-(100)2,5 град.(110)-ЕJ-ДСП ТУ6365-01-52692510-2010) посредством метода газофазной эпитаксии (установка AEXTRON) формируют следующую прямую последовательность сплошных технологических слоев полевого транзистора с барьером Шотки:
- буферный слой 6 толщиной 0,6 мкм;
- неоднородно легированный активный полупроводниковый слой 5 из двух частей:
первой 5 а - на расстоянии от электрода затвора - 0,07 мкм, толщиной 0,04 мкм, с поверхностной плотностью легирующей примеси 1,8×1012 см-2,
второй 5 б - с концентрацией легирующей примеси 1,0×1017 см-3;
- контактный слой 7 толщиной 0,02 мкм, с концентрацией легирующей примеси 5×1018 см-3, расстояние между его границами под электродами истока 2 и стока 4 - 1,0 мкм.
Далее формируют топологию полевого транзистора с барьером Шотки посредством методов литографии и травления.
При этом:
первая часть неоднородно легированного активного полупроводникового слоя 5 а выполнена на расстоянии от электрода затвора 3 - 0,07 мкм,
контактный слой 7 выполнен на второй части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя 5 б, толщиной 0,02 мкм, с концентрацией легирующей примеси 5×1018 см-3, на противоположной его поверхности выполнены электроды истока 2 и стока 4, на расстоянии между границами контактного слоя 7 под электродами истока 2 и стока 4 - 1,0 мкм,
электрод затвора 3 выполнен длиной 0,3 мкм, на равном расстоянии от центра между границами контактного слоя 7 под электродами истока 2 и стока 4.
Примеры 2-5.
Примеры выполнены аналогично примеру 1, но при других конструкционных параметрах полевого транзистора с барьером Шотки, как указанных в формуле изобретения (примеры 2-3), так и выходящих за ее пределы (примеры 4-5), при этом, когда электрод затвора 3 выполнен на равном расстоянии от границ контактного слоя 7 под электродами истока 2 и стока 4 (частный случай).
Примеры 6-10.
Примеры выполнены аналогично (примерам 1-5) каждый соответственно, при этом, когда электрод затвора 3 смещен в сторону электрода истока 2 (частный случай).
Пример 6 соответствует данным прототипа.
На изготовленных образцах полевого транзистора с барьером Шотки измерены:
1. Коэффициент усиления ПТШ на частоте 10 ГГц (Векторный анализатор цепей Agilent - PNA - L - N5230C).
2. Низкочастотные шумы (фазовые шумы) усилителя СВЧ на этих ПТШ при отстройке от несущей частоты на 10 кГц (Анализатор сигналов Agilent - Е5052 В - Е5052А).
Данные представлены в таблице и на фиг. 3.
Как видно из таблицы образцы полевых транзисторов с барьером Шотки, выполненные согласно заявленной формуле изобретения имеют:
- коэффициент усиления примерно 11 дБ на частоте 10 ГГц;
- уровень низкочастотных шумов усилителя СВЧ на этих ПТШ при отстройке частоты от несущей частоты 10 кГц благодаря постоянной входной емкости (фиг. 3) составляет порядка 145-155 дБ/Гц (примеры 1-3, 6-8).
В отличие от образцов, выполненных с конструкционными параметрами за пределами формулы изобретения, равно как и образец - прототипа, которые имеют:
- коэффициент усиления 3-10 дБ на частоте 10 ГГц,
- уровень низкочастотных шумов усилителя СВЧ на этих ПТШ при отстройке частоты от несущей частоты 10 кГц составляет порядка 125-140 дБ/Гц (примеры 4-5, 9-10).
Таким образом, заявленный полевой транзистор с барьером Шотки по сравнению с прототипом обеспечит:
- повышение коэффициента усиления примерно на 80 процентов,
- снижение уровня низкочастотных шумов устройств СВЧ на заявленных ПТШ примерно на 10-20 дБ/Гц.
Claims (1)
- Полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку, электроды истока, затвора, стока, на полуизолирующей подложке выполнен неоднородно легированный активный полупроводниковый слой из двух частей - первой и второй, первая часть - на заданном расстоянии от электрода затвора, с концентрацией легирующей примеси более 2×1017 см-3 и заданной поверхностной плотностью этой примеси, вторая часть - между упомянутой первой частью и электродом затвора, с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3, электрод затвора выполнен на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя, отличающийся тем, что полуизолирующая подложка выполнена из монокристаллического арсенида галлия, упомянутая первая часть неоднородно легированного активного полупроводникового слоя выполнена на расстоянии от электрода затвора более 0,05 мкм, толщиной менее 0,07 мкм, с поверхностной плотностью легирующей примеси (0,6-3,0)×1012 см-2, полевой транзистор с барьером Шотки дополнительно содержит буферный и контактный слои, при этом буферный слой выполнен между упомянутой полуизолирующей подложкой и неоднородно легированным активным полупроводниковым слоем, толщиной более 0,2 мкм, контактный слой выполнен на второй части неоднородно легированного активного полупроводникового слоя, толщиной более 0,01 мкм, с концентрацией легирующей примеси более 2×1018 см-3, на противоположной его поверхности выполнены электроды истока и стока, расстояние между границами контактного слоя под электродами истока и стока более 0,8 мкм, упомянутый электрод затвора выполнен длиной менее 0,7 мкм, на равном расстоянии от центра между границами контактного слоя под электродами истока и стока, либо смещен в сторону электрода истока.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020130346A RU2743225C1 (ru) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | Полевой транзистор с барьером шотки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020130346A RU2743225C1 (ru) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | Полевой транзистор с барьером шотки |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2743225C1 true RU2743225C1 (ru) | 2021-02-16 |
Family
ID=74666109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020130346A RU2743225C1 (ru) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | Полевой транзистор с барьером шотки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2743225C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2784754C1 (ru) * | 2021-12-30 | 2022-11-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Полевой транзистор свч с барьером шоттки |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303479B1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-10-16 | Spinnaker Semiconductor, Inc. | Method of manufacturing a short-channel FET with Schottky-barrier source and drain contacts |
| KR100731583B1 (ko) * | 2005-10-25 | 2007-06-22 | 경북대학교 산학협력단 | 쇼트키 장벽 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| RU2465682C1 (ru) * | 2011-06-29 | 2012-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки |
| CN102832241B (zh) * | 2012-09-14 | 2016-04-27 | 电子科技大学 | 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| RU2671312C2 (ru) * | 2016-01-26 | 2018-10-30 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") | Способ изготовления высокочастотного полевого транзистора с дополнительным полевым электродом |
-
2020
- 2020-09-14 RU RU2020130346A patent/RU2743225C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303479B1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-10-16 | Spinnaker Semiconductor, Inc. | Method of manufacturing a short-channel FET with Schottky-barrier source and drain contacts |
| KR100731583B1 (ko) * | 2005-10-25 | 2007-06-22 | 경북대학교 산학협력단 | 쇼트키 장벽 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| RU2465682C1 (ru) * | 2011-06-29 | 2012-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки |
| CN102832241B (zh) * | 2012-09-14 | 2016-04-27 | 电子科技大学 | 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| RU2671312C2 (ru) * | 2016-01-26 | 2018-10-30 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") | Способ изготовления высокочастотного полевого транзистора с дополнительным полевым электродом |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2784754C1 (ru) * | 2021-12-30 | 2022-11-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Полевой транзистор свч с барьером шоттки |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5758796B2 (ja) | ソース領域の下にｐ型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法 | |
| US5270554A (en) | High power high frequency metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide | |
| Adivarahan et al. | Submicron gate Si 3 N 4/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors | |
| US5925895A (en) | Silicon carbide power MESFET with surface effect supressive layer | |
| TW201511261A (zh) | 凹入式場板電晶體結構 | |
| EP1208607A1 (en) | Passivation of gan based fets | |
| Mimura et al. | GaAs microwave MOSFET's | |
| US6285046B1 (en) | Controllable semiconductor structure with improved switching properties | |
| Zech et al. | An ultra-broadband low-noise traveling-wave amplifier based on 50nm InGaAs mHEMT technology | |
| US5821576A (en) | Silicon carbide power field effect transistor | |
| Fukuta et al. | Power GaAs MESFET with a high drain-source breakdown voltage | |
| US5270798A (en) | High electron mobility transistor | |
| WO2005114746A1 (en) | Novel structures of silicon carbide metal semiconductor field effect transistors for high voltage and high power applications | |
| Ogawa et al. | Submicron single-gate and dual-gate GaAs MESFET's with improved low noise and high gain performance | |
| RU2743225C1 (ru) | Полевой транзистор с барьером шотки | |
| US4590502A (en) | Camel gate field effect transistor device | |
| EP1623465A1 (en) | Electronic device comprising a field-effect transistor for high-frequency applications | |
| EP0486062A1 (en) | High-frequency oscillator | |
| US4450372A (en) | Electronic control variable phase shift device comprising a long gate field effect-transistor and a circuit using such a device | |
| Ikeda et al. | Power MOSFET's for medium-wave and short-wave transmitters | |
| RU2563544C1 (ru) | Полупроводниковая гетероструктура | |
| US3648185A (en) | Semiconductor device for amplifying microwaves | |
| US4300148A (en) | Semiconductor device gate-drain configuration | |
| WO1995034913A1 (en) | Bootstrapped-gate field effect transistors and circuits thereof | |
| US3754191A (en) | Semiconductor device for amplifying micro-wave |