RU2738453C1 - Sensor for measuring deformation on magnetostatic waves - Google Patents
Sensor for measuring deformation on magnetostatic waves Download PDFInfo
- Publication number
- RU2738453C1 RU2738453C1 RU2020117622A RU2020117622A RU2738453C1 RU 2738453 C1 RU2738453 C1 RU 2738453C1 RU 2020117622 A RU2020117622 A RU 2020117622A RU 2020117622 A RU2020117622 A RU 2020117622A RU 2738453 C1 RU2738453 C1 RU 2738453C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrodes
- antenna
- sensitive element
- sensitive
- magnetostatic waves
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в медицине, приборостроении и машиностроении для измерения деформации.The invention relates to the field of measuring technology and can be used in medicine, instrument making and mechanical engineering to measure deformation.
Известно устройство на поверхностной магнитостатической волне (авторское свидетельство СССР №1738049, МПК Н01Р 1/215, опубл. 27.11.1995) с возможностью применения в измерительной аппаратуре широкого назначения. Известное устройство содержит установленную в магнитном поле металлизированную подложку из гадолиний-галлиевого граната, на которой расположена монокристаллическая пленка железо-иттриевого граната. Недостатками данного устройства является его слабая чувствительность к внешним воздействиям, а также небольшой срок службы чувствительного элемента в силу прямого механического воздействия на подложку при измерении физической величины.A device is known on a surface magnetostatic wave (USSR author's certificate No. 1738049, IPC
По совокупности существенных признаков наиболее близким к заявляемому изобретению (прототипом) является чувствительный элемент для измерения физических величин (патент РФ №2475716, МПК G01L 9/00, G01B 7/16, G01K 11/00, опубл. 20.02.2013), состоящий из слоя подложки, выполненной на основе гадолиний-галлиевого граната, эпитаксиально выращенного на нем слоя материала, в котором распространяются магнитостатические волны, например, железо-иттриевого граната, и расположенного под слоем подложки постоянного магнита. На слое материала, в котором распространяются магнитостатические волны, располагается преобразователь электрических сигналов в магнитостатические волны, который также является преобразователем магнитостатических волн в электрический сигнал.By the totality of essential features, the closest to the claimed invention (prototype) is a sensitive element for measuring physical quantities (RF patent No. 2475716, IPC
Основным недостатком прототипа является низкая чувствительность измеряющего элемента к малым значениям воздействующей силы, на основе которой возможно регистрировать деформационные процессы контролируемого объекта.The main disadvantage of the prototype is the low sensitivity of the measuring element to small values of the acting force, on the basis of which it is possible to register the deformation processes of the controlled object.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является создание устройства для высокоточного измерения величины деформации.The problem to be solved by the claimed invention is to create a device for high-precision measurement of the amount of deformation.
Техническим результатом настоящего изобретения является повышение чувствительности датчика на магнитостатических волнах к малым значениям воздействующей силы и повышение точности измерений деформации контролируемого объекта.The technical result of the present invention is to increase the sensitivity of the sensor on magnetostatic waves to small values of the influencing force and to increase the accuracy of measuring the deformation of the controlled object.
Сущность технического решения заключается в том, что датчик для измерения деформации на магнитостатических волнах, содержащий чувствительный элемент, включающий подложку, выполненную на основе гадолиний-галлиевого граната с эпитаксиально выращенным на ней слое материала, в котором распространяются магнитостатические волны, например, железо-иттриевого граната, преобразователь электрических сигналов в магнитостатические волны, расположенный на слое материала, в котором распространяются магнитостатические волны, постоянный магнит, дополнительно включает второй чувствительный элемент, структурно идентичный первому чувствительному элементу и расположенный ровно напротив него, и упругий элемент с противолежащими силовоспринимающими основаниями, в которых установлен выполненный в виде металлической пластины упругодеформируемый экран, проходящий между двумя чувствительными элементами и изгибающийся в сторону одного из чувствительных элементов, при этом преобразователи сигналов каждого чувствительного элемента выполнены в виде полосковой антенны и по меньшей мере двух пар электродов, где электроды каждой пары расположены по разные стороны от антенны и соединены проводником, причем электроды, находящиеся с одной стороны от антенны и сама антенна одного чувствительного элемента, располагаются на том же уровне, что и соответствующие электроды и антенна другого чувствительного элемента, а электроды находящиеся по другую сторону от антенны одного чувствительного элемента смещены относительно уровня расположения соответствующих электродов другого чувствительном элемента, кроме того постоянный магнит каждого чувствительного элемента выполнен в виде двух магнитных пластин, установленных на торцах чувствительного элемента параллельно антенне и электродам и соединенных между собой магнитопроводом, при этом чувствительные элементы расположены на кронштейне, соединенном с одним из оснований упругого элемента, а упругодеформируемый экран имеет сквозные отверстия, выполненные ровно напротив полосковых антенн, электродов чувствительных элементов и магнитных пластин.The essence of the technical solution lies in the fact that a sensor for measuring deformation on magnetostatic waves, containing a sensitive element, including a substrate made on the basis of gadolinium-gallium garnet with an epitaxially grown layer of material on it, in which magnetostatic waves propagate, for example, yttrium iron garnet , a converter of electrical signals into magnetostatic waves, located on a layer of material in which magnetostatic waves propagate, a permanent magnet, additionally includes a second sensitive element, structurally identical to the first sensitive element and located exactly opposite it, and an elastic element with opposing force-receiving bases, in which it is installed an elastically deformable screen made in the form of a metal plate, passing between two sensitive elements and bending towards one of the sensitive elements, while the signal converters of each senses a single element is made in the form of a strip antenna and at least two pairs of electrodes, where the electrodes of each pair are located on opposite sides of the antenna and are connected by a conductor, and the electrodes located on one side of the antenna and the antenna itself of one sensitive element are located at the same level that both the corresponding electrodes and the antenna of another sensitive element, and the electrodes located on the other side of the antenna of one sensitive element are displaced relative to the level of the location of the corresponding electrodes of the other sensitive element, in addition, the permanent magnet of each sensitive element is made in the form of two magnetic plates mounted on the ends of the sensitive element parallel to the antenna and the electrodes and connected to each other by a magnetic circuit, while the sensing elements are located on a bracket connected to one of the bases of the elastic element, and the elastically deformable screen has through holes made exactly opposite and in strip antennas, sensor electrodes and magnetic plates.
Создание структуры датчика, включающей упругий элемент с противолежащими силовоспринимающими основаниями, в которых установлен металлический упругодеформируемый экран, перемещение которого возможно даже при минимальном силовом воздействии на основания упругого элемента, позволяет обеспечить регистрацию малых значений силы, на основании которых определяется величина деформации. Использование дифференциальной схемы измерения, состоящей из установленных напротив друг друга высокочастотных чувствительных элементов, а также применение в качестве преобразователей сигналов чувствительных элементов пар электродов, соединенных проводником, дополнительно обеспечивающее снижение вносимых датчиком потерь, влияющих на уровень сигнала (чем, например, при использовании отражающих структур в виде статических неоднородностей), и, соответственно, позволяющее точнее фиксировать его форму и, т.о. улучшить различимость откликов при минимальном шаге воздействия на датчик, способствует существенному повышению разрешающей способности датчика. Все вышеприведенные признаки в совокупности позволяют значительно повысить чувствительность датчика к малым силовым воздействиям и точность измерений деформации.The creation of a sensor structure including an elastic element with opposing force-receptive bases, in which a metal resiliently deformable screen is installed, the movement of which is possible even with a minimal force effect on the bases of the elastic element, makes it possible to register small values of force, on the basis of which the amount of deformation is determined. The use of a differential measurement circuit consisting of high-frequency sensitive elements installed opposite to each other, as well as the use of pairs of electrodes connected by a conductor as signal converters of sensitive elements, which additionally ensures a decrease in the losses introduced by the sensor that affect the signal level (which, for example, when using reflective structures in the form of static inhomogeneities), and, accordingly, making it possible to more accurately fix its shape and, thus. improve the distinguishability of responses with a minimum step of impact on the sensor, contributes to a significant increase in the resolution of the sensor. All of the above features taken together can significantly increase the sensor's sensitivity to small force effects and the accuracy of strain measurements.
Сущность изобретения поясняется чертежами.The essence of the invention is illustrated by drawings.
На фиг. 1 представлен общий вид датчика на магнитостатических волнах для измерения деформации.FIG. 1 shows a general view of a magnetostatic wave sensor for measuring strain.
Фиг. 2 демонстрирует расположение и структуру чувствительных элементов и упругодеформируемого экрана датчика.FIG. 2 shows the location and structure of the sensing elements and the resiliently deformable sensor screen.
На фиг. 3 показан пример расположения электродов, проводников и антенны чувствительного элемента и направление распространения магнитостатической волны.FIG. 3 shows an example of the arrangement of electrodes, conductors and antenna of the sensitive element and the direction of propagation of the magnetostatic wave.
Датчик для измерения деформации (фиг. 1) содержит упругий элемент 1 с двумя противолежащими силовоспринимающими основаниями 2. В основаниях 2 установлен упругодеформируемый экран 3, представляющий собой металлическую пластину. К одному из оснований 2 упругого элемента 1 прикреплен кронштейн 4, на котором установлена структура из двух идентичных по структуре, расположенных ровно напротив друг друга, чувствительных элементов 5, формирующих магнитостатические волны. Упругодеформируемый экран 3 расположен между чувствительными элементами 5 так, что в ненагруженном состоянии он изгибается в сторону одного из них, при этом изгиб выбирается минимально достаточным для однозначного отклонения экрана 3 при воздействии сил в необходимом направлении (в сторону ближайшего к нему чувствительного элемента 5).The sensor for measuring deformation (Fig. 1) contains an
Упругий элемент 1 является трансформатором, т.е. преобразовывает силу в деформацию, поэтому под воздействием сил одно основание 2 упругого элемента 1 приближается к другому основанию 2, и упругодеформируемый экран 3 изгибается в сторону одного из чувствительных элементов 5, удаляясь при этом от другого. Когда воздействие силы прекращается или ослабевает, основания 2 упругого элемента 1 удаляются друг от друга, при этом экран 3 стремится в сторону другого чувствительного элемента 5.The
Каждый чувствительный элемент 5 (фиг. 2) состоит из подложки 6, выполненной на основе гадолиний-галлиевого граната, эпитаксиально выращенного на нем слоя 7 материала, в котором распространяются магнитостатические волны (например, железо-иттриевого граната), и постоянного магнита, выполненного в виде двух магнитных пластин 8.Each sensing element 5 (Fig. 2) consists of a
На слое 7 материала, в котором распространяются магнитостатические волны, располагается полосковая антенна 9 для возбуждения и приема магнитостатических волн и, по меньшей мере, две пары электродов 10. Полосковая антенна и пары электродов являются одновременно преобразователями электрических сигналов в магнитостатические волны и магнитостатических волн в электрические сигналы. Электроды 10, составляющие пару, размещены по разные стороны от антенны 9 и соединяются проводником 11. Количество пар электродов влияет на разрешающую способность датчика: чем их больше, тем выше разрешающая способность устройства. На фиг. 2 и фиг. 3 приведен пример реализации чувствительных элементов с тремя парами электродов. Электроды 10, размещенные под антенной 9 (на фиг. 2), находятся ближе друг к другу по сравнению с электродами 10, размещенными над антенной 9, с целью уменьшения потерь на распространение магнитостатической волны от электродов 10 до антенны 9. Электроды 10 одного чувствительного элемента 5, находящиеся под антенной 9, и сама антенна 9, размещены на одном уровне, что и соответствующие электроды 10 и антенна 9 другого чувствительного элемента 5, а электроды 10, находящиеся над антенной 9 одного чувствительного элемента 5 смещены относительно уровня расположения соответствующих электродов 10 другого чувствительном элемента 5.On the
Постоянный магнит каждого чувствительного элемента 5 выполнен в виде двух магнитных пластин 8, установленных на торцах чувствительного элемента 5 параллельно антенне 9 и электродам 10 и соединенных между собой магнитопроводом 12.The permanent magnet of each
Чувствительные элементы 5 установлены ровно напротив друг друга, обеспечивая тем самым дифференциальную схему измерения (фиг. 2). Смещение части электродов 10 одного чувствительного элемента 5 относительно части электродов 10 другого чувствительного элемента 5 обеспечивает соответствие максимума импульсной характеристики одного чувствительного элемента во временной области минимуму импульсной характеристики второго чувствительного элемента во временной области, что позволяет однозначно идентифицировать форму ответного сигнала. Чувствительные элементы 5 установлены на кронштейне 4, который соединен с одним из оснований 2 упругого элемента 1. Для усиления конструкции кронштейн 4 может быть выполнен П-образным, при этом его части будут проходить между магнитопроводом 12 и подложкой 6 каждого чувствительного элемента 5 (фиг. 2). Упругодеформируемый экран 3 имеет сквозные отверстия 13, выполненные ровно напротив антенн 9, электродов 10 чувствительных элементов 5 и магнитных пластин 8 для уменьшения его влияния на них. При этом размеры отверстий выбраны с учетом смещения электродов одного чувствительного элемента относительно электродов другого чувствительного элемента таким образом, чтобы соблюдалось условие - напротив каждого электрода 10, антенны 9 и магнитной пластины 8 в упругодеформируемом экране 3 должно быть сформировано сквозное отверстие 13. Так, например, для антенны, электродов и магнитной пластины, расположенных под антенной (согласно фиг. 2), выполнено одно отверстие, а для первых двух электродов, расположенных над антенной (если считать от антенны), выполнено по отдельному отверстию на каждый.The
Направление распространения магнитостатических волн в чувствительном элементе 5 показано стрелками на фиг. 3.The direction of propagation of magnetostatic waves in the
Так как упругодеформируемый экран 3 является металлическим, он оказывает влияние на распространение магнитостатической волны в чувствительном элементе 5. В частности, изменение расстояния от упругодеформируемого экрана 3 до чувствительного элемента 5 существенно влияет на групповую скорость магнитостатической волны в слое материала 7 (при увеличении этого расстояния скорость волны уменьшается, а при уменьшении - возрастает) и на время распространения магнитостатических волн, которое определяется этой скоростью: чем ближе экран 3 к материалу 7, в котором распространяются магнитостатические волны, тем меньше время распространения магнитостатических волн в слое материала 7, и наоборот.Since the elastically
Устройство работает следующим образом.The device works as follows.
Для получения эталонных значений измерений датчик устанавливают на объект с известными размерами, который намеренно деформируют (таким образом, на основания 2 упругого элемента 1 датчика воздействует сила (растяжения либо сжатия) известной величины), после чего снимают характеристики выходного сигнала. Также измеряется величина относительного удлинения контролируемого объекта. На основе полученных данных формируют статическую характеристику измерений (зависимости выходного сигнала от величины деформации).To obtain reference measurement values, the sensor is installed on an object with known dimensions, which is deliberately deformed (thus, a force (tension or compression) of a known value acts on the
Датчик размещают на контролируемом объекте так, чтобы силовое воздействие (F) приходилось на основания 2 упругого элемента 1 (как показано на фиг. 1, т.е. происходит одновременное сдавливание оснований с обеих сторон либо одновременное растяжение). На антенны 9 датчика периодически посылают запросный электромагнитный сигнал для возбуждения квазиповерхностных магнитостатических волн в чувствительных элементах 5. При касательном намагничивании, что достигается расположением магнитных пластин 8 на торцах чувствительного элемента 5 параллельно антенне 9 и электродам 10, направление магнитостатических волн совпадает с направлением магнитосиловых линий. Поскольку магнитные пластины 8 расположены разными полюсами друг к другу и замкнуты магнитопроводом 12, магнитосиловые линии распространяются строго в одну сторону, что, соответственно, обеспечивает распространение магнитостатических волн в ту же сторону (на фиг. 3 - направо). По достижении электродов 10 с одной стороны от антенны 9, магнитостатическая волна преобразуется в электрический сигнал, который проходит по пути электрод-проводник-электрод и на электроде с другой стороны от антенны 9 преобразуется обратно в магнитостатическую волну, которая поступает на антенну 9. При помощи антенны 9 переменное магнитное поле магнитостатической волны преобразуется в электромагнитный сигнал и излучается в эфир в качестве ответного сигнала. Таким образом ответные сигналы поступают с обоих чувствительных элементов 5 датчика. При нагружении датчика каждый ответный сигнал будет иметь собственное значение групповой скорости, обусловленное близостью упругодеформируемого экрана 3: чем ближе экран 3 к слою 7 материала, в котором распространяются магнитостатические волны, тем выше групповая скорость магнитостатических волн. Изменение групповой скорости влияет на форму ответного сигнала. Полученные ответные сигналы сравниваются, и результат сравнения сопоставляется с ранее полученными эталонными значениями, исходя из чего делается вывод о величине деформации контролируемого объекта.The sensor is placed on the object to be inspected so that the force (F) falls on the
Соответствие максимума импульсной характеристики одного чувствительного элемента во временной области минимуму импульсной характеристики второго чувствительного элемента во временной области обеспечивает однозначную идентификацию формы ответного сигнала (что было бы недоступно при наложении пиков одного на другой в случае, если бы электроды обоих чувствительных элементов располагались на одном уровне друг с другом).The correspondence of the maximum impulse response of one sensitive element in the time domain to the minimum of the impulse response of the second sensitive element in the time domain provides an unambiguous identification of the shape of the response signal (which would be unavailable if the peaks were superimposed on one another if the electrodes of both sensitive elements were located at the same level. with a friend).
Ввиду высокой способности упругого элемента и упругодеформируемого экрана к деформации под воздействием минимальных значений сил и значительной зависимости параметров магнитостатической волны от расположения экрана, а также использования дифференциальной схемы измерения, состоящей из установленных ровно напротив друг друга высокочастотных чувствительных элементов, которые включают в себя преобразователи сигналов в виде пар электродов, предлагаемый датчик представляет собой высокоточное измерительное устройство, способное регистрировать даже самые малые значения воздействующей силы, на основе которой возможно измерять деформацию контролируемого объекта.In view of the high ability of the elastic element and the elastically deformable screen to deform under the influence of minimum forces and the significant dependence of the parameters of the magnetostatic wave on the location of the screen, as well as the use of a differential measurement circuit consisting of high-frequency sensitive elements installed exactly opposite each other, which include signal converters in in the form of pairs of electrodes, the proposed sensor is a high-precision measuring device capable of registering even the smallest values of the acting force, on the basis of which it is possible to measure the deformation of the controlled object.
Предлагаемый датчик на магнитостатических волнах может найти применение в различных областях науки и техники.The proposed sensor based on magnetostatic waves can be used in various fields of science and technology.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020117622A RU2738453C1 (en) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | Sensor for measuring deformation on magnetostatic waves |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020117622A RU2738453C1 (en) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | Sensor for measuring deformation on magnetostatic waves |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2738453C1 true RU2738453C1 (en) | 2020-12-14 |
Family
ID=73835108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020117622A RU2738453C1 (en) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | Sensor for measuring deformation on magnetostatic waves |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2738453C1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU115891U1 (en) * | 2012-01-11 | 2012-05-10 | Открытое акционерное общество "Авангард" | SENSITIVE PRESSURE SENSOR ELEMENT |
RU2475716C1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-02-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Sensitive element for measurement of physical quantities on magnetostatic waves |
US9274181B1 (en) * | 2012-02-07 | 2016-03-01 | The United States of America, as Represented by the Adminstrator of NASA | Magneto-optic field coupling in optical fiber Bragg gratings |
RU2658596C1 (en) * | 2017-08-07 | 2018-06-21 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Sensitive element on surface acoustic waves for measuring pressure of liquids and gases |
-
2020
- 2020-05-28 RU RU2020117622A patent/RU2738453C1/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2475716C1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-02-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Sensitive element for measurement of physical quantities on magnetostatic waves |
RU115891U1 (en) * | 2012-01-11 | 2012-05-10 | Открытое акционерное общество "Авангард" | SENSITIVE PRESSURE SENSOR ELEMENT |
US9274181B1 (en) * | 2012-02-07 | 2016-03-01 | The United States of America, as Represented by the Adminstrator of NASA | Magneto-optic field coupling in optical fiber Bragg gratings |
RU2658596C1 (en) * | 2017-08-07 | 2018-06-21 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Sensitive element on surface acoustic waves for measuring pressure of liquids and gases |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hristoforou et al. | Displacement sensors using soft magnetostrictive alloys | |
JP2020106394A (en) | Magnetic field detector and method for detecting magnetic field | |
RU2738453C1 (en) | Sensor for measuring deformation on magnetostatic waves | |
CN107817045A (en) | A kind of magnet coupled resonant type frequency detecting device and frequency detecting method | |
RU190511U1 (en) | ELECTRIC FIELD DENSITY SENSOR | |
US3341772A (en) | Device for measuring locally dependent differences between the magnetic field gradient at different points of a magnetic field | |
RU2738452C1 (en) | Sensor for measuring force on magnetostatic waves | |
Ricken et al. | Improved multi-sensor for force measurement of pre-stressed steel cables by means of the eddy current technique | |
RU190509U1 (en) | ELECTRIC FIELD DENSITY SENSOR | |
KR101046539B1 (en) | sensor | |
US9841328B2 (en) | Mechanical stress sensor having a ferromagnetic microwire | |
WO1993008478A1 (en) | Microwave vector displacement and acceleration transducer | |
RU2367902C1 (en) | Inductance motion sensor | |
RU2684446C1 (en) | Method of determining voltage of magnetic field | |
US3522531A (en) | Electric field intensity indicator employing a vibratory conductor sensor | |
JP2005030836A (en) | Displacement sensor and actuator using the displacement sensor | |
RU194784U1 (en) | ELECTRIC FIELD TENSION SENSOR | |
RU202681U1 (en) | MAGNETIC STRUCTUROSCOPE | |
JP5697015B2 (en) | Magnetic field measuring method and apparatus | |
JPH09281167A (en) | Apparatus for measuring surface potential | |
RU2695111C1 (en) | Miniature measuring instrument of parameters of electric power supply of spacecrafts with microsystem vibration electric field modulator | |
JP6784985B1 (en) | Twist stress sensor element and twist stress sensor | |
Hristoforou et al. | A coily magnetostrictive delay line arrangement for sensing applications | |
CN207894514U (en) | A kind of magnet coupled resonant type frequency detecting device | |
SU842651A1 (en) | Method of magnetic field measuring |