RU2724142C1 - Method of producing different types of silicon carbide surface morphology - Google Patents
Method of producing different types of silicon carbide surface morphology Download PDFInfo
- Publication number
- RU2724142C1 RU2724142C1 RU2019142762A RU2019142762A RU2724142C1 RU 2724142 C1 RU2724142 C1 RU 2724142C1 RU 2019142762 A RU2019142762 A RU 2019142762A RU 2019142762 A RU2019142762 A RU 2019142762A RU 2724142 C1 RU2724142 C1 RU 2724142C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon carbide
- working fluid
- crystal
- laser radiation
- cuvette
- Prior art date
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области получения микро и наноструктур поверхности карбида кремния.The invention relates to the field of obtaining micro and nanostructures of the surface of silicon carbide.
Известны способы электроэрозионной модификации поверхности частично прозрачных кристаллов карбида кремния в жидкости, включая воду (см. Карачинов В.А. Рост отрицательных нитевидных кристаллов в процессе электроэрозии карбида кремния // ЖТФ, 1998, т. 68, №7, с. 133-135; патенты РФ№: 2189664; 2202135; 2182607; 2573622 и др.).Known methods for electroerosive modification of the surface of partially transparent crystals of silicon carbide in a liquid, including water (see Karachinov V.A. Growth of negative whiskers during electroerosion of silicon carbide // ZhTF, 1998, v. 68, No. 7, pp. 133-135 ; RF patents№: 2189664; 2202135; 2182607; 2573622 and others).
Недостатком известных способов является сильная зависимость производительности процесса от удельного электрического сопротивления кристаллов карбида кремния.A disadvantage of the known methods is the strong dependence of the performance of the process on the electrical resistivity of silicon carbide crystals.
Известен способ сублимационного лазерного профилирования прозрачных подложек (Патент RU 2556177), в котором перед обработкой подложки предварительно наносят маски из поглощающего материала. Температуру в местах масок доводят до уровня сублимации материала подложек.A known method of sublimation laser profiling of transparent substrates (Patent RU 2556177), in which before processing the substrate is pre-applied mask of absorbing material. The temperature in the places of the masks is brought to the level of sublimation of the substrate material.
Недостатком данного способа обработки являются предварительная обработка поверхностей для образования ямок или канавок, а так же необходимость нанесения специальных масок в образованные углубления.The disadvantage of this processing method is the preliminary surface treatment for the formation of pits or grooves, as well as the need to apply special masks in the formed recesses.
Наиболее близким к предлагаемому изобретению и принятый за прототип является способ обработки ультрафиолетовым лазерным излучением поверхности карбида кремния в воде, прошедшей этап очистки в системе обратного осмоса. (Патент РФ 2563324).Closest to the proposed invention and adopted as a prototype is a method of processing ultraviolet laser radiation of the surface of silicon carbide in water that has passed the cleaning step in a reverse osmosis system. (RF patent 2563324).
Недостатками данного способа является его низкая универсальность, заключающаяся в получении морфологии поверхности только определенного диапазона, а так же сложности технологического процесса очистки рабочей жидкости, исключающего использования других жидких сред.The disadvantages of this method is its low versatility, which consists in obtaining the surface morphology of only a certain range, as well as the complexity of the technological process of cleaning the working fluid, excluding the use of other liquid media.
Техническим результатом заявленного решения является способ получения различных видов морфологии обрабатываемой поверхности карбида кремния высокого качества, а так же увеличение универсальности способа.The technical result of the claimed solution is a method of obtaining various types of morphology of the processed surface of silicon carbide of high quality, as well as increasing the versatility of the method.
Для достижения технического результата предложен способ лазерной обработки поверхности карбида кремния, включающий установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсного лазерного излучения на поверхность карбида кремния, отличающийся тем, что установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла, удаляются рабочей жидкостью.To achieve a technical result, a method is proposed for laser processing the surface of silicon carbide, including installing a sample of silicon carbide in a cuvette with a working fluid, installing the cuvette on a coordinate table with the subsequent orientation process, focusing and ablation of pulsed laser radiation on the surface of silicon carbide, characterized in that the installation of the sample Silicon carbide in the cuvette is carried out by partial immersion, while laser radiation, which is in the spectrum transparent to silicon carbide, simultaneously forms heat flux sources on the front and conjugate to the working fluid of the crystal, causing local heating and erosion of the crystal, while the composition of the working fluid and laser radiation operation modes are selected from the conditions of the required surface morphology of silicon carbide, and erosion products from the back surface of the crystal are removed by the working fluid.
Способ осуществляется следующим образом:The method is as follows:
На Фиг. 1 представлено устройство для реализации способа: 1 - пучок лазерного излучения; 2 - кювета; 3 - рабочая жидкость; 4 - карбид кремния; 5 - фокусирующая линза; 6 - координатный столик; 7 - источник теплового потока с тыльной стороны; 8 - источник теплового потока с фронтальной стороны.In FIG. 1 shows a device for implementing the method: 1 - a beam of laser radiation; 2 - a ditch; 3 - working fluid; 4 - silicon carbide; 5 - focusing lens; 6 - coordinate table; 7 - source of heat flow from the back; 8 - source of heat flow from the front side.
Обработку образца поверхности карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2), содержащую рабочую жидкость (3), осуществляют при помощи лазерного излучения. Кювету с образцом карбида кремния устанавливают на координатный столик (6). Облучение производится лазерным пучком (1) на поверхность карбида кремния, сопряженную с рабочей жидкостью, посредством фокусирующей линзы (5), при этом на фронтальной и тыльной поверхности формируются парные источники теплового потока (7, 8). Обработка тыльной поверхности карбида кремния, сопряженной с рабочей жидкостью, ведется через слой карбида кремния лазерным излучением, оптически прозрачным для кристалла карбида кремния. При этом продукты эрозии тыльной поверхности кристалла карбида кремния попадают в рабочую жидкость и выпадают в осадок за счет гравитационных сил, что обеспечивает возможность получения более качественного показателя шероховатости поверхности, а изменяя параметры лазерного излучения можно получить различные виды морфологии поверхности, в том числе, с наноразмерными структурами. Универсальность способа заключается в возможности использования любой жидкости и любого режима лазерного излучения. Подвергать жидкость специальной очистке не требуется.The processing of a surface sample of silicon carbide (4), which is installed in a cuvette (2) containing a working fluid (3), is carried out using laser radiation. A cuvette with a sample of silicon carbide is mounted on the coordinate table (6). Irradiation is carried out by a laser beam (1) on the surface of silicon carbide conjugated to the working fluid by means of a focusing lens (5), while on the front and back surfaces paired sources of heat flux are formed (7, 8). The back surface of silicon carbide conjugated with the working fluid is treated through a layer of silicon carbide with laser radiation that is optically transparent to the silicon carbide crystal. In this case, the erosion products of the back surface of a silicon carbide crystal fall into the working fluid and precipitate due to gravitational forces, which makes it possible to obtain a better indicator of surface roughness, and by changing the parameters of laser radiation, various types of surface morphology can be obtained, including those with nanoscale structures. The universality of the method lies in the possibility of using any liquid and any regime of laser radiation. No special cleaning is required.
Пример 1Example 1
Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6). Карбид кремния подвергался эффекту флотации на рабочей жидкости, который может быть достигнут при помощи механических держателей, электромагнитного поля и другими способами. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением с длиной волны 635 нм, длительностью импульса 10 нс, с частотой 40 кГц и мощностью 3 Вт. В качестве рабочей жидкости был использован жидкий азот, температура которого - 195 градусов Цельсия. Процесс обработки включал в себя формирование парных источников теплового потока на фронтальной и тыльной поверхностях кристалла карбида кремния, вызывающие как локальный нагрев, так и эрозию кристалла. При взаимодействии кристалла карбида кремния с рабочей жидкостью кристалл сжимался, а в областях сформированных источников теплового потока происходил эффект хрупкого разрушения, при этом продукты эрозии удалялись от места обработки и выпадали в осадок под действием гравитационных сил. Описанный способ позволил получить морфологию поверхности с размерами от 0,1 до 100 мкм, изображенной на фиг. 2. Данный способ позволяет достичь высокого коэффициента поглощения материала.The sample was treated with silicon carbide (4), which is installed in a cuvette (2) with a working fluid (3), which is installed on the coordinate table (6). Silicon carbide was subjected to the effect of flotation on the working fluid, which can be achieved using mechanical holders, electromagnetic fields and other methods. The back surface of silicon carbide in contact with the working fluid was processed through a layer of silicon carbide by laser radiation with a wavelength of 635 nm, a pulse duration of 10 ns, a frequency of 40 kHz, and a power of 3 W. As the working fluid, liquid nitrogen was used, the temperature of which is 195 degrees Celsius. The processing process included the formation of paired heat flux sources on the front and back surfaces of a silicon carbide crystal, causing both local heating and crystal erosion. During the interaction of a silicon carbide crystal with a working fluid, the crystal was compressed, and brittle fracture occurred in the regions of the generated heat flux sources, while the erosion products were removed from the treatment site and precipitated by gravitational forces. The described method made it possible to obtain surface morphology with sizes from 0.1 to 100 μm shown in FIG. 2. This method allows to achieve a high absorption coefficient of the material.
Пример 2Example 2
Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6). Карбид кремния частично погружался в рабочую жидкость, в качестве которой использовался раствор КОН. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением 600 нм, длительностью импульса 100 нс, с частотой 50 кГц и мощностью 4 Вт. Локальный нагрев кристалла, одновременным действием парных источников теплового потока на фронтальной и тыльной поверхностях карбида кремния в условиях прямого контакта тыльной поверхности кристалла с химически активной по отношению к карбиду кремния рабочей жидкостью, порождает процесс химической эрозии поверхности кристалла и формирует новый тип морфологии с наноразмерными структурами. При этом, продукты эрозии удалялись при взаимодействии с химически активной рабочей жидкостью. Полученная морфология поверхности использовалась для получения светодиодов на карбиде кремния.The sample was treated with silicon carbide (4), which is installed in a cuvette (2) with a working fluid (3), which is installed on the coordinate table (6). Silicon carbide was partially immersed in a working fluid, which was used as a solution of KOH. The back surface of silicon carbide in contact with the working fluid was treated through a layer of silicon carbide with laser radiation of 600 nm, a pulse duration of 100 ns, a frequency of 50 kHz, and a power of 4 W. Local heating of the crystal by the simultaneous action of paired sources of heat flux on the front and back surfaces of silicon carbide under direct contact of the back surface of the crystal with a working fluid chemically active with respect to silicon carbide gives rise to the process of chemical erosion of the crystal surface and forms a new type of morphology with nanoscale structures. In this case, erosion products were removed by interaction with a chemically active working fluid. The obtained surface morphology was used to obtain silicon carbide LEDs.
Пример 3Example 3
Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6 Карбид кремния подвергался эффекту флотации на рабочей жидкости, который может быть достигнут, например, при помощи механических держателей. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением с длиной волны 635 нм, длительностью импульса 50 нс, с частотой 40 кГц и мощностью 3 Вт. В качестве рабочей жидкости использовался раствор эмульсии содержащий абразивные алмазные частицы. Для получения заданной морфологии поверхности в кювете с рабочей жидкостью возбуждали акустические волны частотой 100 кГц, которые создавали кавитацию рабочей жидкости, при этом возникал эффект царапания кристалла с обеспечением процесса механической эрозии, что позволило получить высокое качество обрабатываемой поверхности подложек для формирования на ней полупроводниковых приборов. При этом продукты эрозии удалялись от места обработки и выпадали в осадок под действием гравитационных сил.The sample was treated with silicon carbide (4), which is installed in a cuvette (2) with a working fluid (3), which is mounted on a coordinate table (6 Silicon carbide was subjected to the flotation effect on the working fluid, which can be achieved, for example, using mechanical holders The back surface of silicon carbide in contact with the working fluid was processed through a layer of silicon carbide by laser radiation with a wavelength of 635 nm, a pulse duration of 50 ns, a frequency of 40 kHz, and a power of 3 W. An emulsion solution containing abrasive diamond particles was used as a working fluid To obtain a given surface morphology in a cuvette with a working fluid, acoustic waves with a frequency of 100 kHz were excited, which created cavitation of the working fluid, and the crystal was scratched to provide mechanical erosion, which made it possible to obtain a high quality of the processed surface of the substrates to form a semi conductor devices. In this case, the erosion products were removed from the treatment site and precipitated under the influence of gravitational forces.
Приведенные примеры показывают, что используя одно и то же оборудование и технические средства для реализации способа, а изменяя только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения можно получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния. Кроме того, улучшение качества обрабатываемой поверхности достигается удалением продуктов эрозии рабочей жидкостью за счет действия гравитационных сил или за счет химического взаимодействия с ней.The above examples show that using the same equipment and technical means to implement the method, and by changing only the composition of the working fluid and the operating modes of the laser radiation, one can obtain a different morphology of the processed surface of silicon carbide. In addition, improving the quality of the treated surface is achieved by removing the erosion products of the working fluid due to the action of gravitational forces or due to chemical interaction with it.
Технический результат достигнут полностью.The technical result is fully achieved.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019142762A RU2724142C1 (en) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | Method of producing different types of silicon carbide surface morphology |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019142762A RU2724142C1 (en) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | Method of producing different types of silicon carbide surface morphology |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2724142C1 true RU2724142C1 (en) | 2020-06-22 |
Family
ID=71135779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019142762A RU2724142C1 (en) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | Method of producing different types of silicon carbide surface morphology |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2724142C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2745736C1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-03-31 | Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета" | Method of surface modification of silicon carbide crystals |
| CN115620847A (en) * | 2022-12-06 | 2023-01-17 | 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所 | Method for determining ablation morphology of silicon-based composite material and related device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2459319C1 (en) * | 2011-07-08 | 2012-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Высокие технологии" | Method to produce nanostructured multilayer 3d composite material for negative electrode of lithium-ion battery, composite material, negative electrode and lithium-ion battery |
| CN103658993A (en) * | 2013-12-11 | 2014-03-26 | 北京理工大学 | Crystal silicon surface femtosecond laser selective ablation method based on electron dynamic control |
| RU2550868C2 (en) * | 2013-05-28 | 2015-05-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Method of forming microstructured and heavily doped layer on silicon surface |
| WO2015071217A1 (en) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | Universitaet Stuttgart | Method for producing rear surface contact solar cells from crystalline silicon |
| RU2563324C2 (en) * | 2013-11-01 | 2015-09-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Энергомаштехника" (ООО "ЭМТ") | Silicon carbone surface processing by uv laser radiation |
| US20190348560A1 (en) * | 2016-04-27 | 2019-11-14 | Enbw Energie Baden-Wuerttemberg Ag | Method for producing rear surface contact solar cells from crystalline silicon |
-
2019
- 2019-12-17 RU RU2019142762A patent/RU2724142C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2459319C1 (en) * | 2011-07-08 | 2012-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Высокие технологии" | Method to produce nanostructured multilayer 3d composite material for negative electrode of lithium-ion battery, composite material, negative electrode and lithium-ion battery |
| RU2550868C2 (en) * | 2013-05-28 | 2015-05-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Method of forming microstructured and heavily doped layer on silicon surface |
| RU2563324C2 (en) * | 2013-11-01 | 2015-09-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Энергомаштехника" (ООО "ЭМТ") | Silicon carbone surface processing by uv laser radiation |
| WO2015071217A1 (en) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | Universitaet Stuttgart | Method for producing rear surface contact solar cells from crystalline silicon |
| CN103658993A (en) * | 2013-12-11 | 2014-03-26 | 北京理工大学 | Crystal silicon surface femtosecond laser selective ablation method based on electron dynamic control |
| US20190348560A1 (en) * | 2016-04-27 | 2019-11-14 | Enbw Energie Baden-Wuerttemberg Ag | Method for producing rear surface contact solar cells from crystalline silicon |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2745736C1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-03-31 | Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета" | Method of surface modification of silicon carbide crystals |
| CN115620847A (en) * | 2022-12-06 | 2023-01-17 | 中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所 | Method for determining ablation morphology of silicon-based composite material and related device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Konov | Laser in micro and nanoprocessing of diamond materials | |
| RU2724142C1 (en) | Method of producing different types of silicon carbide surface morphology | |
| US3991296A (en) | Apparatus for forming grooves on a wafer by use of a laser | |
| Kruusing | Underwater and water-assisted laser processing: Part 2—Etching, cutting and rarely used methods | |
| CN106424987B (en) | The coaxial combined machining method and device that pipe electrode electric discharge is irradiated with laser | |
| KR101625948B1 (en) | Ultrasonic vibration and laser-induced backside wet etching drilling apparatus | |
| JP2003211400A (en) | Refining method using ultra-short pulse laser and workpiece therefor | |
| Zhang et al. | Study on machining characteristics of magnetically controlled laser induced plasma micro-machining single-crystal silicon | |
| CN107652900B (en) | A kind of gallium nitride wafer optical electro-chemistry machine polishing liquor and polishing method | |
| WO2007063987A1 (en) | Method for processing/washing with ultra-pure water plasma foams and apparatus for the method | |
| TW201720768A (en) | Method of forming hole in glass substrate by using pulsed laser, and method of producing glass substrate provided with hole | |
| Sun et al. | Laser drilling in silicon carbide and silicon carbide matrix composites | |
| Jiang et al. | A review of ultra-short pulse laser micromachining of wide bandgap semiconductor materials: SiC and GaN | |
| Dolgaev et al. | Etching of sapphire assisted by copper-vapour laser radiation | |
| DE102013211896B4 (en) | processing method and processing device | |
| KR20100107932A (en) | Hybrid laser machining using ultrasonic vibration | |
| Chengjin et al. | Influence of focus positions on underwater femtosecond laser dicing of silicon wafer | |
| Kumthekar et al. | Effects of machining parameters on Ni-Mn-Ga-based alloys for fabrication of multifunctional micro devices using femtosecond pulse width laser | |
| TWI492808B (en) | Method for forming gas venting holes in electrode plate | |
| JPH04182093A (en) | Laser beam machining method | |
| Hu et al. | Experimental research of laser-induced periodic surface structures in a typical liquid by a femtosecond laser | |
| Yang et al. | Textures induced by a femtosecond laser on silicon surfaces under various environments | |
| RU2563324C2 (en) | Silicon carbone surface processing by uv laser radiation | |
| Jiao et al. | Statistical analysis of femtosecond pulses laser on hole drilling of silicon wafer | |
| Singh et al. | Effect of repetition rate and peak fluence on ablation depth with ultrashort pulse laser irradiation in silicon |