RU2690781C1 - Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти - Google Patents
Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти Download PDFInfo
- Publication number
- RU2690781C1 RU2690781C1 RU2018101357A RU2018101357A RU2690781C1 RU 2690781 C1 RU2690781 C1 RU 2690781C1 RU 2018101357 A RU2018101357 A RU 2018101357A RU 2018101357 A RU2018101357 A RU 2018101357A RU 2690781 C1 RU2690781 C1 RU 2690781C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- destruction
- working charge
- charge
- chip
- working
- Prior art date
Links
- 230000006378 damage Effects 0.000 title abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 9
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/14—Protection against unauthorised use of memory or access to memory
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F42—AMMUNITION; BLASTING
- F42B—EXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
- F42B3/00—Blasting cartridges, i.e. case and explosive
- F42B3/10—Initiators therefor
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
- G06F21/70—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer
- G06F21/88—Detecting or preventing theft or loss
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области защиты конфиденциальной информации от несанкционированного доступа, а именно к устройствам уничтожения электронных носителей информации. Технический результат заключается в обеспечении надежного предотвращения доступа к носителю информации за счет экстренного уничтожения кристалла микросхемы памяти при одновременном сохранении целостности электронного блока, содержащего носитель информации. Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти содержит герметичный корпус, в котором установлены рабочий заряд, элемент задействования рабочего заряда и инициирующий элемент, содержащий токоведущие электроды с перегораемым мостиком накаливания, причем рабочий заряд и элемент задействования выполнены из пиротехнических составов, при этом элемент задействования установлен между носителем информации и рабочим зарядом. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к области защиты конфиденциальной информации от несанкционированного доступа, а именно к устройствам уничтожения электронных носителей информации (микросхем памяти) до состояния, обеспечивающего невозможность восстановления информации.
В настоящее время устройства хранения информации применяются как для служебной информации. так и программного обеспечения, определяющего функциональные возможности электронных приборов. Данная информация нередко является конфиденциальной, в связи с чем может потребоваться ее экстренное уничтожение в процессе эксплуатации. Известно множество способов уничтожения информации, записанной в микросхеме памяти. По сути, эти методы можно разделить на электрическое (программное) стирание информации и физическое разрушение кристалла микросхемы памяти. Провести экстренное электрическое (программное) стирание не всегда возможно - отказ аппаратуры, отсутствие источника автономного электропитания, недостаток времени, применение PROM микросхем и т.п., поэтому нередко востребовано физическое разрушение кристалла микросхемы памяти. Существует множество способов физического разрушения кристалла. Среди них - разрушение путем механического, термического, химического и взрывного воздействия.
Известно устройство храпения информации со встроенной системой ее экстренного уничтожения (Flash Drive DatAshur 32Gb, www.trm.l-lab.ru/ustrojjstva-unichtozhenija-informacii), в котором применяется программное стирание записанной информации с помощью встроенного аккумулятора.
Недостатками указанною устройства являются: невозможность уничтожения информации при отказе какого-либо компонента электронной схемы устройства, например, при низком уровне заряда встроенного аккумулятора и отсутствии внешних источников питания;
- низкая стойкость к климатическим и механическим воздействующим факторам.
Известно устройство хранения информации с возможностью ее экстренного уничтожения (патент на полезную модель RU 150597. МПК G06K 19/073. опубликован 20.02.2015). в котором применяется механический способ разрушения кристалла. Указанное устройство содержит корпус, на котором установлен соединитель, предназначенный для электрических связей с размещенным внутри корпуса модулем памяти. Над модулем памяти размещен пробойник с возможностью совершения вращательно-поступательного перемещения в корпусе и взаимодействия с модулем памяти, который представляет собой микросхему памяти, установленную на печатной плате, в которой выполнено отверстие для выхода пробойника, на боковой поверхности устройства выполнено отверстие, для установки в нем штока, ограничивающего перемещение пробойника относительно корпуса.
Недостатками данного технического решения являются:
- сравнительно большие габаритные размеры устройства, что затрудняет его использование;
- недостаточное быстродействие, связанное с необходимостью проведения множества подготовительных операций.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является способ разрушения интегральных схем памяти носителей информации, где приведено устройство для осуществления способа (патент на изобретение RU 2527241, МПК Р42В 3/10, G06F 12/14, опубликован 27.08.2014). Устройство содержит рабочий заряд (ВВ - ТЭН) и элемент задействования рабочего заряда (электродетонатор), рабочий заряд расположен над носителем информации. Способ заключается в том, что формируют рабочий заряд из ВВ на диэлектрическом основании электрической схемы, открывающей доступ к носителю информации, которая снабжена системой элементов электрического контроля доступа к носителю информации. При срабатывании системы контроля заряд из ВВ подрывают. Рабочий заряд формируют в виде нанослоя из ВВ, помещенного внутри микрокумулятивного заряда, электрически соединенного с мостиковым электродетонатором, также сформированным на основании электросхемы.
Недостатками данного технического решения, в части конструкции устройства, являются:
- использование для решения задачи взрывного способа требует обеспечения повышенных мер безопасности при эксплуатации устройства, кроме того, при решении некоторых задач применение ВВ недопустимо;
- сравнительно большие габаритные размеры устройства.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является снижение уровня опасности при эксплуатации устройства при сохранении надежности уничтожения информации.
Технический результат, достигаемый при использовании заявляемого изобретения, заключается в обеспечении надежного предотвращения доступа к носителю информации за счет экстренного уничтожения кристалла микросхемы памяти при одновременном сохранении целостности электронного блока, содержащего носитель информации. Дополнительным техническим результатом является уменьшение габаритных размеров устройства.
Для решения указанной задачи и достижения технического результата в устройстве уничтожения кристалла микросхемы памяти, содержащем герметичный корпус, в котором установлены рабочий заряд и элемент задействования рабочего заряда, согласно изобретению, рабочий заряд и элемент задействования выполнены из пиротехнических составов, при этом элемент задействования установлен между носите тем информации и рабочим зарядом.
В частности, элемент задействования возможно выполнять в виде плоского элемента из пиротехнического листового материала, а рабочий заряд - из пиротехнического состава, при горении которого обеспечивается явление самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), например, пиротехническою состава на основе оксида никеля (II) и алюминия в соотношении 80:20 массовых долей соответственно.
Осуществление процесса уничтожения информации с помощью пиротехнического состава позволяет понизить уровень опасности при эксплуатации устройства при сохранении высокой эффективности разрушения, поскольку в конструкции устройства не используются ВВ. а температура, реализующаяся при горении пиротехнического состава, превышает температуру плавления материала кристалла микросхемы памяти (кремния). Размещение элемента задействования между носителем информации и рабочим зарядом позволяет реализовать при горении пиротехнического состава градиент давления, обеспечивающий перенос горячих химически активных продуктов горения на кристалл микросхемы, тем самым дополнительно повышая эффективность уничтожения.
Изготовление рабочего заряда из пиротехнического состава, при горении которого обеспечивается явление СВС, например, пиротехнического состава на основе оксида никеля (II) и алюминия, позволяет повысить надежность уничтожения кристалла микросхемы памяти за счет того, что процесс тепловыделения самоподдерживается до полною завершения химического превращения компонентов, а в силу высокой температуры СВС-процесса и высокой скорости распространения волны горения существующие средства пожаротушения не способны прервать СВС-процесс. Кроме того, при горении пиротехнического состава происходит восстановление металла, который способен взаимодействовать с материалом кристалла (кремнием) с выделением дополнительного тепла и образованием более легкоплавкого, чем кремний, соединения - силицида.
Использование в качестве инициирующего заряда плоского элемента из пиротехнического листового материала позволяет создать более компактную компоновочную схему и оптимизировать размеры устройства, поскольку толщина, достигаемая при его изготовлении, составляет 0,50±0,15 мм.
Новая совокупность существенных признаков позволяет обеспечить термохимическое разрушение кристалла микросхемы памяти, что гарантирует уничтожение записанной информации.
Примеры исполнения устройства и результаты лабораторных испытаний опытных образцов поясняются фиг. 1, 2 и 3.
На фиг. 1 представлена схема заявляемого устройства. 1 - корпус; 2 - рабочий заряд из пиротехнического состава; 3 - элемент задействования; 4 - кристалл памяти: 5 - микросхема; 6 - плата: 7 - крышка; 8 - мостик: 9 - то ко ведущие электроды.
На фиг. 2 и 3 представлены фотографии микросхемы 1623РТ2А и фрагмента электрической платы после срабатывания опытного образца устройства уничтожения.
Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти представляет собой плоский керамический пли стальной корпус 1, в котором размещены рабочий заряд 2 и элемент задействования 3. Элемент задействования 3 установлен между уничтожаемой микросхемой 5 и рабочим зарядом 2. Для инициирования элемента задействования 3 к токоведущим электродам 9 приварен перегораемый мостик 8. Корпус 1 герметизируется крышкой 7 и устанавливается над микросхемой памяти 5 таким образом, чтобы рабочий заряд 2 располагался над кристаллом памяти 4 уничтожаемой микросхемы 5. Для повышения безопасности, а именно, для ограничения зоны высокотемпературного воздействия габаритами устройства, корпус 1 поджимается к плате 6.
Настоящее изобретение не ограничивается приведенным примером.
Устройство работает следующим образом: при подаче на токоведущие электроды 9 электрического сигнала на уничтожение происходит перегорание мостика 8, вследствие чего инициируется горение элемента задействования 3, который в свою очередь поджигает рабочий заряд 2. Далее продукты горения рабочего заряда 2 прожигают герметизирующую крышку 7 корпуса 1 и крышку микросхемы 5, после чего происходит термохимическое воздействие продуктов горения рабочего заряда 2 на кристалл памяти 4. Благодаря тому, что элемент задействования 3 установлен между рабочим зарядом 2 и уничтожаемой микросхемой 5, осуществляется послойное горение рабочего заряда 2 с переносом горячих химически активных продуктов трения на кристалл памяти 4 вследствие реализуемого градиента давления.
Работоспособность заявляемого устройства подтверждается следующим примером конкретного выполнения.
В лабораторных условиях заявляемое устройство было реализовано в виде опытного образна цилиндрической формы, диаметром 30 мм и высотой 5 мм. В стальной корпус запрессовывался рабочий заряд пиротехнического состава на основе оксида никеля (II) и алюминия, в соотношении 80:20 массовых долей соответственно, массой 1,04 г. В качестве элемента задействования использовался плоский элемент, выполненный из пиротехнического листового материала толщиной 0,5 мм (патент на изобретение RU 2306306. МПК С06В 33 12. опубликован 20.09.2007). Для инициирования элемента задействования на токоведущие электроды 9 наваривался перегораемый нихромовый мостик диаметром 40 мкм. Изоляция токоведущих электродов от корпуса осуществлялась с помощью электроизоляционной втулки. Корпус герметизировался крышкой из никелевой фольги толщиной 0.15 мм и устанавливался над уничтожаемой микросхемой на плату из стеклотекстолита толщиной 1 мм.
Типовой результат после срабатывания опытного образца устройства уничтожения представлен на фигу ре 2. на фигуре 3 представлена фотография подложки в виде фрагмента электрической платы, на которой размещалась уничтожаемая микросхема.
Экспериментально было подтверждено, что при срабатывании опытных образцов происходит разрушение не менее 90% площади кристалла памяти микросхем 1623РТ1Т и 1623РТ2А, что соответствует гарантированному уничтожению записанной на нем информации, при этом обеспечивается сохранение целостности электронного блока, содержащего носитель информации, так как зона воздействия не выхолит за габариты устройства.
Claims (4)
1. Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти, содержащее герметичный корпус, в котором установлены рабочий заряд, элемент задействования рабочего заряда и инициирующий элемент, содержащий токоведущие электроды с перегораемым мостиком накаливания, отличающееся тем, что рабочий заряд и элемент задействования выполнены из пиротехнических составов, при этом элемент задействования установлен между носителем информации и рабочим зарядом.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что элемент задействования выполнен из пиротехнического листового материала.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что рабочий заряд выполнен из пиротехнического состава, при горении которого обеспечивается явление самораспространяющегося высокотемпературного синтеза.
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что рабочий заряд выполнен из пиротехнического состава на основе оксида никеля(II) и алюминия в соотношении 80:20 массовых долей соответственно.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018101357A RU2690781C1 (ru) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018101357A RU2690781C1 (ru) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2690781C1 true RU2690781C1 (ru) | 2019-06-05 |
Family
ID=67037864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018101357A RU2690781C1 (ru) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2690781C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2777001C1 (ru) * | 2021-10-12 | 2022-07-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Краснознамёнец" | Устройство хранения информации с возможностью её уничтожения |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0968984B1 (de) * | 1998-06-29 | 2003-04-23 | RUAG Munition | Pyrotechnische Schicht zur gezielten Zerstörung von maschinenlesbaren Daten auf Datenträgern |
| RU2527241C1 (ru) * | 2013-05-31 | 2014-08-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Способ разрушения интегральных схем памяти носителей информации |
| CN106933125A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 娄文忠 | 基于无线组网实现智能聚能装药自毁的系统及其自毁方法 |
| RU2630487C1 (ru) * | 2016-05-26 | 2017-09-11 | Межрегиональное общественное учреждение "Институт инженерной физики" | Средство экстренного уничтожения носителей информации |
-
2018
- 2018-01-15 RU RU2018101357A patent/RU2690781C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0968984B1 (de) * | 1998-06-29 | 2003-04-23 | RUAG Munition | Pyrotechnische Schicht zur gezielten Zerstörung von maschinenlesbaren Daten auf Datenträgern |
| RU2527241C1 (ru) * | 2013-05-31 | 2014-08-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Способ разрушения интегральных схем памяти носителей информации |
| CN106933125A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 娄文忠 | 基于无线组网实现智能聚能装药自毁的系统及其自毁方法 |
| RU2630487C1 (ru) * | 2016-05-26 | 2017-09-11 | Межрегиональное общественное учреждение "Институт инженерной физики" | Средство экстренного уничтожения носителей информации |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2777001C1 (ru) * | 2021-10-12 | 2022-07-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Краснознамёнец" | Устройство хранения информации с возможностью её уничтожения |
| RU2790351C1 (ru) * | 2022-08-01 | 2023-02-16 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Устройство экстренного уничтожения микросхем памяти |
| RU224018U1 (ru) * | 2023-07-10 | 2024-03-13 | Александр Васильевич Зубарев | Устройство хранения информации с возможностью ее экстренного уничтожения |
| RU2821163C1 (ru) * | 2023-07-28 | 2024-06-17 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук (ИФХЭ РАН) | Устройство экстренного уничтожения микросхемы памяти и способ его изготовления |
| RU2820714C1 (ru) * | 2023-09-15 | 2024-06-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Способ минимизации зоны отчуждения отделяющейся части ступени ракеты-носителя и устройство для реализации |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2112915C1 (ru) | Воспламенительное устройство для инициирования детонаторов, которые содержат по крайней мере один основной заряд в корпусе детонатора | |
| US20120039117A1 (en) | Destruction of data stored in phase change memory | |
| EP1826780A1 (en) | Varistor with an alloy-type temperature fuse | |
| RU2527241C1 (ru) | Способ разрушения интегральных схем памяти носителей информации | |
| CN104785503A (zh) | 用于非易失性存储芯片自毁的自毁微系统及其自毁方法 | |
| US20070169862A1 (en) | Energetic thin-film initiator | |
| US9081970B2 (en) | Data security device | |
| Sevely et al. | Developing a highly responsive miniaturized security device based on a printed copper ammine energetic composite | |
| RU2690781C1 (ru) | Устройство уничтожения кристалла микросхемы памяти | |
| JP6984879B2 (ja) | 着火装置、及びその着火装置を含むエアロゾル消火装置 | |
| US9194668B2 (en) | Energetic unit based on semiconductor bridge | |
| JP2017195257A (ja) | 自己破壊素子、半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法 | |
| DE112013006659B4 (de) | Plasmaspaltzündvorrichtung mit neuartigem Zündsystem | |
| CN104699634A (zh) | 基于双重保护的电脑硬盘自毁装置及其自毁方法 | |
| CN111367835A (zh) | 一种存储芯片自毁装置及其工作方法 | |
| CN113779650B (zh) | 一种用于非易失性存储器的微冲击瞬态自毁芯片及其自毁方法 | |
| RU2623101C1 (ru) | Тепловой химический источник тока | |
| RU2630487C1 (ru) | Средство экстренного уничтожения носителей информации | |
| CN211577878U (zh) | 一种存储芯片自毁装置 | |
| Sevely et al. | Development of a Chip-Level Ultimate Security Device Using Reactive Composites | |
| RU122421U1 (ru) | Защищенное информационное устройство | |
| ES2943666T3 (es) | Métodos para mejorar la uniformidad y la eficiencia de la explosión en detonadores de láminas explosivas | |
| RU2777001C1 (ru) | Устройство хранения информации с возможностью её уничтожения | |
| CN107608915A (zh) | 一种电子数据物理自毁方法 | |
| RU2790351C1 (ru) | Устройство экстренного уничтожения микросхем памяти |