RU2687878C1 - Band-pass selective-frequency surface - Google Patents
Band-pass selective-frequency surface Download PDFInfo
- Publication number
- RU2687878C1 RU2687878C1 RU2018126259A RU2018126259A RU2687878C1 RU 2687878 C1 RU2687878 C1 RU 2687878C1 RU 2018126259 A RU2018126259 A RU 2018126259A RU 2018126259 A RU2018126259 A RU 2018126259A RU 2687878 C1 RU2687878 C1 RU 2687878C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- frequency
- dielectric
- band
- type
- selective
- Prior art date
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/14—Reflecting surfaces; Equivalent structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к микроволновой и оптической технике и может быть использовано в антеннах систем связи, преобразователях частоты и спектрометрах в диапазоне от сантиметровых до микронных длин волн. Частотно-селективная поверхность (ЧСП) отличается от обычного фильтра тем, что ее размещают в свободном пространстве на пути падающей на объект волны, а не включают в линию передачи.The invention relates to microwave and optical technology and can be used in communication system antennas, frequency converters and spectrometers in the range from centimeter to micron wavelengths. The frequency-selective surface (FSP) differs from a conventional filter in that it is placed in free space along the path of the wave incident on the object, and is not included in the transmission line.
Известна полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность, содержащая чередующиеся тонкие субволновые металлические решетки емкостного и индуктивного типа, разделенные слоями диэлектрика [N. Behdad and K. Sarabandi, "A Miniaturized Band-pass Frequency Selective Surface," IEEE International Sym. on Antennas and Prop., vol. 1, pp. 4171-4174, July 9-14, 2006]. Решетки емкостного типа выполнены в виде плоских квадратных проводников, а решетки индуктивного типа выполнены в виде квадратных окон, вытравленных в металлическом слое. Ни одна из этих решеток в отдельности не является резонансной. Однако каждая решетка одного типа совместно с одной из соседних решеток другого типа и разделяющим их тонким слоем диэлектрика толщиною много меньше длины волны образуют резонансную структуру. Связь между такими соседними резонансными структурами обеспечивает граничащий с ними четвертьволновый слой диэлектрика. Очевидно, что такая конструкция не является симметричной, так как на одной внешней стороне ЧСП располагается решетка индуктивного типа, а на второй внешней стороне -решетка емкостного типа. Порядок, характеризующий селективные свойства такой ЧСП, равен количеству резонансных структур, то есть равен количеству решеток одного типа.The known band-passing frequency-selective surface containing alternating thin sub-wave metal lattices of capacitive and inductive type, separated by layers of dielectric [N. Behdad and K. Sarabandi, "A Miniaturized Band-Pass Frequency Selective Surface," IEEE International Sym. on Antennas and Prop., vol. 1, pp. 4171-4174, July 9-14, 2006]. The capacitive-type lattices are made in the form of flat square conductors, and the inductive-type lattices are made in the form of square windows etched in a metal layer. None of these arrays separately is resonant. However, each grating of one type, together with one of the neighboring gratings of another type and a thin dielectric layer separating them with a thickness much smaller than the wavelength, form a resonant structure. The connection between such neighboring resonant structures provides a quarter-wavelength dielectric layer adjoining them. Obviously, such a construction is not symmetrical, since an inductive type grating is located on one external side of the PSP, and a capacitive type grating is located on the second outer side. The order characterizing the selective properties of such a PNP is equal to the number of resonant structures, that is, equal to the number of lattices of the same type.
Недостатком такой ЧСП является требование, чтобы толщина слоя диэлектрика, связывающего соседние резонансные структуры, была точно равна четверти длины волны в диэлектрике. Это требование практически не позволяет использовать диэлектрики стандартной толщины.The disadvantage of such a PSS is the requirement that the thickness of the dielectric layer connecting adjacent resonant structures be exactly equal to a quarter of the wavelength in the dielectric. This requirement practically does not allow the use of dielectrics of standard thickness.
Наиболее близким аналогом является полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность, содержащая чередующиеся субволновые металлические решетки емкостного и индуктивного типа, разделенные тонкими слоями диэлектрика, толщина которых много меньше одной восьмой длины волны [М.A. Al-Joumayly, N. Behdad, "A generalized method for synthesizing low-profile, band-pass frequency selective surfaces with non-resonant constituting elements", IEEE Transactions on Antennas and Propagation, Vol. 58, No. 12, 2010, P. 4033-4041]. Решетки емкостного типа выполнены в виде плоских квадратных проводников, а решетки индуктивного типа выполнены в виде квадратных окон, вытравленных в металлическом слое. На наружных сторонах конструкции располагаются решетки емкостного типа. Ни одна из решеток в отдельности не является резонансной. Резонансными структурами в ЧСП являются каждая наружная решетка вместе со слоем диэлектрика, на котором она расположена, а также каждая пара соседних слоев, между которыми располагается решетка емкостного типа. Очевидно, что такая конструкция обладает зеркальной симметрией. Решетки индуктивного типа обеспечивают связь между резонансными структурами. Геометрические параметры конструкции рассчитываются по приведенным в публикации формулам. Порядок, характеризующий селективные свойства такой ЧСП, равен количеству резонансных структур, то есть равен количеству решеток емкостного типа.The closest analogue is a band-passable frequency-selective surface containing alternating sub-wave metal lattices of capacitive and inductive type, separated by thin layers of dielectric, the thickness of which is much less than one-eighth wavelength [M.A. Al-Joumayly, N. Behdad, "A-Generalized method for synthesizing low-profile, non-resonant constituting elements", IEEE Transactions for Antennas and Propagation, Vol. 58, No. 12, 2010, p. 4033-4041]. The capacitive-type lattices are made in the form of flat square conductors, and the inductive-type lattices are made in the form of square windows etched in a metal layer. On the outer sides of the structure are lattices of capacitive type. None of the individual gratings is resonant. The resonant structures in the FSS are each outer lattice together with the dielectric layer on which it is located, as well as each pair of adjacent layers, between which the capacitive-type lattice is located. It is obvious that such a construction has a mirror symmetry. Inductive type lattices provide communication between resonant structures. The geometrical parameters of the structure are calculated using the formulas given in the publication. The order characterizing the selective properties of such a PNP is equal to the number of resonant structures, that is, equal to the number of capacitive-type lattices.
Недостатком наиболее близкого аналога является то, что его слои диэлектрика могут иметь только определенную толщину, зависящую как от параметров полосы пропускания, так и от места расположения слоя в конструкции. Это требование практически не позволяет использовать диэлектрики стандартной толщины.The disadvantage of the closest analogue is that its dielectric layers can only have a certain thickness, depending both on the parameters of the bandwidth and on the location of the layer in the structure. This requirement practically does not allow the use of dielectrics of standard thickness.
Техническим результатом заявляемого изобретения является обеспечение возможности использования диэлектрических пластин стандартной толщины.The technical result of the claimed invention is to provide the possibility of using dielectric plates of standard thickness.
Технический результат достигается тем, что в полосно-пропускающей частотно-селективной поверхности, содержащей чередующиеся нерезонансные субволновые металлические решетки индуктивного и емкостного типа, разделенные слоями диэлектрика, выполненные соответственно в виде квадратных окон в металлическом слое и в виде плоских квадратных проводников, новым является то, что в ней все слои диэлектрика имеют одинаковую толщину величиною менее четверти длины волны в диэлектрике на центральной частоте полосы пропускания, а их количество равно удвоенному порядку фильтра, являющегося частотно-селективной поверхностью.The technical result is achieved by the fact that in a band-passable frequency-selective surface containing alternating non-resonant sub-wave metal lattices of inductive and capacitive type, separated by dielectric layers, made respectively in the form of square windows in the metal layer and in the form of flat square conductors, that all the dielectric layers in it have the same thickness of less than a quarter of the wavelength in the dielectric at the center frequency of the passband, and their number is equal to about twice the order of the filter, which is a frequency-selective surface.
Отличается заявляемая ЧСП от наиболее близкого аналога тем, что все слои диэлектрика имеют одинаковую толщину величиною менее четверти длины волны в диэлектрике на центральной частоте полосы пропускания, а их количество равно удвоенному порядку фильтра, которым является частотно-селективная поверхность.The claimed FSS differs from the closest analogue in that all dielectric layers have the same thickness less than a quarter of the wavelength in the dielectric at the center frequency of the passband, and their number is equal to twice the filter order, which is the frequency-selective surface.
Достоинством полосно-пропускающей частотно-селективной поверхности с одинаковыми диэлектрическими слоями толщиною менее четверти длины волны является возможность ее изготовления с использованием диэлектрических пластин стандартной толщины.The advantage of a band-passable frequency-selective surface with the same dielectric layers less than a quarter of a wavelength thick is the possibility of its manufacture using dielectric plates of standard thickness.
Это отличие позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна». Признак, отличающий заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлен в других технических решениях при изучении данной и смежных областей техники и, следовательно, обеспечивает заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».This difference allows to make a conclusion about the compliance of the proposed technical solution the criterion of "novelty." The sign that distinguishes the claimed technical solution from the prototype, not identified in other technical solutions when studying this and related areas of technology and, therefore, provides the claimed solution according to the criterion of "inventive step".
Сущность изобретения поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг. 1а изображены решетка индуктивного типа (1) и решетка емкостного типа (2), используемые в заявляемом устройстве. На решетках черной заливкой обозначены участки металлизации. На фиг. 1б изображен пример конструкции заявляемой полосно-пропускающей ЧСП для случая, когда ее амплитудно-частотная характеристика соответствует фильтру третьего порядка (б).FIG. 1a shows an inductive type grid (1) and a capacitive type grid (2) used in the inventive device. On the gratings black fill marked areas of metallization. FIG. 1b shows an example of the design of the inventive band-passable PSP for the case when its amplitude-frequency characteristic corresponds to a third-order filter (b).
На фиг. 2 представлена амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) полосно-пропускающей ЧСП третьего порядка, рассчитанная в узкой полосе частот.FIG. 2 shows the amplitude-frequency characteristic (AFC) of a third-order band-pass FSP calculated in a narrow frequency band.
На фиг. 3 представлены АЧХ в широкой полосе частот для двух полосно-пропускающих ЧСП третьего порядка с одинаковыми полосами пропускания, различающихся толщиной h диэлектрических слоев.FIG. 3 shows the frequency response in a wide frequency band for two third-order band-passable FSPs with the same bandwidths that differ in thickness h of dielectric layers.
Пример осуществления изобретения показан на фиг. 1. Полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность третьего порядка содержит четыре решетки индуктивного типа (1), между которым расположены три решетки емкостного типа (2). Каждая решетка отделена от своей соседней решетки слоем диэлектрика толщиной h. Конструкция ЧСП обладает зеркальной симметрией относительно плоскости, расположенной между двумя центральными слоями диэлектрика. Все решетки имеют одинаковый период Т. Квадратные отверстия в двух наружных решетках индуктивного типа имеют стороны размером S1, а в двух внутренних решетках индуктивного типа имеют стороны размером S2. Плоские квадратные проводники в центральной емкостной решетке имеют стороны размером W2, а в двух остальных емкостных решетках имеют стороны размером W1.An embodiment of the invention is shown in FIG. 1. The third-order band-pass frequency-selective surface contains four inductive-type lattices (1), between which there are three capacitive-type lattices (2). Each lattice is separated from its neighboring lattice by a dielectric layer of thickness h. The design of the PSP has a mirror symmetry with respect to the plane located between the two central layers of the dielectric. All grids have the same period T. The square holes in the two external inductive type arrays have sides of size S 1 , and the two internal lattices of the inductive type have sides of size S 2 . Flat square conductors in the central capacitive lattice have sides with the size W 2 , and in the two remaining capacitive lattices have sides with the size W 1 .
Полоса пропускания ЧСП задана центральной частотой ƒ0=16 ГГц, относительной шириной Δƒ/ƒ0=10% по уровню -3 дБ и уровнем максимального отражения Lrmax=-15 дБ. Слои диэлектрика имеют относительную диэлектрическую проницаемость εr=2.2. В этом случае длина волны в диэлектрике в центре полосы пропускания составляет λε=12.63 мм. При нормальном падении волны расчетная АЧХ, отвечающая этим требованиям, показана на фиг. 2. Расчет выполнен численным моделированием 3D модели ЧСП в пакете программ CST Microwave Studio. Здесь |S11|2 - коэффициент отражения, a |S21|2 - коэффициент прохождения. Эта АЧХ может быть реализована при различных значениях толщины h слоев диэлектрика и отвечающих им параметров решеток. В Таблице I представлены два набора параметров конструкции ЧСП, обеспечивающих требуемую полосу пропускания и отвечающих двум различным стандартным значениям h. Из этой таблицы видно, что уменьшение толщины диэлектрических слоев требует уменьшения зазоров между проводниками решеток емкостного типа.The FSB bandwidth is given by the center frequency ƒ 0 = 16 GHz, the relative width Δƒ / ƒ 0 = 10% at the -3 dB level and the maximum reflection level L rmax = -15 dB. The dielectric layers have a relative dielectric constant ε r = 2.2. In this case, the wavelength in the dielectric at the center of the transmission band is λ ε = 12.63 mm. With normal wave incidence, the calculated frequency response that meets these requirements is shown in FIG. 2. The calculation was performed by numerical simulation of the PSP 3D model in the CST Microwave Studio software package. Here | S 11 | 2 is the reflection coefficient, a | S 21 | 2 - transmission coefficient. This frequency response can be implemented for different values of the thickness h of the dielectric layers and the corresponding lattice parameters. Table I presents two sets of parameters for the FSS design that provide the required bandwidth and correspond to two different standard values of h. From this table it can be seen that reducing the thickness of the dielectric layers requires reducing the gaps between the conductors of capacitive-type gratings.
Амплитудно-частотные характеристики ЧСП, рассчитанные в широкой полосе частот для двух наборов конструктивных параметров из Таблицы I, представлены на фиг. 3. Проводники всех решеток предполагались идеальными, а их толщина считалась равной нулю. На частотах ниже частоты ƒ0 паразитные полосы пропускания отсутствуют. Край ближайшей паразитной полосы пропускания по уровню прохождения -40 дБ располагается на частоте ƒ1=57 ГГц при толщине диэлектрических слоев h=1.0 мм и на частоте ƒ1=45 ГГц при h=1.5 мм.The amplitude-frequency characteristics of the FSS calculated in a wide frequency band for the two sets of design parameters from Table I are presented in FIG. 3. The conductors of all the grids were assumed to be ideal, and their thickness was assumed to be zero. At frequencies below frequency ƒ 0, there are no spurious bandwidths. The edge of the nearest parasitic bandwidth on the transmission level of -40 dB is located at the frequency ƒ 1 = 57 GHz with the thickness of the dielectric layers h = 1.0 mm and at the frequency 1 = 45 GHz at h = 1.5 mm.
Полосно-пропускающая частотно-селективная поверхность работает следующим образом. Она представляет собой систему из трех связанных резонаторов. Резонатором является каждая пара соседних слоев диэлектрика, между которыми расположена решетка емкостного типа. «Внешними линиями передачи» полосно-пропускающей ЧСП является свободное пространство по обе стороны конструкции, в котором могут распространяться падающие и отраженные плоские электромагнитные волны. Цепями связи резонаторов являются решетки индуктивного типа.The band-passable frequency selective surface works as follows. It is a system of three coupled resonators. A resonator is each pair of adjacent dielectric layers, between which a capacitive-type lattice is located. The “external transmission lines” of a band-passable PSS is the free space on both sides of the structure, in which incident and reflected plane electromagnetic waves can propagate. Coupling chains of resonators are inductive type lattices.
Две наружные решетки индуктивного обеспечивают оптимальную связь двух крайних резонаторов фильтра с «внешними линиями передачи», то есть со свободным пространством. Величину такой связи обычно характеризуют внешней добротностью Qe. Эта связь тем больше, чем меньше Qe. Две внутренние решетки индуктивного типа призваны обеспечить оптимальную связь между соседними резонаторами.The two external inductive gratings provide an optimal connection of the two extreme filter resonators with “external transmission lines,” that is, with free space. The magnitude of this relationship is usually characterized by the external quality factor Q e . This relationship is the greater, the smaller Q e . Two internal inductive gratings are designed to provide optimal communication between adjacent resonators.
Связь между резонаторами характеризуют коэффициентом связи k. Оптимальные значения Qe и k зависят от требуемой относительной ширины полосы пропускания. Они могут быть рассчитаны по тем же формулам, которые были получены для полосно-пропускающих фильтров [Г.Л. Маттей, Л. Янг, Е.М.Т. Джонс. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Т. 1, М.: Связь, 1971, Раздел 8.02]. Из них, в частности, следует, что все связи в ЧСП пропорциональны относительной ширине полосы пропускания Δƒ/ƒ0. Оптимальные величины связей в ЧСП обеспечиваются выбором величин квадратных отверстий S1 и S2 в решетках индуктивного типа. Чем больше величина отверстий в решетках, тем сильнее связь.The coupling between the resonators is characterized by the coupling coefficient k. The optimal values of Q e and k depend on the required relative bandwidth. They can be calculated by the same formulas that were obtained for band-pass filters [G.L. Mattey, L. Young, E.M.T. Jones Microwave filters, matching circuits and communication circuits. T. 1, Moscow: Svyaz, 1971, Section 8.02]. From them, in particular, it follows that all links in the FSS are proportional to the relative bandwidth Δƒ / 0 . The optimal values of the connections in the FSS are provided by the choice of the values of the square holes S 1 and S 2 in the inductive type gratings. The larger the holes in the gratings, the stronger the bond.
Частота первой моды колебаний каждого резонатора, то есть каждой пары соседних слоев диэлектрика, разделенных решеткой емкостного типа, согласно цитированной выше теории фильтров СВЧ, должна совпадать с центральной частотой ƒ0 требуемой полосы пропускания. Эта частота зависит не только от толщины слоев диэлектрика (h) и размера квадратных отверстии (S1 и S2) в окружающих его решетках индуктивного типа, но также зависит и от размера плоских квадратных проводников (W1 или W2) в решетке емкостного типа, располагающейся в центре каждого резонатора. Так как толщина h уже фиксирована и равна одному из стандартных значений, а оптимизация размеров квадратных отверстий S1 и S2 в решетках индуктивного типа уже задействована для настройки связей резонаторов, то для настройки резонансных частот резонаторов следует оптимизировать только размеры плоских квадратных проводников (W1 и W2) в решетках емкостного типа. При этом необходимо учитывать следующий факт: чем меньше будет размер квадратных проводников, тем выше будет резонансная частота.The frequency of the first mode of oscillations of each resonator, that is, each pair of adjacent dielectric layers separated by a capacitive-type grating, according to the microwave filter theory cited above, must coincide with the center frequency ƒ 0 of the required bandwidth. This frequency depends not only on the thickness of the dielectric layers (h) and the size of the square hole (S 1 and S 2 ) in its surrounding inductive type arrays, but also depends on the size of flat square conductors (W 1 or W 2 ) in a capacitive type grid located in the center of each resonator. Since the thickness h is already fixed at one of the standard values and Optimization S 1 and S 2 square hole sizes in the lattices of the inductive type is already enabled for configuring connections resonators, only the dimensions of flat square wire should be optimized to tune the resonant frequencies of resonators (W 1 and W 2 ) in capacitive-type lattices. It is necessary to take into account the following fact: the smaller the size of the square conductors, the higher the resonant frequency will be.
Таким образом, преимуществом заявляемой полосно-пропускающей частотно-селективной поверхности является возможность ее изготовления с использованием пластин диэлектрика стандартной толщины.Thus, the advantage of the inventive band-passing frequency-selective surface is the possibility of its manufacture using dielectric plates of standard thickness.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018126259A RU2687878C1 (en) | 2018-07-16 | 2018-07-16 | Band-pass selective-frequency surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018126259A RU2687878C1 (en) | 2018-07-16 | 2018-07-16 | Band-pass selective-frequency surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2687878C1 true RU2687878C1 (en) | 2019-05-16 |
Family
ID=66579023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018126259A RU2687878C1 (en) | 2018-07-16 | 2018-07-16 | Band-pass selective-frequency surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2687878C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110416683A (en) * | 2019-07-12 | 2019-11-05 | 中国计量大学 | A kind of high-quality-factor all dielectric Meta Materials annular dipole resonance device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476771B1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-11-05 | E-Tenna Corporation | Electrically thin multi-layer bandpass radome |
| RU2364994C1 (en) * | 2008-07-21 | 2009-08-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave frequency filter |
| US7639206B2 (en) * | 2008-05-05 | 2009-12-29 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Low-profile frequency selective surface based device and methods of making the same |
| US8633866B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-01-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Frequency-selective surface (FSS) structures |
| RU142052U1 (en) * | 2014-01-14 | 2014-06-20 | Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП") | MICROWAVE BAND STRIP FILTER |
| RU2538078C1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Multilayer optical bandpass filter |
| RU2619137C2 (en) * | 2015-10-07 | 2017-05-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Multilayer bandpass filter |
-
2018
- 2018-07-16 RU RU2018126259A patent/RU2687878C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476771B1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-11-05 | E-Tenna Corporation | Electrically thin multi-layer bandpass radome |
| US7639206B2 (en) * | 2008-05-05 | 2009-12-29 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Low-profile frequency selective surface based device and methods of making the same |
| RU2364994C1 (en) * | 2008-07-21 | 2009-08-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave frequency filter |
| US8633866B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-01-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Frequency-selective surface (FSS) structures |
| RU2538078C1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Multilayer optical bandpass filter |
| RU142052U1 (en) * | 2014-01-14 | 2014-06-20 | Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП") | MICROWAVE BAND STRIP FILTER |
| RU2619137C2 (en) * | 2015-10-07 | 2017-05-12 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Multilayer bandpass filter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110416683A (en) * | 2019-07-12 | 2019-11-05 | 中国计量大学 | A kind of high-quality-factor all dielectric Meta Materials annular dipole resonance device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9431690B2 (en) | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling | |
| US7804383B2 (en) | Coupled lamb wave resonators filter | |
| KR100646899B1 (en) | Surface acoustic wave arrangement with at least two surface acoustic wave structures | |
| US5825263A (en) | Low radiation balanced microstrip bandpass filter | |
| CN104466317B (en) | GaAs bimodule band-pass filter and preparation method thereof | |
| US7764147B2 (en) | Coplanar resonator and filter using the same | |
| JP2010141877A (en) | Coupled line filter, and arraying method therein | |
| US9899716B1 (en) | Waveguide E-plane filter | |
| KR101489538B1 (en) | Omt type broadband multiband transmission-reception coupler-separator for rf frequency telecommunications antennas | |
| US6232853B1 (en) | Waveguide filter having asymmetrically corrugated resonators | |
| US9343789B2 (en) | Compact microstrip bandpass filter with multipath source-load coupling | |
| EP0423114A1 (en) | Microwave multiplexer with multimode filter. | |
| RU2687878C1 (en) | Band-pass selective-frequency surface | |
| RU2400874C1 (en) | Strip-line filter | |
| RU2619137C2 (en) | Multilayer bandpass filter | |
| RU2590313C1 (en) | Strip harmonic filter | |
| CN108028450B (en) | kinds of filtering units and filters | |
| KR100369211B1 (en) | Monoblock dielectric duplexer | |
| RU2715358C1 (en) | High-selective high-pass strip filter | |
| JP4079944B2 (en) | Waveguide E-plane RF bandpass filter with pseudo-elliptical response | |
| KR100763582B1 (en) | Compact wave-guide filter | |
| US20210066773A1 (en) | Bandpass filter | |
| TWI528624B (en) | Balanced tri - band band - pass filter | |
| EP3991242B1 (en) | A waveguide band-stop filter arrangement | |
| RU2806696C1 (en) | Waveguide ultranarrow microwave filter |