RU2679760C1 - Method and device for determining local mechanical stress in film on substrate - Google Patents
Method and device for determining local mechanical stress in film on substrate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2679760C1 RU2679760C1 RU2017135682A RU2017135682A RU2679760C1 RU 2679760 C1 RU2679760 C1 RU 2679760C1 RU 2017135682 A RU2017135682 A RU 2017135682A RU 2017135682 A RU2017135682 A RU 2017135682A RU 2679760 C1 RU2679760 C1 RU 2679760C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- film
- curvature
- determined
- determining
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01L—CYCLICALLY OPERATING VALVES FOR MACHINES OR ENGINES
- F01L1/00—Valve-gear or valve arrangements, e.g. lift-valve gear
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к способам измерения механических свойств материалов, в том числе механических напряжений, с использованием оптических приборов для анализа напряжений.The invention relates to methods for measuring the mechanical properties of materials, including mechanical stresses, using optical instruments for stress analysis.
Проведение технологических операций изменяет поверхность пластин (например, полупроводниковые подложки), изгибая или выравнивая ее. Следовательно, изменяется площадь контактирования между пластинами, что изменяет вероятность их успешного сращивания при операции бондинга. В процессе проведения контактной литографии варьируется площадь соприкосновения между маской и поверхностью пластины, а значит, изменяется вероятность формирования элементов с минимальными топологическими размерами. Использование различных масок позволяет воздействовать на незащищенный материал, изменяя параметры локальной области пластины (кристалла). Механические напряжения в пленках могут привести к растрескиванию, отслаиванию или гофрированию пленки, что снижает надежность и производительность устройств. Поэтому, необходимо измерять параметр материала (например, кривизну поверхности, двухосный модуль упругости) после каждого этапа обработки в локальной области пластины. Таким образом, важно знать механические свойства для повышения выхода годных кристаллов, а также для повышения надежности и производительности устройств.Carrying out technological operations changes the surface of the wafers (for example, semiconductor substrates) by bending or leveling it. Therefore, the contact area between the plates changes, which changes the likelihood of their successful splicing during the bonding operation. In the process of contact lithography, the area of contact between the mask and the surface of the plate varies, which means that the probability of formation of elements with minimal topological dimensions changes. The use of various masks allows you to act on unprotected material by changing the parameters of the local area of the plate (crystal). Mechanical stresses in the films can lead to cracking, peeling or corrugation of the film, which reduces the reliability and performance of the devices. Therefore, it is necessary to measure the material parameter (for example, surface curvature, biaxial elastic modulus) after each processing step in the local area of the plate. Thus, it is important to know the mechanical properties to increase the yield of suitable crystals, as well as to increase the reliability and performance of the devices.
Известно изобретение на устройство и способ определения свойств материалов под действием локального растягивающего напряжения через механический контакт, создаваемый стилусом [1].The invention is known for a device and method for determining the properties of materials under the action of local tensile stress through a mechanical contact created by a stylus [1].
К недостаткам аналога можно отнести необратимые деформации в структуре в процессе измерений. Учитывая, что способ является контактным, то при работе с целой пластиной может возникнуть цепная реакция между соседними кристаллами. При исследовании одного кристалла, трещины могут перейти на соседний кристалл и так далее. В результате, снизится точность проведения исследования. В некоторых случаях пластина может расколоться.The disadvantages of the analogue include irreversible deformation in the structure during measurements. Given that the method is contact, then when working with a whole plate a chain reaction may occur between neighboring crystals. When examining a single crystal, cracks can go to the neighboring crystal and so on. As a result, the accuracy of the study will decrease. In some cases, the plate may crack.
Известен аналог на систему и способ обнаружения локального механического напряжения в интегральных устройствах [2]. Излучение с лазера попадает на локальную область устройства, например, интегральная схема, выполненная на кремниевой пластине. Возникает внешняя сила, в результате которой сканирующий зонд, расположенный над интегральным устройством начинает перемещаться. Измеряя перемещение зонда, определяют работу выхода, из которой вычисляют значений механических напряжений в локальной области.A known analogue to the system and method for detecting local mechanical stress in integrated devices [2]. Laser radiation falls on the local area of the device, for example, an integrated circuit made on a silicon wafer. An external force arises, as a result of which the scanning probe located above the integrated device begins to move. Measuring the movement of the probe, determine the work function, from which the values of mechanical stresses in the local area are calculated.
К недостаткам аналога можно отнести сложность контроля отклонения зонда под действием внешней силы. Это связано с тем, что при одинаковой внешней силы величина перемещения будет разной из-за изменения свойств материала зонда в течение времени. Если выполнить зонд из платины (материала, который химически инертен к окружающей среде), то возрастает стоимость устройства. Таким образом, в течение времени погрешность способа будет возрастать.The disadvantages of the analogue include the difficulty of controlling the deflection of the probe under the influence of an external force. This is due to the fact that with the same external force, the magnitude of the displacement will be different due to changes in the properties of the probe material over time. If a probe is made of platinum (a material that is chemically inert to the environment), the cost of the device increases. Thus, over time, the error of the method will increase.
Известен патент на способ и устройство, в котором рассчитывают механические напряжения в локальной области по формуле Стони, определив кривизну поверхности и значение толщины пленки в каждой из исследуемых локальных областей пластины [3].A patent is known for a method and device in which mechanical stresses in a local area are calculated using the Stoney formula, determining the surface curvature and the film thickness in each of the studied local areas of the plate [3].
Недостатком изобретения является неопределенность остальных переменных в формуле Стони, а именно: толщины подложки в локальной области и значение двухосного модуля упругости подложки. В процессе технологического маршрута полируют и утоняют пластины, следовательно, изменяется толщина пластины и свойства упругости.The disadvantage of the invention is the uncertainty of the remaining variables in the Stony formula, namely: the thickness of the substrate in the local region and the value of the biaxial elastic modulus of the substrate. During the process route, the plates are polished and thinned; therefore, the plate thickness and the elastic properties change.
Ближайшим аналогом является способ и устройство определения локального напряжения в пленке на подложке. Способ содержит формирование карты толщины подложки, определение кривизны поверхности подложки на основе вторых производных функций, формирование карты толщины пленки, определение локального напряжения в пленке с использованием карты толщины подложки, кривизны поверхности и карты толщины пленки. Устройство содержит источник излучения, детектор излучения, компьютер, соединенный с приемными сигналами от детектора, и компьютерный носитель, имеющий машиночитаемый программный код для того, чтобы заставить компьютер создавать карту толщины подложки, определять кривизну поверхности подложки, в которой кривизна поверхности подложки определяется как вторая производная функций, формировать карту толщины пленки на подложке, определять локальное напряжение в пленке с использованием карты толщины подложки и пленки, кривизны поверхности, определяемой на основе вторых производных функции [4].The closest analogue is the method and device for determining the local voltage in the film on the substrate. The method comprises forming a map of the thickness of the substrate, determining the curvature of the surface of the substrate based on the second derivative functions, generating a map of the thickness of the film, determining the local stress in the film using a map of the thickness of the substrate, the curvature of the surface and a map of the film thickness. The device comprises a radiation source, a radiation detector, a computer connected to receiving signals from the detector, and a computer medium having computer-readable program code in order to cause the computer to create a map of the thickness of the substrate, to determine the curvature of the surface of the substrate, in which the curvature of the surface of the substrate is defined as the second derivative functions, form a map of the film thickness on the substrate, determine the local voltage in the film using a map of the thickness of the substrate and film, surface curvature Determined based on the second derivatives of [4].
К недостаткам прототипа можно отнести неопределенность переменной в формуле Стони. В процессе расчета механических напряжений по формуле Стони используется несколько переменных: толщина подложки, кривизна поверхности, толщина пленки, двухосный модуль упругости подложки. В прототипе двухосный модуль упругости материала подложки не определяется, что увеличивает погрешность определения величины механических напряжений.The disadvantages of the prototype include the uncertainty of the variable in the Stony formula. In the process of calculating mechanical stresses using the Stoney formula, several variables are used: substrate thickness, surface curvature, film thickness, biaxial elastic modulus of the substrate. In the prototype, the biaxial elastic modulus of the substrate material is not determined, which increases the error in determining the magnitude of mechanical stresses.
Также присутствует неточность в определении величины кривизны поверхности исследуемого образца. Выполняется анализ рельефа посредством функции-полинома, которая описывает рельеф поверхности. Далее, вычисляют производную первого и второго порядка этой функции. Однако, в процессе расчета производной вносится погрешность за счет дифференцирования.There is also an inaccuracy in determining the magnitude of the curvature of the surface of the test sample. The relief analysis is carried out by means of a polynomial function that describes the surface relief. Next, the first and second order derivatives of this function are calculated. However, in the process of calculating the derivative, an error is introduced due to differentiation.
Задачей настоящего изобретения является повышение точности определения механических напряжений и расширение перечня измеряемых механических свойств материалов.The objective of the present invention is to improve the accuracy of determining mechanical stresses and expand the list of measured mechanical properties of materials.
Суть изобретения состоит в том, что определяют локальное механическое напряжение в пленке на подложке и двухосный модуль упругости пленки и подложки, включающие формирование карты толщины подложки, определение кривизны поверхности, формирование карты толщины пленки, причем определяют постоянные двухосного модуля упругости подложки и пленки с помощью избыточного давления, величину кривизны поверхности определяют посредством геометрического расположения точек рельефа.The essence of the invention is that they determine the local mechanical stress in the film on the substrate and the biaxial modulus of elasticity of the film and the substrate, including forming a map of the thickness of the substrate, determining the curvature of the surface, forming a map of the thickness of the film, and determining the constants of the biaxial elastic modulus of the substrate and film using pressure, the magnitude of the curvature of the surface is determined by the geometric arrangement of the points of the relief.
Определение величины кривизны поверхности было представлена в работе [5] и показано на фиг. 1. Проведены геометрические преобразования, в результате которых получена формула (1) для расчета радиуса кривизны поверхности R посредством геометрического расположения точек рельефа без использования дифференцирования:The determination of the surface curvature was presented in [5] and shown in FIG. 1. Geometric transformations were carried out, as a result of which formula (1) was obtained for calculating the radius of curvature of the surface R by means of the geometric arrangement of relief points without using differentiation:
Достоверность формулы (1) проверена в программной среде SolidWorks. Построена дуга ADB с произвольными значениями координат точек (xi, yi). Далее произведен расчет радиуса R по формуле (1). После этого проведены отрезки BP, АР длиной R таким образом, что длина отрезков AP, DP и BP одинаковая. Получен замкнутый контур ADBP. Это доказывает достоверность формулы (1).The validity of formula (1) is verified in the SolidWorks software environment. An ADB arc is constructed with arbitrary values of the coordinates of the points (x i , y i ). Next, the radius R is calculated by the formula (1). After that, the segments BP, AP of length R were drawn so that the lengths of the segments AP, DP and BP are the same. Received closed loop ADBP. This proves the validity of formula (1).
Далее был составлен алгоритм вычисления величины R по формуле (1). Алгоритм в виде программного кода для ЭВМ интегрирован в компьютер, связанный с источником излучения, детектором излучения и компрессором.Next, an algorithm for calculating the value of R by the formula (1) was compiled. The algorithm in the form of computer program code is integrated into a computer connected to a radiation source, radiation detector, and compressor.
Величина двухосного модуля упругости подложки (Е/(1-μ)) определяется с помощью избыточного давления воздуха, создаваемого компрессором. Переменная (Е/(1-μ)) выражается из формулы (2):The value of the biaxial elastic modulus of the substrate (E / (1-μ)) is determined using the excess air pressure created by the compressor. The variable (E / (1-μ)) is expressed from formula (2):
где Р - избыточное давление, w- отклонение центра исследуемой структуры; σo, a, t, Е и μ - остаточное напряжение, радиус, толщина, модуль Юнга и коэффициент Пуассона исследуемой структуры, С1 и С2 - постоянные, которые зависят от геометрии исследуемой структуры.where P is the excess pressure, w is the deviation of the center of the investigated structure; σ o , a , t, E and μ are the residual stress, radius, thickness, Young's modulus and Poisson's ratio of the structure under study, C 1 and C 2 are constants that depend on the geometry of the structure under study.
Далее рассчитывают величины механических напряжений по формуле (3) Стони без использования значений постоянных материалов из литературных источников:Next, calculate the values of mechanical stresses according to the formula (3) Stoney without using the values of constant materials from literary sources:
где σ - механические напряжения в пленке, hs - толщина подложки, hƒ - толщина пленки.where σ is the mechanical stress in the film, h s is the thickness of the substrate, h ƒ is the thickness of the film.
Массив значений переменных E/(1-μ), hs, hƒ и R подставляются в формулу (3). Таким образом, все значения определены на основе эксперимента. Это позволит рассчитать значение механических напряжений с большей точностью по формуле Стони.An array of values of the variables E / (1-μ), h s , h ƒ and R are substituted into formula (3). Thus, all values are determined based on experiment. This will allow you to calculate the value of mechanical stresses with greater accuracy according to the Stoney formula.
Аналогично, возможно определить величину двухосного модуля упругости пленки, которая позволяет определить механические свойства пленки. Зная величину двухосного модуля подложки и пленки можно более точно составить модель, следовательно, с меньшей погрешностью спрогнозировать срок службы прибора и его производительность. Учитывая миниатюрность устройств на основе нано- и микро размерных пленок и суровые условия работы прибора, возникают различные размерные и температурные эффекты, которые изменяют свойства упругости используемого материала. При изменении свойств материала, изменяются пределы эксплуатации прибора и его производительность. Таким образом, расширение набора измеряемых механических свойств материалов (по сравнению с прототипом) позволит более точно контролировать на этапе разработки пределы эксплуатации прибора и его производительность и своевременно вносить коррективы.Similarly, it is possible to determine the value of the biaxial elastic modulus of the film, which allows you to determine the mechanical properties of the film. Knowing the value of the biaxial module of the substrate and the film, it is possible to more accurately compose a model, therefore, with a lesser error, predict the life of the device and its performance. Considering the miniature size of devices based on nano- and micro-sized films and the harsh operating conditions of the device, various dimensional and temperature effects arise that change the elastic properties of the material used. When changing the properties of the material, the limits of operation of the device and its performance change. Thus, the expansion of the set of measured mechanical properties of materials (compared with the prototype) will allow more accurate control at the stage of development of the limits of operation of the device and its performance and timely adjustments.
На фиг. 1 показана схема для анализа рельефа поверхности с целью расчета величины кривизны поверхности. На фиг. 2 показана схема устройства для определения локального механического напряжения в пленке на подложке и двухосного модуля упругости пленки и подложки, включающая столик 1, источник излучения 2, детектор излучения 3, компьютер 4, компрессор 5.In FIG. 1 shows a diagram for analyzing a surface topography in order to calculate a surface curvature value. In FIG. 2 shows a diagram of a device for determining local mechanical stress in a film on a substrate and a biaxial elastic modulus of a film and a substrate, including a
Пример конкретного применения устройства.An example of a specific application of the device.
Устройство состоит из столика 1, на который устанавливается подложка с нанесенной на ней пленкой, источника излучения 2, детектора излучения 3, компьютера 4, соединенного с источником излучения 2, детектором излучения 3 и компрессора 5.The device consists of a table 1, on which a substrate is installed with a film deposited on it, a
Устройство работает следующим образом. Возникает излучение от источника излучения 2, которое попадает на подложку с пленкой. Отраженная часть излучения фиксируется детектором излучения 3. Весь процесс управляется компьютером 4. Избыточное давление с компрессора 5 подается на подложку с пленкой.The device operates as follows. There is radiation from the
Пример конкретного применения способа.An example of a specific application of the method.
Зная интенсивность падающего и отраженного излучения, формируют карту толщины подложки, карту толщины пленки. С помощью компьютера анализируют рельеф поверхности, определяя кривизну локальной области исследуемого образца. Определяют кривизну поверхности подложки посредством геометрического расположения точек без использования производных. Рассчитывают величину механического напряжения по формуле Стони (3) с использованием двухосного модуля упругости подложки из литературных источников. Затем начинают подавать избыточное давление. Таким образом, получают график зависимости прогиба от избыточного давления. Далее по формуле (2) получают набор значений двухосного модуля упругости материала для набора пар значений избыточное давление-прогиб. Вычисляют среднее значение двухосного модуля упругости. Полученное значение подставляют в формулу Стони (3) и рассчитывают величину механических напряжений без использования значений постоянных материалов из литературных источников.Knowing the intensity of the incident and reflected radiation, form a map of the thickness of the substrate, a map of the film thickness. Using a computer to analyze the surface topography, determining the curvature of the local area of the investigated sample. The curvature of the surface of the substrate is determined by means of the geometric arrangement of points without using derivatives. The value of the mechanical stress is calculated according to the Stoney formula (3) using a biaxial elastic modulus of the substrate from literary sources. Then they begin to apply excess pressure. Thus, a graph of the deflection versus overpressure is obtained. Then, using the formula (2), a set of values of the biaxial elastic modulus of the material is obtained for a set of pairs of values of excess pressure-deflection. The average value of the biaxial elastic modulus is calculated. The obtained value is substituted into the Stoney formula (3) and the value of mechanical stresses is calculated without using the values of constant materials from literary sources.
Таким образом, предлагаемое устройство и способ позволяют более точно определить механические напряжения в пленке на подложке, а также определить двухосный модуль упругости пленки и подложки.Thus, the proposed device and method can more accurately determine the mechanical stresses in the film on the substrate, as well as determine the biaxial elastic modulus of the film and the substrate.
Источники информации:Information sources:
1. Международный патент №2017/100665.1. International patent No. 2017/100665.
2. Патент РФ №2466381.2. RF patent No. 2466381.
3. Патент США №9625823.3. US patent No. 9625823.
4. Патент США №8534135 - прототип.4. US patent No. 8534135 - prototype.
5. Дюжев Н.А., Дедкова А.А., Гусев Е.Э., Новак А.В.. Методика измерения механических напряжений в тонких пленках на пластине с помощью оптического профилометра // Известия Вузов. Электроника. 2016, №4, с. 367-372.5. Dyuzhev N.A., Dedkova A.A., Gusev E.E., Novak A.V. Methodology for measuring mechanical stresses in thin films on a plate using an optical profilometer // Izvestiya Vuzov. Electronics. 2016, No. 4, p. 367-372.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017135682A RU2679760C1 (en) | 2017-10-06 | 2017-10-06 | Method and device for determining local mechanical stress in film on substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017135682A RU2679760C1 (en) | 2017-10-06 | 2017-10-06 | Method and device for determining local mechanical stress in film on substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2679760C1 true RU2679760C1 (en) | 2019-02-12 |
Family
ID=65442421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017135682A RU2679760C1 (en) | 2017-10-06 | 2017-10-06 | Method and device for determining local mechanical stress in film on substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2679760C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112857624A (en) * | 2021-01-04 | 2021-05-28 | 北京科技大学 | Measuring device for stress in coating and operation method |
| RU2793300C1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-03-31 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук (ИМАШ РАН) | Method for determining residual stresses in hard coatings on non-rigid substrates |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110265578A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Nanometrics Incorporated | Local Stress Measurement |
| RU2466381C2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-11-10 | Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн | System and method of detecting local mechanical stress in integrated devices |
| US9625823B1 (en) * | 2010-06-17 | 2017-04-18 | Kla-Tencor Corporation | Calculation method for local film stress measurements using local film thickness values |
-
2017
- 2017-10-06 RU RU2017135682A patent/RU2679760C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2466381C2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-11-10 | Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн | System and method of detecting local mechanical stress in integrated devices |
| US20110265578A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Nanometrics Incorporated | Local Stress Measurement |
| US9625823B1 (en) * | 2010-06-17 | 2017-04-18 | Kla-Tencor Corporation | Calculation method for local film stress measurements using local film thickness values |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112857624A (en) * | 2021-01-04 | 2021-05-28 | 北京科技大学 | Measuring device for stress in coating and operation method |
| RU2793300C1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-03-31 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук (ИМАШ РАН) | Method for determining residual stresses in hard coatings on non-rigid substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2526409B1 (en) | Site based quantification of substrate topography and its relation to lithography defocus and overlay | |
| US20040263864A1 (en) | Apparatus and measurement procedure for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces | |
| US11009340B2 (en) | Film thickness measuring method and film thickness measuring apparatus | |
| US6853942B2 (en) | Metrology hardware adaptation with universal library | |
| US9933699B2 (en) | Pellicle aging estimation and particle removal from pellicle via acoustic waves | |
| JP2011053157A (en) | Strain measuring method, strain measuring device, and program | |
| US11248904B2 (en) | Systems and methods for real time measurement of surface curvature and thermal expansion of small samples | |
| RU2679760C1 (en) | Method and device for determining local mechanical stress in film on substrate | |
| JP2023551818A (en) | Surface topography measurement device and method | |
| KR100324321B1 (en) | A measurement method and device for depth and gradient of trench in semiconductor device | |
| US9829427B2 (en) | Method and system for characterization of nano- and micromechanical structures | |
| TW201543016A (en) | Stress analysis of semiconductor wafers | |
| US6457359B1 (en) | Apparatus and methods for measuring stress in a specimen including a thin membrane | |
| Djuzhev et al. | Non-destructive method of surface mapping to improve accuracy of mechanical stresses measurements | |
| Dixson et al. | Toward traceability for at-line AFM dimensional metrology | |
| JPWO2019087355A1 (en) | Semiconductor device test method and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2002189287A (en) | Mask blank evaluating method and apparatus | |
| JP2007521476A (en) | Method for evaluating submicron groove structures | |
| Kregting et al. | Local stress analysis on semiconductor devices by combined experimental–numerical procedure | |
| US6057914A (en) | Method for detecting and identifying a lens aberration by measurement of sidewall angles by atomic force microscopy | |
| JP4019039B2 (en) | Capacitance type thickness measurement method | |
| US7375537B2 (en) | Method and apparatus for measuring relative dielectric constant | |
| JP4825972B2 (en) | Method for obtaining the relationship between leakage surface acoustic wave velocity, chemical composition ratio and linear expansion coefficient of material having striae, and TiO2 concentration measuring method and linear expansion coefficient measuring method of TiO2-SiO2 glass using the relationship | |
| Haessler-Grohne et al. | Characterization of a 100-nm 1D pitch standard by metrological SEM and SFM | |
| de Boer et al. | Integrated platform for testing MEMS mechanical properties at the wafer scale by the IMaP methodology |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20200207 Effective date: 20200207 |