RU2669159C1 - Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия - Google Patents
Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2669159C1 RU2669159C1 RU2017145258A RU2017145258A RU2669159C1 RU 2669159 C1 RU2669159 C1 RU 2669159C1 RU 2017145258 A RU2017145258 A RU 2017145258A RU 2017145258 A RU2017145258 A RU 2017145258A RU 2669159 C1 RU2669159 C1 RU 2669159C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- germanium
- temperature
- heated
- specified
- sublimation
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоев германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур. Технический результат от использования изобретения - стабильное обеспечение заданных степеней легирования при отсутствии дефектов роста в широком интервале степеней легирования эпитаксиально выращиваемых слоев германия. Для достижения указанного технического результата предлагается способ эпитаксиального выращивания легированных слоев германия путем формирования в вакуумной камере направляемого на подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из газовой фазы при высокой температуре, и легирующего элемента, одновременно поступающего в зону формирования указанного общего атомарного потока из автономного источника, характеризующийся тем, что выращивание ведут путем формирования при низком вакууме направляемого на нагреваемую подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из германа в присутствии нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, резистивно нагреваемого при температуре указанного элемента 1300-1550°С, и германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности 860-900°С, расположенной рядом с упомянутым нагревательным элементом и изготовленной из германия, содержащего легирующий элемент, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.
Description
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоев германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
Известная технология эпитаксии легированного германия, восстанавливаемого для увеличения скорости эпитаксии из его газовой галогенидной (хлоридной или гидридной) фазы в сочетании с одновременным восстановлением легирующего элемента из его галогенидной фазы (см., например, описание изобретения «Способ эпитаксиального выращивания слоев полупроводниковых материалов» по авторскому свидетельству СССР №202331, H01L, 1968), из-за неустойчивости газофазного процесса восстановления легирующего элемента характеризуется низкой стабильностью заданной степени легирования.
В связи с отсутствием источников информации со сведениями о вакуумном эпитаксиальном выращивании легировании слоев германия на основе его восстанавления из германа в присутствии нагревательного элемента, резистивно нагретого (нагретого в результате пропускания через него электрического тока) и изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, и поступления легирующего элемента в зону формирования общего атомарного потока (образующегося из указанных германия и легирующего элемента) из автономного источника выбрана форма раскрытия сущности заявляемого изобретения в предлагаемых описании и формуле указанного изобретения - без прототипа.
Технический результат от использования предлагаемого изобретения - стабильное обеспечение заданных степеней легирования при отсутствии дефектов роста в широком интервале степеней легирования эпитаксиально выращиваемых слоев германия на основе одновременного сочетания в одной вакуумной камере восстанавления германия из германа в присутствии нагревательного элемента, резистивно нагреваемого при высокой температуре (1300-1550°С) указанного элемента и изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, и поступления вместе с указанным атомарным германием на рабочую поверхность нагреваемой подложки атомарного потока германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре (860-900°С) указанной поверхности, близкой к температуре плавления германия, расположенной рядом с упомянутым нагревательным элементом и изготовленной из германия, содержащего легирующий элемент, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
Для достижения указанного технического результата предлагается способ эпитаксиального выращивания легированных слоев германия путем формирования в вакуумной камере направляемого на подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из газовой фазы при высокой температуре, и легирующего элемента, одновременно поступающего в зону формирования указанного общего атомарного потока из автономного источника, характеризующийся тем, что предлагаемое выращивание ведут путем формирования при низком вакууме направляемого на нагреваемую подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из германа в присутствии нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, резистивно нагреваемого при температуре указанного элемента 1300-1550°С, и германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности 860-900°С, расположенной рядом с упомянутым нагревательным элементом и изготовленной из германия, содержащего легирующий элемент, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
Для получения высокостабильного по отсутствию дефектов роста слоя Ge-Ga в интервале концентраций галлия 8.8⋅1017, 1.2⋅1018 и 3.0⋅1018 предлагаемое выращивание ведут путем формирования при парциальном давлении 9⋅10-4 Торр направляемого на нагреваемую до 250°С кремниевую подложку Si (100), предварительно при парциальном давлении <10-8 Торр нагреваемую при температуре указанной подложки 900°С в течение 30 мин, общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из моногермана в присутствии танталовой полоски, резистивно нагреваемой при температуре указанной полоски 1400°С, и германия с галлием, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности, соответственно, 860, 880 и 900°С, расположенной рядом с упомянутой танталовой полоской и изготовленной из монокристаллического германия, содержащего галлий в пределах легирования, задаваемого германием марки ГДГ-0.003, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации;
а для получения высокостабильного по отсутствию дефектов роста слоя Ge-Sb в интервале концентраций сурьмы 4.4⋅1016, 9.0⋅1015 и 3.0⋅1015 предлагаемое выращивание ведут путем формирования при парциальном давлении 9⋅10-4 Торр направляемого на нагреваемую до 250°С кремниевую подложку Si (100), предварительно при парциальном давлении <108 Торр нагреваемую при температуре указанной подложки 900°С в течение 30 мин, общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из моногермана в присутствии танталовой полоски, резистивно нагреваемой при температуре указанной полоски 1400°С, и германия с сурьмой, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности, соответственно, 860, 880 и 900°С, расположенной рядом с упомянутой танталовой полоской и изготовленной из монокристаллического германия, содержащего сурьму в пределах легирования, задаваемого германием марки ГЭС-0.005, обладающую более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
На фиг. 1 схематически показана установка для вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоев германия в соответствии с предлагаемым способом.
В вакуумной камере 1 установлены разделенные тепловым экраном 2 танталовая полоска 3 и узкая сублимационная пластина 4, изготовленная из германия, содержащего легирующий элемент, снабженные, соответственно токовводами 5 и 6, и кремниевая подложка 7, оснащенная нагревателем 8 радиационного нагрева.
Перед узлом размещения танталовой полоски 3 и сублимационной пластиной 4 (в промежутке между ними и кремниевой подложкой 7) установлены (по одному перед танталовой полоской 3 и сублимационной пластиной 4) два подвижных экрана 9, раздвигающихся для поступления на кремниевую подложку 7 общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из германа, и германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности резистивно нагреваемой сублимационной пластины 4, а в стенке вакуумной камеры 1 смонтирован вентиль 10 для напуска при низком давлении газа моногермана (GeH4).
Предлагаемый способ проводят следующим образом.
Кремниевую подложку 7 после стандартной химической обработки, обычно используемой в планарной технологии, помещают в вакуумную камеру 1, которую откачивают до парциальных давлений <10-8 Торр, нагревают до 900°С и в течение 30 минут выдерживают при указанной температуре кремниевой подложки 7 для удаления покрывающей ее окисной пленки.
Затем, одновременно проводят при низком (за счет напуска моногермана в камеру 1) вакууме (9⋅10-4 Торр) осаждение германия на рабочую поверхность кремниевой подложки 7 путем пиролиза моногермана в присутствии резистивно нагреваемой при высокой температуре (1200-1500°С) танталовой полоски 3, расположенной на расстоянии - от 3 до 5 см. от подложки 7 и осаждение германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности узкой прямоугольной пластины, резистивно нагреваемой при температуре (860-900°С) указанной поверхности, близкой к температуре плавления германия, и вырезанной из монокристалла германия, легированного заданной примесью.
В двух следующих примерах, подтверждающих достижение технического результата предлагаемого способа в случаях изготовления сублимационной пластины 4 из германия, содержащего в качестве легирующего элемента, обладающего более высокой, чем германий, скоростью сублимации, галлий и сурьму, был выбран германий марки, соответственно, ГДГ-0,003 и ГЭС-0.005.
При этом в примерах проведения предлагаемого способа выбор температуры нагрева (TSi) кремниевой подложки 7 определился оптимальной (минимальной) с точки зрения энергозатрат величиной -250°С в пределах рекомендованного в технологии вакуумной эпитаксии германия на кремний для кремниевой подложки интервала температур нагрева указанной подложки 250-400°С (см., например, статью на англ. яз. авторов G. Capellini, W.М. Klesse, G. Mattoni «Alternative High n-Type Doping Techniques in Germanium» - ECS Transactions. 2014, v. 64, p. 163-171).
Причем, при температурах кремниевой подложки ниже 250°С растут эпитаксиальные слои германия с высоким уровнем дефектов и они имеют структуру поликристалла, при температуре кремниевой подложки выше 400°С слои германия растут с образованием островков, т.е. нарушается послойный рост.
А значения концентрации носителей (дырок), которая была отождествлена с концентрацией (N, см-2) атомов галлия и сурьмы в сублимационных слоях германия, определены на основе данных холловских измерений.
Пример 1.
Получение высокостабильного по отсутствию дефектов роста слоя Ge-Ga в интервале концентраций галлия (NGa) 8.8⋅1017, 1.2⋅1018 и 3.0⋅1018 достигнуто в результате выращивания путем формирования при парциальном давлении (давлении моногермана в вакуумной камере) 9⋅10-4 Торр направляемого на нагреваемую до температуры (TSi) 250°С кремниевую подложку Si (100), предварительно при парциальном давлении <10-8 Торр нагреваемую при температуре указанной подложки 900°С в течение 30 мин, общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из моногермана в присутствии танталовой полоски, резистивно нагреваемой при температуре указанной полоски (ТТа) 1400°С, и германия с галлием, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности (TGe-Ga), соответственно, 860, 880 и 900°С, расположенной рядом с упомянутой танталовой полоской и изготовленной из монокристаллического германия, содержащего галлий в пределах легирования, задаваемого германием марки ГДГ-0.003, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
Пример 2.
Получение высокостабильного по отсутствию дефектов роста слоя Ge-Sb в интервале концентраций сурьмы (NSb) 4.4⋅1016, 9.0⋅1015 и 3.0⋅1015 достигнуто в результате выращивания путем формирования при парциальном давлении (давлении моногермана в вакуумной камере) 9⋅10-4 Торр направляемого на нагреваемую до температуры (TSi) 250°С кремниевую подложку Si (100), предварительно при парциальном давлении <10-8 Торр нагреваемую при температуре указанной подложки 900°С в течение 30 мин, общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из моногермана в присутствии танталовой полоски, резистивно нагреваемой при температуре указанной полоски (ТТа) 1400°С, и германия с сурьмой, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности (TGe-Sb), соответственно, соответственно, 860, 880 и 900°С, расположенной рядом с упомянутой танталовой полоской и изготовленной из монокристаллического германия, содержащего сурьму в пределах легирования, задаваемого германием марки ГЭС-0.005, обладающую более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
Экспериментальные данные, полученные при проведении предлагаемого способа и подтверждающие существенность температур нагрева (ТТа) нагревательного элемента (необходимого для восстановления германия из германа), выполненного в виде танталовой полоски, и температур нагрева (TGe-Ga) сублимационной пластины (источника атомарного потока германия и легирующего элемента, на примере галлия) приведены в таблице 1.
В таблице 1:
С повышением температуры нагрева сублимационной пластины (источника атомарного потока германия и галлия) от 860 до 900°С концентрация галлия в эпитаксиальном слое германия повышается от 8.8⋅1017 до 3.0⋅1018 ат/см3.
При изменении температуры танталовой полоски от 1300 до 1550°С концентрация галлия в эпитаксиальном слое германия возрастает от 3.4⋅1016 до 2.0⋅1018 ат/см3.
При повышении температуры подложки от 250 до 400°С концентрация галлия в эпитаксиальном слое германия снижается от 6.6⋅1016 до 7.8⋅1015 ат/см3.
Причем, допустимым и достаточным для достижения поставленной цели является:
диапазон температур нагрева сублимационной пластины (источника атомарного потока германия и галлия) 860-900°С, т.к. при температурах нагрева ниже 860°С скорость сублимации атомов галлия низка и поток их к поверхности подложки сильно обеднен, в связи с чем получаются эпитаксиальные слои германия слои с низкой концентрацией легирующей примеси, и при температурах нагрева более 900°С часто наблюдается подплав указанной сублимационной пластины, что приводит к ее расплавлению и срыву процесса выращивания легированного эпитаксиального слоя германия;
диапазон температур нагрева танталовой полоски 1300 - 1500°С, т.к. при температурах нагрева менее 1300°С скорость роста эпитаксиальных слоев германия резко снижается из-за низкого коэффициента разложения германа на танталовой полоске и при температурах нагрева выше 1500°С наблюдается также снижение скорости роста эпитаксиальных слоев германия из-за образования на поверхности танталовой полоски танталовых соединений, которые затрудняют взаимодействие моногермана и тантала.
Экспериментальные данные, полученные при проведении предлагаемого способа и подтверждающие существенность температур нагрева (TGe-Sb) сублимационной пластины (источника атомарного потока германия и легирующего элемента, на примере сурьмы) приведены в таблице 2.
В таблице 2:
С повышением температуры нагрева сублимационной пластины (источника атомарного потока германия и галлия) от 860 до 900°С концентрация сурьмы в эпитаксиальном слое германия изменяется в широком интервале степеней его легирования и снижается.
Причем концентрация сурьмы в таблице 2 эта ниже, чем концентрация галлия в таблице 1, что связано с более сильной десорбцией атомов сурьмы с поверхностью растущего легированного эпитаксиального слоя германия и что снижает эффективность сурьмы в указанном слое.
Наконец, существенность превышения скорости сублимации легирующего элемента над скоростью сублимации германия подтверждается тем, что в случае превышения скорости сублимации германия над скоростью сублимации легирующего элемента, например, железа или хрома, т.к. при одинаковой температуре давление паров железа или хрома ниже, чем у германия (см. книгу Несмеянова А.К. «Давление паров химических элементов». М., АН СССР, 1961, с. 396), что приводит к резкому уменьшению интервала степеней легирования эпитаксиального слоя германия.
И наоборот, увеличение скорости сублимации легирующего элемента в сравнении со скоростью сублимации германия обеспечивает более высокую степень температурного регулирования доли атомарной составляющей испаряемого легирующего элемента в атомарном потоке германия и легирующего элемента, испаряемых с поверхности сублимационной пластины (источника атомарного потока германия и легирующего элемента), и поэтому расширение интервала степеней легирования эпитаксиального слоя германия, что подтверждают таблицы 1 и 2 на примере легирующих элементов - галлия и сурьмы.
Результаты исследования легированных эпитаксиальных слоев германия, полученных при температурных режимных параметрах, указанных в таблицах 1 и 2, на рентгеновском дифрактометре высокого разрешения D8 DISCOVER (Bruker, Германия) показали, что растут высококачественные слои. Причем структурное совершенство этих легированных слоев германия соответствовало структурному совершенству нелегированных слоев германия.
Claims (3)
1. Способ эпитаксиального выращивания легированных слоев германия путем формирования в вакуумной камере направляемого на подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из газовой фазы при высокой температуре, и легирующего элемента, одновременно поступающего в зону формирования указанного общего атомарного потока из автономного источника, характеризующийся тем, что предлагаемое выращивание ведут путем формирования при низком вакууме направляемого на нагреваемую подложку общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из германа в присутствии нагревательного элемента, изготовленного из тугоплавкого металла типа тантала, резистивно нагреваемого при температуре указанного элемента 1300-1550°С, и германия с легирующим элементом, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности 860-900°С, расположенной рядом с упомянутым нагревательным элементом и изготовленной из германия, содержащего легирующий элемент, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, для получения высокостабильного по отсутствию дефектов роста слоя Ge-Ga в интервале концентраций галлия 8.8⋅1017, 1.2⋅1018 и 3.0⋅1018 предлагаемое выращивание ведут путем формирования при парциальном давлении 9⋅10-4 Торр направляемого на нагреваемую до 250°С кремниевую подложку Si (100), предварительно при парциальном давлении < 10-8 Торр нагреваемую при температуре указанной подложки 900°С в течение 30 мин, общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из моногермана в присутствии танталовой полоски, резистивно нагреваемой при температуре указанной полоски 1400°С, и германия с галлием, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности соответственно 860, 880 и 900°С, расположенной рядом с упомянутой танталовой полоской и изготовленной из монокристаллического германия, содержащего галлий в пределах легирования, задаваемого германием марки ГДГ-0.003, обладающий более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для получения высокостабильного по отсутствию дефектов роста слоя Ge-Sb в интервале концентраций сурьмы 4.4⋅1016, 9.0⋅1015 и 3.0⋅1015 предлагаемое выращивание ведут путем формирования при парциальном давлении 9⋅10-4 Торр направляемого на нагреваемую до 250°С кремниевую подложку Si (100), предварительно при парциальном давлении < 10-8 Торр нагреваемую при температуре указанной подложки 900°С в течение 30 мин, общего атомарного потока, образующегося из германия, восстанавливаемого из моногермана в присутствии танталовой полоски, резистивно нагреваемой при температуре указанной полоски 1400°С, и германия с сурьмой, испаряемых с поверхности сублимационной пластины, резистивно нагреваемой при температуре указанной поверхности соответственно 860, 880 и 900°С, расположенной рядом с упомянутой танталовой полоской и изготовленной из монокристаллического германия, содержащего сурьму в пределах легирования, задаваемого германием марки ГЭС-0.005, обладающую более высокой, чем германий, скоростью сублимации.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017145258A RU2669159C1 (ru) | 2017-12-21 | 2017-12-21 | Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017145258A RU2669159C1 (ru) | 2017-12-21 | 2017-12-21 | Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2669159C1 true RU2669159C1 (ru) | 2018-10-08 |
Family
ID=63798353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017145258A RU2669159C1 (ru) | 2017-12-21 | 2017-12-21 | Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2669159C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2775812C1 (ru) * | 2021-09-08 | 2022-07-11 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» | Способ изготовления эпитаксиальной тонкопленочной структуры германия, легированной бором |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286334A (en) * | 1991-10-21 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Nonselective germanium deposition by UHV/CVD |
| WO2000044038A1 (en) * | 1999-01-26 | 2000-07-27 | University Of Vermont And State Agricultural College | Plasma enhanced cvd process for rapidly growing semiconductor films |
| RU2511279C1 (ru) * | 2012-10-22 | 2014-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского" | Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур |
| US20160053403A1 (en) * | 2014-08-21 | 2016-02-25 | National Central University | Method of epitaxial growth of a germanium film on a silicon substrate |
| RU2585900C1 (ru) * | 2015-03-10 | 2016-06-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры |
| RU2622092C1 (ru) * | 2016-07-13 | 2017-06-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение |
-
2017
- 2017-12-21 RU RU2017145258A patent/RU2669159C1/ru active IP Right Revival
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286334A (en) * | 1991-10-21 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Nonselective germanium deposition by UHV/CVD |
| WO2000044038A1 (en) * | 1999-01-26 | 2000-07-27 | University Of Vermont And State Agricultural College | Plasma enhanced cvd process for rapidly growing semiconductor films |
| RU2511279C1 (ru) * | 2012-10-22 | 2014-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского" | Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур |
| US20160053403A1 (en) * | 2014-08-21 | 2016-02-25 | National Central University | Method of epitaxial growth of a germanium film on a silicon substrate |
| RU2585900C1 (ru) * | 2015-03-10 | 2016-06-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры |
| RU2622092C1 (ru) * | 2016-07-13 | 2017-06-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2775812C1 (ru) * | 2021-09-08 | 2022-07-11 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» | Способ изготовления эпитаксиальной тонкопленочной структуры германия, легированной бором |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3650727B2 (ja) | 炭化珪素製造方法 | |
| TWI692545B (zh) | 形成高ｐ型摻雜鍺錫膜的方法以及包含該等膜的結構和裝置 | |
| Fan et al. | p-Type ZnO materials: Theory, growth, properties and devices | |
| JP5562641B2 (ja) | マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素およびその製造方法 | |
| JP4954959B2 (ja) | 高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶 | |
| US8163086B2 (en) | Halogen assisted physical vapor transport method for silicon carbide growth | |
| JP2017526191A (ja) | 低温で結晶層特にｉｖ族半導体層を堆積する方法及び光電子部品 | |
| US10026610B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device manufacturing method | |
| JP2012038973A (ja) | シリコンウエハ及びその製造方法 | |
| JP2011176360A (ja) | （１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイス | |
| US20210399095A1 (en) | Sic semiconductor substrate, and, production method therefor and production device therefor | |
| US6379472B1 (en) | Group III-nitride thin films grown using MBE and bismuth | |
| RU2669159C1 (ru) | Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия | |
| US8802546B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP4772271B2 (ja) | 正極性にドープされた広い禁止帯を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）半導体の製法 | |
| KR20200142482A (ko) | 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법 | |
| TW200414310A (en) | MBE growth of an AlGaN layer or AlGaN multilayer structure | |
| JP3590464B2 (ja) | ４ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法 | |
| Kim et al. | β-SiC Thin film growth using microwave plasma activated CH4-SiH4 sources | |
| Takahashi et al. | Effect of acceptor impurity addition in low temperature growth of 3C-SiC | |
| Wagener et al. | Characterization of secondary phases formed during MOVPE growth of InSbBi mixed crystals | |
| He et al. | The growth of 3C-SiC on Si substrate using a SiCN buffer layer | |
| Zinenko et al. | Growth of SiC films on silicon substrate by cold implantation of carbon recoil atoms | |
| Chubarov et al. | Growth of aluminum nitride on flat and patterned Si (111) by high temperature halide CVD | |
| RU2775812C1 (ru) | Способ изготовления эпитаксиальной тонкопленочной структуры германия, легированной бором |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201222 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20211210 |