RU2665855C1 - Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий - Google Patents
Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2665855C1 RU2665855C1 RU2017121681A RU2017121681A RU2665855C1 RU 2665855 C1 RU2665855 C1 RU 2665855C1 RU 2017121681 A RU2017121681 A RU 2017121681A RU 2017121681 A RU2017121681 A RU 2017121681A RU 2665855 C1 RU2665855 C1 RU 2665855C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrolyte
- copper
- indium
- ammonium acetate
- acid
- Prior art date
Links
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 9
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 7
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims abstract description 11
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 8
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims abstract description 8
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 hexamethylene diamino-succinic acid Chemical compound 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- IVRGTFOQSCGFAI-UHFFFAOYSA-N butanedioic acid;hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN.OC(=O)CCC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O IVRGTFOQSCGFAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- PQHYOGIRXOKOEJ-UHFFFAOYSA-N 2-(1,2-dicarboxyethylamino)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NC(C(O)=O)CC(O)=O PQHYOGIRXOKOEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical class [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- OXIKLRTYAYRAOE-CMDGGOBGSA-N (e)-3-(1-benzyl-3-pyridin-3-ylpyrazol-4-yl)prop-2-enoic acid Chemical compound N1=C(C=2C=NC=CC=2)C(/C=C/C(=O)O)=CN1CC1=CC=CC=C1 OXIKLRTYAYRAOE-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- NTJPVVKEZMOHNU-UHFFFAOYSA-N 6-(oxan-4-yl)-1h-indazole Chemical compound C1COCCC1C1=CC=C(C=NN2)C2=C1 NTJPVVKEZMOHNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000019321 monosodium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 1
- 229940119126 sodium bitartrate Drugs 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области гальваностегии, в частности к электролитическому осаждению сплава медь-индий, и может быть использовано в приборостроении и при дополнительной антикоррозионной защите углеродистых сталей крупногабаритных узлов, днталей, труб и других сооружений. Электролит содержит сернокислую медь, уксуснокислый аммоний и воду, при этом он дополнительно содержит гексаметилендиаминдиянтарную кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л: сернокислая медь 20 – 30; сернокислый индий 10 – 20; уксуснокислый аммоний 20 – 30; гексаметилендиаминдиянтарная кислота 40 – 50. Использование предложенного электролита обеспечивает антикоррозионную стойкость покрытия и повышает экологическую безопасность электролита и процесса. 3 пр.
Description
Изобретение относится к области гальваностегии, в частности к электролитическому осаждению сплава медь-индий и может быть использовано в приборостроении и при дополнительной антикоррозионной защите углеродистых сталей крупногабаритных узлов, деталей, труб и других сооружений.
Известен электролит для осаждения сплава медь-индий, содержащий, сульфаты меди и индия, аммония и битартрат натрия [Марченко Н.А., Терехова Л.С., Райбер З.С. В сб. «Электролитическое осаждение сплавов», ч. 2, Л., 1968, с. 50-57].
Недостатком указанного электролита является невысокая рассеивающая способность электролита и образование темных порошкообразных осадков с низкой коррозионной стойкостью (8,7-10,2 г/м2/ч).
Известен электролит для осаждения сплава медь-индий (RU 2134734 С1, 20.08.1999), в состав которого входят сернокислая медь, сернокислый индий, уксуснокислый аммоний, трилон Б (динатриевая соль этилендиаминтетрауксусной кислоты).,
К недостаткам этого электролита относится загрязняющий окружающую среду комплексон III (динатриевая соль этилендиаминтетрауксусной кислоты, ЭДТА), т.к. ЭДТА практически не поддается разложению в живой природе [S. Metsarinae, T. Tuhkanen, R. Aksela. Photodegradanion of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) and ethylenediamine disuccinic acid (EDDS) within natural UV radiation range // Chemosphere. 45 (2001). P. 949-955; V.M. Nikolskiy, L.N. Toikacheva, A.A. Yakovlev, Y.M. Khalyapina, Т.I. Smirnova. Decrease in Environmental Pollution by Complexones as Factor of Biodiversity Preservation // European Researcher, 2013, vol. (63), №11-2, p. 2675-2680] и накапливается в мировом океане, вызывая растворение отложений токсичных металлов с переходом их в раствор в виде стабильных и часто липидорастворимых комплексонатов, что приводит к отравлению планктона, рыб, птиц и высших животных.
Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту (прототипом) является щавелевокислый электролит [RU 2613838 С1, опубл. 21.03.2017], содержащий экологически безопасный диаминный комплексон - этилендиаминдиянтарную кислоту (ЭДДЯК), который, в условиях сбросов после использования электролита, быстро разлагается [S. Metsarinae, Т. Tuhkanen, R. Aksela. Photodegradanion of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) and ethylenediamine disuccinic acid (EDDS) within natural UV radiation range // Chemosphere. 45 (2001). P. 949-955; V.M. Nikolskiy, L.N. Tolkacheva, A.A. Yakovlev, Y.M. Khalyapina, T.I. Smirnova. Decrease in Environmental Pollution by Complexones as Factor of Biodiversity Preservation // European Researcher, 2013, Vol. (63), №11-2, P. 2675-2680].
Недостатком прототипа является наличие в составе ЭДДЯК значительного количества азота (9,59%), который при разложении этого комплексона может попадать в сточные воды и негативно воздействовать на окружающую среду [Hyvonen Н., Orama М., Saarine Н., Aksela R. Studies on biodegradable chelating ligands: complexation of iminodisuccinic acid (ISA) with Cu(II), Zn(II), Mn(II) and Fe(III) ions in aqueous solution // Green Chemistry. 2003, №5, P. 410-414].
Задачей изобретения является разработка электролита для осаждения покрытия из сплава медь-индий, позволяющего снизить негативное воздействие вредных химических соединений (например, азота) в области гальваностегии на природную среду.
Данная задача решается за счет того, что Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий, содержащий сернокислую медь, сернокислый индий уксуснокислый аммоний и воду, дополнительно содержит гексаметилендиаминдиянтарную кислоту, при следующем соотношении компонентов, г/л:
- сернокислая медь 20-30;
- сернокислый индий 10-20;
- уксуснокислый аммоний 20-30;
- гексаметилендиаминдиянтарная кислота 40-50
Технический результат заключается в обеспечении коррозионной стойкости получаемых покрытий и повышении экологической безопасности электролита и процесса.
Технический результат при электроосаждении сплава медь-индий достигается благодаря замене в рецептура электролита диаминного комплексона ЭДДЯК на ГМДДЯК. Применяемый в заявляемой рецептуре экологически безопасный диаминный комплексен ГМДДЯК содержит в своем составе 8,05% азота [RU 2527271 С1, опубл. 27.08.2014], что существенно ниже, чем у аналога, описанного в указанном выше патенте на способ синтеза ГМДДЯК, диэтилентриаминтриянтарной кислоты (9,31%) и у ЭДДЯК (9,59%) в рецептуре щавелевокислого электролита [RU 2613838 С1, опубл. 21.03.2017 - прототип].
Гексаметилендиаминдиянтарная кислота в водном растворе предлагаемого электролита обеспечивает образование координационных соединений, где в качестве ионов-комплексообразователей выступают медь и индий, а лигандом является экологически безопасная ГМДДЯК. Присутствие ГМДДЯК препятствует гидролизу солей и обеспечивает стабильность электролита. Процесс осаждения проводят при кислотности электролита рН=4,8-5,2, т.к. это оптимальное значение рН раствора, при котором практически существует только H2L- форма ГМДДЯК, образующая нейтральные комплексы с медью (например, см. рис. 3 распределения комплекных форм ГМДДЯК в зависимости от рН раствора [Логинова Е.С., Никольский В.М., Толкачева Л.Н., Лукьянова Н.И. Синтез и некоторые свойства комплексонов, производных янтарной кислоты // Известия Академии наук. Серия химическая, 2016, №9, С. 2206-2210]. Электролиз осуществляется при катодной плотности тока 1,0-3,0 А/дм2, температуре 20-25°С и непрерывном перемешивании с использованием медных анодов. Электролит готовят следующим образом: комплексообразователь - гексаметилендиаминдиянтарную кислоту растворяют при 80-90°С в 1/4 необходимого для приготовления электролита объема водопроводной воды. В отдельных порциях по 1/4 общего объема воды растворяют соли меди и индия. Затем, половину объема горячего раствора ГМДДЯК при непрерывном перемешивании вливают в полученный раствор соли меди, а другую половину объема горячего раствора ГМДДЯК вливают в полученный раствор соли индия. Смеси растворов оставляют на 10-15 минут для полноты комплексообразования, а затем медленно (при перемешивании) к раствору комплексоната индия добавляют раствор комплексоната меди. К полученной смеси добавляют уксуснокислый аммоний и доводят объем электролита до рабочего водой.
Дополнительное введение уксуснокислого аммония способствует увеличению электропроводности раствора и его буферных свойств, а также улучшает равномерность распределения осаждаемых металлов на катоде за счет образования комплексов с ГМДДЯК.
Возможность осуществления заявляемого изобретения подтверждается следующими примерами.
Пример 1. В 1000 мл воды растворяют 20 г сульфата меди, 10 г сульфата индия, 40 г гексаметилендиаминдиянтарной кислоты, 20 г уксуснокислого аммония. Полученным составом при перемешивании проводят электролиз на платиновых анодах при плотности тока 1,0 а/дм2, температуре 20°С, рН=5,0. В результате чего достигаются следующие эффекты: содержание индия в сплаве 5,9 вес %, выход по току 68%, скорость коррозии 6,5 г/м2⋅ч, электролитическое покрытие светлое, плотное, мелкокристаллическое.
Пример 2. В 1000 мл воды растворяют 25 г сульфата меди, 15 г сульфата индия, 45 г гексаметилендиаминдиянтарной кислоты, 25 г уксуснокислого аммония. Полученным составом при перемешивании проводят электролиз на платиновых анодах при плотности тока 2,0 а/дм2, температуре 22,5°С, рН=4,8. В результате чего достигаются следующие эффекты: содержание индия в сплаве 9,0 вес %, выход по току 75%, скорость коррозии 6,8 г/м2⋅ч, покрытие светлое, плотное, мелкокристаллическое, полублестящие.
Пример 3. В 1000 мл воды растворяют 30 г сульфата меди, 20 г сульфата индия, 50 г гексаметилендиаминдиянтарной кислоты, 30 г уксуснокислого аммония. Полученным составом при перемешивании проводят электролиз на платиновых анодах при плотности тока 3,0 а/дм2, температуре 25°С, рН=5,2. В результате чего достигаются следующие эффекты: содержание индия в сплаве 14,8 вес.%, выход по току 82%, скорость коррозии 7,6 г/м2⋅ч, покрытие - светлое, плотное, мелкокристаллическое.
Таким образом, использование предложенного состава позволяет осаждать светлые, полублестящие, прочно сцепленные с медной подложкой покрытия и уменьшить загрязнение окружающей среды.
Claims (5)
- Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий, содержащий сернокислую медь, уксуснокислый аммоний и воду, отличающийся тем, что он дополнительно содержит гексаметилендиаминдиянтарную кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л:
- сернокислая медь 20 - 30
- сернокислый индий 10 - 20
- уксуснокислый аммоний 20 - 30
- гексаметилендиаминдиянтарная кислота 40 - 50
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017121681A RU2665855C1 (ru) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017121681A RU2665855C1 (ru) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2665855C1 true RU2665855C1 (ru) | 2018-09-04 |
Family
ID=63459938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017121681A RU2665855C1 (ru) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2665855C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3812020A (en) * | 1969-08-11 | 1974-05-21 | Allied Chem | Electrolyte and method for electroplating an indium-copper alloy and printed circuits so plated |
| RU2134734C1 (ru) * | 1998-06-02 | 1999-08-20 | Тюменский государственный нефтегазовый университет | Электролит для осаждения сплава медь-индий |
| WO2015000010A1 (de) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Ing. W. Garhöfer Gesellschaft M.B.H. | Elektrolytbad sowie objekte bzw. artikel, die mithilfe des bades beschichtet werden |
-
2017
- 2017-06-21 RU RU2017121681A patent/RU2665855C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3812020A (en) * | 1969-08-11 | 1974-05-21 | Allied Chem | Electrolyte and method for electroplating an indium-copper alloy and printed circuits so plated |
| RU2134734C1 (ru) * | 1998-06-02 | 1999-08-20 | Тюменский государственный нефтегазовый университет | Электролит для осаждения сплава медь-индий |
| WO2015000010A1 (de) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Ing. W. Garhöfer Gesellschaft M.B.H. | Elektrolytbad sowie objekte bzw. artikel, die mithilfe des bades beschichtet werden |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ballesteros et al. | Initial stages of the electrocrystallization of copper from non-cyanide alkaline bath containing glycine | |
| JP3816241B2 (ja) | 金属を還元析出させるための水溶液 | |
| Oliveira et al. | Effect of current density, temperature and bath pH on properties of Ni–W–Co alloys obtained by electrodeposition | |
| Kazimierczak et al. | Electrodeposition of Sn–Zn and Sn–Zn–Mo layers from citrate solutions | |
| ITTO950840A1 (it) | Bagni alcalini elettrolitici e procedimenti per zinco e leghe di zinco | |
| JP6370380B2 (ja) | 銀−パラジウム合金の電着のための電解質、及びその析出方法 | |
| CN102037162A (zh) | Pd-和Pd-Ni-电镀浴 | |
| Alesary et al. | Effect of sodium bromide on the electrodeposition of Sn, Cu, Ag and Ni from a deep eutectic solvent-based ionic liquid | |
| TWI507571B (zh) | 藉由電鑄法但不使用有毒金屬或類金屬而獲致黃金合金沉積的方法 | |
| WO2015121790A2 (es) | Proceso de cromado trivalente continuo | |
| Smirnova et al. | Study of anode processes during development of the new complex thiocarbamide-citrate copper plating electrolyte | |
| RU2665855C1 (ru) | Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий | |
| AT510422B1 (de) | Verfahren zur abscheidung von hartchrom aus cr(vi)- freien elektrolyten | |
| Esfahani et al. | Electrodeposition of nanocrystalline zinc‑tin alloy from aqueous electrolyte containing gluconate in the presence of polyethylene glycol and hexadecyltrimethylammonium bromide | |
| CN101565843B (zh) | 一种锌镁合金镀层的制备方法 | |
| US11946152B2 (en) | Method and system for depositing a zinc-nickel alloy on a substrate | |
| CN104862751A (zh) | 降低酸铜镀液中氯离子浓度的新方法 | |
| KR20190068046A (ko) | 이온성 액체 전해질을 이용한 무전해 주석도금액 | |
| Bucko et al. | The importance of using hydrogen evolution inhibitor during the Zn and Zn-Mn electrodeposition from ethaline | |
| RU2613838C1 (ru) | Щавелевокислый электролит для осаждения сплава медь-олово | |
| RU2313621C1 (ru) | Электролит низкоконцентрированный для нанесения полублестящего покрытия сплавом олово-цинк | |
| Zhu et al. | Copper coating electrodeposited directly onto AZ31 magnesium alloy | |
| JP6517501B2 (ja) | ストライク銅めっき液およびストライク銅めっき方法 | |
| CN110344107B (zh) | 一种电解挂具剥离剂及使用方法 | |
| RU2350696C1 (ru) | Электролит для осаждения покрытий из сплава кадмий - марганец |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190622 |