RU2657000C1 - Method of quantitative three-dimensional reconstruction of a sample surface in a scanning- electron microscope - Google Patents
Method of quantitative three-dimensional reconstruction of a sample surface in a scanning- electron microscope Download PDFInfo
- Publication number
- RU2657000C1 RU2657000C1 RU2016149376A RU2016149376A RU2657000C1 RU 2657000 C1 RU2657000 C1 RU 2657000C1 RU 2016149376 A RU2016149376 A RU 2016149376A RU 2016149376 A RU2016149376 A RU 2016149376A RU 2657000 C1 RU2657000 C1 RU 2657000C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dimensional reconstruction
- sample
- images
- sem
- structural elements
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии и может быть использовано для контроля размерных параметров изделий микро- и наноэлектроники, микросистемной техники, в материаловедении.The invention relates to the field of scanning electron microscopy and can be used to control the dimensional parameters of products of micro- and nanoelectronics, microsystem technology, in materials science.
Растровый электронный микроскоп (РЭМ), обладающий высоким пространственным разрешением и большой глубиной фокуса, является наиболее часто используемым прибором для получения изображений поверхностей микро- и нанообъектов. Удобство эксплуатации РЭМ объясняется высокой скоростью получения изображений и широким диапазоном увеличений.A scanning electron microscope (SEM), which has a high spatial resolution and a large depth of focus, is the most commonly used device for obtaining images of the surfaces of micro- and nano-objects. The ease of use of the SEM is explained by the high speed of image acquisition and a wide range of magnifications.
Однако сами по себе РЭМ-изображения являются двумерными и дают лишь качественную информацию о Z-координате, поскольку уровень видеосигнала для каждой точки изображения является сложной функцией композиционных и топографических особенностей поверхности образца, а также коэффициента сбора вторичных электронов. Тем не менее на практике часто бывает необходимым проведение трехмерной реконструкции объектов, в том числе кремниевых, с высоким аспектным соотношением, к которым относятся многие изделия микро- и наноэлектроники и микросистемной техники. При этом восстановление трехмерного профиля указанных объектов традиционными методами, например атомно-силовой микроскопии, может быть затруднительно.However, SEM images themselves are two-dimensional and provide only qualitative information about the Z coordinate, since the video signal level for each image point is a complex function of the compositional and topographic features of the sample surface, as well as the collection coefficient of secondary electrons. Nevertheless, in practice it is often necessary to carry out three-dimensional reconstruction of objects, including silicon, with a high aspect ratio, which include many products of micro- and nanoelectronics and microsystem technology. Moreover, the restoration of the three-dimensional profile of these objects by traditional methods, such as atomic force microscopy, can be difficult.
Известен способ [1] количественной трехмерной реконструкции объектов по стереоизображениям, получаемым в растровом электронном микроскопе при наклоне столика объектов на углы ±Δϕ относительно его горизонтального положения. Данный способ использует принципы фотограмметрической обработки изображений, определяя перепад высот между двумя точками А и В (точка В находится в начале координат) на поверхности объекта на основании математических вычислений по формуле (при условии, что наклон столика объектов осуществляется вокруг оси X)The known method [1] for quantitative three-dimensional reconstruction of objects from stereo images obtained in a scanning electron microscope when the table of objects is tilted at angles ± Δϕ relative to its horizontal position. This method uses the principles of photogrammetric image processing, determining the height difference between two points A and B (point B is at the origin) on the surface of the object based on mathematical calculations by the formula (provided that the tilt of the object’s table is carried out around the X axis)
где индексы 1 и 2 относятся соответственно к Y- координатам точки А на 1-м изображении (при наклоне объекта на угол -Δϕ) и 2-м изображении (при наклоне объекта на угол +Δϕ), значение у1-у2 - изменение расстояния вдоль оси Y между двумя точками А и В (так называемый параллакс) при наклоне объекта на угол 2Δϕ вокруг оси X.where indices 1 and 2 correspond respectively to the Y-coordinates of point A in the 1st image (when the object is tilted by an angle -Δϕ) and the 2nd image (when the object is tilted by an angle + Δϕ), the value of 1- y 2 is the change the distance along the Y axis between two points A and B (the so-called parallax) when the object is tilted at an angle of 2Δϕ around the X axis.
Процесс фотограмметрической обработки стереоизображений (получаемых при наклоне объекта на углы +Δϕ и -Δϕ) включает несколько этапов:The process of photogrammetric processing of stereo images (obtained when the object is tilted at angles + Δϕ and -Δϕ) includes several stages:
- нахождение массива контрастных элементов для каждого из стереоизображений;- finding an array of contrasting elements for each of the stereo images;
- определение массива пар гомологических точек, где внутри каждой пары гомологические точки, представляющие контрастные элементы из разных изображений, соответствуют одному местоположению на поверхности объекта;- definition of an array of pairs of homologous points, where inside each pair, homologous points representing contrasting elements from different images correspond to one location on the surface of the object;
- определение трехмерных координат точек поверхности исследуемого объекта в соответствии с формулой (1).- determination of the three-dimensional coordinates of the surface points of the investigated object in accordance with the formula (1).
Данный способ обладает следующими недостатками, которые влияют на точность результатов количественной трехмерной реконструкции:This method has the following disadvantages that affect the accuracy of the results of quantitative three-dimensional reconstruction:
- не всегда удается выделить на поверхности исследуемого объекта достаточное множество контрастных элементов, которые можно однозначно идентифицировать на каждом из стереоизображений, при этом размытость указанных точек или их недостаточный контраст на фоне шумов видеосигнала (обуславливая погрешность идентификации гомологических точек) будут ухудшать показатели точности результатов количественной трехмерной реконструкции;- it is not always possible to isolate on the surface of the object under study a sufficient number of contrasting elements that can be uniquely identified on each stereo image, while the blurriness of these points or their insufficient contrast against the background of the noise of the video signal (causing the error in identifying homological points) will degrade the accuracy of the results of quantitative three-dimensional reconstruction;
- дисторсия изображения в растровом электронном микроскопе, приводящая к искажению двумерных координат, влияет на погрешность результатов трехмерной реконструкции.- image distortion in a scanning electron microscope, leading to a distortion of two-dimensional coordinates, affects the error of the results of three-dimensional reconstruction.
В патенте [2] изложен способ реконструкции поверхности исследуемого объекта в РЭМ, реализуемый при неподвижном столике объектов посредством изменения угла, под которым электронный зонд падает на объект для трех или более значений указанного угла. Данное предложение может быть реализовано при введении дополнительных отклоняющих элементов в электронно-оптическую колонну, формирующих двойное отклонение электронного пучка, при этом место падения электронного зонда на образец должно оставаться неизменным. Регистрация информативного сигнала от электронов, испускаемых исследуемым образцом как результат воздействия на образец первичного электронного зонда, осуществляется набором детекторов электронов, расположенных в различных угловых положениях по отношению к электронно-оптической оси. Хотя данное усовершенствование ускоряет процесс трехмерной реконструкции поверхности исследуемого объекта, но при этом ухудшается пространственное разрешение РЭМ из-за введения дополнительных отклоняющих элементов в колонну РЭМ, а значит, снижается точность результатов трехмерной реконструкции.In the patent [2], a method is described for reconstructing the surface of an object under study in a SEM, which is realized with a stationary table of objects by changing the angle at which the electron probe falls on the object for three or more values of the specified angle. This proposal can be implemented by introducing additional deflecting elements into the electron-optical column, forming a double deflection of the electron beam, while the place of incidence of the electron probe on the sample should remain unchanged. Registration of an informative signal from electrons emitted by the test sample as a result of exposure to the sample by a primary electron probe is carried out by a set of electron detectors located in different angular positions relative to the electron-optical axis. Although this improvement accelerates the process of three-dimensional reconstruction of the surface of the object under study, the spatial resolution of the SEM is deteriorated due to the introduction of additional deflecting elements into the SEM column, which means that the accuracy of the results of three-dimensional reconstruction is reduced.
Недостатки, присущие способу трехмерной реконструкции поверхности объекта в РЭМ, описанному в [1], частично решаются в патенте [3], который может быть выбран в качестве прототипа. В данном патенте описан способ трехмерной реконструкции поверхности в растровом электронном микроскопе, включающий регистрацию сигнала электронов, эмитируемых образцом при сканировании электронным пучком исследуемого объекта для двух его угловых положений. Для облегчения процедуры стереосовмещения РЭМ-изображений, получаемых при двух углах наклона образца, на поверхности исследуемого образца формируют референтные маркеры, а необходимость их формирования оценивается компьютерной программой после предварительного сканирования образца в РЭМ и определения наличия необходимого количества характерных деталей на изображении. В случае обнаружения участков образца, где отсутствуют характерные детали изображения, необходимые для выполнения процедуры стереосовмещения изображений, на таких участках формируются референтные маркеры.The disadvantages inherent in the method of three-dimensional reconstruction of the surface of an object in the SEM described in [1] are partially solved in the patent [3], which can be selected as a prototype. This patent describes a method of three-dimensional reconstruction of a surface in a scanning electron microscope, which includes recording the signal of the electrons emitted by the sample when the electron beam is scanned by the test object for its two angular positions. To facilitate the stereo-alignment of SEM images obtained at two angles of inclination of the sample, reference markers are formed on the surface of the test sample, and the need for their formation is evaluated by a computer program after preliminary scanning of the sample in the SEM and determining the presence of the required number of characteristic details in the image. In case of detection of sample areas where there are no characteristic image details necessary for performing the stereo image alignment procedure, reference markers are formed in such areas.
Кроме того, для устранения погрешностей трехмерной реконструкции, связанной с дисторсией изображения, в патенте [3] предлагается использовать референтные пластины, на которых в заданных точках сформированы референтные маркеры. РЭМ-изображения референтных пластин при двух значениях наклона столика объектов РЭМ позволяют определить корректирующие коэффициенты, связанные с дисторсией изображения. Полученные корректирующие коэффициенты используются в дальнейшем для преобразования изображений от исследуемого объекта при двух углах наклона для компенсации дисторсии изображения.In addition, to eliminate the errors of three-dimensional reconstruction associated with image distortion, the patent [3] proposes to use reference plates on which reference markers are formed at given points. SEM images of reference plates at two tilt values of the SEM objects table allow you to determine the correction factors associated with image distortion. The resulting correction coefficients are used in the future to convert images from the object under study at two tilt angles to compensate for image distortion.
Однако на практике очень часто основной вклад в погрешность трехмерной реконструкции дает не дисторсия изображения, а процедура совмещения характерных точек на стереоизображениях [4]. Например, для образца, участок поверхности которого имеет плавно меняющийся рельеф, контраст изображения будет отсутствовать на этом участке, поскольку указанный контраст не будет превышать величины шума тракта видеоизображения и совмещение характерных точек на стереоизображениях невозможно ввиду их отсутствия на изображениях. В патенте [3] предложено формировать на поверхности исследуемого образца референтные маркеры, которые обеспечат контраст на изображении в точках расположения маркеров. Референтные маркеры должны иметь конечные размеры, чтобы обеспечить контраст на изображении, поэтому реконструкция поверхностного рельефа происходит с учетом высоты самих маркеров.However, in practice, very often the main contribution to the error of three-dimensional reconstruction is not the distortion of the image, but the procedure of combining characteristic points on stereo images [4]. For example, for a sample, the surface portion of which has a smoothly varying relief, the image contrast will be absent in this region, since the specified contrast will not exceed the noise value of the video path and the combination of the characteristic points in stereo images is impossible due to their absence in the images. In the patent [3], it is proposed to form reference markers on the surface of the test sample, which will provide contrast in the image at the points where the markers are located. Reference markers must have finite dimensions in order to provide contrast in the image, therefore, reconstruction of the surface relief takes into account the height of the markers themselves.
В описываемом изобретении [3] предлагается, что референтными маркерами могут быть контаминационные образования конусной формы, возникающие при фиксации электронного зонда в заданной точке в течение определенного промежутка времени. Механизм роста таких контаминационных образований обусловлен [5]:In the described invention [3] it is proposed that the reference markers may be conical contamination formations that occur when the electron probe is fixed at a given point for a certain period of time. The growth mechanism of such contamination formations is due to [5]:
- полимеризацией на поверхности образца под действием электронного пучка углеводородных соединений, которые входят в состав остаточной атмосферы камеры образцов РЭМ;- polymerization on the surface of the sample under the influence of an electron beam of hydrocarbon compounds, which are part of the residual atmosphere of the chamber of the SEM samples;
- поверхностной диффузией и полимеризацией под электронным пучком углеводородных соединений, адсорбированных на поверхности образца.- surface diffusion and polymerization under an electron beam of hydrocarbon compounds adsorbed on the surface of the sample.
Из имеющихся в наличии литературных данных по скорости роста контаминационных образований конусной формы [6] известно, что время, необходимое для формирования одного указанного контаминационного образования, составляет примерно 1 минуту. Поэтому является проблематичным формирование за разумное время референтных маркеров в количестве, достаточном для построение трехмерной карты поверхностного рельефа. Кроме того, на наклонных участках поверхностного рельефа такой референтный маркер будет иметь другие размеры по сравнению с плоскими участками поверхности в силу увеличения выхода вторичных электронов с наклонной поверхности. При изменении состава образца на отдельных участках поверхности также будут изменяться условия роста контаминационных образований. Неодинаковость габаритных размеров референтных маркеров создает дополнительную систематическую погрешность трехмерной реконструкции.From the available literature data on the growth rate of cone-shaped contamination formations [6] it is known that the time required for the formation of one specified contamination formation is approximately 1 minute. Therefore, the formation of reference markers in a quantity sufficient for constructing a three-dimensional map of the surface relief is problematic. In addition, on inclined sections of the surface relief, such a reference marker will have different sizes compared to flat sections of the surface due to an increase in the yield of secondary electrons from the inclined surface. With a change in the composition of the sample on individual surface areas, the growth conditions of contamination formations will also change. The uneven overall dimensions of the reference markers creates an additional systematic error of three-dimensional reconstruction.
Задачей изобретения является повышение точности результатов количественной трехмерной реконструкции поверхности образца в растровом электронном микроскопе. Указанная задача решается путем формирования на поверхности исследуемого образца структурных элементов, которые создают контраст на РЭМ-изображениях и учете размеров указанных структурных элементов для определения истинной формы поверхности исследуемого образца.The objective of the invention is to improve the accuracy of the results of quantitative three-dimensional reconstruction of the surface of the sample in a scanning electron microscope. This problem is solved by forming structural elements on the surface of the test sample that create contrast on SEM images and taking into account the sizes of these structural elements to determine the true surface shape of the test sample.
Поставленная задача решается с помощью способа трехмерной реконструкции поверхности образца, который включает в себя установку образца на предметном столике РЭМ с возможностью его наклона в два угловых положения относительно электронно-оптической оси, облучение образца сфокусированным пучком ускоренных электронов, детектирование сигнала вторичных электронов, эмиттируемых образцом, получение двух изображений при сканировании электронным пучком образца в двух угловых положениях предметного столика.The problem is solved using the method of three-dimensional reconstruction of the surface of the sample, which includes mounting the sample on a SEM stage with the possibility of tilting it into two angular positions relative to the electron-optical axis, irradiating the sample with a focused beam of accelerated electrons, detecting the signal of secondary electrons emitted by the sample, obtaining two images when scanning an electron beam of a sample in two angular positions of the stage.
Особенностью заявляемого способа является то, что предварительно на образце формируют структурные элементы сферической формы, которые создают контраст на РЭМ-изображениях, трехмерная реконструкция осуществляется в 2 этапа посредством фотограмметрической обработки полученных изображений, используя координаты центров структурных элементов на изображениях, причем на первом этапе производят предварительную трехмерную реконструкцию, для чего результаты фотограмметрической обработки в виде Z-координаты для центра каждого структурного элемента уменьшаются на параметр, равный диаметра D структурного элемента, который определяют по изображению для каждого структурного элемента и по результатам предварительной трехмерной реконструкции определяют угол локального наклона поверхности α относительно горизонтальной плоскости в месте расположения каждого структурного элемента;A feature of the proposed method is that pre-formed on the sample are structural elements of a spherical shape that create contrast on SEM images, three-dimensional reconstruction is carried out in 2 stages by photogrammetric processing of the obtained images using the coordinates of the centers of structural elements in the images, and at the first stage, preliminary three-dimensional reconstruction, for which the results of photogrammetric processing in the form of a Z-coordinate for the center of each structural element are reduced by a parameter equal to the diameter D of the structural element, which is determined by the image for each structural element and the results of preliminary three-dimensional reconstruction determine the angle of the local inclination of the surface α relative to the horizontal plane at the location of each structural element;
на втором этапе трехмерной реконструкции результаты фотограмметрической обработки в виде Z-координаты для центра каждого структурного элемента уменьшаются на параметр, равный D/(2⋅cosα).at the second stage of three-dimensional reconstruction, the results of photogrammetric processing in the form of the Z-coordinate for the center of each structural element are reduced by a parameter equal to D / (2⋅cosα).
Вариантом реализации заявляемого способа может быть использование в качестве структурных элементов на поверхности исследуемого образца элементов сферической формы из олова.An implementation option of the proposed method may be the use of spherical elements made of tin as structural elements on the surface of the test sample.
Предложенный способ иллюстрируется микрофотографиями и чертежами.The proposed method is illustrated by micrographs and drawings.
На фиг. 1 приведено изображение структурного элемента сферической формы на участке поверхности исследуемого образца, имеющего локальный наклон α относительно горизонтальной плоскости.In FIG. Figure 1 shows an image of a structural element of a spherical shape on a surface section of a test sample having a local slope α relative to a horizontal plane.
Показаны положения электронного пучка , соответствующие краям сферического структурного элемента на РЭМ-изображении - точки С и D. На фиг. 2 приведена микрофотография структурных элементов сферической формы из олова на графитовой подложке.Shown electron beam positions corresponding to the edges of the spherical structural element in the SEM image — points C and D. In FIG. Figure 2 shows a micrograph of the structural elements of a spherical shape made of tin on a graphite substrate.
Из фиг. 1 следует, что в результате определения краев сферического элемента - точек С и D, центр сферического элемента, определяемый в плоскости изображения - точка О будет иметь высоту относительно поверхности образца, равную длине отрезка OA. Из геометрических построений фиг. 1 следует, что , где D=CD - диаметр сферического элемента.From FIG. 1 it follows that as a result of determining the edges of the spherical element - points C and D, the center of the spherical element, defined in the image plane - point O will have a height relative to the surface of the sample equal to the length of the segment OA. From the geometric constructions of FIG. 1 it follows that where D = CD is the diameter of the spherical element.
Поэтому при использовании для трехмерной реконструкции координат центров сферических элементов на РЭМ-изображениях результаты указанной реконструкции в виде Z-координат точек, соответствующих центрам сферических элементов, должны корректироваться на значение . Данная коррекция заключается в уменьшении значения Z-координаты (при условии, что ось Z направлена вверх) на величину . Поскольку в общем случае в каждой точке значение угла наклона α неизвестно, на первом этапе производится предварительная трехмерная реконструкция, где коррекция результатов заключается в уменьшении значения Z-координаты на величину D/2, полагая что угол α мал и cosα≈1.Therefore, when using for the three-dimensional reconstruction of the coordinates of the centers of spherical elements on SEM images, the results of this reconstruction in the form of the Z-coordinates of points corresponding to the centers of the spherical elements should be adjusted by the value . This correction consists in decreasing the value of the Z coordinate (provided that the Z axis is directed upwards) by . Since in the general case at each point the value of the angle of inclination α is unknown, at the first stage a preliminary three-dimensional reconstruction is performed, where the correction of the results consists in decreasing the Z-coordinate value by D / 2, assuming that the angle α is small and cosα≈1.
В результате предварительной трехмерной реконструкции получают совокупность XiYiZi примерных координат точек поверхности исследуемого образца в местах расположения структурных элементов. Погрешность определения Z-координаты для наклонных участков исследуемого образца на первом этапе обусловлена тем, что при расчете корректирующего фактора полагают cosα=1.As a result of preliminary three-dimensional reconstruction, a set of X i Y i Z i of approximate coordinates of the surface points of the test sample at the locations of the structural elements is obtained. The error in determining the Z coordinate for the inclined sections of the test sample at the first stage is due to the fact that cosα = 1 is assumed in the calculation of the correction factor.
Локальный наклон α поверхности образца в точке XiYiZi, может быть определен, используя дополнительно координаты двух ближайших точек Xi-1Yi-1Zi-1, и Xi+1Yi+1Zi+1 таких, чтобы указанные 3 точки не лежали на одной прямой. Используя формулы аналитической геометрии, для локального наклона α справедливоThe local slope α of the sample surface at the point X i Y i Z i can be determined using additional coordinates of the two nearest points X i-1 Y i-1 Z i-1 , and X i + 1 Y i + 1 Z i + 1 such that the indicated 3 points do not lie on one straight line. Using formulas of analytic geometry, for the local slope of α,
где Where
ЛитератураLiterature
1. Piazzesi G. Photogrammetry with the scanning electron microscope // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1973. V. 6. №4. PP. 392-396.1. Piazzesi G. Photogrammetry with the scanning electron microscope // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1973. V. 6. No. 4. PP 392-396.
2. G.F. Lorusso, R.A. Watts, A.J. Gubbens, L.S. Hordon. SEM Profile and Surface Reconstruction using multiple data sets. US Patent № US 6930308 B1.2. G.F. Lorusso, R.A. Watts, A.J. Gubbens, L.S. Hordon. SEM Profile and Surface Reconstruction using multiple data sets. US Patent No. US 6,930,308 B1.
3. N. Kochi, H. Koike. Electron beam device and method for stereoscopic measurements. US Patent № US 6852974 B2.3. N. Kochi, H. Koike. Electron beam device and method for stereoscopic measurements. US Patent No. US 6852974 B2.
4. Кузин А.Ю., Васильев А.Л., Митюхляев В.Б., Михуткин А.А., Тодуа П.А., Филиппов М.Н. Анализ факторов, влияющих на погрешность трехмерной реконструкции поверхности объектов с субмикронным рельефом, по полученным в РЭМ стереоизображениям // Измерительная техника. 2016. №3, с. 20-23.4. Kuzin A.Yu., Vasiliev A.L., Mityukhlyaev V.B., Mikhutkin A.A., Todua P.A., Filippov M.N. Analysis of factors affecting the error of three-dimensional reconstruction of the surface of objects with a submicron relief, according to stereo images obtained in SEM // Measuring technique. 2016. No3, p. 20-23.
5. Жданов Г.С. О скорости углеводородного загрязнения объектов в микрозондовых системах // Поверхность. 1983, №1. С. 65-72.5. Zhdanov G.S. On the rate of hydrocarbon pollution of objects in microprobe systems // Surface. 1983, No. 1. S. 65-72.
6. N. Yoshimura. Vacuum Technology. Practice for Scientific Instruments. Springer-Verlag Berlin Heidelberg. 2008. P.p. 175-203.6. N. Yoshimura. Vacuum Technology. Practice for Scientific Instruments. Springer-Verlag Berlin Heidelberg. 2008. P.p. 175-203.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016149376A RU2657000C1 (en) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | Method of quantitative three-dimensional reconstruction of a sample surface in a scanning- electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016149376A RU2657000C1 (en) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | Method of quantitative three-dimensional reconstruction of a sample surface in a scanning- electron microscope |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2657000C1 true RU2657000C1 (en) | 2018-06-08 |
Family
ID=62560666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016149376A RU2657000C1 (en) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | Method of quantitative three-dimensional reconstruction of a sample surface in a scanning- electron microscope |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2657000C1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040173746A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Applied Materials Israel Ltd | Method and system for use in the monitoring of samples with a charged particles beam |
US6930308B1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets |
US20130248707A1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Sample observation method, sample preparation method, and charged particle beam apparatus |
-
2016
- 2016-12-15 RU RU2016149376A patent/RU2657000C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6930308B1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets |
US20040173746A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Applied Materials Israel Ltd | Method and system for use in the monitoring of samples with a charged particles beam |
US20130248707A1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Sample observation method, sample preparation method, and charged particle beam apparatus |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Измерительная техника, N3, 2016, c.20-23. Кристаллография, 2014, т.59, N6, c.999-1007. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Marinello et al. | Critical factors in SEM 3D stereo microscopy | |
US9978557B2 (en) | System for orienting a sample using a diffraction pattern | |
JP5302595B2 (en) | Inclination observation method and observation apparatus | |
JP4295747B2 (en) | Method and system for focusing a charged particle beam | |
TWI604177B (en) | Pattern measuring device and defect inspection device | |
JP5357889B2 (en) | Charged particle beam equipment | |
JP2002134048A (en) | Charged particle ray apparatus | |
JP5309552B2 (en) | Electron beam tomography method and electron beam tomography apparatus | |
CN106098518B (en) | Charged particle beam microscope and method of scanning using a charged particle beam | |
JP6770645B2 (en) | Charged particle beam device and sample thickness measurement method | |
JP4500653B2 (en) | Sample observation method and apparatus | |
WO2015015985A1 (en) | Charged particle beam device and aberration measurement method in charged particle beam device | |
JP2021097039A (en) | Improvement method of transmission kikuchi diffraction pattern | |
JP4791333B2 (en) | Pattern dimension measuring method and scanning transmission charged particle microscope | |
US9287087B2 (en) | Sample observation method, sample preparation method, and charged particle beam apparatus | |
JP7138066B2 (en) | A Method for Automatically Aligning a Scanning Transmission Electron Microscope for Precession Electron Diffraction Data Mapping | |
US20140312224A1 (en) | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus | |
JP2011242352A (en) | Method and apparatus for measuring pattern dimension, program for making computer execute method for measuring pattern dimension, and recording medium for recording the same | |
RU2657000C1 (en) | Method of quantitative three-dimensional reconstruction of a sample surface in a scanning- electron microscope | |
RU2704390C2 (en) | Method of three-dimensional reconstruction of surface of sample using images obtained using raster electronic microscope | |
TW202331772A (en) | Method of determining the beam convergence of a focused charged particle beam, and charged particle beam system | |
Thong et al. | In situ topography measurement in the SEM | |
Faber et al. | Calibration-free quantitative surface topography reconstruction in scanning electron microscopy | |
Valade et al. | Tilted beam scanning electron microscopy, 3-D metrology for microelectronics industry | |
JP2625787B2 (en) | Scanning electron microscope stereo measurement calibration method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181216 |