RU2656109C1 - Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра - Google Patents
Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра Download PDFInfo
- Publication number
- RU2656109C1 RU2656109C1 RU2017109870A RU2017109870A RU2656109C1 RU 2656109 C1 RU2656109 C1 RU 2656109C1 RU 2017109870 A RU2017109870 A RU 2017109870A RU 2017109870 A RU2017109870 A RU 2017109870A RU 2656109 C1 RU2656109 C1 RU 2656109C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- mask
- plate
- layer
- ion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 206010023230 Joint stiffness Diseases 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы методом химического травления с использованием масок. Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра основан на формировании групповым методом объемных структур чувствительных элементов методом поэтапного травления пластин монокристаллического кремния ориентации (100) или кварцевого стекла диаметром не менее 100 мм, включающим жидкостное и ионно-плазменное травление. Обеспечиваются увеличение производительности за счёт использования группового техпроцесса и повышение качества получаемых деталей. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
Изобретение может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие деформируемые исполнительные элементы методом химического травления с использованием масок.
Из уровня техники известны способы изготовления маятникового чувствительного элемента акселерометра (RU 2333137C1, 10.08.2008) (1), в которых формируют объемную структуру чувствительного элемента методом поэтапного травления пластины n-типа с ориентацией (100), включающий первичную химическую обработку пластины, нанесение на пластину маски, устойчивой к анизотропному травлению, последующее анизотропное травление пластины и разделение на отдельные элементы.
Недостатком указанного способа (1) является то, что при анизотропном травлении на получаемом чувствительном элементе образуются острые кромки, которые являются концентраторами механических напряжений.
Наиболее близким аналогом заявленного способа может быть выбран способ изготовления маятникового чувствительного элемента для акселерометра (RU 2539767C1, 27.01.2015) (2) методом поэтапного травления кремниевой пластины n-типа с ориентацией (100), включающий первичную химическую обработку пластины, многократное, последовательное нанесение на пластину маски, устойчивой к травлению, последующее травление пластины и разделение на отдельные элементы.
Наиболее близкий аналог (2) также основан на применении многократного анизотропного травления, который приводит к образованию острых кромок на получаемом чувствительном элементе, являющихся концентраторами механических напряжений.
Техническим результатом заявленного способа является увеличение производительности за счёт использования группового техпроцесса и повышение качества получаемых деталей за счет получения закругленных, неострых кромок чувствительного элемента, в частности кромок торсиона.
Указанный технический результат достигается за счет создания способа изготовления чувствительного элемента акселерометра, который основан на формировании групповым методом объемных структур чувствительных элементов методом поэтапного травления пластин монокристаллического кремния (ориентации (100)) или кварцевого стекла диаметром не менее 100 мм, включающим:
жидкостное травление, которое заключается в первичной химической обработке пластины, последовательном нанесении на пластину однослойной или двухслойной маски с двух сторон пластины, устойчивой к травлению в жидкостных анизотропных или изотропных растворах травления, формировании методами двусторонней фотолитографии химического травления рисунка, травлении на глубину, равную половине толщины пластины за вычетом половины толщины упругих элементов, и удалении маски, используемой при глубинном жидкостном травлении, и
ионно-плазменное травление, которое заключается в отмывке пластины, нанесении маски, стойкой к ионно-плазменному травлению, формировании элементов упругих и технологических перемычек в новой маске на одной стороне пластины, травлении ионно-плазменным методом на глубину, равную толщине упругих и технологических перемычек до образования сквозных отверстий, и снятии маски.
В частном варианте выполнения при ионно-плазменном травлении упругих элементов место их закрепления с неподвижной рамкой выполняют закругленным.
В еще одном частном варианте выполнения для последовательного нанесения на пластину кремния одно- или двухслойной маски, устойчивой к химическому травлению, последующее химическое травление пластины осуществляют на глубину Y=
[(t/2-Z/2)], где t - толщина пластины, Z - толщина упругого элемента.
В другом частном случае выполнения для однослойной маски проводят жидкостное травление последней в травящем растворе, не вступающем в реакцию с материалом пластины на глубину ½ толщины маски.
В частном случае выполнения для двухслойной маски проводят жидкостное травление нижнего слоя на всю его толщину в травящем растворе, не вступающем в реакцию с материалом пластины и верхним слоем маски, а затем стравливают верхний слой маски ионно-плазменным методом.
В частном случае выполнения при изготовлении маятникового чувствительного элемента из монокристаллического кремния после ионно-плазменного травления выполняют: разделение пластины на отдельные элементы, их отмывку, нанесение на элементы слоя проводников и контактных площадок из электропроводящего материала через маску, сформированную в пластине монокристаллического кремния.
В еще одном частном случае выполнения способа при изготовлении маятникового чувствительного элемента из кварцевого стекла ионно-плазменное травление включает: отмывку пластины, нанесении с одной из сторон пластины маски, стойкой к ионно-плазменному травлению, с адгезионным подслоем, нанесение с другой стороны пластины электропроводящего слоя, стойкого к жидкостному травителю материала маски, с тем же адгезионным подслоем, как и у маски, формирование рисунков элементов упругих и технологических перемычек в маске на одной стороне пластины и слоя проводников и контактных площадок на другой стороне пластины, жидкостное травление маски, слоя проводников и адгезионного подслоя, травление ионно-плазменным методом на глубину, равную толщине упругих и технологических перемычек до образования сквозных отверстий, снятие маски и адгезионного подслоя.
Заявленное изобретение проиллюстрировано следующими чертежами:
На фиг.1 приведен кремниевый чувствительный элемент акселерометра с торсионами крестообразного типа: а) внешний вид; б) вид на пластине;
на фиг.2 - кварцевый чувствительный элемент акселерометра с торсионами мостикового типа: а) внешний вид; б) вид на пластине;
на фиг.3 - ориентация маски на пластине с ориентацией (100) для получения вертикального профиля травления;
на фиг. 4 – последовательность технологических операций маятниковых чувствительных элементов из кремния;
на фиг. 5 – последовательность технологических операций маятниковых чувствительных элементов из кварцевого стекла;
на фиг. 6 – последовательность технологических операций маятниковых чувствительных элементов из кварцевого стекла с «подвешенным» проводниковым слоем.
На фиг. 1-6 обозначено:
1 - маска;
2 - базовый срез пластины;
3 - пластина с нанесенной маской для жидкостного травления;
4 - пластина после жидкостного травления;
5 - пластина с нанесенной маской для ионно-плазменного травления;
6 - пластина после ионно-плазменного травления.
Заявленный способ изготовления чувствительного элемента акселерометра может быть осуществлен для получения кремниевых или кварцевых чувствительных элементов акселерометра различных конструкций. Данный способ основан на формировании групповым методом объемных структур чувствительных элементов методом поэтапного травления пластин монокристаллического кремния (ориентации (100)) или кварцевого стекла диаметром не менее 100 мм и включает жидкостное и ионно-плазменное травление. Жидкостное травление заключается в первичной химической обработке пластины, последовательном нанесении на пластину однослойной или двухслойной маски с двух сторон пластины, устойчивой к травлению в жидкостных анизотропных или изотропных растворах травления, формировании методами двусторонней фотолитографии, химического травления рисунка, травлении на глубину, равную половине толщины пластины за вычетом половины толщины упругих элементов, и удалении маски, используемой при глубинном жидкостном травлении.
Ионно-плазменное травление, заключается в отмывке пластины, нанесении маски, стойкой к ионно-плазменному травлению, формировании элементов упругих и технологических перемычек в новой маске на одной стороне пластины и травлении ионно-плазменным методом на глубину, равную толщине упругих и технологических перемычек, до образования сквозных отверстий. При ионно-плазменном травлении упругих элементов место их закрепления с неподвижной рамкой выполняют закругленным.
При изготовлении чувствительного элемента акселерометра из пластин монокристаллического кремния (ориентации (100)) после последовательного нанесения на пластину кремния одно- или двухслойной маски, устойчивой к химическому травлению, последующее химическое травление пластины осуществляют на глубину Y=[(t/2-Z/2)], где t - толщина пластины, Z - толщина упругого элемента. Для однослойной маски проводят жидкостное травление последней в травящем растворе, невступающем в реакцию с материалом пластины на глубину ½ толщины маски. Для двухслойной маски проводят жидкостное травление нижнего слоя на всю его толщину в травящем растворе, невступающем в реакцию с материалом пластины и верхним слоем маски, а затем стравливают верхний слой маски ионно-плазменным методом. После ионно-плазменного травления выполняют разделение пластины на отдельные элементы, их отмывку, нанесение на элементы слоя проводников и контактных площадок из электропроводящего материала через маску, сформированную в пластине монокристаллического кремния.
При изготовлении маятникового чувствительного элемента из кварцевого стекла ионно-плазменное травление включает: отмывку пластины, нанесение с одной из сторон пластины маски, стойкой к ионно-плазменному травлению, с адгезионным подслоем, нанесение с другой стороны пластины электропроводящего слоя с тем же адгезионным подслоем, как и у маски, формирование элементов упругих и технологических перемычек в маске на одной стороне пластины и слоя проводников и контактных площадок на другой стороне пластины, травление ионно-плазменным методом на глубину, равную толщине упругих и технологических перемычек до образования сквозных отверстий, травление маски и адгезионного подслоя маски и слоя проводников. С целью уменьшения паразитных механических напряжений, возникающих при изменении температуры из-за разницы в температурных коэффициентах расширения материалов упругого элемента и проводникового слоя, проходящего по поверхности упругих элементов, необходимо сформированные участки проводников располагать таким образом, чтобы они «висели» в воздухе (фиг. 6).
Применение указанного способа позволяет устранить следующие недостатки применяемых раннее методов, например при анизотропном жидкостном травлении кремния (без плазмохимического), при вскрытии отверстия в анизотропном травителе на торце рисунка формируются плоскости (110). При этом в другом месте пластины отверстия еще не вскрылись. Таким образом, скорость ухода линейного размера креста 4*cos45*V(110). По результатам измерений уход размера составил от 10 до 15 мкм при разнотолщинности пластины (±2 мкм).
Согласно численному моделированию при деформации торсиона, максимальные напряжения возникают в местах соединения торсиона с неподвижной рамкой. При анизотропном травлении места соединения гранятся плоскостями (111) и (110). При этом указанные точки являются концентраторами механических напряжений и могут при нагрузке приводить к разрушению торсионов.
При плазмохимическом травлении место закрепления креста можно сделать закругленным, что позволяет снизить механические напряжения в этих точках и тем самым повысить процент выхода годных.
При травлении кварца в изотропном травителе, при групповом травлении на пластинах диаметром 100 мм за счет неоднородности толщины пластины (± 2 микрометра) уход геометрических размеров составлял от 50 до 70 микрометров. Применение ионно-плазменного травления позволило достичь точности ±10 микрометров.
В качестве неисключительного примера выполнения способа можно привести получение кремниевого маятникового чувствительного элемента для акселерометра, который состоит из двух параллельно-расположенных балок, закреплённых по центру с помощью крестообразных торсионов с рамкой, и термокомпенсационной рамки с металлическими контактными площадками, предназначенной для защиты акселерометра от напряжений. На одном из плеч каждой балки, противоположных друг другу, травлением удалена часть материала кремния, поэтому в подвешенном состоянии из-за разности масс в плечах балки располагаются под углом к горизонту. Балки размещены таким образом, чтобы выемка располагалась на диагональных плечах балок.
Результаты моделирования показывают, что с помощью варьирования геометрией торсиона можно подобрать необходимые параметры жёсткости сочленения в достаточно широком диапазоне, ограниченном лишь габаритами кремниевой пластины, на которой выполняются элементы системы. Отличительной особенностью данной конструкции будут небольшие перемещения «подвешенного» элемента и высокая жёсткость конструкции.
В качестве материала для формирования структуры были выбраны кремниевые пластины n-типа с ориентацией (100) с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см с двусторонней полировкой. Формирование структуры осуществлялось методом поэтапного травления кремния для получения нужной объемной структуры. Травление осуществлялось раствором KOH:H2O при температуре 80°С через маску оксида кремния. Локальные отверстия в маске формировались с помощью фотолитографии.
Другая сложность формирования структуры заключалась в выполнении требования к вертикальности стенок торсиона, которая может быть обеспечена ориентацией прямолинейных сторон маски под углом 45° относительно направления [110], вдоль которого ориентирован базовый срез кремниевой пластины (см. фиг. 3-а).
Вследствие поворота маски будет происходить подтравливание кремния под маской на величину, равную глубине травления (фиг. 3-б), а также подтравливание внешних углов выпуклых структур. Подтравливание связано с образованием на углах быстротравящихся граней типа (112). Таким образом, на фотошаблоне размеры элементов, параллельных плоскости (112), необходимо уменьшать на величину, равную глубине растравливания.
В результате ряда технологических операций, включающих в себя процессы фотолитографии, химическую обработку, анизотропное жидкостное травление, была сформирована структура маятника с вертикальными торсионами заданной геометрии.
Полученные образцы выламывались из пластины и методом анодного сращивания устанавливались на статорную пластину, с помощью которой осуществляются электрический контакт и определение выходных параметров устройства.
Метод позволяет изготавливать по групповой технологии большое количество маятников с высоким процентом выхода годных по пластине, причем наибольшее влияние на выход годных оказывает равномерность исходной пластины по толщине, то есть зависит от технологических возможностей производителя.
Таким образом, предлагаемый способ изготовления чувствительного элемента акселерометра позволяет производить чувствительные элементы групповым методом таким образом, что влияние недостатков исходных пластин сводится к минимуму, а качество получаемых деталей повышается.
Claims (9)
1. Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра, отличающийся тем, что он основан на формировании групповым методом объемных структур чувствительных элементов методом поэтапного травления пластин монокристаллического кремния (ориентации (100)) или кварцевого стекла диаметром не менее 100 мм, включающим:
жидкостное травление, которое заключается в первичной химической обработке пластины, последовательном нанесении на пластину однослойной или двухслойной маски с двух сторон пластины, устойчивой к травлению в жидкостных анизотропных или изотропных растворах травления, формировании методами двусторонней фотолитографии, химического травления рисунка, травлении на глубину, равную половине толщины пластины за вычетом половины толщины упругих элементов и удалении маски, используемой при глубинном жидкостном травлении, и
ионно-плазменное травление, которое заключается в отмывке пластины, нанесении маски, стойкой к ионно-плазменному травлению, формировании элементов упругих и технологических перемычек в новой маске на одной стороне пластины, травлении ионно-плазменным методом на глубину, равную толщине упругих и технологических перемычек до образования сквозных отверстий, и снятие маски.
2. Способ изготовления по п.1, отличающийся тем, что при ионно-плазменном травлении упругих элементов место их закрепления с неподвижной рамкой выполняют закругленным.
3. Способ изготовления по п.1, отличающийся тем, что после последовательного нанесения на пластину кремния одно- или двухслойной маски, устойчивой к химическому травлению, последующее химическое травление пластины осуществляют на глубину 
, где t - толщина пластины,Z - толщина упругого элемента.
4. Способ изготовления по п.3, отличающийся тем, что для однослойной маски проводят жидкостное травление последней в травящем растворе, невступающем в реакцию с материалом пластины на глубину ½ толщины маски.
5. Способ изготовления по п.4, отличающийся тем, что для двухслойной маски проводят жидкостное травление нижнего слоя на всю его толщину в травящем растворе, невступающем в реакцию с материалом пластины и верхним слоем маски, а затем стравливают верхний слой маски ионно-плазменным методом.
6. Способ изготовления по любому из пп.1-5, отличающийся тем, при изготовлении маятникового чувствительного элемента из монокристаллического кремния после ионно-плазменного травления выполняют разделение пластины на отдельные элементы, их отмывку, нанесение на элементы слоя проводников и контактных площадок из электропроводящего материала через маску, сформированную в пластине монокристаллического кремния.
7. Способ изготовления по п.1, отличающийся тем, что при изготовлении маятникового чувствительного элемента из кварцевого стекла ионно-плазменное травление включает отмывку пластины, нанесении с одной из сторон пластины маски, стойкой к ионно-плазменному травлению, с адгезионным подслоем, нанесение с другой стороны пластины электропроводящего слоя, стойкого к жидкостному травителю материала маски, с тем же адгезионным подслоем, как и у маски, формирование рисунков элементов упругих и технологических перемычек в маске на одной стороне пластины и слоя проводников и контактных площадок на другой стороне пластины, жидкостное травление маски, слоя проводников и адгезионного подслоя, травление ионно-плазменным методом на глубину, равную толщине упругих и технологических перемычек до образования сквозных отверстий, снятие маски и адгезионного подслоя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017109870A RU2656109C1 (ru) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017109870A RU2656109C1 (ru) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2656109C1 true RU2656109C1 (ru) | 2018-05-31 |
Family
ID=62560215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017109870A RU2656109C1 (ru) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2656109C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2753840C1 (ru) * | 2020-08-05 | 2021-08-24 | Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер" | Способ снижения температурных напряжений при обработке полупроводниковых пластин с развитой по высоте топографией и полупроводниковая пластина с предохранительной структурой для этого способа (варианты) |
| RU2803557C1 (ru) * | 2023-05-05 | 2023-09-15 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Способ формирования сквозных отверстий в стеклянных пластинах |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1671066A1 (en) * | 1989-05-11 | 1995-12-27 | S A Kozin | Method for manufacturing capacitor-type transducer of mechanical quantities |
| EP0877255A1 (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-11 | TMS Technologies, Inc. | Micromechanical Accelerometer for Automotive Applications |
| EP2228337A2 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-15 | Honeywell International Inc. | Manufacturing an accelerometer on SOI wafer |
| RU2439741C1 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет МИЭТ" (МИЭТ) | Способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем |
| RU2539767C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2015-01-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур |
| RU2559336C1 (ru) * | 2014-05-15 | 2015-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Способ микропрофилирования кремниевых структур |
| RU2572288C1 (ru) * | 2014-09-30 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур |
-
2017
- 2017-03-24 RU RU2017109870A patent/RU2656109C1/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1671066A1 (en) * | 1989-05-11 | 1995-12-27 | S A Kozin | Method for manufacturing capacitor-type transducer of mechanical quantities |
| EP0877255A1 (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-11 | TMS Technologies, Inc. | Micromechanical Accelerometer for Automotive Applications |
| EP2228337A2 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-15 | Honeywell International Inc. | Manufacturing an accelerometer on SOI wafer |
| RU2439741C1 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет МИЭТ" (МИЭТ) | Способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем |
| RU2539767C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2015-01-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур |
| RU2559336C1 (ru) * | 2014-05-15 | 2015-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Способ микропрофилирования кремниевых структур |
| RU2572288C1 (ru) * | 2014-09-30 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2753840C1 (ru) * | 2020-08-05 | 2021-08-24 | Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер" | Способ снижения температурных напряжений при обработке полупроводниковых пластин с развитой по высоте топографией и полупроводниковая пластина с предохранительной структурой для этого способа (варианты) |
| RU2803557C1 (ru) * | 2023-05-05 | 2023-09-15 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Способ формирования сквозных отверстий в стеклянных пластинах |
| RU2804791C1 (ru) * | 2023-05-26 | 2023-10-05 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ изготовления глубокопрофильных многоуровневых микроструктур в кварцевом стекле |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19617666B4 (de) | Mikromechanischer Drehratensensor | |
| US9745189B1 (en) | MEMS device with isolation sub-frame structure | |
| US20170008761A1 (en) | Accelerometer and its fabrication technique | |
| CN107367771B (zh) | 电化学地震检波器敏感电极及其制备方法 | |
| CN105137120A (zh) | 一种v形梁扭摆式单轴微机械加速度计及其制备方法 | |
| CN104197921B (zh) | 一种图形转移的压印式微型半球谐振陀螺及其制备方法 | |
| US20160216290A1 (en) | Mems device with over-travel stop structure and method of fabrication | |
| KR100264292B1 (ko) | 구조체와 그 제조방법 | |
| CN103234567A (zh) | 基于阳极键合技术的mems电容式超声传感器 | |
| CN104133079B (zh) | 一种石英梳齿电容式加速度计的制备方法 | |
| US6769303B1 (en) | Multi-functional micro electromechanical silicon carbide accelerometer | |
| TW201922610A (zh) | 微機械ｚ軸慣性感測器 | |
| WO2014044015A1 (zh) | 一种加速度计及其制造工艺 | |
| RU2656109C1 (ru) | Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра | |
| RU2601219C1 (ru) | Способ изготовления микромеханических упругих элементов | |
| CN103213939B (zh) | 一种四质量块硅微机电陀螺结构的加工方法 | |
| US20160138666A1 (en) | Micromechanical spring for an inertial sensor | |
| JP6041033B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| KR20070106358A (ko) | 실리콘 기판 상에 상이한 수직 단차를 갖는 미세구조물의제조 방법 | |
| CN105258788A (zh) | 一种用于高温条件下振动传感器起振元件及其制备方法 | |
| KR100519818B1 (ko) | 마이크로 관성센서 제조방법 | |
| KR100519819B1 (ko) | 마이크로 관성센서 제조방법 | |
| TWI784580B (zh) | 壓電式微機電加速規及其製造方法 | |
| CN105417490A (zh) | 一种梳齿式微加速度计的加工方法 | |
| RU2625248C1 (ru) | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем |