RU2648306C1 - Thermal micro system on the semiconductor basis - Google Patents

Thermal micro system on the semiconductor basis Download PDF

Info

Publication number
RU2648306C1
RU2648306C1 RU2016145722A RU2016145722A RU2648306C1 RU 2648306 C1 RU2648306 C1 RU 2648306C1 RU 2016145722 A RU2016145722 A RU 2016145722A RU 2016145722 A RU2016145722 A RU 2016145722A RU 2648306 C1 RU2648306 C1 RU 2648306C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microsystem
leg
thermal
guard ring
temperature
Prior art date
Application number
RU2016145722A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Даниил Алексеевич Евстигнеев
Владимир Александрович Карачинов
Дмитрий Андреевич Бондарев
Дмитрий Владимирович Карачинов
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого"
Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого", Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого"
Priority to RU2016145722A priority Critical patent/RU2648306C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2648306C1 publication Critical patent/RU2648306C1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G01K13/024—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow of moving gases
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
    • G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

FIELD: measuring devices.
SUBSTANCE: invention relates to measurement equipment and can be used for measuring temperature of heated body, chemically aggressive and abrasive gases. Device is proposed in the form of a thermal microsystem made of a semiconductor material and consisting of a platform of a circular shape and a leg connected to it, containing at least one through-hole. Surface of the circular platform on both sides within the perimeter contains an electroconductive layer, which includes atoms Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr with external electrical terminals and a guard ring in the form of a mesoplane structure. Surface of the circular platform on both sides within the perimeter contains an electroconductive layer, which includes atoms Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr with external electrical terminals and a guard ring in the form of a mesoplane structure. In addition, the thermal microsystem can contain electrical switching elements.
EFFECT: technical result is the increase of the accuracy and reliability of the obtained results.
1 cl, 2 dwg

Description

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения скорости и температуры потока неоднородных, химически агрессивных и абразивосодержащих газов.The invention relates to the field of measuring equipment and can be used to measure the speed and temperature of a stream of inhomogeneous, chemically aggressive and abrasive gases.

Известны термоанемометры (ТА), конструкция которых включает полупроводниковый термочувствительный элемент (ТЧЭ) на основе терморезистора, при этом нагрев ТЧЭ осуществляется с помощью постоянного или переменного электрического тока [Кремлевский П.П. Расходомеры и счетчики количества веществ: Справочник: Кн. 2 / Под общ. Ред. Е.А. Шорникова. - 5-е изд., перераб. и доп. - СПб.: Политехника, 2004].Known hot-wire anemometers (TA), the design of which includes a semiconductor heat-sensitive element (TEC) based on a thermistor, while heating TEC is carried out using direct or alternating electric current [Kremlevsky P.P. Flowmeters and counters of the amount of substances: Reference: Book. 2 / Under the general. Ed. E.A. Shornikova. - 5th ed., Revised. and add. - St. Petersburg: Polytechnic, 2004].

Недостатками таких термоанемометров является сильная зависимость греющего тока от электрического сопротивления ТЧЭи, как следствие, невозможность использования ТЧЭ с высокими значениями электрического сопротивления, а также невозможность измерения химически агрессивных и абразивосодержащих газов ввиду использования традиционных материалов.The disadvantages of such hot-wire anemometers are the strong dependence of the heating current on the electrical resistance of the HSE and, as a consequence, the inability to use HSE with high values of electrical resistance, as well as the inability to measure chemically aggressive and abrasive gases due to the use of traditional materials.

Известны термоанемометры, содержащие несколько терморезистивных элементов для устранения температурной зависимости (см. RU 2450277, G01P 5/12, G01K 13/02, 28.10.2009).Known hot-wire anemometers containing several thermoresistive elements to eliminate the temperature dependence (see RU 2450277, G01P 5/12, G01K 13/02, 10/28/2009).

Недостатками таких термоанемометров является нелинейность температурной зависимости, вследствие чего возрастает погрешность измерения скорости потока. Кроме того, наличие большого числа элементов усложняет конструкцию.The disadvantages of such hot-wire anemometers are the non-linearity of the temperature dependence, as a result of which the error in measuring the flow rate increases. In addition, the presence of a large number of elements complicates the design.

Наиболее близким по техническому решению является принятый за прототип микроизлучатель (см. RU 2466361, G01J 5/00, 24.06.2011), состоящий из излучающей площадки, держателя и отверстия, нагрев которого осуществляется за счет процессов теплопередачи (конвекция + тепловая радиация) из окружающей среды. Микроизлучатель в рамках телевизионного метода позволяет измерять температуру газового потока.The closest in technical solution is the microradiator adopted for the prototype (see RU 2466361, G01J 5/00, June 24, 2011), consisting of a radiating pad, holder and hole, which is heated by heat transfer processes (convection + thermal radiation) from the surrounding Wednesday. The microradiator in the framework of the television method allows you to measure the temperature of the gas stream.

Главным недостатком конструкции такого микроизлучателя является невозможность измерения скорости газового потока по принципу электрического термоанемометра. Кроме того, телевизионный метод измерения температуры газового потока с помощью микроизлучателя обладает большой погрешностью.The main drawback of the design of such a micro-emitter is the impossibility of measuring the gas flow velocity according to the principle of an electric hot-wire anemometer. In addition, the television method for measuring the temperature of a gas stream using a micro-emitter has a large error.

Задачей предлагаемого технического решения является повышение универсальности устройства на базе конструкции микроизлучателя.The objective of the proposed technical solution is to increase the versatility of the device based on the design of the microradiator.

Технический результат - предлагаемая микросистема на базе конструкции микроизлучателя позволяет измерять и регистрировать скорость и температуру газовых потоков.EFFECT: proposed microsystem based on a micro-emitter design allows measuring and recording the speed and temperature of gas flows.

Для достижения указанного выше технического результата предложена конструкция тепловой микросистемы, выполненная из полупроводникового материала и состоящая из площадки круглой формы и ножки, содержащей по крайней мере одно сквозное отверстие, причем микросистема в пределах периметра круглой площадки с двух сторон содержит электропроводящий слой, в состав которого входят атомы Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры. Поверхность ножки микросистемы также содержит электропроводящий слой, в состав которого входят атомы Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры.To achieve the above technical result, a thermal microsystem design is proposed made of a semiconductor material and consisting of a round shape pad and a leg containing at least one through hole, the microsystem comprising an electrically conductive layer on both sides of the perimeter of the round pad, which includes atoms of Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr with external electrical terminals and a guard ring in the form of a mesoplanar structure. The surface of the legs of the microsystem also contains an electrically conductive layer, which includes atoms of Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr with external electrical terminals and a guard ring in the form of a mesoplanar structure.

Как и в прототипе, теплообмен поверхности микросистемы с окружающей средой осуществляется за счет процессов конвекции и теплового излучения.As in the prototype, the heat exchange of the surface of the microsystem with the environment is carried out due to the processes of convection and thermal radiation.

Предлагаемое устройство иллюстрируется следующими изображениями.The proposed device is illustrated by the following images.

На фиг. 1 изображен вид спереди конструкции тепловой микросистемы.In FIG. 1 shows a front view of the design of a thermal microsystem.

На фиг. 2 изображена тепловая микросистема, вид сбоку.In FIG. 2 shows a thermal microsystem, side view.

Микросистема содержит круглую площадку 1, на поверхности которой с двух сторон находится электропроводящий слой 2, ножку 3, отверстие в ножке 4, электропроводящий слой на ножке 5, внешние выводы 6 в виде контактов А, В и С, несколько охранных колец в виде мезопланарной структуры, расположенных как на круглой площадке, так и на ножке с заданным диаметром 7.The microsystem contains a round platform 1, on the surface of which there is an electrically conductive layer 2, leg 3, an opening in leg 4, an electrically conductive layer on leg 5, external leads 6 in the form of contacts A, B and C, several guard rings in the form of a mesoplanar structure located both on a round platform and on a leg with a given diameter of 7.

Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.

Одним из известных способов микросистему устанавливают в заданную область исследуемого изотермического газового потока так, чтобы все металлосодержащие области микросистемы находились в исследуемой среде, а саму микросистему ориентируют вдоль набегающего газового потока. При этом газовый поток может содержать пыль, мелкие частицы абразива, иметь химически агрессивный состав. Через контакты А, В пропускают электрический ток заданной величины, который вызывает разогрев терморезистора до определенного значения температуры, образованного круглой площадкой с контактами А, В. Так как часть электрического тока течет через слой материала, а другая часть по поверхности микросистемы, то предусмотрена канавка, наличие которой увеличивает электрическое сопротивление канала, а, следовательно, уменьшает ток утечки между контактами А и В. Разогретый терморезистор омывает набегающий газовый поток, вследствие чего отводит часть тепла от терморезистора. Падение напряжения, возникающее между контактами А, В, пропорционально скорости газового потока и измеряется известным способом [Кремлевский П.П. Расходомеры и счетчики количества веществ: Справочник: Кн. 2 / Под общ. Ред. Е.А. Шорникова. - 5-е изд., перераб. и доп. - СПб.: Политехника, 2004]. Так же как и в прототипе, сквозное отверстие блокирует отвод тепла в ножку, поэтому ножка имеет температуру равную температуре газового потока Тножки=Тпотока. Для повышения точности измерения скорости газового потока задаем величину тока при помощи контроллера, значение которого будет определяться температурой потока Тпотока, которую мы измеряем контактами В, С. Значение электрического тока задается при значении температуры среды [Корляков А.В., Лучинин В.В., Никитин И.В. Применение SiC-микро-нагревательных систем в микросистемной технике // Микросистемная техника. 2000, №2, с. 27-31.]. При этом необходимо постоянно поддерживать разность температур, температура термоанемометра должна быть больше температуры газового потока.One of the known methods of the microsystem is installed in a predetermined region of the investigated isothermal gas flow so that all metal-containing regions of the microsystem are in the medium under study, and the microsystem itself is oriented along the incident gas stream. In this case, the gas stream may contain dust, small particles of abrasive, and have a chemically aggressive composition. Through the contacts A, B, an electric current of a given value is passed, which causes the thermistor to warm up to a certain temperature value formed by a round platform with contacts A, B. Since part of the electric current flows through the material layer and the other part along the surface of the microsystem, a groove is provided, the presence of which increases the electrical resistance of the channel, and, consequently, reduces the leakage current between contacts A and B. A heated thermistor wash the incoming gas stream, as a result of which portion of the heat from the thermistor. The voltage drop that occurs between contacts A, B is proportional to the speed of the gas flow and is measured in a known manner [Kremlevsky P.P. Flowmeters and counters of the amount of substances: Reference: Book. 2 / Under the general. Ed. E.A. Shornikova. - 5th ed., Revised. and add. - St. Petersburg: Polytechnic, 2004]. As in the prototype, the through hole blocks heat removal to the leg, so the leg has a temperature equal to the temperature of the gas stream T legs = T stream . To improve the accuracy of measuring the gas flow velocity, we set the current value using the controller, the value of which will be determined by the temperature of the flow stream T of the stream , which we measure with contacts B, C. The value of the electric current is set at the temperature of the medium [Korlyakov A.V., Luchinin V.V. ., Nikitin I.V. The use of SiC-micro-heating systems in microsystem technology // Microsystem technology. 2000, No. 2, p. 27-31.]. In this case, it is necessary to constantly maintain the temperature difference, the temperature of the hot-wire anemometer should be higher than the temperature of the gas stream.

Пример 1Example 1

В качестве примера известным способом была создана микросистема на основе монокристаллического карбида кремния политипа 6Н с концентрацией ND-NA≅3⋅1018 см-3. Диаметр круглой площадки 8 мм, длина ножки 10 мм, ширина 2 мм. На поверхности модели были изготовлены канавки на круглой площадке по периметру и на ножке глубиной 1 мкм и шириной 1,5 мкм. На заготовку известным способом микроэлектронных технологий нанесли слой никеля толщиной 1,5 мкм. В области ножки известным способом было создано сквозное отверстие диаметром 1,2 мм. В качестве внешних выводов использовалась золотая проволока. Микросистема, как и в прототипе, крепилась на держателе известным способом. Микросистема помещалась в газовый поток со скоростью 10 м/с и температурой 373 K. Через термоанемометр, посредством контактов А, В пропускали от источника электрический ток 0,3 А.As an example, in a known manner, a microsystem based on single-crystal silicon carbide of the 6H polytype with a concentration of N D -N A ≅ 3⋅10 18 cm -3 was created . The diameter of the round platform is 8 mm, the leg length is 10 mm, and the width is 2 mm. On the surface of the model, grooves were made on a round platform around the perimeter and on the leg with a depth of 1 μm and a width of 1.5 μm. A 1.5-μm-thick nickel layer was deposited onto a preform by a known method of microelectronic technology. A through hole with a diameter of 1.2 mm was created in the leg region in a known manner. As external conclusions, a gold wire was used. The microsystem, as in the prototype, was mounted on a holder in a known manner. The microsystem was placed in a gas stream at a speed of 10 m / s and a temperature of 373 K. An electric current of 0.3 A was passed through the hot-wire anemometer, through contacts A and B, from the source.

Пример 2Example 2

В качестве примера известным способом была создана микросистема на основе монокристаллического кремния. Диаметр круглой площадки 8 мм, длина ножки 10 мм, ширина 2 мм. На поверхности модели были изготовлены канавки на круглой площадке по периметру и на ножке As an example, in a known manner, a microsystem based on single-crystal silicon was created. The diameter of the round platform is 8 mm, the leg length is 10 mm, and the width is 2 mm. On the surface of the model, grooves were made on a round platform around the perimeter and on the leg

глубиной 1 мкм и шириной 1,5 мкм. На заготовку известным способом микроэлектронных технологий нанесли слой алюминия прямоугольной формы толщиной 1,5 мкм. В области ножки известным способом было создано сквозное отверстие диаметром 1,2 мм. В качестве внешних выводов использовалась золотая проволока. Микросистема, как и в прототипе, крепилась на держателе известным способом. Микросистема помещалась в газовый поток со скоростью 10 м/с и температурой 333 K. Через термоанемометр, посредством контактов А, В пропускали от источника электрический ток 0,1 А.1 μm deep and 1.5 μm wide. A 1.5 mm thick rectangular layer of aluminum was applied to the workpiece in a known manner by microelectronic technology. A through hole with a diameter of 1.2 mm was created in the leg region in a known manner. As external conclusions, a gold wire was used. The microsystem, as in the prototype, was mounted on a holder in a known manner. The microsystem was placed in a gas stream at a speed of 10 m / s and a temperature of 333 K. Through the hot-wire anemometer, through contacts A and B, an electric current of 0.1 A was passed from the source.

Предлагаемое изобретение позволяет получить следующий технический результат: микросистема позволяет измерять и регистрировать скорость и температуру газовых потоков за счет примененной и усовершенствованной конструкции прототипа.The present invention allows to obtain the following technical result: the microsystem allows you to measure and record the speed and temperature of gas flows due to the applied and improved design of the prototype.

Claims (1)

Тепловая микросистема на полупроводниковой основе, состоящая из площадки круглой формы и ножки, содержащей, по крайней мере одно сквозное отверстие, отличающаяся тем, что круглая площадка в пределах периметра с двух сторон содержит электропроводящий слой, в состав которого входят атомы Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr, с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры, поверхность ножки микросистемы также содержит электропроводящий слой, в состав которого входят атомы Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr, с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры.A semiconductor-based thermal microsystem, consisting of a round-shaped area and a leg containing at least one through hole, characterized in that the circular area within the perimeter on both sides contains an electrically conductive layer, which includes atoms of Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr, with external electrical terminals and a guard ring in the form of a mesoplanar structure, the surface of the microsystem leg also contains an electrically conductive layer, which includes atoms of Ni, Au, Ta , W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr, with external The electrical leads and a guard ring structure mezoplanarnoy.
RU2016145722A 2016-11-22 2016-11-22 Thermal micro system on the semiconductor basis RU2648306C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016145722A RU2648306C1 (en) 2016-11-22 2016-11-22 Thermal micro system on the semiconductor basis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016145722A RU2648306C1 (en) 2016-11-22 2016-11-22 Thermal micro system on the semiconductor basis

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2648306C1 true RU2648306C1 (en) 2018-03-23

Family

ID=61708011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016145722A RU2648306C1 (en) 2016-11-22 2016-11-22 Thermal micro system on the semiconductor basis

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2648306C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2700886C1 (en) * 2019-03-04 2019-09-23 Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета" Thermal microsystem with photon heating

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277496A (en) * 1990-10-17 1994-01-11 Ametek, Inc. High temperature optical probe
US5670784A (en) * 1994-08-26 1997-09-23 Ametek Aerospace Products High temperature gas stream optical flame sensor
RU2466362C2 (en) * 2010-12-29 2012-11-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого Method of measuring spatial distribution gas temperature
RU2466361C1 (en) * 2011-06-24 2012-11-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого Micro-radiator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277496A (en) * 1990-10-17 1994-01-11 Ametek, Inc. High temperature optical probe
US5670784A (en) * 1994-08-26 1997-09-23 Ametek Aerospace Products High temperature gas stream optical flame sensor
RU2466362C2 (en) * 2010-12-29 2012-11-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого Method of measuring spatial distribution gas temperature
RU2466361C1 (en) * 2011-06-24 2012-11-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого Micro-radiator

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
КАРАЧИНОВ В.А., КАРАЧИНОВ Д.В., ИЛЬИН С.В., " ПИРОМЕТРИЧЕСКИЕ ЗОНДЫ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ КАРБИЛА КРЕМНИЯ", ПИМА В ЖТФ, 2005, ТОМ 31, ВЫП.11, С.1-3. *
КАРАЧИНОВ В.А., КАРАЧИНОВ Д.В., КАЗАКОВА М.В. и др., "ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ ИЗЛУЧАЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КАРБИДА ТЕЛЕВИЗИОННЫМ МЕТОДОМ", ВЕСТНИК НОВГОРОДСКОГО УНИВЕРСИТЕТА, НОМЕР 4(95) 2016, С.23-25. *
КАРАЧИНОВ В.А., КАРАЧИНОВ Д.В., КАЗАКОВА М.В. и др., "ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ ИЗЛУЧАЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КАРБИДА ТЕЛЕВИЗИОННЫМ МЕТОДОМ", ВЕСТНИК НОВГОРОДСКОГО УНИВЕРСИТЕТА, НОМЕР 4(95) 2016, С.23-25. КАРАЧИНОВ В.А., КАРАЧИНОВ Д.В., ИЛЬИН С.В., " ПИРОМЕТРИЧЕСКИЕ ЗОНДЫ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ КАРБИЛА КРЕМНИЯ", ПИМА В ЖТФ, 2005, ТОМ 31, ВЫП.11, С.1-3. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2700886C1 (en) * 2019-03-04 2019-09-23 Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета" Thermal microsystem with photon heating

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zribi et al. Design, fabrication and characterization of thin film resistances for heat flux sensing application
JP5062753B2 (en) Method and apparatus for measuring the Seebeck coefficient and thermal conductivity of thin film samples
CN107389206B (en) Thermopile sensor and control method thereof
JP2012127965A (en) Sensor bridge with opening to be thermally separated
Jacquot et al. Thermal conductivity measurements on challenging samples by the 3 omega method
CN103512682A (en) Slice array heat-flow sensor
RU2648306C1 (en) Thermal micro system on the semiconductor basis
De Luca et al. Diode-based CMOS MEMS thermal flow sensors
CN208012682U (en) Flow sensor
GB587996A (en) An improved means for measuring flow of heat
CN103713013A (en) Device for testing axial heat conduction coefficient of tubular material
CN108235465A (en) A kind of low-grade fever disk and preparation method thereof and low-grade fever disc system
JP2012181090A (en) Heat flux sensor
US3605490A (en) Heat sensor
US1291489A (en) Fluid-meter
US1265775A (en) Meter.
GB1128675A (en) A thermal conductivity detector
RU177514U1 (en) THERMOANEMOMETRIC FLOW AND GAS FLOW SENSOR
JPH0778439B2 (en) How to measure the velocity of a fluid
JP2019078564A (en) Flow sensor
JPH05264566A (en) Flow sensor
US8821013B2 (en) Thermocouples with two tabs spaced apart along a transverse axis and methods
Baldwin et al. An electrochemical-based thermal flow sensor
JP5292201B2 (en) RTD
JPS5886417A (en) Method and device for measuring flow rate

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20181123