RU2646527C2 - Emitter with negative electronic affinity - Google Patents

Emitter with negative electronic affinity Download PDF

Info

Publication number
RU2646527C2
RU2646527C2 RU2016135144A RU2016135144A RU2646527C2 RU 2646527 C2 RU2646527 C2 RU 2646527C2 RU 2016135144 A RU2016135144 A RU 2016135144A RU 2016135144 A RU2016135144 A RU 2016135144A RU 2646527 C2 RU2646527 C2 RU 2646527C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitter
semiconductor film
cesium
deposited
film
Prior art date
Application number
RU2016135144A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2016135144A3 (en
RU2016135144A (en
Inventor
Степан Степанович Волков
Николай Леонидович Пузевич
Сергей Владимирович Демихов
Сергей Васильевич Николин
Константин Николаевич Двойных
Original Assignee
Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Рязанское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище имени генерала армии В.Ф. Маргелова "Министерства обороны Российской Федерации
Российская Федерация, в лице которой выступает Министерство обороны Российской Федерации
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Рязанское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище имени генерала армии В.Ф. Маргелова "Министерства обороны Российской Федерации, Российская Федерация, в лице которой выступает Министерство обороны Российской Федерации filed Critical Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Рязанское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище имени генерала армии В.Ф. Маргелова "Министерства обороны Российской Федерации
Priority to RU2016135144A priority Critical patent/RU2646527C2/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2016135144A3 publication Critical patent/RU2016135144A3/ru
Publication of RU2646527C2 publication Critical patent/RU2646527C2/en
Publication of RU2016135144A publication Critical patent/RU2016135144A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes

Abstract

FIELD: physics.
SUBSTANCE: emitter with a negative electron affinity for the photoelectronic infrared range converter that contains a transparent window, a translucent semiconductor film from compound A3B5, doped of p-type, deposited on the window surface, a layer of atoms of cesium and oxygen deposited on the surface of the semiconductor film further comprises a wide band-gap semiconductor film, doped of n-type, deposited on the semiconductor film A3B5 in the form of a closed strip around the perimeter of the emitter with a width of 1 mcm and a thickness of more than 0.2 microns.
EFFECT: providing the possibility of increasing the lifetime during the manufacture of the device and in the process of operating the device by limiting the escape of cesium from the surface.
2 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области вакуумной эмиссионной электроники, к фотопреобразовательной технике и предназначено для применения в фотоэлектронных преобразователей в инфракрасном диапазоне спектра, в приборах ночного видения.The present invention relates to the field of vacuum emission electronics, to photoconversion technology and is intended for use in photoelectric converters in the infrared range of the spectrum, in night vision devices.

Известен фотоэмиттер, содержащий прозрачное окно, полупрозрачную полупроводниковую пленку, имеющий в составе атомы цезия [Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. - М.: Наука. 1966. - 564 с.]. Известный фотоэмиттер имеет низкую чувствительность в целом и в том числе в инфракрасном диапазоне.Known photoemitter containing a transparent window, a translucent semiconductor film containing cesium atoms [Dobretsov L.N., Gomoyunova M.V. Emission electronics. - M .: Science. 1966. - 564 p.]. The well-known photoemitter has a low sensitivity in general, including in the infrared range.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является эмиттер с отрицательным электронным сродством для прибора инфракрасного диапазона, содержащий прозрачное окно, полупрозрачную полупроводниковую пленку из соединения А3В5, легированную р-типа, нанесенную на поверхность окна, слой атомов цезия и кислорода, нанесенный на поверхность полупроводниковой пленки [Соболева Н.А., Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. - М.: Высшая школа, 1974. - 376 с. Заводская технологическая документация]. Известный эмиттер обладает малой работой выхода, создаваемой кислородно-цезиевым покрытием. Недостатком известного эмиттера является снижение эмиссионной способности с течением времени, вызываемым уходом атомов цезия с рабочей поверхности эмиттера, что снижает время жизни после изготовления и до монтажа в прибор, а также ресурс работы в приборе в процессе эксплуатации.Closest to the proposed invention is an emitter with a negative electron affinity for an infrared device containing a transparent window, a translucent semiconductor film of compound A 3 B 5 , doped p-type deposited on the window surface, a layer of cesium and oxygen atoms deposited on the semiconductor surface films [Soboleva N.A., Melamid A.E. Photoelectronic devices. - M.: Higher School, 1974. - 376 p. Factory technological documentation]. Known emitter has a small work function created by oxygen-cesium coating. A disadvantage of the known emitter is a decrease in emissivity over time caused by the departure of cesium atoms from the working surface of the emitter, which reduces the life time after manufacture and before installation in the device, as well as the resource of work in the device during operation.

Техническое решение направлено на увеличение времени жизни в процессе изготовления прибора и в процессе эксплуатации прибора путем ограничения ухода цезия с поверхности.The technical solution is aimed at increasing the lifetime during the manufacturing process of the device and during the operation of the device by restricting the cesium from leaving the surface.

Техническое решение достигается тем, что эмиттер с отрицательным электронным сродством для фотоэлектронного преобразователя инфракрасного диапазона, содержащий прозрачное окно, полупрозрачную полупроводниковую пленку из соединения А3В5, легированную р-типа, нанесенную на поверхность окна, слой атомов цезия и кислорода, нанесенный на поверхность полупроводниковой пленки, дополнительно содержит широкозонную полупроводниковую пленку, легированную n-типа, нанесенную на полупроводниковую пленку А3В5 в форме замкнутой полосы по периметру эмиттера шириной более 1 мкм и толщиной более 0.2 мкм.The technical solution is achieved by the fact that the emitter with negative electron affinity for the infrared photoelectric converter, comprising a transparent window, a translucent semiconductor film from compound A 3 B 5 , p-type doped, deposited on the window surface, a layer of cesium and oxygen atoms deposited on the surface semiconductor film, further comprises a wide-band semiconductor film doped with n-type deposited on a semiconductor film 3 B 5 in the form of a closed band Perim rub emitter width greater than 1 micron and a thickness of more than 0.2 microns.

На фигуре 1 приведена структурная схема эмиттера с отрицательным электронным сродством (ЭсОЭС).The figure 1 shows the structural diagram of the emitter with negative electron affinity (EsOES).

На фигуре 2 приведена зонная схема контакта полупроводниковой пленки и широкозонного полупроводника.The figure 2 shows the zone contact diagram of the semiconductor film and a wide-gap semiconductor.

Эмиттер с отрицательным электронным сродством (далее - эмиттер) содержит (фиг. 1) прозрачное окно 1, соединяемое вакуумноплотно с корпусом 2 фотоэлектронного преобразователя, полупрозрачную полупроводниковую пленку 3 из соединения А3В5, легированного примесями р-типа, нанесенную на поверхность окна 1, слой 4 атомов цезия и кислорода, нанесенный на поверхность полупроводниковой пленки 3, широкозонную полупроводниковую пленку 5, легированную n-типа, нанесенную на полупроводниковую пленку А3В5 3 в форме полосы по периметру эмиттера шириной более 1 мкм и толщиной более 0.2 мкм и слой 6 цезия на поверхности пленки 5. Понятием «широкозонный» принято характеризовать полупроводник с широкой запрещенной зоной.The emitter with negative electron affinity (hereinafter referred to as the emitter) contains (Fig. 1) a transparent window 1 connected vacuum-tight to the casing 2 of the photoelectronic converter, a translucent semiconductor film 3 of compound A 3 B 5 doped with p-type impurities deposited on the surface of the window 1 layer 4 of cesium and oxygen, deposited on the surface of the semiconductor film 3, the wide-band semiconductor film 5 is doped with n-type deposited on a semiconductor film 3 B 5 3 in the perimeter of the emitter strip form width bo 1 m and its thickness greater than 0.2 microns and cesium film layer 6 on the surface 5. The term "wide-band" is commonly characterized by a semiconductor with a wide band gap.

На зонной схеме (фиг. 2) контакта полупроводниковой пленки 3 (фиг. 1) из соединения А3В5, легированного примесями р-типа, и широкозонной полупроводниковой пленки 5, легированной n-типа, показаны энергетические уровни дна зоны проводимости пленки Ec1 (фиг. 2); акцепторные ЕА и верха валентной зоны Ev1 для пленки А3В5, а также уровни дна зоны проводимости пленки Ec2, донорные ЕД и верха валентной зоны Ev2 для широкозонной пленки.In the zone diagram (Fig. 2) of the contact of the semiconductor film 3 (Fig. 1) from compound A 3 B 5 doped with p-type impurities and the wide-gap semiconductor film 5 doped with n-type, the energy levels of the bottom of the conduction band of the film E c1 are shown (Fig. 2); acceptor Е A and the top of the valence band E v1 for the film A 3 В 5 , as well as the levels of the bottom of the conduction band of the film E c2 , donor Е Д and the top of the valence band E v2 for the wide-gap film.

Эмиттер работает следующим образом. Фотоны инфракрасного излучения проникают через прозрачное для инфракрасного спектра окно 1 (фиг. 1), соединенного вакуумноплотно с корпусом 2 фотоэлектронного преобразователя, и попадают в полупроводниковую пленку А3В5 3, в которой возбуждают свободные электроны. При длине свободного пробега больше толщины пленки 3 часть электронов, движущихся в сторону поверхности (к вакууму), достигают поверхности без потерь энергии. Кислородно-цезиевое покрытие 4 на поверхности пленки 3 содержит электрические диполи атомов Cs+ и О-, а также диполи нейтральных адсорбированных атомов цезия. Диполи, ориентированные плюсом от поверхности к вакууму, снижают потенциальный барьер на границе с вакуумом. На поверхности покрытия 4 содержатся также хемосорбированные атомы Cs+, изменяющие электронную концентрацию поверхности, что сказывается на зонной схеме как искривление энергетических уровней, ведущее к снижению работы выхода. Диполи и искривление зон в сумме приводят к тому, что нулевой энергетический уровень Е0 (фиг. 2) на поверхности оказывается ниже энергетического уровня дна зоны проводимости пленки в объеме Ec1 об. При этом алгебраически электронное сродство на поверхности

Figure 00000001
оказывается отрицательным. Все возбужденные фотонами электроны, подходящие к поверхности, эмиттируются в вакуум, за исключением квантового барьерного отражения.The emitter works as follows. Photons of infrared radiation penetrate through window 1 transparent to the infrared spectrum (Fig. 1), which is connected vacuum-tightly to the casing 2 of the photoelectronic converter, and enter the semiconductor film A 3 B 5 3 in which free electrons are excited. With a mean free path greater than the film thickness, 3 of the electrons moving toward the surface (towards the vacuum) reach the surface without energy loss. The cesium oxygen coating 4 on the surface of the film 3 contains electric dipoles of Cs + and O - atoms, as well as dipoles of neutral adsorbed cesium atoms. Dipoles oriented positive from the surface to the vacuum reduce the potential barrier at the interface with the vacuum. The surface of coating 4 also contains chemisorbed Cs + atoms, which change the electronic concentration of the surface, which affects the band scheme as a curvature of energy levels, leading to a decrease in the work function. In total, dipoles and curvature of the zones lead to the fact that the zero energy level E 0 (Fig. 2) on the surface is lower than the energy level of the bottom of the conduction band of the film in a volume of E c1 vol . Moreover, algebraically electronic affinity on the surface
Figure 00000001
turns out to be negative. All electrons excited by photons approaching the surface are emitted into vacuum, with the exception of quantum barrier reflection.

Сформированное кислородно-цезиевое покрытие 4 на поверхности полупроводниковой пленки 3 со временем теряет эмиссионную способность. Это время после изготовления эмиттера до монтажа в прибор исчисляется единицами-десятками минут, а в приборе определяет (в основном) срок службы прибора. В технологии имеются представления о высокой летучести атомов цезия. В открытой литературе вопрос не обсуждался. Поэтому эмиттер стремятся содержать в «атмосфере» паров цезия.Formed oxygen-cesium coating 4 on the surface of the semiconductor film 3 eventually loses its emission ability. This time after the manufacture of the emitter before installation in the device is calculated in units of tens of minutes, and in the device determines (mainly) the life of the device. The technology has ideas about the high volatility of cesium atoms. In open literature, the issue was not discussed. Therefore, the emitter strives to contain cesium vapor in the “atmosphere”.

Наши эксперименты показали, что напыленные атомы цезия на поверхность арсенида галлия мигрируют при комнатной температуре на расстояние 10 мм за время 10 мин. Другие атомы активных эмиттерных материалов не мигрируют вовсе или мигрируют с несравнимо меньшей скоростью. Так, например, ступенька тория на вольфраме расползается на 0.5 микрона за сутки с последующим «замораживанием» миграции.Our experiments showed that the deposited cesium atoms on the surface of gallium arsenide migrate at room temperature for a distance of 10 mm in 10 minutes. Other atoms of active emitter materials do not migrate at all or migrate at an incomparably lower speed. So, for example, the step of thorium on tungsten spreads to 0.5 microns per day, followed by a “freezing” of migration.

Из состояния и состава кислородно-цезиевого покрытия 4 (фиг. 1) следует, что хемосорбированные адионы цезия Cs+ на границе (на периферии) имеют некоторый градиент поверхностной концентрации, создающий силу расталкивания на ионы цезия, вытесняющую атомы цезия за пределы рабочей поверхности эмиттера. Такой же градиент испытывают валентные электроны цезия, перешедшие в свободную зону пленки 3. При этом расталкивающие силы значительно больше удерживающих сил.It follows from the state and composition of the oxygen-cesium coating 4 (Fig. 1) that the chemisorbed Cs + cesium adions at the boundary (at the periphery) have a certain surface concentration gradient, which creates a repulsive force on cesium ions, displacing cesium atoms beyond the working surface of the emitter. The same gradient is experienced by valence electrons of cesium, which have passed into the free zone of the film 3. Moreover, the repulsive forces are much larger than the holding forces.

Для: создания тормозящих сил целесообразно сформировать проводящую полупроводниковую пленку 5 с положительным потенциалом относительно полупроводниковой пленки эмиттера. Тогда положительные адатомы (адионы) цезия на границе пленок оказываются в тормозящем поле, и скорость миграции их уменьшится. В предлагаемом изобретении такая пленка напыляется на полупроводниковую пленку 3 эмиттера по контуру, по периметру. Материал пленки 5 выбирается из условия малой работы выхода и малой проводимости. Для этого используется широкозонный полупроводник, легированный донорами, что снижает работу выхода. Как правило, у широкозонных полупроводников ширина зоны проводимости меньше ширины зоны проводимости узкозонного полупроводника. Донорное легирование смещает уровень Ферми к дну зоны проводимости и снижает работу выхода. Поэтому работа выхода пленки эмиттера

Figure 00000002
больше работы выхода широкозонной пленки, легированной донорами
Figure 00000003
. При контакте напыленной широкозонной пленки 5 с пленкой эмиттера 3 уровни Ферми EF пленок 3 и 5 выравниваются по отношению к нулевому уровню бесконечности и образуют единый электрохимический потенциал. Это происходит вследствие перехода электронов из широкозонного полупроводника 5 в полупроводниковую пленку 3 эмиттера. В результате нанесенная широкозонная полупроводниковая пленка 5 по периметру пленки 3 эмиттера оказывается заряженной положительно, а пленка 3 эмиттера - отрицательно. Образовавшийся потенциальный барьер на границе пленок 3 и 5 будет тормозить расталкивание атомов цезия с рабочей поверхности эмиттера. Атомы цезия с пленки 6 на поверхности широкозонной пленки 5 оказываются под действием притягивающей силы и будут переходить с широкозонной пленки на поверхность пленки 3 эмиттера. Таким образом, сформировав запас цезия на поверхности широкозонной пленки 5, можно восполнять убыль цезия, например, десорбцией.To: create braking forces, it is advisable to form a conductive semiconductor film 5 with a positive potential relative to the semiconductor film of the emitter. Then, the positive adatoms (cations) of cesium at the boundary of the films are in a decelerating field, and their migration rate will decrease. In the present invention, such a film is sprayed onto the semiconductor film 3 of the emitter along the contour, around the perimeter. The film material 5 is selected from the conditions of low work function and low conductivity. For this, a wide-gap semiconductor doped with donors is used, which reduces the work function. As a rule, in wide-gap semiconductors, the width of the conduction band is less than the width of the conduction band of a narrow-band semiconductor. Donor doping shifts the Fermi level to the bottom of the conduction band and reduces the work function. Therefore, the work function of the emitter film
Figure 00000002
more work function of the wide-gap film doped with donors
Figure 00000003
. Upon contact of the sprayed wide-gap film 5 with the emitter film 3, the Fermi levels E F of films 3 and 5 equalize with respect to the zero level of infinity and form a single electrochemical potential. This is due to the transition of electrons from the wide-gap semiconductor 5 to the semiconductor film 3 of the emitter. As a result, the deposited wide-gap semiconductor film 5 around the perimeter of the emitter film 3 is positively charged, and the emitter film 3 is negatively charged. The potential barrier formed at the boundary of films 3 and 5 will inhibit the repulsion of cesium atoms from the working surface of the emitter. The cesium atoms from the film 6 on the surface of the wide-gap film 5 are attracted by the force and will transfer from the wide-gap film to the surface of the emitter film 3. Thus, having formed a cesium reserve on the surface of the wide-gap film 5, it is possible to compensate for the loss of cesium, for example, by desorption.

Размеры широкозонной периферийной пленки 5 по толщине ограничиваются по минимуму 0.2 микрона предотвращением возникновения возможных квантоворазмерных эффектов, а по ширине возможностями технологического изготовления. Для формирования запаса цезия удобно ширину пленки 5 выбирать равной единицам миллиметров.The dimensions of the wide-gap peripheral film 5 are limited in thickness by a minimum of 0.2 microns to prevent the occurrence of possible quantum-size effects, and in width by the possibilities of technological manufacturing. To form a supply of cesium, it is convenient to choose a film width of 5 equal to units of millimeters.

Сопоставительный анализ с прототипом показал, что в предлагаемом техническом решении уход цезия с рабочей поверхности эмиттера миграцией по поверхности за пределы рабочей поверхности ограничивается положительным, отталкивающим потенциальным барьером контакта разных полупроводников, а возможный уход цезия десорбцией восполняется миграцией с периферийной пленки 5 на рабочую поверхность пленок 3 и 4. Такое техническое решение может повысить службы эмиттера более чем на 10%.Comparative analysis with the prototype showed that in the proposed technical solution, the cesium escape from the emitter’s working surface by surface migration outside the working surface is limited by the positive, repulsive potential barrier of contact of different semiconductors, and the possible cesium escape by desorption is compensated by migration from the peripheral film 5 to the working surface of the films 3 and 4. Such a technical solution can increase the services of the emitter by more than 10%.

Технико-экономическое обоснование на предлагаемое изобретение «Эмиттер с отрицательным электронным сродством», авторы: Волков С.С., Пузевич Н.Л., Демихов С.В., Николин С.В., Двойных К.Н.Feasibility study for the proposed invention "Emitter with negative electronic affinity", authors: Volkov SS, Puzevich NL, Demikhov SV, Nikolin SV, Dvoinykh K.N.

Предлагаемое изобретение позволяет увеличить срок службы фотоэлектронного преобразователя за счет увеличения срока службы эмиттера. Увеличение времени жизни после изготовления до монтажа в прибор позволит более свободно планировать производственный процесс, что приводит к экономии средств. Увеличение срока службы эмиттера в приборе позволяет снизить себестоимость прибора в целом. Так как срок службы прибора определяется в основном сроком службы эмиттера, то увеличение срока службы на 10% позволит почти настолько же снизить себестоимость прибора в целом.The present invention allows to increase the life of the photoelectric converter by increasing the life of the emitter. The increase in the life time after manufacture before installation in the device will allow more free planning of the production process, which leads to cost savings. Increasing the life of the emitter in the device allows you to reduce the cost of the device as a whole. Since the service life of the device is determined mainly by the life of the emitter, an increase in the service life by 10% will make it possible to almost reduce the cost of the device as a whole.

Claims (1)

Эмиттер с отрицательным электронным сродством для фотоэлектронного преобразователя инфракрасного диапазона, содержащий прозрачное окно, полупрозрачную полупроводниковую пленку из соединения А3В5, легированную p-типа, нанесенную на поверхность окна, слой атомов цезия и кислорода, нанесенный на поверхность полупроводниковой пленки, отличающийся тем, что дополнительно содержит широкозонную полупроводниковую пленку, легированную n-типа, нанесенную на полупроводниковую пленку А3В5 в форме замкнутой полосы по периметру эмиттера шириной более 1 мкм и толщиной более 0.2 мкм.A negative electron affinity emitter for an infrared photoelectric converter, comprising a transparent window, a translucent semiconductor film of compound A 3 B 5 , p-type doped, deposited on the window surface, a layer of cesium and oxygen atoms deposited on the surface of the semiconductor film, characterized in which additionally contains a wide-band n-type doped semiconductor film deposited on an A 3 B 5 semiconductor film in the form of a closed strip around the width of the emitter th more than 1 micron and a thickness of more than 0.2 microns.
RU2016135144A 2016-08-29 2016-08-29 Emitter with negative electronic affinity RU2646527C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016135144A RU2646527C2 (en) 2016-08-29 2016-08-29 Emitter with negative electronic affinity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016135144A RU2646527C2 (en) 2016-08-29 2016-08-29 Emitter with negative electronic affinity

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016135144A3 RU2016135144A3 (en) 2018-03-05
RU2646527C2 true RU2646527C2 (en) 2018-03-05
RU2016135144A RU2016135144A (en) 2018-03-05

Family

ID=61568656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016135144A RU2646527C2 (en) 2016-08-29 2016-08-29 Emitter with negative electronic affinity

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2646527C2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4477294A (en) * 1981-05-06 1984-10-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of forming GaAs on Aly Ga1-y As transmission mode photocathodehode
WO1994001882A1 (en) * 1992-07-03 1994-01-20 Photek Limited Photoemitters
WO1996030945A2 (en) * 1995-03-29 1996-10-03 North Carolina State University Integrated heterostructures of group iii-v nitride semiconductor materials and methods for fabricating the same
US7455565B2 (en) * 2004-10-13 2008-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fabrication of group III-nitride photocathode having Cs activation layer
RU2513662C2 (en) * 2012-06-29 2014-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Method of making negative electron affinity photoemitter for infrared region

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4477294A (en) * 1981-05-06 1984-10-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of forming GaAs on Aly Ga1-y As transmission mode photocathodehode
WO1994001882A1 (en) * 1992-07-03 1994-01-20 Photek Limited Photoemitters
WO1996030945A2 (en) * 1995-03-29 1996-10-03 North Carolina State University Integrated heterostructures of group iii-v nitride semiconductor materials and methods for fabricating the same
US7455565B2 (en) * 2004-10-13 2008-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fabrication of group III-nitride photocathode having Cs activation layer
RU2513662C2 (en) * 2012-06-29 2014-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Method of making negative electron affinity photoemitter for infrared region

Also Published As

Publication number Publication date
RU2016135144A3 (en) 2018-03-05
RU2016135144A (en) 2018-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chuang et al. Open-circuit voltage deficit, radiative sub-bandgap states, and prospects in quantum dot solar cells
Schwede et al. Photon-enhanced thermionic emission from heterostructures with low interface recombination
CN108281554B (en) Photoelectric detector with quantum dot structure and preparation method thereof
Haneman Photoelectric emission and work functions of InSb, GaAs, Bi2Te3 and germanium
US3958143A (en) Long-wavelength photoemission cathode
Williams Injection by internal photoemission
KR100393461B1 (en) Heterojunction energy gradient structure
CN107482072A (en) Graphene-based wavelength selective optical detector with sub-bandgap detectivity
Zhang et al. Thermo‐phototronic effect enhanced InP/ZnO nanorod heterojunction solar cells for self‐powered wearable electronics
Rafiq Carrier transport mechanisms in semiconductor nanostructures and devices
Mukherjee et al. Substitutional electron and hole doping of WSe 2: synthesis, electrical characterization, and observation of band-to-band tunneling
Mönch Surface States on Clean and on Cesium‐Covered Cleaved Silicon Surfaces
Xu et al. Doping of two-dimensional MoS2 by high energy ion implantation
US20150053261A1 (en) Solar cell
KR20190012050A (en) Electric device based on black phosphorous single channel with multi-function and method of manufacturing the same
Huh et al. Low frequency noise in single GaAsSb nanowires with self-induced compositional gradients
Van Ruyven et al. Electronic transport in graded-band-gap semiconductors
RU2646527C2 (en) Emitter with negative electronic affinity
Newmark et al. The influence of localized electronic states on the photoelectrochemical behavior of passive films
Chen et al. Penetration length-dependent hot electrons in the field emission from ZnO nanowires
KR20090035869A (en) Organic semiconductor device
Gu et al. In situ doping control and electrical transport investigation of single and arrayed CdS nanopillars
Mirsagatov et al. Photoelectric and electrical properties of a reverse-biased p-Si/n-CdS/n+-CdS heterostructure
Mead et al. Photoemission from Au and Cu into CdS
US20170221595A1 (en) Radiation tolerant microstructured three dimensional semiconductor structure

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180830