RU2615054C1 - Method of measuring absorbed power per unit volume of microwave discharge plasma in hydrogen-containing gas - Google Patents
Method of measuring absorbed power per unit volume of microwave discharge plasma in hydrogen-containing gas Download PDFInfo
- Publication number
- RU2615054C1 RU2615054C1 RU2015155907A RU2015155907A RU2615054C1 RU 2615054 C1 RU2615054 C1 RU 2615054C1 RU 2015155907 A RU2015155907 A RU 2015155907A RU 2015155907 A RU2015155907 A RU 2015155907A RU 2615054 C1 RU2615054 C1 RU 2615054C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- microwave
- microwave discharge
- discharge
- volume
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD (chemical vaper deposition) методом и может быть использовано, например, для проведения сравнения различных CVD реакторов и выбора реактора с наилучшими характеристиками.The invention relates to technology for the deposition of diamond films from the gas phase CVD (chemical vaper deposition) method and can be used, for example, to compare different CVD reactors and select the reactor with the best characteristics.
Алмазные пленки, полученные CVD методом, находят применение в различных областях науки и техники. В частности, толстые поликристаллические алмазные пленки (пластины) используются в качестве выходных окон мощных СВЧ генераторов, а также в качестве высокоэффективных отводов тепла. Монокристаллические алмазные пленки могут использоваться для изготовления мощных полупроводниковых приборов. Нанокристаллические алмазные пленки применяются в качестве покрытий с предельно низкой шероховатостью, что важно в трибологических и механических приложениях. Еще одна сфера применения таких пленок - эмиттеры для плоских дисплеев и автоэмиссионные катоды в вакуумной электронике. При этом существенным для применения являются не только уникальные свойства алмазных пленок, но и скорость их роста, важная с точки зрения экономической рентабельности. По мере развития науки и техники предъявляются все более жесткие требования к характеристикам создаваемых алмазных пленок, к удешевлению и оптимизации процесса их производства.Diamond films obtained by the CVD method are used in various fields of science and technology. In particular, thick polycrystalline diamond films (wafers) are used as output windows of high-power microwave generators, as well as highly efficient heat dissipations. Single-crystal diamond films can be used for the manufacture of high-power semiconductor devices. Nanocrystalline diamond films are used as coatings with extremely low roughness, which is important in tribological and mechanical applications. Another area of application for such films is emitters for flat displays and field emission cathodes in vacuum electronics. At the same time, not only the unique properties of diamond films are essential for application, but also their growth rate, which is important from the point of view of economic profitability. With the development of science and technology, more stringent requirements are placed on the characteristics of the created diamond films, on the cheapening and optimization of the process of their production.
Необходимым условием для получения алмазных пленок в углеродсодержащей газовой среде является наличие атомарного водорода вблизи поверхности, на которой осаждается пленка. Скорость роста алмазных пленок в CVD реакторах зависит от концентрации атомарного водорода, которая определяется величиной поглощаемой мощности в единице объема плазмы (K.W. Hemawan, Т.А. Grotjohn, D.K. Reinhard, J. Asmussen, Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452.) Поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяется как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы. Полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность можно измерить с высокой точностью. Основная ошибка в определении поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда связана с неоднозначным определением объема плазмы.A necessary condition for obtaining diamond films in a carbon-containing gas medium is the presence of atomic hydrogen near the surface on which the film is deposited. The growth rate of diamond films in CVD reactors depends on the concentration of atomic hydrogen, which is determined by the absorbed power per unit volume of the plasma (KW Hemawan, T.A. Grotjohn, DK Reinhard, J. Asmussen, Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high- pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452.) The absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge is defined as the ratio of the total absorbed microwave power in a plasma to the plasma volume. The total microwave power absorbed in a plasma can be measured with high accuracy. The main error in determining the absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge is associated with an ambiguous determination of the plasma volume.
Известно несколько способов определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в CVD реакторах. Наиболее распространенным является способ определения поглощенной мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда с помощью фотографии, которую используют для определения объема плазмы СВЧ разряда. Фотографию масштабируют, используя какой-нибудь пространственный масштаб в области разряда. После этого предлагают правило, по которому выбирают границу плазмы. Затем, учитывая аксиальную симметрию плазмы, вычисляется ее объем.Several methods are known for determining the absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge in CVD reactors. The most common is the method of determining the absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge using a photograph, which is used to determine the plasma volume of a microwave discharge. The photo is scaled using some spatial scale in the discharge region. After that, they propose a rule by which the plasma boundary is chosen. Then, taking into account the axial symmetry of the plasma, its volume is calculated.
Так, например, известен способ определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы в водородсодержащем газе (диссертация Nadira Derkaoui " des plasmas micro-ondes haute de puissance en H2-CH4 et H2-CH4-B2H6 pour le de diamant", 2012), заключающийся в том, что проводят измерение интенсивности линии излучения аргона, добавленного для диагностики, с длиной волны 750.4 нм вдоль оси симметрии разряда. Затем делают предположение, что поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда распределена в пространстве так же, как интенсивность линии аргона. Далее величину поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют усреднением неоднородного пространственного распределения интенсивности линии аргона. В этом способе никак не оценивается ошибка измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом превышает 100%.So, for example, a method for determining the absorbed power per unit volume of a plasma in a hydrogen-containing gas is known (dissertation by Nadira Derkaoui " des plasmas micro-ondes haute de puissance en H2-CH4 et H2-CH4-B2H6 pour le de diamant ", 2012), which consists in measuring the intensity of the emission line of argon, added for diagnostics, with a wavelength of 750.4 nm along the axis of symmetry of the discharge. Then, it is assumed that the absorbed power per unit volume of the plasma microwave discharge is distributed in space so the same as the intensity of the argon line. Next, the absorbed power per unit volume of the microwave discharge plasma is calculated by averaging the inhomogeneous spatial distribution of the intensity of the argon line. In this method, no error is estimated According to our estimates, the error in measuring the absorbed power in a unit volume of a microwave plasma discharge by this method exceeds 100%.
Измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда можно осуществить способом, предложенным в статье Hemawan K.W., Grotjohn Т.А., Rein-hard D.K., Asmussen J. Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452, который выбран в качестве прототипа. Способ-прототип заключается в том, что поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда. Объем плазмы СВЧ разряда определяют по масштабированным фотографиям светимости разряда во всем оптическом диапазоне спектра. Границу области разряда, по которой вычисляют объем плазмы СВЧ разряда, определяют по яркому центральному ядру плазмы.Measurement of absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge can be carried out by the method proposed in the article Hemawan KW, Grotjohn T.A., Rein-hard DK, Asmussen J. Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452, which is selected as a prototype. The prototype method consists in the fact that the absorbed power per unit volume of the plasma microwave discharge is defined as the ratio of the total absorbed microwave plasma power to the plasma volume of the microwave discharge. The plasma volume of the microwave discharge is determined from the scaled photographs of the discharge luminosity in the entire optical range of the spectrum. The boundary of the discharge region from which the microwave plasma volume is calculated is determined by the bright central plasma core.
Недостатком способа прототипа является использование интегральной светимости разряда, в том числе и не водородсодержащих линий излучения, для измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда, так как не очевидна ее связь с областью пространства, где происходит поглощение энергии, а также определение границы разряда по переходу между центральной ярко светящейся областью и остальным оптическим свечением разряда. В этом способе авторы тоже не приводят ошибку измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом также превышает 100%.The disadvantage of the prototype method is the use of the integrated luminosity of the discharge, including non-hydrogen-containing radiation lines, to measure the absorbed power per unit volume of the microwave plasma discharge, since its connection with the region of space where energy absorption occurs, as well as determining the boundary of the discharge by transition between the central brightly luminous region and the rest of the optical discharge glow. In this method, the authors also do not give a measurement error. According to our estimates, the error in measuring the absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge by this method also exceeds 100%.
Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является разработка способа, позволяющего повысить точность измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе.The problem to which the present invention is directed, is to develop a method to improve the accuracy of measuring the absorbed power per unit volume of a microwave plasma discharge in a hydrogen-containing gas.
Технический результат в разработанном способе достигается тем, что измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность, фотографируют плазму СВЧ разряда, определяют границу плазмы СВЧ разряда по интенсивности оптического излучения для нахождения ее объема, вычисляют поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда.The technical result in the developed method is achieved by measuring the total microwave power absorbed in the plasma, photographing the microwave plasma, determining the boundary of the microwave plasma by the intensity of the optical radiation to find its volume, calculating the absorbed power per unit volume of the microwave plasma as the ratio of the total absorbed in microwave power plasma to the volume of the microwave plasma discharge.
Новым в разработанном способе является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда цифровой зеркальной камерой через оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα, применяют линейное преобразование интенсивности оптического излучения для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда при обработке информации, используют распределение интенсивности оптического излучения для определения границы объема плазмы СВЧ разряда, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения.New in the developed method is that they photograph microwave plasma by a digital mirror camera through an optical filter that selects the line of the hydrogen atom of the Balmer Hα series, use linear conversion of the intensity of optical radiation for each pixel in a photograph of a plasma of a microwave discharge when processing information, use the distribution of optical radiation intensity to determining the boundary of the plasma volume of the microwave discharge by choosing an intensity level of not more than 15% of the maximum value.
В первом частном случае реализации способа (по п. 2) новым является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда с ее изображения, сформированного вспомогательным объективом на матовом экране.In the first particular case of the implementation of the method (according to claim 2), it is new that a microwave discharge plasma is photographed from its image formed by an auxiliary lens on a matte screen.
Во втором частном случае реализации способа (по п. 3) новым является то, что фотографию плазмы СВЧ разряда сохраняют в формате RAW.In the second particular case of the implementation of the method (according to claim 3), it is new that the photo of the microwave discharge plasma is stored in RAW format.
Способ поясняется следующими чертежами.The method is illustrated by the following drawings.
На фиг. 1 приведена схема измерений для общей реализации разработанного способа по п. 1: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера.In FIG. 1 shows the measurement scheme for the overall implementation of the developed method according to p. 1: 1 - the resonator inside which the plasma is created; 2 - microwave plasma discharge; 3 - an optical filter that selects the line of the hydrogen atom of the Balmer Hα series; 4 - digital SLR camera.
На фиг. 2 приведена схема измерений для реализации способа по п. 2: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера, 5 - дополнительный объектив, 6 - матовый экран.In FIG. 2 shows a measurement scheme for implementing the method according to claim 2: 1 — a resonator inside which a plasma is created; 2 - microwave plasma discharge; 3 - an optical filter that selects the line of the hydrogen atom of the Balmer Hα series; 4 - digital SLR camera, 5 - additional lens, 6 - matte screen.
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе реализуют следующим образом (см. Фиг. 1):The method of measuring the absorbed power per unit volume of the plasma microwave discharge in a hydrogen-containing gas is implemented as follows (see Fig. 1):
Измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность в плазме СВЧ разряда 2, которую создают в резонаторе 1, имеющем обычно цилиндрическую форму. Плазму СВЧ разряда 2 фотографируют цифровой зеркальной камерой 4 через оптический фильтр 3, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα. При обработке информации, полученной с ПЗС (прибор с зарядовой связью) матрицы цифровой зеркальной камеры 4, используют только линейные преобразования интенсивности для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда 2. Границу плазмы СВЧ разряда 2 определяют по распределению интенсивности оптического излучения, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения. Поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда 2.The total microwave power absorbed in the microwave plasma is measured in the plasma of the
Реализация способа по п. 2 (см. Фиг. 2) отличается тем, что фотографируют плазму СВЧ разряда 2 с ее изображения, сформированного дополнительным объективом 5 на матовом экране 6. На практике это сильно упрощает процесс фотографирования плазмы. Однако, поскольку при такой схеме измерения цифровая зеркальная камера 4 оказывается расположенной под углом, дополнительно сравнивают фотографию плазмы СВЧ разряда 2 с фотографией образца прямоугольной формы, помещенного на место разряда (по нему также определяют линейные размеры на фотографии), и путем последующего пересчета при обработке фотографии плазмы СВЧ разряда 2 корректируют имеющиеся геометрические искажения.The implementation of the method according to claim 2 (see Fig. 2) is characterized in that they photograph the
Реализация способа по п. 3 отличается тем, что фотографию плазмы СВЧ разряда 2 сохраняют в формате RAW (необработанные данные) для получения информации непосредственно с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4 без искажений, связанных с обработкой данных, которая происходит при сохранении в другие форматы. Использование других форматов, например JPEG, приводит к нелинейным преобразованиям интенсивности оптического излучения, полученной с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4, в общем случае с неизвестным профилем. Уменьшение искажений при передаче и обработке получаемой информации, соответственно, влечет за собой повышение точности предлагаемого способа измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда.The implementation of the method according to
По расчетам авторов, предлагаемый способ позволяет определять поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с ошибкой не более 20-30%, что является хорошим результатом по сравнению с аналогами и прототипом. Такой относительно невысокой ошибки удается достичь из-за использования в способе интенсивности излучения линии атома водорода серии Бальмера Нα, потому что, во-первых, эта линия обладает высокой интенсивностью и легко регистрируется и, во-вторых, согласно расчетам авторов, ее пространственное распределение наиболее близко, по сравнению с другими линиями излучения плазмы, совпадает с распределением поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе. Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с достаточно высокой точностью и позволяет проводить корректное сравнение режимов осаждения алмазных пленок в различных плазмохимических CVD реакторах.According to the calculations of the authors, the proposed method allows to determine the absorbed power per unit volume of the plasma of a microwave discharge in a hydrogen-containing gas with an error of not more than 20-30%, which is a good result in comparison with analogues and prototype. Such a relatively low error can be achieved due to the use of the Balmer Hα series of the hydrogen atom line in the radiation intensity method, because, firstly, this line has a high intensity and is easily detected and, secondly, according to the authors' calculations, its spatial distribution is most close, in comparison with other plasma emission lines, coincides with the distribution of absorbed power per unit volume of the microwave plasma discharge in a hydrogen-containing gas. Thus, the proposed method provides a measurement of the absorbed power in a unit volume of a microwave plasma discharge in a hydrogen-containing gas with sufficiently high accuracy and allows a correct comparison of the deposition of diamond films in various plasma-chemical CVD reactors.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015155907A RU2615054C1 (en) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | Method of measuring absorbed power per unit volume of microwave discharge plasma in hydrogen-containing gas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015155907A RU2615054C1 (en) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | Method of measuring absorbed power per unit volume of microwave discharge plasma in hydrogen-containing gas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2615054C1 true RU2615054C1 (en) | 2017-04-03 |
Family
ID=58506923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015155907A RU2615054C1 (en) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | Method of measuring absorbed power per unit volume of microwave discharge plasma in hydrogen-containing gas |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2615054C1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU275512A1 (en) * | А. Н. Хвощев, Л. И. Щукин , А. Г. Костин | DEVICE FOR MEASURING THE PLASMA ABSORPTION COEFFICIENT | ||
RU2193167C2 (en) * | 2000-04-13 | 2002-11-20 | Дагестанский государственный университет | Method of determination of spectral characteristics of radiating object |
JP2006132960A (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Japan Atomic Energy Agency | High frequency power measurement device in high frequency induction heating device |
-
2015
- 2015-12-25 RU RU2015155907A patent/RU2615054C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU275512A1 (en) * | А. Н. Хвощев, Л. И. Щукин , А. Г. Костин | DEVICE FOR MEASURING THE PLASMA ABSORPTION COEFFICIENT | ||
RU2193167C2 (en) * | 2000-04-13 | 2002-11-20 | Дагестанский государственный университет | Method of determination of spectral characteristics of radiating object |
JP2006132960A (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Japan Atomic Energy Agency | High frequency power measurement device in high frequency induction heating device |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
S.S. Harilal, Binhu Harilal. Experimental Studies of the Energy Absorption and Emission from Laser Induced Spark in Air/ University of California. - 30.01.2002. Л.М. Василяк, А.В. Красночуб. Метод измерения поглощенной энергии в электрических разрядах наносекундной длительности / Электронная обработка материалов, 2013, 49(5), с. 74-80. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mitchell et al. | Bulk minority carrier lifetimes and doping of silicon bricks from photoluminescence intensity ratios | |
KR101031327B1 (en) | Plasma electron temperature measuring method and device | |
Phang et al. | Carrier de-smearing of photoluminescence images on silicon wafers using the continuity equation | |
Du et al. | A time-walk correction method for PET detectors based on leading edge discriminators | |
Becker et al. | Highly p-doped regions in silicon solar cells quantitatively analyzed by small angle beveling and micro-Raman spectroscopy | |
Bai et al. | Neutral gas temperature measurements of high-power-density fluorocarbon plasmas by fitting swan bands of c2 molecules | |
Gan et al. | 2D divertor heat flux distribution using a 3D heat conduction solver in National Spherical Torus Experiment | |
Vespucci et al. | Robust energy calibration technique for photon counting spectral detectors | |
RU2615054C1 (en) | Method of measuring absorbed power per unit volume of microwave discharge plasma in hydrogen-containing gas | |
Taheri et al. | Geant4 simulation of zinc oxide nanowires in anodized aluminum oxide template as a low energy X-ray scintillator detector | |
Needleman et al. | Rapid dislocation‐density mapping of as‐cut crystalline silicon wafers | |
CN105300882A (en) | Method for judging graphene layer number rate through optical microscope pictures | |
Ran et al. | Measurement of the first Townsend’s ionization coefficients in helium, air, and nitrogen at atmospheric pressure | |
CN117268578A (en) | Device and method for non-contact temperature detection based on phosphorescent material | |
Yao et al. | Optical properties of large-size and damage-free polished Lu2O3 single crystal covering the ultraviolet-visible-and near-infrared (UV–VIS–NIR) spectral region | |
Danilewsky et al. | Real‐time X‐ray diffraction imaging for semiconductor wafer metrology and high temperature in situ experiments | |
CN105300550B (en) | A kind of measuring method and system of the distribution of device micro-meter scale two-dimension temperature | |
Gurov et al. | Optical lattice clocks as candidates for a possible redefinition of the SI second | |
Pogue et al. | The effect of residual stress on photoluminescence in multi-crystalline silicon wafers | |
BREILAND | Reflectance-correcting pyrometry in thin film deposition applications | |
CN114858283A (en) | Arc plasma temperature measurement method considering composite radiation | |
CN107631798A (en) | The wavelength scaling method and system of push-broom type imaging spectrometer | |
CN103842471B (en) | Solid scintillator and use the electron beam of this solid scintillator | |
Phillips et al. | Cathodoluminescence and Spatial Variation in Mobility-Lifetime $(\mu\tau) $ Product in Bulk Doped Thallium Bromide | |
JP2012235018A (en) | Evaluation method of polycrystalline silicon wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191226 |