RU2614289C1 - Method for producing graphene film on substrate - Google Patents
Method for producing graphene film on substrate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2614289C1 RU2614289C1 RU2015148249A RU2015148249A RU2614289C1 RU 2614289 C1 RU2614289 C1 RU 2614289C1 RU 2015148249 A RU2015148249 A RU 2015148249A RU 2015148249 A RU2015148249 A RU 2015148249A RU 2614289 C1 RU2614289 C1 RU 2614289C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- carbon
- reactor
- graphene
- containing gas
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0095—Manufacture or treatments or nanostructures not provided for in groups B82B3/0009 - B82B3/009
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2204/00—Structure or properties of graphene
Abstract
Description
Изобретение относится к области химии, и полученные пленки могут быть использованы в различных областях электроники, в частности, оптоэлектроники, а также в качестве прозрачных электродов и для создания приборов наноэлектроники нового поколения.The invention relates to the field of chemistry, and the resulting films can be used in various fields of electronics, in particular, optoelectronics, as well as transparent electrodes and to create new generation nanoelectronics devices.
Большое внимание в последнее время уделяется проблеме роста графена на подложках. Для этой цели были предложены два подхода. Первый - это формирование слоев графена на интерфейсе подложка-катализатор. Попытки вырастить графен на интерфейсе подложка-катализатор предпринимались как для пленок никелевого катализатора, где механизм роста графена на интерфейсе связан с диффузией углерода, растворенного в никеле, на границу раздела подложка-катализатор [H-J. Shin, W.М. Choi, S-M. Yoon, G.Н. Han, Y.S. Woo, E.S. Kim, S.J. Chae, X-S. Li, A. Benayad, D.D. Loc, F. Gunes, Y.H. Lee, J-Y. Choi. Transfer-Free Growth of Few-Layer Graphene by Self-Assembled Monolayers. // Adv. Mater. - 2011 - V. 23 - P. 4392; Z. Peng, Z. Yan, Z. Sun, J.M. Tour. Direct Growth of Bilayer Graphene on SiO2 Substrates by Carbon Diffusion through Nickel. // ACS Nano - 2011 - V. 5 - P. 8241], так и для пленок медного катализатора [C-Y. Su, A-Y. Lu, C-Y. Wu, Y-T. Li, K-K. Liu, W. Zhang, S-Y. Lin, Z-Y. Juang, Y-L. Zhong, F-R. Chen, L-J. Li. Direct Formation of Wafer Scale Graphene Thin Layers on Insulating Substrates by Chemical Vapor Deposition. // Nano Lett. - 2011 - V. 11 - P. 3612. Все эти способы получения графена обладают рядом недостатков.Much attention has recently been paid to the problem of graphene growth on substrates. Two approaches have been proposed for this purpose. The first is the formation of graphene layers at the substrate-catalyst interface. Attempts to grow graphene at the substrate-catalyst interface were made as for nickel catalyst films, where the growth mechanism of graphene at the interface is associated with the diffusion of carbon, dissolved in nickel, to the substrate-catalyst interface [H-J. Shin, W.M. Choi, S-M. Yoon, G.N. Han, Y.S. Woo, E.S. Kim, S.J. Chae, X-S. Li, A. Benayad, D.D. Loc, F. Gunes, Y.H. Lee, J-Y. Choi. Transfer-Free Growth of Few-Layer Graphene by Self-Assembled Monolayers. // Adv. Mater. - 2011 - V. 23 - P. 4392; Z. Peng, Z. Yan, Z. Sun, J.M. Tour Direct Growth of Bilayer Graphene on SiO2 Substrates by Carbon Diffusion through Nickel. // ACS Nano - 2011 - V. 5 - P. 8241], and for films of copper catalyst [C-Y. Su, A-Y. Lu, C-Y. Wu, Y-T. Li, K-K. Liu, W. Zhang, S-Y. Lin, Z-Y. Juang, Y-L. Zhong, F-R. Chen, L-J. Li. Direct Formation of Wafer Scale Graphene Thin Layers on Insulating Substrates by Chemical Vapor Deposition. // Nano Lett. - 2011 - V. 11 - P. 3612. All these methods for producing graphene have several disadvantages.
Наличие катализатора на поверхности диэлектрической подложки требует его последующего удаления, что усложняет и удорожает процесс. Кроме этого, получаемые пленки графена имеют многочисленные дефекты и неоднородную толщину.The presence of a catalyst on the surface of a dielectric substrate requires its subsequent removal, which complicates and increases the cost of the process. In addition, the resulting graphene films have numerous defects and non-uniform thickness.
Другой подход - это рост графена непосредственно на подложке. Для этого предлагались разные диэлектрические подложки. Были продемонстрированы успешные попытки синтеза графена CVD методом на подложках монокристаллического оксида магния [S. Kamoi, J-G. Kim, N. Hasuike, K. Kisoda, Н. Harima. Non-catalytic direct growth of nanographene on MgO substrates. // Japanese Journal of Applied Physics - 2014 - V. 53 - P.05FD06; J. Zhao, G. Zhu, W. Huang, Z. He, X. Feng, Y. Ma, X. Dong, Q. Fan, L. Wang, Z. Hu, Y. Lu, W. Huang. Synthesis of large-scale undoped and nitrogen-doped amorphous graphene on MgO substrate by chemical vapor deposition. // J. Mater. Chem. - 2012 - V. 22 - P. 19679], а также методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках слюды [G. Lippert, J. Dabrowski, Y. Yamamoto, F. Herziger, J. Maultzsch, M.C. Lemme, W. Mehr, G. Lupina. Molecular beam growth of micrometer-size graphene on mica. // Carbon - 2013 - V. 52 - Р. 40].Another approach is the growth of graphene directly on the substrate. For this, different dielectric substrates were proposed. Successful attempts were made to synthesize graphene by CVD by the method on substrates of single-crystal magnesium oxide [S. Kamoi, J-G. Kim, N. Hasuike, K. Kisoda, N. Harima. Non-catalytic direct growth of nanographene on MgO substrates. // Japanese Journal of Applied Physics - 2014 - V. 53 - P.05FD06; J. Zhao, G. Zhu, W. Huang, Z. He, X. Feng, Y. Ma, X. Dong, Q. Fan, L. Wang, Z. Hu, Y. Lu, W. Huang. Synthesis of large-scale undoped and nitrogen-doped amorphous graphene on MgO substrate by chemical vapor deposition. // J. Mater. Chem. - 2012 - V. 22 - P. 19679], as well as by the method of molecular beam epitaxy on mica substrates [G. Lippert, J. Dabrowski, Y. Yamamoto, F. Herziger, J. Maultzsch, M.C. Lemme, W. Mehr, G. Lupina. Molecular beam growth of micrometer-size graphene on mica. // Carbon - 2013 - V. 52 - P. 40].
Однако полученные графеновые пленки содержат довольно много дефектов.However, the obtained graphene films contain quite a lot of defects.
В работе [J. Chen, Y. Guo, Y. Wen, L. Huang, Y. Xue, D. Geng, B. Wu, B. Luo, G. Yu, Y Liu. Two-Stage Metal-Catalyst-Free Growth of High-Quality Polycrystalline Graphene Films on Silicon Nitride Substrates. // Adv. Mater. - 2013 - V. 25 - P. 992] была показана возможность синтеза графена непосредственно на подложках аморфного нитрида кремния.In [J. Chen, Y. Guo, Y. Wen, L. Huang, Y. Xue, D. Geng, B. Wu, B. Luo, G. Yu, Y Liu. Two-Stage Metal-Catalyst-Free Growth of High-Quality Polycrystalline Graphene Films on Silicon Nitride Substrates. // Adv. Mater. - 2013 - V. 25 - P. 992] the possibility of synthesis of graphene directly on the substrates of amorphous silicon nitride was shown.
Однако этот метод, являясь двустадийным, требует довольно сложных манипуляций с параметрами синтеза и имеет довольно длительное время синтеза, более 3-х часов. Полученные графеновые пленки также содержат довольно много дефектов.However, this method, being a two-stage one, requires rather complicated manipulations with the synthesis parameters and has a rather long synthesis time, more than 3 hours. The resulting graphene films also contain quite a few defects.
Наиболее качественные графеновые пленки были получены синтезом графена CVD методом на подложках монокристаллического сапфира [J. Hwang, М. Kim, D. Campbell, Н.A. Alsalman, J.Y. Kwak, S. Shivaraman, A.R. Woll, A.K. Singh, R.G. Hennig, S. Gorantla, M.H. Rummeli, and M.G. Spencer, Van der Waals Epitaxial Growth of Graphene on Sapphire by Chemical Vapor Deposition without a Metal Catalyst, ACS Nano, 2013, 7 (1), pp. 385-395, DOI: 10.1021/nn305486x 6].The highest quality graphene films were obtained by synthesis of graphene by CVD method on substrates of single-crystal sapphire [J. Hwang, M. Kim, D. Campbell, N.A. Alsalman, J.Y. Kwak, S. Shivaraman, A.R. Woll, A.K. Singh, R.G. Hennig, S. Gorantla, M.H. Rummeli, and M.G. Spencer, Van der Waals Epitaxial Growth of Graphene on Sapphire by Chemical Vapor Deposition without a Metal Catalyst, ACS Nano, 2013, 7 (1), pp. 385-395, DOI: 10.1021 / nn305486x 6].
Однако температуры роста графена в этом способе достигают очень высоких значений - 1450-1650°С, что увеличивает энергозатраты процесса.However, the growth temperature of graphene in this method reaches very high values - 1450-1650 ° C, which increases the energy consumption of the process.
Известен способ получения графеновой пленки, принятый за прототип, включающий осаждение в вакууме углерода из углеродсодержащего газа на диэлектрическую подложку, покрытую катализатором, нагретую до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа, после чего производят последовательно кратковременный напуск углеродсодержащего газа до давления 1-10-4 торр и откачивание реактора через 1-300 сек. после напуска углеродсодержащего газа с одновременным охлаждением его до комнатной температуры со скоростью 10-100°/мин (RU 2500616, МПК С01В 31/02<В82В 3/00, B82Y 40/00, опубл. 10.05.13 г.)A known method of producing graphene film, adopted as a prototype, comprising vacuum deposition of carbon from a carbon-containing gas on a dielectric substrate coated with a catalyst, heated to a temperature exceeding the decomposition of the carbon-containing gas, and then sequentially briefly inlet the carbon-containing gas to a pressure of 1-10 -4 torr and pumping out the reactor in 1-300 seconds. after the inlet of carbon-containing gas with simultaneous cooling to room temperature at a speed of 10-100 ° / min (RU 2500616, IPC С01В 31/02 <В82В 3/00, B82Y 40/00, published on 05/10/13)
Однако наличие катализатора требует его последующего удаления, что усложняет и удорожает процесс. Кроме этого при удалении катализатора и переносе пленки графена на диэлектрическую подложку графен может повреждаться и терять свою сплошность.However, the presence of a catalyst requires its subsequent removal, which complicates and increases the cost of the process. In addition, when the catalyst is removed and the graphene film is transferred onto the dielectric substrate, graphene can be damaged and lose its continuity.
Предлагаемое изобретение решает задачу получения однородных качественных пленок графена при более низких температурах, простым и технологичным способом.The present invention solves the problem of obtaining uniform high-quality graphene films at lower temperatures, in a simple and technologically advanced way.
Поставленная задача достигается способом получения пленки графена на подложке, включающим последовательное осаждение углерода из углеродсодержащего газа на подложку, нагретую в вакууме до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа, напуск углеродсодержащего газа и откачивание реактора с одновременным охлаждением его до комнатной температуры, новизна которого заключается в том, что в качестве подложки берут Х-срез пьезоэлектрического кристалла, плоскости (110) которого параллельны поверхности кристалла, подложку нагревают до температуры 900-1450°С, осаждение углерода из углеродсодержащего газа производят непосредственно на подложку, а откачивание реактора проводят через 15-100 мин. после напуска углеродсодержащего газа.The problem is achieved by a method of producing a graphene film on a substrate, including the sequential deposition of carbon from a carbon-containing gas on a substrate, heated in vacuum to a temperature exceeding the decomposition of the carbon-containing gas, inlet of the carbon-containing gas and pumping the reactor while cooling it to room temperature, the novelty of which is that an X-section of a piezoelectric crystal is taken as the substrate, the (110) planes of which are parallel to the crystal surface, the substrate is they are heated to a temperature of 900-1450 ° C, carbon is deposited from a carbon-containing gas directly onto the substrate, and the reactor is pumped out after 15-100 minutes. after the inlet of carbon-containing gas.
Технический результат при этом заключается в упрощении процесса и отсутствии дополнительных повреждений графена за счет исключения операции их переноса с поверхности катализатора на целевую подложку.The technical result in this case is to simplify the process and the absence of additional damage to graphene by eliminating the operation of transferring them from the surface of the catalyst to the target substrate.
При использовании кристаллов с ориентацией, отличной от Х-среза, графен на поверхности кристалла не растет. При температурах синтеза меньше 900°С повышается вероятность образования на подложке аморфного углерода и дефектов в графене, что ухудшает качество графеновой пленки.When using crystals with an orientation different from the X-cut, graphene does not grow on the surface of the crystal. At synthesis temperatures below 900 ° C, the probability of the formation of amorphous carbon and defects in graphene on the substrate increases, which affects the quality of the graphene film.
Наиболее оптимальными режимами процесса, не влияющими на конечный результат, являются:The most optimal process conditions that do not affect the final result are:
- помещение подложки с катализатором в вакуум 10-3-10-8 торр;- placing the substrate with the catalyst in a vacuum of 10 -3 -10 -8 torr;
- напуск углеродсодержащего газа до давления 10-10-1 торр.- inlet of carbon-containing gas to a pressure of 10-10 -1 torr.
В качестве пьезоэлектрического кристалла может быть взят кристалл La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT).As a piezoelectric crystal, a La 3 Ga 5.5 Ta 0.5 O 14 (LGT) crystal can be taken.
В качестве углеродсодержащего газа может быть взят газ, выбранный из ряда: ацетилен, метан или этилен.As a carbon-containing gas, a gas selected from the series: acetylene, methane or ethylene can be taken.
На фиг. 1 приведен спектр комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена, выращенной на подложке Х-среза LGT.In FIG. Figure 1 shows the Raman spectrum taken from a graphene film grown on an LGT X-cut substrate.
На фиг. 2 приведено изображение в сканирующем электронном микроскопе пленки графена на подложке Х-среза LGT.In FIG. Figure 2 shows a scanning electron microscope image of a graphene film on an LGT X-cut substrate.
Приведенные ниже примеры подтверждают, но не ограничивают применение способа.The following examples confirm, but do not limit the application of the method.
Пример 1.Example 1
Подложка (Х-срез LGT) была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 1×10-6 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 1000°С. После этого в реактор напустили ацетилен до давления 0,5 торр. Через 30 мин реактор откачали до давления 3×10-6 торр и одновременно охладили его до комнатной температуры. После извлечения подложки из реактора было обнаружено, что на всей поверхности подложки была сформирована пленка графена, состоящая из 1-3 монослоев.The substrate (X-section LGT) was placed in a quartz reactor, which was pumped out first by a forevacuum and then by a magnetic discharge pump to a pressure of 1 × 10 -6 torr. Then the reactor was heated by a furnace to a temperature of 1000 ° C. After that, acetylene was introduced into the reactor to a pressure of 0.5 torr. After 30 min, the reactor was pumped out to a pressure of 3 × 10 -6 torr and at the same time it was cooled to room temperature. After removing the substrate from the reactor, it was found that a graphene film consisting of 1-3 monolayers was formed on the entire surface of the substrate.
После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности подложки была сформирована пленка графена толщиной 1-3 монослоя. Спектры комбинационного рассеяния, снятые с пленки графена на подложке X-среза LGT (фиг. 1), показывают наличие пленки графена на поверхности подложки. Наличие пиков с волновыми числами около 1584 см-1 и 2721 см-1 на спектре комбинационного рассеяния, снятого с пленки графена свидетельствует о наличии структуры графена в полученной углеродной пленке. А соотношение высоты пиков 2721 см-1 /1584 см-1 около 1 и форма пика 2721 см-1 свидетельствует о том, что пленка графена является двуслойной. Ширина пика 2721 см-1 равна 47 см-1, что также характерно для двуслойного графена. Пик с волновым числом 1350 см-1, отвечающий за наличие дефектов в графене, имеет незначительную интенсивность. Отношение пиков 1350 см-1 /1584 см-1 меньше 0,07 указывает на высокое структурное совершенство графена.After the substrate was cooled to room temperature, a graphene film of a thickness of 1–3 monolayers was formed on the entire surface of the substrate. Raman spectra recorded from a graphene film on an LGT X-slice substrate (FIG. 1) show the presence of a graphene film on the surface of the substrate. The presence of peaks with wave numbers of about 1584 cm −1 and 2721 cm −1 in the Raman spectrum taken from a graphene film indicates the presence of a graphene structure in the resulting carbon film. And the ratio of the height of the peaks 2721 cm -1 / 1584 cm -1 is about 1 and the shape of the peak 2721 cm-1 indicates that the graphene film is bilayer. The peak width of 2721 cm −1 is 47 cm −1 , which is also characteristic of bilayer graphene. The peak with a wave number of 1350 cm -1 , which is responsible for the presence of defects in graphene, has a low intensity. The peak ratio of 1350 cm -1 / 1584 cm -1 less than 0.07 indicates a high structural perfection of graphene.
Изображение в сканирующем электронном микроскопе пленки графена на подложке X-среза LGT (фиг. 2) показывает, что пленка графена сформирована на всей поверхности подложки.The scanning electron microscope image of the graphene film on the LGT X-slice substrate (Fig. 2) shows that the graphene film is formed on the entire surface of the substrate.
Пример 2.Example 2
Подложка (Х-срез LGT) была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 1×10-3 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 900°С. После этого в реактор напустили этилен до давления 10 торр. Через 15 мин. реактор откачали до давления 3×10-6 торр и охладили его до комнатной температуры. После извлечения подложки из реактора было обнаружено, что на всей поверхности подложки была сформирована пленка графена, состоящая из 1-3 монослоев.The substrate (X-section LGT) was placed in a quartz reactor, which was pumped out first by a forevacuum and then by a magnetic discharge pump to a pressure of 1 × 10 -3 torr. Then the reactor was heated by a furnace to a temperature of 900 ° C. After that, ethylene was introduced into the reactor to a pressure of 10 torr. After 15 minutes the reactor was pumped to a pressure of 3 × 10 -6 torr and cooled to room temperature. After removing the substrate from the reactor, it was found that a graphene film consisting of 1-3 monolayers was formed on the entire surface of the substrate.
Пример 3.Example 3
Подложка (X-срез LGT) была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 1×10-8 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 1400°С. После этого в реактор напустили метан до давления 10-1 торр. Через 30 мин реактор откачали до давления 3×10-6 торр и одновременно охладили его до комнатной температуры. После извлечения подложки из реактора было обнаружено, что на всей поверхности подложки была сформирована пленка графена, состоящая из 1-3 монослоев.The substrate (X-section LGT) was placed in a quartz reactor, which was pumped out first by a forevacuum and then by a magnetic discharge pump to a pressure of 1 × 10 -8 torr. Then the reactor was heated by an oven to a temperature of 1400 ° C. After that, methane was introduced into the reactor to a pressure of 10 -1 torr. After 30 min, the reactor was pumped out to a pressure of 3 × 10 -6 torr and at the same time it was cooled to room temperature. After removing the substrate from the reactor, it was found that a graphene film consisting of 1-3 monolayers was formed on the entire surface of the substrate.
Как видно из приведенных примеров, заявляемый способ позволяет решить поставленную задачу получения однородных качественных пленок графена при более низких температурах, простым и технологичным способом при отсутствии дополнительных повреждений графена за счет исключения операции их переноса с поверхности катализатора на целевую подложку.As can be seen from the above examples, the inventive method allows to solve the problem of obtaining uniform high-quality graphene films at lower temperatures, in a simple and technological way in the absence of additional damage to graphene by eliminating the operation of transferring them from the surface of the catalyst to the target substrate.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015148249A RU2614289C1 (en) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | Method for producing graphene film on substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015148249A RU2614289C1 (en) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | Method for producing graphene film on substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2614289C1 true RU2614289C1 (en) | 2017-03-24 |
Family
ID=58453240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015148249A RU2614289C1 (en) | 2015-11-10 | 2015-11-10 | Method for producing graphene film on substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2614289C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2688628C1 (en) * | 2018-10-01 | 2019-05-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Method of transferring graphene from a metal substrate to a polymer material |
| RU2742409C1 (en) * | 2017-04-11 | 2021-02-05 | Ханчжоу Гаоси Технолоджи Ко., Лтд. | Flexible graphene film and method for its production |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100255984A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Brookhaven Science Associates, Llc | Monolayer and/or Few-Layer Graphene On Metal or Metal-Coated Substrates |
| US20110033688A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Veerasamy Vijayen S | Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same |
| RU2500616C2 (en) * | 2011-11-03 | 2013-12-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) | Method of obtaining graphene film |
| WO2015038267A2 (en) * | 2013-08-14 | 2015-03-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Graphene synthesis by suppressing evaporative substrate loss during low pressure chemical vapor deposition |
-
2015
- 2015-11-10 RU RU2015148249A patent/RU2614289C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100255984A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Brookhaven Science Associates, Llc | Monolayer and/or Few-Layer Graphene On Metal or Metal-Coated Substrates |
| US20110033688A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Veerasamy Vijayen S | Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same |
| RU2500616C2 (en) * | 2011-11-03 | 2013-12-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) | Method of obtaining graphene film |
| WO2015038267A2 (en) * | 2013-08-14 | 2015-03-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Graphene synthesis by suppressing evaporative substrate loss during low pressure chemical vapor deposition |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| SEUNG JIN CHAE et al, Synthesis of Large-Area Graphene Layers on Poly-Nickel Substrate by Chemical Vapor Deposition: Wrinkle Formation, Adv. Mater., 2009, v.21, p.p. 2328-2333. ALFONSO REINA et al, Large Area, Few-Layer Graphene Films on Arbitrary Substrates by Chemical Vapor Deposition, Nano Lett., 2009, v.9, no. 1, p.p. 30-35. Z. INSEPOV et al, Surface Acoustic Wave Amplification by DC-Voltage Supplied to Graphene Film, Appl. Phys. Lett., 2014, v. 106, no. 2. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2742409C1 (en) * | 2017-04-11 | 2021-02-05 | Ханчжоу Гаоси Технолоджи Ко., Лтд. | Flexible graphene film and method for its production |
| RU2688628C1 (en) * | 2018-10-01 | 2019-05-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Method of transferring graphene from a metal substrate to a polymer material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2851457B1 (en) | Method for manufacturing a single crystal diamond | |
| TWI323297B (en) | Layered substrate and device manufactured therefrom | |
| CN110790313A (en) | Preparation method of 3R phase transition metal chalcogenide two-dimensional nanosheet | |
| CN110335809B (en) | Method for growing single crystal gamma-phase indium selenide film on mica substrate | |
| RU2500616C2 (en) | Method of obtaining graphene film | |
| JP2011178617A (en) | Method for forming graphene film | |
| RU2614289C1 (en) | Method for producing graphene film on substrate | |
| CN111270307A (en) | Laminated substrate, self-supporting substrate, method for manufacturing laminated substrate, and method for manufacturing self-supporting substrate | |
| CN108314019B (en) | Preparation method of large-area high-quality graphene film with uniform layer number | |
| CN109179388B (en) | Method for preparing graphene from carbon monoxide | |
| CN109573991B (en) | Method for preparing graphene arrays with different lattice point thicknesses by using composite metal template | |
| JP2005219962A (en) | Diamond single crystal substrate and its manufacturing method | |
| US9127375B2 (en) | Base material for forming single crystal diamond film and method for producing single crystal diamond using the same | |
| CN113584458B (en) | Method for preparing diamond film on potassium tantalate niobate crystal by microwave plasma chemical vapor deposition technology | |
| CN115377196A (en) | Epitaxial GaN with diamond as substrate and preparation method thereof | |
| CN114182230A (en) | Chemical vapor deposition method for preparing two-dimensional tellurine film | |
| CN113373423A (en) | Method for directly growing graphene film on surface of non-metal substrate | |
| JP6944699B2 (en) | Method for manufacturing hexagonal boron nitride film | |
| JP4646484B2 (en) | Diamond manufacturing method | |
| WO2019125140A1 (en) | Full wafer transfer-free graphene | |
| CN112647059B (en) | Rapid growth of Ni by utilizing atomic layer deposition technologyxMethod for forming C film | |
| KR101384404B1 (en) | Method for producing ZnO nanosheets | |
| WO2023085055A1 (en) | Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate | |
| WO2023153396A1 (en) | Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing said base substrate, and method for producing said single crystal diamond multilayer substrate | |
| RU2716431C1 (en) | Method of producing thin aluminium nitride films in molecular layering mode |