RU2600505C1 - Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме - Google Patents
Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме Download PDFInfo
- Publication number
- RU2600505C1 RU2600505C1 RU2015124721/28A RU2015124721A RU2600505C1 RU 2600505 C1 RU2600505 C1 RU 2600505C1 RU 2015124721/28 A RU2015124721/28 A RU 2015124721/28A RU 2015124721 A RU2015124721 A RU 2015124721A RU 2600505 C1 RU2600505 C1 RU 2600505C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- nanoislands
- sapphire substrate
- atomic
- deposited
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 81
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/2033—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования однородных по размерам наноостровков кремния с пониженной степью дефектности их структуры. Изобретение обеспечивает стабильное снижение дефектности сублимационно формируемых однородных по размерам наноостровков кремния на сапфировой подложке. В способе формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме, включающем отжиг сапфировой подложки в вакуумной камере, последующий нагрев источника кремния пропусканием электрического тока через него и выращивание на нагретой сапфировой подложке массива монокристаллических наноостровков кремния путем самоорганизованного образования наноостровков на поверхности сапфировой подложки из осаждаемого атомарного кремния, отжиг сапфировой подложки ведут при 1200°С, а испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры T, выбираемой из интервала ее величин 550-700°С, со скоростью роста атомарных слоев кремния V, выбираемой в зависимости от расстояния между испаряемой поверхностью источника кремния и поверхностью роста сапфировой подложки и температурой нагрева сапфировой подложки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования однородных по размерам наноостровков кремния с пониженной степью дефектности их структуры.
Представляя собой актуальный оптически-активный материал современной полупроводниковой электроники с наноструктурой массив монокристаллических наноостровков кремния на подложке в связи с зависимостью длины волны излучающей кремниевой наноструктуры от размеров наноостровков кремния эффективен (см. монографию на англ. яз. авторов L. Pavesi, R. Turan. «Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications». WILEY-VCH Verlag GmbH & Co, KGaA, Weinheim, 2010, p. 5-6) при уменьшенных размерах указанных островков, которые экспериментально достижимы (см. работу Дубровского В.Г. «Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур». Санкт-Петербург, 2006, с. 9-13) в результате осуществления гетероэпитаксии (когда растущий слой наноостровка отличается по химическому составу и параметрам кристаллической решетки от материала подложки), и при однородности наноостровков кремния по размерам и высокой поверхностной плотности распределения этих островков.
Вторым условием оптической эффективности рассматриваемого массива наноостровков кремния является степень его бездефектности, заключающаяся в минимальном содержании двойниковых дефектов сублимационного роста наноостровков кремния.
При этом второе условие входит в противоречие с гетероэпитаксией, т.к. совершенная структура формируемых эпитаксиальных структур требует осуществления гомоэпитаксии (когда растущий слой наноостровка совпадает по химическому составу и параметрам кристаллической решетки с материалом подложки).
И если однородность наноостровков кремния по размерам и высокая поверхностная плотность распределения этих островков могут быть достигнуты (см. автореферат канд. дисс. Кривулина Н О. «Особенности формирования наноразмерных кристаллических слоев кремния на сапфире», 2012 г. на сайте в Интернет: http://www.dslib.net/kondensat/osobennosti-formirovanija-nanorazmernyh-kristallicheskih-sloev-kremnija-na-sapfire.html) в результате варьирования условий осаждения кремния (температуры и скорости роста), то стабильное снижение дефектности указанных островков, заключающейся в формировании в них в основном дефектов двойникования (см. статью Кривулина Н.О. и др. «Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире» - Физика и техника полупроводников. 2015, т. 49, в. 2, с. 160) продолжает оставаться технологической проблемой в связи с указанным выше противоречием, неустойчивостью образования наноостровков кремния в результате релаксации упругих напряжений, возникающих вследствие достаточно большого рассогласования решеток кремния и сапфира, с образованием наноостровков кремния (см. статью Павлова Д.А. и др. «Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире» - Физика и техника полупроводников. 2013, т. 47, в. 6, с. 855), а также отсутствием в настоящее время четкого модельного представления о механизме роста наноостровков кремния на фоне различных теоретических подходов к эпитаксиальному росту кремния на сапфире (см. обзорную статью на англ. яз. автора Mark Aindov «Interfacial Structure in Heteroepitaxial Silicon on Sapphire». - J. Am. Cerom. SOC. 1990, 73 [S], p. 1136-1143).
Уровень технологии в области сублимационного формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков представлен в основном отечественными и зарубежными разработками получения германиевых наноостровков (см., например обзорную статью Пчелякова О.П. и др. «Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства». - Физика и техника полупроводников. 2000, т. 34, в. 11, с. 1281-1299) и немногочисленными отечественными публикациями по наноостровкам кремния на сапфире (см., например в статье Павлова Д.А. и др. «Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии» - Письма в ЖТФ. 2010, т. 36, в. 12, с. 17, способ сублимационного формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме, который выбран заявителем в качестве прототипа).
Указанный выше способ - прототип, включающий отжиг (при 1300°С) сапфировой подложки в вакуумной камере, последующий нагрев источника кремния (обеспечивающий скорость роста атомарных слоев кремния V, составляющую 2,5-3,0 Å/c) пропусканием электрического через него и выращивание на нагретой (до температуры T в интервале от 450 до 800°С) сапфировой подложке массива монокристаллических наноостровков кремния путем самоорганизованного образования наноостровков на поверхности сапфировой подложки из осаждаемого атомарного кремния, в результате варьирования величинами T и V обеспечил однородность наноостровков кремния по размерам (без превышения латерального размера - диаметра основания 20 нм и высоты 3 нм) и максимальную поверхностную плотность распределения наноостровков 2,0·1011 см-2 при получении массива монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования, превышающей величину, составляющую 50%.
На решение практической проблемы технологического обеспечения стабильного снижения дефектности сублимационно формируемых однородных по размерам наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме (технический результат предлагаемого изобретения) направлено предлагаемое изобретение, которое задает экспериментально выявленные режимные условия стабильного получения однородного по размерам массива куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования в 100%-х образцов не более 10% и поверхностной плотностью распределения наноостровков не менее 8·1010 см-2.
Для достижения изложенного выше технического результата в способе формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме, включающем отжиг сапфировой подложки в вакуумной камере, последующий нагрев источника кремния пропусканием электрического через него и выращивание на нагретой сапфировой подложке массива монокристаллических наноостровков кремния путем самоорганизованного образования наноостровков на поверхности сапфировой подложки из осаждаемого атомарного кремния, отжиг сапфировой подложки ведут при 1200°С, а испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры T, выбираемой из интервала ее величин 550-700°С, со скоростью роста атомарных слоев кремния V, выбираемой из интервала ее величин в соответствии с неравенством
где h - расстояние между испаряемой поверхностью источника кремния и поверхностью роста сапфировой подложки; T - температура нагрева сапфировой подложки.
В частных случаях реализации предлагаемого способа:
испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 600°С со скоростью роста атомарных слоев кремния 2,0 
, получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 10% и поверхностной плотностью распределения наноостровков 1,5·1011 см-2;
испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 700°С со скоростью роста атомарных слоев кремния 2,0 , получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 6% и поверхностной плотностью распределения наноостровков 8·1010 см-2;
испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 700°С со скоростью роста атомарных слоев кремния 0,5 , получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 5% и поверхностной плотностью 1,3·1011 см-2.
На фиг. 1 и 2 представлены микрофотографии поперечного среза сформированного на сапфировой подложке в соответствии с предлагаемым способом наноостровка кремния, соответственно без дефекта двойникования и с ним (просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения).
Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.
В вакуумной системе (УВН-83П-I) установки для молекулярно-лучевой эпитаксии образцы - сапфировые подложки размерами 1×1 см при вакууме не более 7·10-7 Торр предварительно поочередно с помощью танталового нагревателя, через который пропускают электрический ток, подвергают отжигу при 1200°С в течение 20 мин, затем через размещенный в вакуумной системе источник кремния пропускают электрический ток, регулируя температуру его нагрева в соответствии с выбранной из интервала величин, задаваемого неравенством (1), скоростью роста атомарных слоев кремния V и испаряемый атомарный поток кремния в условиях указанного вакуума осаждают на сапфировой подложке, нагретой с помощью танталового нагревателя до температуры T, выбираемой из интервала ее величин 550-700°С, выращивая на нагретой сапфировой подложке равномерно распределенный на ней массив монокристаллических наноостровков кремния путем самоорганизованного образования наноостровков на поверхности сапфировой подложки с R-срезом (
) из осаждаемого атомарного потока кремния (поперечный срез сформированного на сапфировой подложке в соответствии с предлагаемым способом наноостровка кремния без дефекта двойникования и с ним показан на фиг. 1 и 2).
Для исследования морфологии поверхности полученных образцов применялся метод атомно-силовой микроскопии (АСМ). Использовался сканирующий зондовый микроскоп Solver Pro (ЗАО «НТ-МДТ», г. Зеленоград). Кристаллическое совершенство массивов наноостровков изучали по результатам электронографии на отражение с использованием прибора ЭМР-102 при ускоряющем напряжении 50 кВ. Исследование поперечного среза наноостровков проводилось в просвечивающем электронном микроскопе JEM-2100F (JEOL, Япония). Получение поперечного среза наноостровков осуществлялось посредством специальной оснастки (Gatan 601.07000 ТЕМ Specimen Preparation Kit), разработанной фирмой Gatan, США.
Примеры осуществления предлагаемого способа (при времени выращивания от 5 с до 2 мин и размерах получаемых отдельных наноостровков кремния: диаметре основания от 4 до 20 нм и высоте от 2 до 10 нм).
Пример 1. Испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 600°С со скоростью роста атомарных слоев кремния 2,0 , получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 10% и поверхностной плотностью распределения наноостровков 1,5·1011 см-2.
Пример 2. Испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 700°С со скоростью роста атомарных слоев кремния 2,0 , получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 6% и поверхностной плотностью распределения наноостровков 8·1010 см-2.
Пример 3. Испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 700°С со скоростью роста атомарных слоев кремния 0,5 , получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 5% и поверхностной плотностью 1,3·1011 см-2.
Доли наноостровков с дефектами двойникования в массивах монокристалличских островков кремния, выращенных на сапфировых подложках, подтверждающие стабильно сниженную дефектность сублимационно формируемых однородных по размерам наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме в пределах предлагаемых режимных параметров (при температуре нагрева сапфировой подложки T от 550°С до 700°С и скорости роста атомарных слоев кремния V при h=2,0 см и T=550°С от 0,25h(см)=0,5 до 2000/T(°C)=3,64 ) указаны (на примере представленных образцов) в таблице 1, в которую также занесены показывающие недопустимое усиление эффекта двойникования характеристики дефектности образцов при выходе из интервалов указанных параметров.
При этом отклонение от температуры отжига 1200°С сапфировой подложки на 50-100°С сопровождалось нарушением достигнутой стабильности снижения дефектности сублимационно формируемых однородных по размерам наноостровков кремния с выходом доли наноостровков с дефектами двойникования за 10% в сторону повышения.
Пояснение к граничным условиям экспериментально выявленного интервала скоростей роста атомарных слоев кремния.
Физический механизм влияния скорости роста атомарных слоев кремния и температуры роста (температуры нагрева сапфировой подложки) на образование дефектов двойникования заключается в следующем.
Чем выше температура сапфировой подложки, тем больше длина поверхностной диффузии осажденного атома кремния на поверхность указанной подложки, как следствие уменьшается количество центров кристаллизации, т.к. атому кремния энергетически выгоднее присоединиться к уже сформированному кремниевому монокристаллическому наноостровку. В результате при повышении температуры роста уменьшается поверхностная плотность наноостровков при увеличении их размеров. Кроме того при высокой температуре роста коалесценция островков происходит раньше, а в местах соприкосновения островков формируются дефекты двойникования. Дефекты формируются также в процессе остывания полученной структуры из-за различий в коэффициентах теплового расширения кремния и сапфира. Этим объясняется верхняя граница температуры роста (700°С). При низкой температуре роста длина поверхностной диффузии мала. Центров кристаллизации становится больше, однако при слишком низкой температуре роста (ниже 550°С) формируется аморфный или поликристаллический слой.
Выявленная и выраженная в эмпирическом виде верхняя граница скорости роста атомарных слоев кремния - 2000/T(°C) с размерностью коэффициента 2000 - Å/(c·°C) объясняется тем, что при скорости роста выше указанной граничной скорости атомы кремния осаждаются на поверхность сапфировой подложки быстрее, чем уже осажденные атомы кремния присоединяются к кремниевым наноостровкам. В результате появляется большое количество новых центров кристаллизации, в результате чего рассматриваемые наноостровки получаются сильно неоднородными по размерам. Кроме того, в результате коалесценции на границах островков формируются дефекты двойникования. Выявленная и выраженная в эмпирическом виде нижняя граница скорости роста атомарных слоев кремния - 0,25h(см) с размерностью коэффициента 0,25 - Å/(с·см) связана с неравномерностью атомарного потока кремния.
Claims (4)
1. Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме, включающий отжиг сапфировой подложки в вакуумной камере, последующий нагрев источника кремния пропусканием электрического тока через него и выращивание на нагретой сапфировой подложке массива монокристаллических наноостровков кремния путем самоорганизованного образования наноостровков на поверхности сапфировой подложки из осаждаемого атомарного кремния, отличающийся тем, что отжиг сапфировой подложки ведут при 1200°C, а испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры T, выбираемой из интервала ее величин 550-700°C, со скоростью роста атомарных слоев кремния V, выбираемой из интервала ее величин в соответствии с неравенством
,
где h - расстояние между испаряемой поверхностью источника кремния и поверхностью роста сапфировой подложки; T - температура нагрева сапфировой подложки.
где h - расстояние между испаряемой поверхностью источника кремния и поверхностью роста сапфировой подложки; T - температура нагрева сапфировой подложки.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 600°C, со скоростью роста атомарных слоев кремния 
, получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 10% и поверхностной плотностью распределения наноостровков 1,5·1011 см-2.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 700°C, со скоростью роста атомарных слоев кремния , получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 6% и поверхностной плотностью распределения наноостровков 8·1010 см-2.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что испаряемый атомарный поток кремния осаждают на сапфировой подложке, нагретой до температуры 700°C, со скоростью роста атомарных слоев кремния 
, получая однородный по размерам массив куполообразных монокристаллических наноостровков кремния с долей наноостровков с дефектами двойникования 5% и поверхностной плотностью 1,3·1011 см-2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015124721/28A RU2600505C1 (ru) | 2015-06-23 | 2015-06-23 | Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015124721/28A RU2600505C1 (ru) | 2015-06-23 | 2015-06-23 | Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2600505C1 true RU2600505C1 (ru) | 2016-10-20 |
Family
ID=57138618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015124721/28A RU2600505C1 (ru) | 2015-06-23 | 2015-06-23 | Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2600505C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108949509A (zh) * | 2018-09-29 | 2018-12-07 | 深圳市艺盛科五金电子有限公司 | 一种用于探针退火处理的精准控温装置及方法 |
| RU191198U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
| RU218247U1 (ru) * | 2022-10-31 | 2023-05-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство для получения силицена |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103540A (en) * | 1993-09-09 | 2000-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laterally disposed nanostructures of silicon on an insulating substrate |
| US7220609B2 (en) * | 2001-01-31 | 2007-05-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method of manufacturing a semiconductor structure comprising clusters and/or nanocrystal of silicon and a semiconductor structure of this kind |
| RU2484548C1 (ru) * | 2011-11-09 | 2013-06-10 | Равиль Кяшшафович Яфаров | Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии |
-
2015
- 2015-06-23 RU RU2015124721/28A patent/RU2600505C1/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103540A (en) * | 1993-09-09 | 2000-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laterally disposed nanostructures of silicon on an insulating substrate |
| US7220609B2 (en) * | 2001-01-31 | 2007-05-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method of manufacturing a semiconductor structure comprising clusters and/or nanocrystal of silicon and a semiconductor structure of this kind |
| RU2484548C1 (ru) * | 2011-11-09 | 2013-06-10 | Равиль Кяшшафович Яфаров | Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Павлов Д.А. и др. Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Письма в ЖТФ, 2010, т.36, вып.12, стр.17. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108949509A (zh) * | 2018-09-29 | 2018-12-07 | 深圳市艺盛科五金电子有限公司 | 一种用于探针退火处理的精准控温装置及方法 |
| RU191198U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
| RU218247U1 (ru) * | 2022-10-31 | 2023-05-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство для получения силицена |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bengoechea-Encabo et al. | Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks | |
| Zardo et al. | Gallium assisted plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon nanowires | |
| Chen et al. | ZnO thin films synthesized by chemical vapor deposition | |
| Kumaresan et al. | Self-induced growth of vertical GaN nanowires on silica | |
| Sundaram et al. | Large‐Area van der Waals Epitaxial Growth of Vertical III‐Nitride Nanodevice Structures on Layered Boron Nitride | |
| US20160079357A1 (en) | Oriented bottom-up growth of armchair graphene nanoribbons on germanium | |
| Redwing et al. | Vapor-liquid-solid growth of semiconductor nanowires | |
| TW201013754A (en) | Method of reducing memory effects in semiconductor epitaxy | |
| RU2600505C1 (ru) | Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме | |
| Zhang et al. | Parallel-aligned GaAs nanowires with⟨ 110⟩ orientation laterally grown on [311] B substrates via the gold-catalyzed vapor–liquid–solid mode | |
| CN110284198B (zh) | 一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法 | |
| US6379472B1 (en) | Group III-nitride thin films grown using MBE and bismuth | |
| JP2005510081A (ja) | 低エネルギープラズマ強化化学蒸着法による高移動度のシリコンゲルマニウム構造体の製造方法 | |
| Eymery et al. | Self-organized and self-catalyst growth of semiconductor and metal wires by vapour phase epitaxy: GaN rods versus Cu whiskers | |
| Kolhep et al. | Spontaneous and Position-Controlled Epitaxial Growth of ZnO Nanowires on AlN/Si by CVD | |
| TWI474966B (zh) | 外延構造體的製備方法 | |
| Liu et al. | Self-organization of SiGe planar nanowires via anisotropic elastic field | |
| Xu et al. | Network array of zinc oxide whiskers | |
| RU2585900C1 (ru) | Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры | |
| Khan et al. | Selective-area growth of GaN and AlGaN nanowires on N-polar GaN templates with 4° miscut by plasma-assisted molecular beam epitaxy | |
| Hainey Jr et al. | Heteroepitaxy of Highly Oriented GaN Films on Non‐Single Crystal Substrates Using a Si (111) Template Layer Formed by Aluminum‐Induced Crystallization | |
| EP3222758A1 (en) | Platform of large metal nitride islands with lateral orientations and low defect density | |
| Matragrano et al. | Characterization and elimination of surface defects in Gax In1− xP grown by organometallic vapor phase epitaxy | |
| Junesand et al. | Surface morphology of indium phosphide grown on silicon by nano‐epitaxial lateral overgrowth | |
| Oo et al. | Effect of substrate temperature on GaAs nanowires growth directly on Si (111) substrates by molecular beam epitaxy |