RU2599133C1 - Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата - Google Patents

Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата Download PDF

Info

Publication number
RU2599133C1
RU2599133C1 RU2015127105/05A RU2015127105A RU2599133C1 RU 2599133 C1 RU2599133 C1 RU 2599133C1 RU 2015127105/05 A RU2015127105/05 A RU 2015127105/05A RU 2015127105 A RU2015127105 A RU 2015127105A RU 2599133 C1 RU2599133 C1 RU 2599133C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ferroelectric
triglycine sulfate
nanocrystalline cellulose
tgs
ncc
Prior art date
Application number
RU2015127105/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Степанович Сидоркин
Светлана Дмитриевна Миловидова
Ольга Владимировна Рогазинская
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ")
Priority to RU2015127105/05A priority Critical patent/RU2599133C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2599133C1 publication Critical patent/RU2599133C1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L1/00Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L1/00Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
    • C08L1/02Cellulose; Modified cellulose

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью и может быть применено в устройствах микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими, пироэлектрическими и переполяризационными характеристиками. Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал содержит в качестве матрицы нанокристаллическую целлюлозу с наноканалами, расположенными перпендикулярно рабочей поверхности образца, и соль триглицинсульфата (NH2CH2COOH)3·H2SO4 в качестве сегнетоэлектрического наполнителя. Процентное содержание триглицинсульфата в указанном материале варьируется от 20 до 80 мас.%. 2 ил.

Description

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью и может быть применено в устройствах микро- и наноэлектроники для улучшения рабочих характеристик элементов энергонезависимой памяти, радиотехнических устройств с перестраиваемыми параметрами в виде конденсаторов, фильтров, пьезоэлектрических преобразователей, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения.
Известны тонкопленочные сегнетоэлектрические материалы, отличающиеся выбором типа подложки (благородные металлы, электропроводные легкоплавкие материалы) и толщиной сегнетоэлектрического слоя (0,01÷1000 мкм) (Патент РФ №2278910, C25D 15/02, 2006).
К причинам, препятствующим достижению заданного технического результата для данных материалов, относятся:
- наличие диэлектрической подложки, влияющей на свойства создаваемых гетероструктур;
- невозможность эффективного регулирования рабочих параметров пленочных сегнетоэлектрических материалов.
Известны композитные составы с сегнетоэлектрическими частицами, полученные на основе пористых матриц (пористый оксид алюминия, пористое стекло) [Барышников С.В. Влияние ограниченной геометрии на линейные и нелинейные диэлектрические свойства триглицинсульфата вблизи фазового перехода / С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Ю.А. Шацкая, А.Ю. Милинский, М.И. Самойлович, D. Michel, С. Tien // ФТТ. - 2011. - Т. 53. - №6. - С 1146-1149. O.V. Rogazinskaya, S.D. Milovidova, A.S. Sidorkin et al. Dielectric Properties of Ferroelectric Composites with TGS Inclusions, Ferroelectrics, V. 398, 2010, P. 191-197; RU 2509716, B82B 3/00, B82Y 30/00, 2014]. Недостатком указанных составов является ограниченность области существования матричной пористой структуры в диэлектрических пленках узким слоем протравленной пленки, что приводит к локализации основной части сегнетоэлектрической компоненты в приповерхностном слое композитного материала, а также относительно высокая цена материалов, используемых в качестве матриц.
Известен нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими свойствами, полученный по смесевой технологии, который содержит в качестве связующего вещества кремнезем SiO2, а в качестве сегнетоактивного вещества соль триглицинсульфата (NH2CH2 COOH)3·H2SO4 при следующем соотношении компонентов, мас. %: SiO2 - 56-75, триглицинсульфат - 25-44. Материал имеет зернистую структуру с размерами зерен от 50 до 80 нм (патент РФ 2529682, С04В 35/14, 2013).
Недостатком данного материала является хаотичная ориентация осей кристаллитов сегнетоэлектрического материала, затрудняющая использование выделенного полярного направления.
Известен матричный композит (прототип) на основе наноцеллюлозы с триглицинсульфатом (Х.Т. Нгуен и др. Диэлектрические свойства композитов на основе нанокристаллической целлюлозы с триглицинсульфатом. Физика твердого тела, 2015, Т. 57, вып. 3, С. 491-494). Используемая в нем нанокристаллическая целлюлоза относится к моноклинной сингонии (d=0,61 nm), кристаллографическая плоскость (-110) ячейки которой располагается перпендикулярно и параллельно плоскости образца. Микрофибрилярные ленты целлюлозы состоят из большого количества нанофибрил шириной 50-100 nm и длиной, превышающей этот диаметр в тысячу и более раз.
Однако в опубликованном источнике отсутствуют сведения о количественном составе нанокомпозита и, как следствие, нет данных о возможности регулирования его характеристик за счет изменения процентного соотношения компонент состава.
Заявленное изобретение имеет своей задачей создание новых функциональных сегнетоэлектрических материалов с регулируемыми характеристиками, отвечающих потребностям современного приборостроения и электроники.
Технический результат, получаемый при осуществлении данной задачи, заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими, пироэлектрическими и переполяризационными характеристиками.
Заявляемый материал представляет собой композитную структуру, в которой в качестве армирующей матрицы используется нанокристаллическая бактериальная целлюлоза с наноканалами, расположенными перпендикулярно поверхности образца и электродов, а в качестве сегнетоактивного наполнителя триглицинсульфат (NH2CH2COOH)3·H2SO4. Согласно изобретению материал с ориентацией наноканалов перпендикулярно рабочей поверхности содержит компоненты при следующем соотношении мас.%:
триглицинсульфат 20-80
нанокристаллическая целлюлоза 80-20
Используемая в составном материале НКЦ + ТГС химически чистая нанокристаллическая целлюлоза (НКЦ), обладающая уникальными адсорбционными свойствами, апробированна в различных областях медицины и техники [Баклагина Ю.Г. Сорбционные свойства бактериальной целлюлозы / Ю.Г. Баклагина, А.К. Хрипунов, А.А. Ткаченко, С.В. Гладченко, В.К. Лаврентьев, А.Я. Волков // Ж. прикл. химии Т. 78, стр. 1197-1202, 2005].
На фиг. 1 показаны дифрактограммы исследованных образцов: а - чистого НКЦ, b - НКЦ + ТГС (20 мас.%), с - НКЦ + ТГС (60 мас.%); на фиг. 2 - зависимость поляризации от напряженности измерительного поля для композитов НКЦ + ТГС, в которых наноканалы нанокристаллической целлюлозы перпендикулярны поверхности.
Содержание ТГС в образцах разного состава составляет: 1-0, 2-20, 3-40, 4-60, 5-80 мас.%.
Из приведенных графиков видно, что исходной НКЦ соответствуют фактически только интенсивные рефлексы в области углов 2θ~15° и 23°. При внедрении в матрицу НКЦ триглицинсульфата относительная интенсивность указанных рефлексов понижается на фоне многочисленных линий, относящихся к триглицинсульфату. Кроме того, анализ линий, относящихся к триглицинсульфату, показывает, что нанокристаллы ТГС в наноканалах НКЦ находятся в преимущественно ориентированном состоянии. По мере заполнения триглицинсульфатом растет и макроскопическая поляризация синтезированных композитов.
Пример 1. Нанокомпозит состава: 20% ТГС и 80% НКЦ.
Композиты НКЦ + ТГС изготавливалась из полностью высушенной бактериальной наноцеллюлозы путем прогревания ее при +120°С в течение 2 часов в сушильном шкафу и последующим охлаждением до комнатной температуры. Затем пленки НКЦ опускались в насыщенный при комнатной температуре раствор ТГС и нагревались до +50°С с выдержкой в 1 час, охлаждались до комнатной температуры, при которой выдерживались до выпадения и роста кристаллов ТГС.
Для приложенного поля с амплитудой 4 кВ/см поляризация Р=0,1 мкКл/см2.
Пример 2. Нанокомпозит состава: 60% ТГС и 40% НКЦ.
Композиты НКЦ + ТГС изготавливались из предварительно полностью высушенной и затем опущенной в раствор триглицинсульфата бактериальной наноцеллюлозы методом понижения температуры насыщения раствора или методом выпаривания ненасыщенного раствора при постоянной температуре.
Для приложенного поля с амплитудой 4 кВ/см поляризация Р=0,3 мкКл/см2.
В композитах, полученных методом выпаривания ненасыщенного раствора при постоянной температуре, концентрация ТГС, определяемая по дифрактограмме, больше, чем в композитах, полученных методом понижения температуры насыщения растворов. Это согласуется и с результатами диэлектрических исследований. Аномалии в температурных зависимостях диэлектрической проницаемости меньше смещены в область более высоких температур, приближаясь при этом к температуре фазового перехода кристалла ТГС.
Все полученные сегнетокомпозиты нанокристаллическая целлюлоза - триглицинсульфат характеризуются размытием фазового перехода, его смещением ориентировочно на 10-11 K в область более высоких температур по сравнению с наблюдаемым в монокристаллическом ТГС. Во всем исследованном интервале температур диэлектрическая проницаемость композитов НКЦ+ТГС меньше, чем в монокристаллическом триглицинсульфате.

Claims (1)

  1. Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал, содержащий в качестве матрицы нанокристаллическую бактериальную целлюлозу и триглицинсульфат (NH2CH2COOH3)3·H2SO4 в качестве сегнетоэлектрического наполнителя при следующем соотношении компонентов, мас.%:
    Триглицинсульфат 20-80 нанокристаллическая целлюлоза 80-20
RU2015127105/05A 2015-07-06 2015-07-06 Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата RU2599133C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015127105/05A RU2599133C1 (ru) 2015-07-06 2015-07-06 Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015127105/05A RU2599133C1 (ru) 2015-07-06 2015-07-06 Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2599133C1 true RU2599133C1 (ru) 2016-10-10

Family

ID=57127412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015127105/05A RU2599133C1 (ru) 2015-07-06 2015-07-06 Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2599133C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2666857C1 (ru) * 2017-11-08 2018-09-12 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе нанокристаллической целлюлозы и сегнетовой соли

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2278910C1 (ru) * 2004-12-27 2006-06-27 Пензенский государственный университет Способ изготовления сегнетоэлектрических покрытий
RU2509716C2 (ru) * 2012-06-18 2014-03-20 Александр Степанович Сидоркин Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры
RU2529682C1 (ru) * 2013-04-23 2014-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГОУ ВПО "ВГУ") Нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими характеристиками

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2278910C1 (ru) * 2004-12-27 2006-06-27 Пензенский государственный университет Способ изготовления сегнетоэлектрических покрытий
RU2509716C2 (ru) * 2012-06-18 2014-03-20 Александр Степанович Сидоркин Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры
RU2529682C1 (ru) * 2013-04-23 2014-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГОУ ВПО "ВГУ") Нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими характеристиками

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Х.Т.НГУЕН и др. Диэлектрические свойства композитов на основе нанокристаллической целлюлозы с триглицинсульфатом. Физика твердого тела, 2015, Т.57, вып. 3, с.491-494. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2666857C1 (ru) * 2017-11-08 2018-09-12 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе нанокристаллической целлюлозы и сегнетовой соли

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6120891A (en) Mesoporous transition metal oxide thin films and methods of making and uses thereof
Ganeshkumar et al. Ferroelectric KNbO3 nanofibers: synthesis, characterization and their application as a humidity nanosensor
Lee et al. Concomitant crystallization of glycine on patterned substrates: The effect of pH on the polymorphic outcome
Nimittrakoolchai et al. High-yield precipitation synthesis of tungsten oxide platelet particle and its ethylene gas-sensing characteristic
Acharyya et al. An efficient BTX sensor based on ZnO nanoflowers grown by CBD method
JP6158020B2 (ja) 針状炭酸ストロンチウム微粉末
Lin et al. A solution-processed tin dioxide film applicable as a transparent and flexible humidity sensor
Zeng et al. Synthesis of multifarious hierarchical flower-like SnO2 and their gas-sensing properties
RU2599133C1 (ru) Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата
Xie et al. Humidity sensing properties of ZnO colloid crystals coated on quartz crystal microbalance by the self-assembly method
Zhong et al. Heat-set gels formed from easily accessible gelators of a succinamic acid derivative (SAD) and a primary alkyl amine (R-NH 2)
Yang et al. Tuning SnO2 architectures with unitary or composite microstructure for the application of gas sensors
Xu et al. Controllability of assemblage from WO 3· H 2 O nanoplates to nanoflowers with the assistance of oxalic acid
Bishara et al. Polymorphism and piezoelectricity of glycine nano-crystals grown inside alumina nano-pores
Bajpai et al. Adsorption techniques-a review
Bigi et al. Morphological and structural modifications of octacalcium phosphate induced by poly-L-aspartate
Khan et al. Smart interplay of reaction parameters in sol-gel protocols of ZnO nanocrystallites
Mielniczek-Brzóska et al. Effect of Cu (II) ions on the growth of ammonium oxalate monohydrate crystals from aqueous solutions: growth kinetics, segregation coefficient and characterisation of incorporation sites
Kohli et al. Comparative study of chromium oxide nanorods and nanoparticles as ethanol sensors
Kumari et al. Tuning of structural, magnetic and optical properties of NiFe2O4films by implementing high magnetic fields
Kubono et al. Adsorption characteristics of organic long chain molecules during physical vapor deposition
WO2007085549A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines polykristallinen keramikfilms auf einem substrat, kondensatorstruktur mit dem keramikfilm und verwendung der kondensatorstruktur
Tunkara et al. Salt‐acid‐surfactant lyotropic liquid crystalline mesophases: synthesis of highly transparent mesoporous calcium hydroxyapatite thin films
Belugina et al. Formation of a regular domain structure in TGS–TGS+ Cr crystals with a profile impurity distribution
DE102005014160A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Keramikfilms auf einem Substrat, Kondensatorstruktur mit dem Keramikfilm und Verwendung der Kondensatorstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180707