RU2598029C2 - High-frequency device - Google Patents

High-frequency device Download PDF

Info

Publication number
RU2598029C2
RU2598029C2 RU2012101771/07A RU2012101771A RU2598029C2 RU 2598029 C2 RU2598029 C2 RU 2598029C2 RU 2012101771/07 A RU2012101771/07 A RU 2012101771/07A RU 2012101771 A RU2012101771 A RU 2012101771A RU 2598029 C2 RU2598029 C2 RU 2598029C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resonant
generator
wall
moreover
frequency
Prior art date
Application number
RU2012101771/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2012101771A (en
Inventor
Оливер ХАЙД
Original Assignee
Сименс Акциегезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциегезелльшафт filed Critical Сименс Акциегезелльшафт
Publication of RU2012101771A publication Critical patent/RU2012101771A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2598029C2 publication Critical patent/RU2598029C2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/02—Circuits or systems for supplying or feeding radio-frequency energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/14—Vacuum chambers
    • H05H7/18—Cavities; Resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/22—Details of linear accelerators, e.g. drift tubes
    • H05H2007/227—Details of linear accelerators, e.g. drift tubes power coupling, e.g. coupling loops

Abstract

FIELD: instrument making.
SUBSTANCE: invention relates to HF apparatus (100) comprising HF resonance device (110) having electrically conductive outer wall (111), wherein outer wall (111) comprises slot (114) extending along its perimeter, and injection device (130) having HF generator (131) arranged on outer side (113) of outer wall (111) of HF resonance device (110) in region of slot (114), for injecting HF radiation at a specific generator frequency (fG) into interior of HF resonance device (110) via slot (114), and shield (134) shielding generator (131) with respect to outside and electrically bridging slot (114) on outer side (113) of outer wall (111). Shield (134) is designed as a resonator having higher impedance to generator frequency (fG) than resonance device.
EFFECT: high efficiency of HF radiation input in HF resonator.
11 cl, 13 dwg

Description

Изобретение относится к высокочастотному (ВЧ) устройству с ограниченным внешней стенкой ВЧ-резонатором и с размещенным на внешней стенке ВЧ-генератором с устройством ввода. При этом ВЧ-генератор вводит через образованную во внешней стенке щель электромагнитное поле внутрь ВЧ-резонатора. При этом экран выполнен резонансным и имеет на частоте генератора высокий импеданс.The invention relates to a high-frequency (HF) device with a limited external wall of the RF resonator and with an RF generator located on the external wall with an input device. In this case, the RF generator introduces through the gap formed in the outer wall an electromagnetic field inside the RF resonator. The screen is made resonant and has a high impedance at the generator frequency.

В случае ВЧ-резонаторов, которые служат в качестве резонаторов для ВЧ-электромагнитных полей, речь идет о типично полых телах с электрически проводящей внешней стенкой. Расположенный вне резонатора ВЧ-генератор генерирует электромагнитное излучение высокой частоты, которое вводится через отверстие во внешней стенке резонатора внутрь резонатора. Посредством генерируемых генератором электромагнитных переменных полей, в том числе, индуцируются переменные токи, которые распространяются вдоль внутренней стороны внешней стенки в форме токовых путей. В зависимости от частоты генератора и волновых свойств резонатора, внутри ВЧ-резонатора могут возникать различные резонансные моды. В общем случае, из-за размещения ВЧ-генератора вне резонатора также индуцируются токи на внешней стороне внешней стенки, за счет которых вводимая в резонатор мощность и, тем самым, эффективность резонатора может снижаться.In the case of RF cavities, which serve as resonators for RF electromagnetic fields, we are talking about typically hollow bodies with an electrically conductive external wall. An RF generator located outside the resonator generates high frequency electromagnetic radiation, which is introduced through an opening in the outer wall of the resonator into the cavity. By means of electromagnetic variable fields generated by the generator, inter alia, alternating currents are induced, which propagate along the inner side of the outer wall in the form of current paths. Depending on the frequency of the generator and the wave properties of the resonator, various resonant modes may occur inside the RF resonator. In the general case, due to the placement of the RF generator outside the resonator, currents are also induced on the outer side of the outer wall, due to which the power introduced into the resonator and, therefore, the resonator efficiency can be reduced.

Поэтому задачей изобретения является обеспечить по возможности эффективный ввод ВЧ-излучения в ВЧ-резонатор. Эта задача решается ВЧ-устройством согласно пункту 1 формулы изобретения. Другие предпочтительные формы выполнения изобретения представлены в зависимых пунктах формулы изобретения.Therefore, the object of the invention is to provide as efficient an input of RF radiation into the RF cavity as possible. This problem is solved by the RF device according to paragraph 1 of the claims. Other preferred embodiments of the invention are presented in the dependent claims.

В соответствии с изобретением предусмотрено ВЧ-устройство, включающее в себя ВЧ-резонансное устройство с электрически проводящей внешней стенкой, причем внешняя стенка имеет щель. Щель может продолжаться по меньшей мере частично вдоль периметра внешней стенки или по всему периметру. ВЧ-устройство также содержит устройство ввода с ВЧ-генератором, размещенным на внешней стороне внешней стенки ВЧ-резонансного устройства в зоне щели для ввода ВЧ-излучения определенной частоты через щель внутрь ВЧ-резонансного устройства, и с экраном, экранирующим генератор снаружи и электрически перекрывающим щель на внешней стороне внешней стенки. При этом экран выполнен как резонатор с высоким импедансом для частоты генератора. Высокий импеданс обуславливает то, что меньший ток протекает через экран. Выполнение экрана в форме резонатора обеспечивает при этом особенно простым способом высокие импедансы и, тем самым, очень эффективный ввод ВЧ-излучения в резонансное устройство. Так как вследствие экрана не возникает никаких ВЧ-токов на внешней стороне резонатора, в целом обращение с ВЧ-устройством является более безопасным. Кроме того, ВЧ-резонатор, поддерживаемый на потенциале массы, можно комбинировать с другими устройствами более совместимым образом.In accordance with the invention, there is provided an RF device including an RF resonant device with an electrically conductive external wall, the external wall having a gap. The gap may extend at least partially along the perimeter of the outer wall or along the entire perimeter. The RF device also includes an input device with an RF generator located on the outer side of the outer wall of the RF resonance device in the area of the slot for inputting RF radiation of a certain frequency through the gap into the RF resonant device, and with a screen screening the generator from the outside and electrically overlapping gap on the outside of the outer wall. The screen is designed as a resonator with a high impedance for the frequency of the generator. High impedance causes less current to flow through the screen. The implementation of the screen in the form of a resonator provides in a particularly simple way high impedances and, thereby, a very efficient input of RF radiation into the resonant device. Since no RF currents occur on the outside of the resonator due to the screen, overall handling of the RF device is safer. In addition, an RF resonator supported at mass potential can be combined with other devices in a more compatible manner.

Одна форма выполнения предусматривает, что выполненный резонансным экран настроен на резонансную частоту, отличающуюся от частоты генератора. Тем самым волноводное сопротивление и, тем самым, поведение резонансного экрана может устанавливаться различным образом при эксплуатации в зависимости от применения.One embodiment provides that the resonant screen is tuned to a resonant frequency different from the frequency of the generator. Thus, the waveguide resistance and, therefore, the behavior of the resonant screen can be set in various ways during operation depending on the application.

Другая форма выполнения предусматривает, что экран настроен на резонансную частоту выше частоты генератора. Тем самым эффективно предотвращается то, что на частоте генератора в экране, выполненном как резонатор, возникает резонансная мода с низким импедансом.Another form of implementation provides that the screen is tuned to a resonant frequency above the frequency of the generator. Thereby, it is effectively prevented that a resonant mode with a low impedance arises at the generator frequency in a screen configured as a resonator.

Согласно другой форме выполнения предусмотрено, что емкостные и индуктивные свойства экрана настроены таким образом, что в экране на частоте генератора образуется стоячая электромагнитная волна с узлом тока в зоне щели. Тем самым достигается по возможности высокий импеданс экрана со стороны входа.According to another embodiment, it is provided that the capacitive and inductive properties of the screen are configured in such a way that a standing electromagnetic wave with a current node in the gap zone is formed in the screen at the generator frequency. This achieves the highest possible screen impedance on the input side.

В другой форме выполнения предусмотрено, что резонансное устройство выполнено таким образом, что резонансное устройство в зоне щели имеет пучность тока. Тем самым резонансное устройство имеет малый импеданс для частоты ВЧ-излучения.In another embodiment, it is provided that the resonant device is designed in such a way that the resonant device in the gap zone has a current antinode. Thus, the resonant device has a low impedance for the frequency of the RF radiation.

Другая форма выполнения предусматривает, что щель ограничена двумя противолежащими кромками, причем кромки имеют направляющие компоненты перпендикулярно пристеночному току желательной резонансной моды ВЧ-излучения.Another embodiment provides that the gap is bounded by two opposite edges, the edges having guide components perpendicular to the near-wall current of the desired resonant mode of RF radiation.

В другой форме выполнения предусмотрено, что электрическая длина проводника экрана по существу составляет четверть длины волны генерируемой генератором электромагнитной волны. Эта длина проводника представляет особенно благоприятную форму выполнения, так как настройка экрана в этом случае производится наиболее просто.In another embodiment, it is provided that the electric length of the shield conductor is substantially a quarter of the wavelength of the electromagnetic wave generated by the generator. This length of the conductor is a particularly favorable form of execution, since adjusting the screen in this case is most simple.

Другая форма выполнения предусматривает, что ВЧ-резонансное устройство выполнено как ВЧ-резонатор. ВЧ-резонаторы, ввиду их высокой добротности, особенно хорошо подходят для формирования резонансных электромагнитных волн.Another embodiment provides that the RF resonant device is configured as an RF resonator. RF cavities, due to their high Q factor, are particularly well suited for the formation of resonant electromagnetic waves.

Другая форма выполнения предусматривает, что ВЧ-резонансное устройство выполнено как коаксиальное проводящее соединение. Такие коаксиальные волноводы могут использоваться особенно гибким образом.Another embodiment provides that the RF resonant device is configured as a coaxial conductive connection. Such coaxial waveguides can be used in a particularly flexible way.

В другой форме выполнения предусмотрено, что генератор содержит несколько транзисторных модулей, размещенных распределенным образом по периметру ВЧ-резонансного устройства. С помощью таких транзисторных модулей электромагнитные поля могут вырабатываться непосредственно на резонансном устройстве. Это обеспечивает возможность особенно эффективного ввода электромагнитного излучения.In another embodiment, it is provided that the generator comprises several transistor modules arranged in a distributed manner around the perimeter of the RF resonant device. Using such transistor modules, electromagnetic fields can be generated directly on the resonant device. This makes it possible to enter electromagnetic radiation particularly efficiently.

Изобретение далее описывается более подробно со ссылками на чертежи.The invention is further described in more detail with reference to the drawings.

Фиг. 1 и 2 схематично показывают цилиндрический ВЧ-резонатор с размещенным вдоль его периметра устройством ввода для ввода ВЧ-излучения в ВЧ-резонатор,FIG. 1 and 2 schematically show a cylindrical high-frequency resonator with an input device arranged along its perimeter for inputting high-frequency radiation into the high-frequency resonator,

Фиг. 3 - продольное сечение ВЧ-резонатора по Фиг. 1 с детальным представлением устройства ввода,FIG. 3 is a longitudinal section of the RF cavity of FIG. 1 with a detailed view of an input device,

Фиг. 4 - поперечное сечение показанного на Фиг. 3 ВЧ-устройства вдоль линии IV-IV,FIG. 4 is a cross section shown in FIG. 3 RF devices along line IV-IV,

Фиг. 5 - упрощенное представление модели экрана, служащего в качестве волновода для ВЧ-излучения,FIG. 5 is a simplified representation of a screen model serving as a waveguide for RF radiation,

Фиг. 6 - диаграмма распределения тока для наглядного представления величин тока, возникающих вдоль экрана, выполненного как λ/4-волновод, с узлом тока, лежащим в зоне щели,FIG. 6 is a current distribution diagram for illustrating current values arising along a screen configured as a λ / 4 waveguide with a current node lying in the gap zone,

Фиг. 7 - ВЧ-устройство с выполненным как коаксиальная линия ВЧ-резонансным устройством,FIG. 7 - RF device made as a coaxial line RF resonant device,

Фиг. 8 - другое выполнение ВЧ-устройства,FIG. 8 is another embodiment of an RF device,

Фиг. 9 - поперечное сечение другого ВЧ-устройства,FIG. 9 is a cross section of another RF device,

Фиг. 10 - поперечное сечение устройства ввода,FIG. 10 is a cross section of an input device,

Фиг. 11 - схематичное представление устройства ввода в зоне щели,FIG. 11 is a schematic representation of an input device in a gap zone,

Фиг. 12 - другое выполнение с ВЧ-устройством иFIG. 12 is another implementation with an RF device and

Фиг. 13 - схематичное представление плотности тока I в зоне щели.FIG. 13 is a schematic representation of the current density I in the gap zone.

На Фиг. 1 показан вид сбоку первой формы выполнения ВЧ-устройства 100. Устройство 100 включает в себя цилиндрический ВЧ-резонатор 110 с металлической внешней стенкой, который служит в качестве резонансного устройства для ВЧ-излучения определенной частоты. Вдоль периметра ВЧ-резонатора 110 размещено устройство 130 ввода для ввода ВЧ-мощности в ВЧ-резонатор 110.In FIG. 1 shows a side view of a first embodiment of an RF device 100. The device 100 includes a cylindrical RF resonator 110 with a metal outer wall, which serves as a resonant device for RF radiation of a certain frequency. Along the perimeter of the RF resonator 110, an input device 130 for inputting the RF power to the RF resonator 110 is disposed.

На Фиг. 2 показано ВЧ-устройство 100 по Фиг. 1 на виде спереди. При этом ясно видно, что устройство 130 ввода продолжается по всему периметру ВЧ-резонатора 110. В зависимости от применения, устройство 130 ввода может также продолжаться только по части периметра ВЧ-резонатора 110. Кроме того, могут также несколько таких устройств 130 ввода, продолжающихся только по части периметра, размещаться вдоль периметра ВЧ-резонатора 110.In FIG. 2 shows the RF device 100 of FIG. 1 in front view. It is clearly seen that the input device 130 extends along the entire perimeter of the RF resonator 110. Depending on the application, the input device 130 can also continue only along the perimeter of the RF resonator 110. In addition, several such input devices 130, continuing only part of the perimeter, located along the perimeter of the RF resonator 110.

Устройство 130 ввода далее поясняется более подробно с помощью представленных сечений. Для этого на Фиг. 3 показано продольное сечение, а на Фиг. 4 - поперечное сечение показанного на Фиг. 1 соответствующего изобретению ВЧ-устройства 100.The input device 130 is further explained in more detail using the presented sections. For this, in FIG. 3 shows a longitudinal section, and FIG. 4 is a cross section shown in FIG. 1 of the RF device 100 of the invention.

Как показано на Фиг. 3, металлическая внешняя стенка 111 ВЧ-резонатора 110 в зоне устройства 130 ввода имеет продолжающуюся вдоль периметра ВЧ-резонатора 110 щель 114. Щель 114 разделяет внешнюю стенку 111 в описываемом далее примере на первый и второй участки 115, 116 стенки. Внутри щели 114 размещено изолирующее кольцо 120 из электрически не проводящего материала. Кольцеобразная изоляция 120 может одновременно создавать вакуумное уплотнение. Концы обоих участков 115, 116 стенки выполнены соответственно в форме фланца 117, 118.As shown in FIG. 3, the metal outer wall 111 of the RF resonator 110 in the region of the input device 130 has a slot 114 extending along the perimeter of the RF resonator 110. The slot 114 divides the outer wall 111 in the following example into first and second wall sections 115, 116. Inside the slit 114, an insulating ring 120 of electrically non-conductive material is placed. The annular insulation 120 may simultaneously create a vacuum seal. The ends of both sections 115, 116 of the wall are respectively made in the form of a flange 117, 118.

Размещенное на внешней стороне 113 внешней стенки 111 резонатора устройство 130 ввода содержит расположенный в зоне щели 114 генератор 131, а также полностью окружающий генератор металлический экран 134. При этом генератор 131, выполненный с возможностью генерации ВЧ-излучения определенной частоты FG, содержит предпочтительно несколько расположенных распределенным образом вдоль периметра транзисторных модулей 132. При этом отдельные транзисторные модули 132 размещены в специальных выемках в обоих фланцах 117, 118 и поэтому находятся в непосредственном контакте с внешней стенкой 111. Это размещение обеспечивает более высокую ВЧ-мощность, так как, с одной стороны, площадь для ввода ВЧ-излучения относительно велика, а с другой стороны, генерация ВЧ-излучения осуществляется непосредственно там, где требуется мощность.The input device 130 located on the outer side 113 of the outer wall 111 of the resonator includes an oscillator 131 located in the region of the slit 114, as well as a metal screen 134 completely surrounding the oscillator. Moreover, the generator 131, configured to generate RF radiation of a certain frequency F G , preferably contains several located in a distributed manner along the perimeter of the transistor modules 132. In this case, the individual transistor modules 132 are located in special recesses in both flanges 117, 118 and therefore are directly th contact with the outer wall 111. This arrangement provides higher RF power, since, on the one hand, the area for introducing RF radiation is relatively large, and on the other hand, the generation of RF radiation is carried out directly where the power is required.

Как показано на Фиг. 3, транзисторные модули 132 соединены через соединительные проводники 133 с не показанным здесь источником постоянного тока или управляющим устройством. При активировании твердотельные транзисторы модулей 132 вырабатывают электромагнитные переменные поля, которые, в свою очередь, индуцируют распространяющиеся вдоль внешней стенки 111 переменные токи. Ввиду высокой частоты, переменные токи возникают при этом только в относительно тонких краевых слоях на внутренней и внешней стороне металлической внешней стенки 111. Чтобы достигнуть того, чтобы по возможности больше индуцированных переменных токов распространялось вдоль внутренней стенки 112 ВЧ-резонатора 110, предусмотрено выполнение импеданса радиочастотного (РЧ) пути на внешней стороне 113 резонатора 110 по возможности высоким. Это достигается специально выполненным экраном 134, а также щелью 114, которая образует высокий импеданс на резонансной частоте ВЧ-резонатора 110.As shown in FIG. 3, transistor modules 132 are connected via connecting conductors 133 to a direct current source or control device not shown here. When activated, the solid state transistors of modules 132 generate electromagnetic alternating fields, which, in turn, induce alternating currents propagating along the outer wall 111. Due to the high frequency, alternating currents occur only in relatively thin edge layers on the inner and outer sides of the metal outer wall 111. In order to achieve as much as possible induced alternating currents propagating along the inner wall 112 of the RF resonator 110, it is contemplated to fulfill the RF impedance The (RF) paths on the outside 113 of the resonator 110 are as high as possible. This is achieved by a specially made screen 134, as well as a slit 114, which forms a high impedance at the resonant frequency of the RF resonator 110.

Для того чтобы воспрепятствовать распространению ВЧ-токов вдоль внешней стороны 113 внешней стенки 111, экран 134 электрически соединен с внешней стенкой 111. Как представлено на Фиг. 3, металлический экран 134 электрически перекрывает щель 114 и, таким образом, представляет короткое замыкание между обоими участками 115, 116 стенки. Так как индуцированные переменные токи возникают только в краевом слое внешней стенки 111, в то время как внутренняя область металлической внешней стенки 111 по существу свободна от тока и поля, за счет созданного экраном короткого замыкания оказывается влияние только на переменный ток, распространяющийся вдоль внешней стороны 113 внешней стенки 111 резонатора. Так индуцированные на внешней стороне 113 внешней стенки 111 резонатора токи распространяются вдоль внутренней стороны 135 образующих экран 134 металлических листов 136, 137, 138, в то время как внешняя стенка 111 резонатора вне экрана 134 практически свободна от тока и напряжения. Чтобы оптимизировать ввод ВЧ-токов внутрь ВЧ-резонатора 110, резонатор 134 выполнен резонансным. Для этого волноводные свойства устройства 130 ввода настроены таким образом, что для распространяющихся внутри экрана 134 переменных токов в зоне щели 114 получается по возможности высокий импеданс.In order to prevent the propagation of RF currents along the outer side 113 of the outer wall 111, the shield 134 is electrically connected to the outer wall 111. As shown in FIG. 3, a metal shield 134 electrically closes the slit 114 and thus presents a short circuit between both wall sections 115, 116. Since the induced alternating currents arise only in the boundary layer of the outer wall 111, while the inner region of the metal outer wall 111 is essentially free of current and field, due to the short circuit created by the screen, only the alternating current propagating along the outer side 113 the outer wall 111 of the resonator. Thus, currents induced on the outer side 113 of the outer cavity wall 111 of the resonator propagate along the inner side 135 of the metal sheets 136, 137, 138 forming the shield 134, while the outer shield wall 111 outside the shield 134 is practically free of current and voltage. To optimize the input of RF currents into the RF resonator 110, the resonator 134 is made resonant. For this, the waveguide properties of the input device 130 are configured so that for the alternating currents propagating inside the screen 134 in the region of the gap 114, an impedance as high as possible is obtained.

Фиг. 4 показывает сечение вдоль линии IV-IV показанного на Фиг. 3 ВЧ-резонатора 100. Отсюда видно, что размещенные вдоль периметра внешней стенки 111 резонатора 110 транзисторные модули 132 помещены в соответствующих выемках фланцев 117, 118.FIG. 4 shows a section along line IV-IV of FIG. 3 of the RF resonator 100. From this it can be seen that transistor modules 132 located along the perimeter of the outer wall 111 of the resonator 110 are placed in the corresponding recesses of the flanges 117, 118.

Фиг. 5 показывает сильно упрощенную эквивалентную схему экрана 134. При этом экран 134 рассматривается как короткозамкнутый волновод. В этом случае оба левых вывода 301, 307 соответствуют точкам ввода ВЧ-излучения в зоне щели. Оба, верхний и нижний, участка 302, 306 проводника соответствуют обоим по существу симметричным токовым путям рассматриваемых здесь переменных токов вдоль внутренней стороны 135 экрана 134. При этом верхний участок 302 проводника образован по существу посредством левой боковой стенки 136 экрана 134, размещенной внутри экрана 134 части первого участка 115 внешней стенки, а также части верхней покрывающей стенки 137 экрана. Аналогично этому, нижний участок 306 проводника образован в показанной здесь эквивалентной схеме 300 посредством правой боковой стенки 136 экрана 134, размещенной внутри экрана 134 части второго участка 116 внешней стенки, а также части верхней покрывающей стенки 137 экрана 134.FIG. 5 shows a highly simplified equivalent circuitry of the shield 134. The shield 134 is then considered as a short-circuited waveguide. In this case, both left pins 301, 307 correspond to the input points of the RF radiation in the gap zone. Both the upper and lower conductor sections 302, 306 correspond to both substantially symmetrical current paths of the alternating currents discussed here along the inner side 135 of the shield 134. The upper conductor section 302 is formed essentially by the left side wall 136 of the shield 134 located inside the shield 134 parts of the first portion 115 of the outer wall, as well as parts of the upper covering wall 137 of the screen. Similarly, the bottom conductor portion 306 is formed in the equivalent circuit shown here 300 by a right side wall 136 of the shield 134 located inside the shield 134 of a portion of the second portion 116 of the outer wall, as well as a portion of the upper covering wall 137 of the shield 134.

Емкость С определяется по существу посредством емкостных свойств устройства 130 ввода, которые зависят как от геометрии выполненного, например, из меди экрана 134, так и от свойств материала окруженного экраном 134 объема пространства. Напротив, показанная на эквивалентной схеме индуктивность L зависит, в том числе, от электрической длины проводника, которая, в свою очередь, зависит от различных факторов, таких как, например, геометрическая длина проводника. При этом полная индуктивность определяется индуктивностями отдельных участков проходимого током участка пути. Как показано на Фиг. 5 пунктирной линией 304, представленная здесь эквивалентная схема 300 на выходах 303, 305 является короткозамкнутой, так как обе в следующем случае симметричные длины проводников электрически соединены друг с другом через покрывающий элемент 138 экрана 134. При этом отношение электрической длины проводника для короткозамкнутого проводника к длине волны λ генерируемого генератором 131 ВЧ-излучения определяет, ведет ли себя U-образный проводник как емкость, индуктивность или колебательный контур. В специальном случае, когда электрическая длина проводника составляет четверть длины волны λ волн тока, распространяющихся на внутренней стороне экрана 134, схема образует параллельный колебательный контур с резонансными длинами волн λ, λ/3, λ/5 и т.д. В случае экрана 134, настроенного на четверть длины волны λ, для токовой составляющей электромагнитной волны устанавливается узел тока в зоне щели 114.The capacitance C is determined essentially by the capacitive properties of the input device 130, which depend both on the geometry of the screen 134 made of, for example, copper, and on the properties of the material of the space volume surrounded by the screen 134. On the contrary, the inductance L shown in the equivalent circuit depends, inter alia, on the electrical length of the conductor, which, in turn, depends on various factors, such as, for example, the geometric length of the conductor. In this case, the total inductance is determined by the inductances of individual sections of the path traveled by the current. As shown in FIG. 5 by the dashed line 304, the equivalent circuit 300 shown here at the outputs 303, 305 is short-circuited, since both in the following case, the symmetrical lengths of the conductors are electrically connected to each other through the covering element 138 of the shield 134. The ratio of the electrical length of the conductor for the short-circuited conductor to the length The wave λ generated by the RF generator 131 determines whether the U-shaped conductor behaves like a capacitance, inductance, or oscillatory circuit. In the special case, when the electric length of the conductor is a quarter of the wavelength λ of the current waves propagating on the inner side of the shield 134, the circuit forms a parallel oscillatory circuit with resonant wavelengths λ, λ / 3, λ / 5, etc. In the case of the screen 134, tuned to a quarter wavelength λ, for the current component of the electromagnetic wave, a current node is installed in the zone of the gap 114.

В резонансном случае входной импеданс образованного экраном резонансного контура стремится к бесконечности, так что рассеиваемая генератором ВЧ-мощность почти полностью вводится в ВЧ-резонатор, имеющий минимально возможный импеданс. Длина проводника экрана не должна, однако, оптимально настраиваться на λ/4. В зависимости от применения, может уже быть достаточным, если входной импеданс образованного экраном колебательного контура заметно выше, чем входной импеданс ВЧ-резонатора. Также в этом случае индуцированный ток будет преимущественно распространяться на внутренней стороне 112 внешней стенки 111. Тем самым можно реализовать оптимальный ввод ВЧ-мощности в ВЧ-резонатор.In the resonance case, the input impedance of the resonant circuit formed by the screen tends to infinity, so that the RF power dissipated by the generator is almost completely introduced into the RF resonator having the lowest possible impedance. The length of the screen conductor should not, however, be optimally tuned to λ / 4. Depending on the application, it may already be sufficient if the input impedance of the oscillating circuit formed by the screen is noticeably higher than the input impedance of the RF resonator. Also in this case, the induced current will mainly propagate on the inner side 112 of the outer wall 111. Thereby, it is possible to realize an optimal input of the RF power into the RF resonator.

Фиг. 6 показывает для пояснения характеристику тока вдоль образованного экраном 134 λ/4-проводника. Здесь становится ясным, что сила тока изменяется синусоидально, с минимумом на входе (х0) и максимумом (х1) на конце проводника.FIG. 6 shows for explanation the current characteristic along the λ / 4 conductor formed by the shield 134. Here it becomes clear that the current strength changes sinusoidally, with a minimum at the input (x 0 ) and a maximum (x 1 ) at the end of the conductor.

Представленная здесь концепция изобретения может в принципе переноситься на все ВЧ-резонаторы, а также другие резонансные волноводные структуры, например, на коаксиальной линии или проходном резонаторе. Так на Фиг. 7 показано ВЧ-устройство, в котором показанное перед этим в связи с ВЧ-резонатором устройство 130 ввода применяется для ввода электрической энергии в коаксиальное проводящее соединение. Как показано на Фиг. 7, генератор 131, а также экран 134, окружающий генератор, продолжаются вдоль внешнего периметра внешнего проводника 111 коаксиального соединения 110. В показанном здесь представлении в сечении также показан типичный для коаксиальных соединений внутренний проводник 120.The concept of the invention presented here can in principle be transferred to all RF cavities, as well as other resonant waveguide structures, for example, on a coaxial line or a passage resonator. So in FIG. 7 shows an RF device in which the input device 130 shown previously in connection with an RF resonator is used to input electrical energy into a coaxial conductive connection. As shown in FIG. 7, the generator 131, as well as the shield 134 surrounding the generator, extend along the outer perimeter of the outer conductor 111 of the coaxial connection 110. The cross section shown here also shows the inner conductor 120 typical of coaxial connections.

Для того чтобы достичь высоких ВЧ-мощностей, несколько представленных на Фиг. 1-4 ВЧ-резонаторов могут быть включены друг за другом, чтобы, например, реализовать укоритель частиц. Отдельными резонаторами можно при этом управлять по отдельности. Для этого устройства 130 ввода четырех ВЧ-резонаторов 100 через отдельные проводники связаны с общим устройством управления и питания. Так как пристеночные токи могут распространяться только вдоль внутренней стороны стенок резонаторов, включенные друг с другом вместе резонаторы 110 на внешней стороне развязаны один от другого на РЧ. Поэтому они, несмотря на соединение по постоянному току, могут управляться независимо друг от друга.In order to achieve high RF powers, several shown in FIG. 1-4 RF cavities can be switched on one after another to, for example, realize a particle accelerator. Separate resonators can be controlled separately. For this device 130 input four RF cavities 100 through separate conductors connected to a common control device and power. Since near-wall currents can propagate only along the inner side of the cavity walls, the resonators 110 connected to each other together on the outer side are decoupled from one another on the RF. Therefore, despite the DC connection, they can be controlled independently of each other.

Изобретение не ограничено показанными для примера формами выполнения. Напротив, соответствующий изобретению принцип может применяться в любой подходящей РЧ-структуре, при которой пристеночные токи вводятся внутрь и должны экранироваться в направлении наружу.The invention is not limited to the exemplary embodiments. On the contrary, the principle according to the invention can be applied in any suitable RF structure in which wall currents are introduced inward and must be shielded outwardly.

Фиг. 8 показывает другую форму выполнения ВЧ-устройства 100, при которой ВЧ-резонансное устройство 110 имеет несколько размещенных отдельно друг от друга щелей 114. С каждой щелью 114 сопоставлено устройство 130 ввода. Устройства 130 ввода выполнены согласно устройству 130 ввода по Фиг. 1-4, причем каждое устройство 130 ввода имеет по меньшей мере один генератор 131 и транзисторный модуль 132. Устройства 130 ввода запитываются током от блока 500 управления через соответствующие выводы 133 и управляются для выдачи ВЧ-мощности. Каждое устройство 130 ввода может иметь один или более генераторов.FIG. 8 shows another embodiment of the RF device 100, in which the RF resonant device 110 has several slots 114 located separately from each other. An input device 130 is associated with each slot 114. The input devices 130 are made according to the input device 130 of FIG. 1-4, and each input device 130 has at least one generator 131 and a transistor module 132. Input devices 130 are powered by current from the control unit 500 through the respective terminals 133 and are controlled to provide RF power. Each input device 130 may have one or more generators.

Фиг. 9 показывает поперечное сечение устройства по Фиг. 8 перпендикулярно продольной протяженности ВЧ-резонансного устройства 110.FIG. 9 shows a cross section of the device of FIG. 8 perpendicular to the longitudinal extent of the RF resonant device 110.

Фиг. 10 показывает сечение в продольном направлении ВЧ-резонансного устройства 110 через устройство 130 ввода и фрагмент внешней стенки 111.FIG. 10 shows a cross section in the longitudinal direction of the RF resonant device 110 through the input device 130 and a fragment of the outer wall 111.

Фиг. 11 показывает в схематичном представлении щель 114 для формы выполнения по Фиг. 8 и устройство 130 ввода со схематичным представлением паразитного тока I по внешней стороне внешней стенки 111 и внутренней стороне 135 экрана 134. За счет выбора геометрии и выбора материала корпуса экрана 134, как уже пояснялось, паразитный ток I поддерживается по возможности малым.FIG. 11 shows in a schematic representation a slot 114 for the embodiment of FIG. 8 and an input device 130 with a schematic representation of the stray current I on the outer side of the outer wall 111 and the inner side 135 of the screen 134. By selecting the geometry and selecting the material of the screen body 134, as already explained, the stray current I is kept as small as possible.

В предложенном устройстве ВЧ-генерация или ВЧ-преобразование интегрированы в резонансную структуру. Преобразователь встроен в структуру, которая образована из ВЧ-резонансного устройства 110 в качестве первой полости и второй полости, по существу замкнутой для частоты ВЧ-энергии, которое реализовано экраном 134 и частью внешней стенки ВЧ-резонансного устройства. Между двумя полостями предусмотрена щель 114. Щель 114 ограничена первым и вторым фланцем 117, 118. Первый и второй фланцы выполнены таким образом, что первый и второй фланцы 117, 118 имеют, соответственно, направляющий компонент перпендикулярно пристеночному току желательной резонансной моды. Выработанный ВЧ-генератором ВЧ-ток вводится в первый и второй фланцы 117, 118 щели 114. Обе полости выполнены таким образом, что введенная в щель электромагнитная мощность главным образом ответвляется в ВЧ-резонансное устройство 110. Оно опирается за счет выполнения первого и второго фланцев 117, 118. Кроме того, ВЧ-частота генератора имеет значение, которое близко или соответствует резонансной частоте ВЧ-резонансного устройства. К тому же щель 114 ВЧ-резонансного устройства размещена вблизи пучности тока резонансной моды ВЧ-резонансного устройства. За счет этого ВЧ-резонансное устройство 110 при резонансной частоте становится низкоомным по сравнению с второй полостью. Например, импеданс второй полости для выдаваемой ВЧ-генератором частоты по меньшей мере в десять раз больше, чем импеданс ВЧ-резонансного устройства. Кроме того, предпочтительным образом никакая резонансная частота второй полости не лежит в окрестности частоты ВЧ-генератора.In the proposed device, the RF generation or RF conversion are integrated into the resonant structure. The converter is integrated in a structure that is formed from an RF resonant device 110 as a first cavity and a second cavity substantially closed to the frequency of the RF energy, which is realized by the shield 134 and part of the outer wall of the RF resonant device. A slot 114 is provided between the two cavities. The slot 114 is bounded by the first and second flange 117, 118. The first and second flanges are designed so that the first and second flanges 117, 118 have, respectively, a guiding component perpendicular to the near-wall current of the desired resonant mode. The RF current generated by the RF generator is introduced into the first and second flanges 117, 118 of the slot 114. Both cavities are designed so that the electromagnetic power introduced into the slot is mainly branched into the RF resonant device 110. It relies on the implementation of the first and second flanges 117, 118. In addition, the RF frequency of the generator has a value that is close to or corresponds to the resonant frequency of the RF resonant device. In addition, the slit 114 of the RF resonant device is located near the current antinode of the resonant mode of the RF resonant device. Due to this, the RF resonant device 110 at the resonant frequency becomes low resistance compared to the second cavity. For example, the impedance of the second cavity for the frequency generated by the RF generator is at least ten times greater than the impedance of the RF resonant device. In addition, in a preferred manner, no resonant frequency of the second cavity lies in the vicinity of the frequency of the RF generator.

Предпочтительным образом, вторая полость геометрически выполнена таким образом, что вторая полость прозрачна к электромагнитному полю, выработанному питающим током, причем экран выполнен как нормально проводящий металлический короб при питании постоянным током или посредством одного или более коаксиальных кабелей для питания током. В этой форме выполнения вторая полость выполнена как удлинение полости между оболочкой и внутренним проводником коаксиального кабеля. Электропроводная оболочка коаксиального кабеля соединена со стенкой корпуса экрана.Preferably, the second cavity is geometrically configured such that the second cavity is transparent to the electromagnetic field generated by the supply current, the screen being made as a normally conducting metal box when supplied with direct current or through one or more coaxial cables for supplying current. In this embodiment, the second cavity is designed as an extension of the cavity between the sheath and the inner conductor of the coaxial cable. The conductive sheath of the coaxial cable is connected to the wall of the screen housing.

Фиг. 12 показывает другую форму выполнения ВЧ-резонансного устройства 110 в схематичном представлении, при которой щели 114 размещены вдоль продольного направления ВЧ-резонансного устройства 110 и параллельно друг другу. С каждой щелью сопоставлено устройство 130 ввода согласно формам выполнения по Фиг. 8-10. В зависимости от выбранной формы выполнения, ВЧ-генераторы вводят ВЧ-мощность в продольные стороны и/или поперечные стороны щели 114. Передние и задние поперечные кромки 170, 172 щели 114 предпочтительно размещены в передней или задней плоскости перпендикулярно продольной стороне ВЧ-резонансного устройства 110. В зависимости от выбранной формы выполнения, передняя и задняя поперечные кромки или продольные стороны щели имеют соответствующие первый и второй фланцы 117, 118 согласно Фиг. 10.FIG. 12 shows another embodiment of the RF resonant device 110 in a schematic representation in which slots 114 are arranged along the longitudinal direction of the RF resonant device 110 and parallel to each other. An input device 130 is associated with each slot according to the embodiments of FIG. 8-10. Depending on the chosen embodiment, the RF generators inject the RF power into the longitudinal sides and / or the transverse sides of the slot 114. The front and rear transverse edges 170, 172 of the slot 114 are preferably located in the front or rear plane perpendicular to the longitudinal side of the RF resonant device 110 Depending on the selected embodiment, the front and rear transverse edges or the longitudinal sides of the slit have respective first and second flanges 117, 118 according to FIG. 10.

Фиг. 13 показывает схематичное представление плотности тока I в стенке ВЧ-резонансного устройства 110 в зоне щели 114. Через фланцы 117, 118 вводятся ВЧ-токи от не показанного генератора 131. За счет ограниченной формы выполнения щели 114, достигается то, что сбоку от щели 114 в резонансном режиме ВЧ-резонансного устройства 110 токи по существу протекают по нижней стороне внешней стенки 111. Это достигается тем, что области сбоку от щели 114 представляют соответственно первую и вторую индуктивности L1, L2. В зоне щели 114 имеется дополнительная индуктивность L0, которая задается генератором 131. За счет магнитной связи тока, вводимого генератором 131, также индуцируются электрические напряжения в областях сбоку от щели 114 в первой и второй индуктивностях L1, L2. Таким способом кольцевые токи вокруг щели подавляются подобно скомпенсированному по току дросселю.FIG. 13 shows a schematic representation of the current density I in the wall of the RF resonant device 110 in the region of the gap 114. RF flavors from the generator not shown 131 are introduced through the flanges 117, 118. Due to the limited form of execution of the gap 114, it is achieved that on the side of the gap 114 in the resonant mode of the RF resonant device 110, currents essentially flow along the lower side of the outer wall 111. This is achieved by the fact that the areas on the side of the gap 114 represent the first and second inductances L1, L2, respectively. In the zone of the gap 114, there is an additional inductance L0, which is set by the generator 131. Due to the magnetic coupling of the current introduced by the generator 131, electric voltages are also induced in the areas on the side of the gap 114 in the first and second inductors L1, L2. In this way, ring currents around the slit are suppressed like a current-compensated inductor.

Claims (11)

1. ВЧ-устройство (100), содержащее
ВЧ-резонансное устройство (110) с электрически проводящей внешней стенкой (111), причем внешняя стенка (111) имеет щель (114), и
устройство (130) ввода с ВЧ-генератором (131), размещенным на внешней стороне (113) внешней стенки (111) ВЧ-резонансного устройства (110) в зоне щели (114) для ввода ВЧ-излучения определенной частоты (fG) генератора через щель (114) внутрь ВЧ-резонансного устройства (110), и
с экраном (134), экранирующим генератор (131) снаружи и электрически перекрывающим щель (114) на внешней стороне (113) внешней стенки (111),
при этом экран (134) выполнен как резонатор с более высоким импедансом для частоты (fG) генератора, чем резонансное устройство,
причем емкостные и индуктивные свойства экрана (134) настроены таким образом, что в экране (134) на частоте (fG) генератора образуется стоячая электромагнитная волна с узлом тока в зоне щели (114).1. An RF device (100) comprising
An RF resonant device (110) with an electrically conductive external wall (111), wherein the external wall (111) has a slit (114), and
input device (130) with an RF generator (131) located on the outer side (113) of the outer wall (111) of the RF resonance device (110) in the gap zone (114) for inputting RF radiation of a certain frequency (f G ) of the generator through a slit (114) into the RF resonant device (110), and
with a screen (134) shielding the generator (131) from the outside and electrically blocking the gap (114) on the outside (113) of the outer wall (111),
the screen (134) is made as a resonator with a higher impedance for the frequency (f G ) of the generator than the resonant device,
moreover, the capacitive and inductive properties of the shield (134) are configured in such a way that a standing electromagnetic wave with a current node in the gap zone (114) is formed in the shield (134) at the generator frequency (f G ). 2. ВЧ-устройство (100) по п. 1,
причем экран (134) имеет резонансную частоту (fR), отличающуюся от частоты (fG) генератора.2. The RF device (100) according to claim 1,
moreover, the screen (134) has a resonant frequency (f R ) different from the frequency (f G ) of the generator. 3. ВЧ-устройство (100) по п. 1 или 2,
причем экран (134) настроен на резонансную частоту (fA) выше частоты (fG) генератора.3. The RF device (100) according to claim 1 or 2,
moreover, the screen (134) is tuned to the resonant frequency (f A ) above the frequency (f G ) of the generator. 4. ВЧ-устройство по п. 1,
причем ВЧ-резонансное устройство (110) выполнено таким образом, что ВЧ-резонансное устройство (110) в зоне щели (114) имеет пучность тока.4. The RF device according to claim 1,
moreover, the RF resonant device (110) is designed in such a way that the RF resonant device (110) in the gap zone (114) has a current antinode. 5. ВЧ-устройство по п. 1,
причем щель (114) ограничена двумя противолежащими кромками (117, 118), причем кромки (117, 118) имеют направляющие компоненты перпендикулярно пристеночному току (I) желательной резонансной моды.5. The RF device according to claim 1,
moreover, the gap (114) is limited by two opposite edges (117, 118), and the edges (117, 118) have guiding components perpendicular to the near-wall current (I) of the desired resonant mode. 6. ВЧ-устройство (100) по п. 1,
причем электрическая длина проводника экрана (134) по существу составляет четверть длины волны λ, генерируемой генератором электромагнитной волны.6. The RF device (100) according to claim 1,
moreover, the electric length of the shield conductor (134) is essentially a quarter of the wavelength λ generated by the electromagnetic wave generator. 7. ВЧ-устройство (100) по п. 1,
причем ВЧ-резонансное устройство (110) выполнено как ВЧ-резонатор.7. The RF device (100) according to claim 1,
moreover, the RF resonant device (110) is designed as an RF resonator. 8. ВЧ-устройство по п. 1,
причем ВЧ-резонансное устройство (110) выполнено как волновод.8. The RF device according to claim 1,
moreover, the RF resonant device (110) is designed as a waveguide. 9. ВЧ-устройство по п. 1,
причем ВЧ-резонансное устройство (110) выполнено как коаксиальное проводящее соединение.9. The RF device according to claim 1,
moreover, the RF resonant device (110) is made as a coaxial conductive connection. 10. ВЧ-устройство по п. 1,
причем генератор (131) содержит несколько транзисторных модулей (132), размещенных распределенным образом по периметру ВЧ-резонансного устройства (110).10. The RF device according to claim 1,
moreover, the generator (131) contains several transistor modules (132), distributed in a distributed manner around the perimeter of the RF resonant device (110). 11. ВЧ-устройство по п. 11,
причем щель (114) ограничена двумя противолежащими фланцами (117, 118) внешней стенки (111) ВЧ-резонансного устройства (110),
причем транзисторные модули (132) размещены, соответственно, в выемках (124) внутри обоих фланцев (117, 118). 11. The RF device according to claim 11,
moreover, the gap (114) is limited by two opposite flanges (117, 118) of the outer wall (111) of the RF resonant device (110),
moreover, transistor modules (132) are located, respectively, in the recesses (124) inside both flanges (117, 118).
RU2012101771/07A 2011-02-18 2011-10-13 High-frequency device RU2598029C2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110004401 DE102011004401A1 (en) 2011-02-18 2011-02-18 RF device
DE102011004401.9 2011-02-18
PCT/EP2011/067895 WO2012110112A1 (en) 2011-02-18 2011-10-13 Hf apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012101771A RU2012101771A (en) 2015-03-27
RU2598029C2 true RU2598029C2 (en) 2016-09-20

Family

ID=45532086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012101771/07A RU2598029C2 (en) 2011-02-18 2011-10-13 High-frequency device

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102011004401A1 (en)
RU (1) RU2598029C2 (en)
WO (1) WO2012110112A1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3546633A (en) * 1966-01-04 1970-12-08 Gen Electric Electrically tunable microwave band-stop switch
US4066988A (en) * 1976-09-07 1978-01-03 Stanford Research Institute Electromagnetic resonators having slot-located switches for tuning to different frequencies
US20020105383A1 (en) * 2000-12-13 2002-08-08 Cheo Bernard R. Active radio frequency cavity amplifier

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495125A (en) * 1968-03-05 1970-02-10 Atomic Energy Commission Quarter-wave transmission line radio frequency voltage step-up transformer
US4453139A (en) * 1981-11-12 1984-06-05 Ford Aerospace & Communications Corporation Frequency offset multiple cavity power combiner
US5497050A (en) * 1993-01-11 1996-03-05 Polytechnic University Active RF cavity including a plurality of solid state transistors
DE102009053624A1 (en) * 2009-11-17 2011-05-19 Siemens Aktiengesellschaft RF cavity and accelerator with such an RF cavity

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3546633A (en) * 1966-01-04 1970-12-08 Gen Electric Electrically tunable microwave band-stop switch
US4066988A (en) * 1976-09-07 1978-01-03 Stanford Research Institute Electromagnetic resonators having slot-located switches for tuning to different frequencies
US20020105383A1 (en) * 2000-12-13 2002-08-08 Cheo Bernard R. Active radio frequency cavity amplifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HEID O.COMPACT SOLID STATE DIRECT DRIVE RF LINAC, PROCEEDINGS OF IPAC, 2010, KYOTO, JAPAN, c. 4278-4280. *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012110112A1 (en) 2012-08-23
RU2012101771A (en) 2015-03-27
DE102011004401A1 (en) 2012-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2559031C2 (en) Hf resonator and accelerator with such hf resonator
US4849675A (en) Inductively excited ion source
CN104662733B (en) Serve as the RF power combiners of high-order harmonic wave wave filter
RU2667075C1 (en) Power conversion device
RU2601181C2 (en) Hf generator
Ling et al. A Ku-band coaxial relativistic transit-time oscillator with low guiding magnetic field
RU2625808C2 (en) Hf device and accelerator with hf device
RU2598029C2 (en) High-frequency device
JP2004172044A (en) Microwave plasma generating device
JP3334680B2 (en) High frequency circuit device and communication device
Kumar et al. Analysis, Design, and Simulation of an Axially-partitioned Dielectric-loaded Bi-frequency MILO
RU2579748C2 (en) Coaxial waveguide with microwave transmitter
KR101477060B1 (en) Waveguide-Coupling Method For Lisitano Coil Antenna
RU2601260C2 (en) Hf generator
KR101894516B1 (en) Portable microwave plasma genertor
RU2604960C2 (en) Device for inputting hf power into waveguide
RU2597004C2 (en) Hf generator
RU2597684C2 (en) Hf generator
KR100994146B1 (en) Photonic Crystal Resonator Biased with Externally Applied Voltage
KR101802817B1 (en) Portable microwave plasma genertor
CN116582964A (en) Dielectric heating device
Henke RF structures (design)
Baum Increasing Q of Waveguide Pulse-Compression Cavities
JP2002063994A (en) Lighting device for electrodeless discharge lamp
McGrane et al. Mode selectivity in one-dimensional co-axial Bragg structures for a high power free electron maser

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191014