RU2012101771A - HF DEVICE - Google Patents

HF DEVICE Download PDF

Info

Publication number
RU2012101771A
RU2012101771A RU2012101771/07A RU2012101771A RU2012101771A RU 2012101771 A RU2012101771 A RU 2012101771A RU 2012101771/07 A RU2012101771/07 A RU 2012101771/07A RU 2012101771 A RU2012101771 A RU 2012101771A RU 2012101771 A RU2012101771 A RU 2012101771A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resonant
generator
moreover
frequency
screen
Prior art date
Application number
RU2012101771/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2598029C2 (en
Inventor
Оливер ХАЙД
Original Assignee
Сименс Акциегезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциегезелльшафт filed Critical Сименс Акциегезелльшафт
Publication of RU2012101771A publication Critical patent/RU2012101771A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2598029C2 publication Critical patent/RU2598029C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/02—Circuits or systems for supplying or feeding radio-frequency energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/14—Vacuum chambers
    • H05H7/18—Cavities; Resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
    • H05H7/22—Details of linear accelerators, e.g. drift tubes
    • H05H2007/227—Details of linear accelerators, e.g. drift tubes power coupling, e.g. coupling loops

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

1. ВЧ устройство (100), содержащееВЧ резонансное устройство (110) с электрически проводящей внешней стенкой (111), причем внешняя стенка (111) имеет щель (114), иустройство (130) вводас ВЧ генератором (131), размещенным на внешней стороне (113) внешней стенки (111) ВЧ резонансного устройства (110) в зоне щели (114) для ввода ВЧ излучения определенной частоты (f) генератора через щель (114) внутрь ВЧ резонансного устройства (110), ис экраном (134), экранирующим генератор (131) снаружи и электрически перекрывающим щель (114) на внешней стороне (113) внешней стенки (111),при этом экран (134) выполнен как резонатор с более высоким импедансом для частоты (f) генератора, чем резонансное устройство.2. ВЧ устройство (100) по п. 1,причем экран (134) имеет резонансную частоту (f), отличающуюся от частоты (f) генератора.3. ВЧ устройство (100) по п. 1 или 2,причем экран (134) настроен на резонансную частоту (f) выше частоты (f) генератора.4. ВЧ устройство по п. 1,причем емкостные и индуктивные свойства экрана (134) настроены таким образом, что в экране (134) на частоте (f) генератора образуется стоячая электромагнитная волна с узлом тока в зоне щели (114).5. ВЧ устройство по п. 1,причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено таким образом, что ВЧ резонансное устройство (110) в зоне щели (114) имеет пучность тока.6. ВЧ устройство по п. 1,причем щель (114) ограничена двумя противолежащими кромками (117, 118), причем кромки (117, 118) имеют направляющие компоненты перпендикулярно пристеночному току (I) желательной резонансной моды.7. ВЧ устройство (100) по п. 1,причем электрическая длина проводника экрана (134) по существу составляет четверть длины волны λ генерируемой генератором электромагнитной волны.8. ВЧ устройство (100) по п. 1,п1. An RF device (100) comprising an RF resonant device (110) with an electrically conductive external wall (111), the external wall (111) having a slit (114), and the device (130) is introduced by an RF generator (131) located on the outside (113) of the outer wall (111) of the RF resonant device (110) in the area of the slit (114) for introducing the RF radiation of a certain frequency (f) of the generator through the slot (114) into the RF resonant device (110), and the screen (134), screen a generator (131) outside and electrically blocking the slot (114) on the outside (113) of the outer wall (111), with the screen (1 34) is designed as a resonator with a higher impedance for the frequency (f) of the generator than the resonant device. 2. The RF device (100) according to claim 1, wherein the screen (134) has a resonant frequency (f) different from the frequency (f) of the generator. 3. The RF device (100) according to claim 1 or 2, wherein the screen (134) is tuned to the resonant frequency (f) above the frequency (f) of the generator. 4. An RF device according to claim 1, wherein the capacitive and inductive properties of the shield (134) are configured in such a way that a standing electromagnetic wave with a current node in the gap zone (114) is generated in the shield (134) at the generator frequency (f) (114) .5. An RF device according to claim 1, wherein the RF resonant device (110) is configured such that the RF resonant device (110) in the gap zone (114) has a current antinode. An RF device according to claim 1, wherein the slit (114) is limited by two opposite edges (117, 118), and the edges (117, 118) have guiding components perpendicular to the near-wall current (I) of the desired resonant mode. An RF device (100) according to claim 1, wherein the electric length of the shield conductor (134) is substantially a quarter of the wavelength λ generated by the electromagnetic wave generator. The RF device (100) according to claim 1,

Claims (12)

1. ВЧ устройство (100), содержащее1. An RF device (100) comprising ВЧ резонансное устройство (110) с электрически проводящей внешней стенкой (111), причем внешняя стенка (111) имеет щель (114), иAn RF resonant device (110) with an electrically conductive external wall (111), wherein the external wall (111) has a gap (114), and устройство (130) вводаinput device (130) с ВЧ генератором (131), размещенным на внешней стороне (113) внешней стенки (111) ВЧ резонансного устройства (110) в зоне щели (114) для ввода ВЧ излучения определенной частоты (fG) генератора через щель (114) внутрь ВЧ резонансного устройства (110), иwith an RF generator (131) located on the outer side (113) of the outer wall (111) of the RF resonant device (110) in the area of the slit (114) for inputting RF radiation of a certain frequency (f G ) of the generator through the slot (114) into the RF resonance devices (110), and с экраном (134), экранирующим генератор (131) снаружи и электрически перекрывающим щель (114) на внешней стороне (113) внешней стенки (111),with a screen (134) shielding the generator (131) from the outside and electrically blocking the gap (114) on the outside (113) of the outer wall (111), при этом экран (134) выполнен как резонатор с более высоким импедансом для частоты (fG) генератора, чем резонансное устройство.the screen (134) is designed as a resonator with a higher impedance for the frequency (f G ) of the generator than the resonant device. 2. ВЧ устройство (100) по п. 1,2. The RF device (100) according to claim 1, причем экран (134) имеет резонансную частоту (fR), отличающуюся от частоты (fG) генератора.moreover, the screen (134) has a resonant frequency (f R ) different from the frequency (f G ) of the generator. 3. ВЧ устройство (100) по п. 1 или 2,3. The RF device (100) according to claim 1 or 2, причем экран (134) настроен на резонансную частоту (fA) выше частоты (fG) генератора.moreover, the screen (134) is tuned to the resonant frequency (f A ) above the frequency (f G ) of the generator. 4. ВЧ устройство по п. 1,4. The RF device according to claim 1, причем емкостные и индуктивные свойства экрана (134) настроены таким образом, что в экране (134) на частоте (fG) генератора образуется стоячая электромагнитная волна с узлом тока в зоне щели (114).moreover, the capacitive and inductive properties of the shield (134) are configured in such a way that a standing electromagnetic wave with a current node in the gap zone (114) is formed in the shield (134) at the generator frequency (f G ). 5. ВЧ устройство по п. 1,5. The RF device according to claim 1, причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено таким образом, что ВЧ резонансное устройство (110) в зоне щели (114) имеет пучность тока.moreover, the RF resonant device (110) is designed in such a way that the RF resonant device (110) in the gap zone (114) has a current antinode. 6. ВЧ устройство по п. 1,6. The RF device according to claim 1, причем щель (114) ограничена двумя противолежащими кромками (117, 118), причем кромки (117, 118) имеют направляющие компоненты перпендикулярно пристеночному току (I) желательной резонансной моды.moreover, the gap (114) is limited by two opposite edges (117, 118), and the edges (117, 118) have guiding components perpendicular to the near-wall current (I) of the desired resonant mode. 7. ВЧ устройство (100) по п. 1,7. The RF device (100) according to claim 1, причем электрическая длина проводника экрана (134) по существу составляет четверть длины волны λ генерируемой генератором электромагнитной волны.moreover, the electrical length of the shield conductor (134) is essentially a quarter of the wavelength λ generated by the electromagnetic wave generator. 8. ВЧ устройство (100) по п. 1,8. The RF device (100) according to claim 1, причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено как ВЧ резонатор.moreover, the RF resonant device (110) is designed as an RF resonator. 9. ВЧ устройство по п. 1,9. The RF device according to claim 1, причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено как волновод.moreover, the RF resonant device (110) is designed as a waveguide. 10. ВЧ устройство по п. 1,10. The RF device according to claim 1, причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено как коаксиальное проводящее соединение.moreover, the RF resonant device (110) is made as a coaxial conductive connection. 11. ВЧ устройство по п. 1,11. The RF device according to claim 1, причем генератор (131) содержит несколько транзисторных модулей (132), размещенных распределенным образом по периметру ВЧ резонансного устройства (110).moreover, the generator (131) contains several transistor modules (132), distributed in a distributed manner around the perimeter of the RF resonant device (110). 12. ВЧ устройство по п. 11,12. The RF device according to claim 11, причем щель (114) ограничена двумя противолежащими фланцами (117, 118) внешней стенки (111) ВЧ резонансного устройства (110),moreover, the gap (114) is limited by two opposite flanges (117, 118) of the outer wall (111) of the RF resonant device (110), причем транзисторные модули (132) размещены соответственно в выемках (124) внутри обоих фланцев (117, 118). moreover, the transistor modules (132) are located respectively in the recesses (124) inside both flanges (117, 118).
RU2012101771/07A 2011-02-18 2011-10-13 High-frequency device RU2598029C2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011004401.9 2011-02-18
DE201110004401 DE102011004401A1 (en) 2011-02-18 2011-02-18 RF device
PCT/EP2011/067895 WO2012110112A1 (en) 2011-02-18 2011-10-13 Hf apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012101771A true RU2012101771A (en) 2015-03-27
RU2598029C2 RU2598029C2 (en) 2016-09-20

Family

ID=45532086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012101771/07A RU2598029C2 (en) 2011-02-18 2011-10-13 High-frequency device

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102011004401A1 (en)
RU (1) RU2598029C2 (en)
WO (1) WO2012110112A1 (en)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3546633A (en) * 1966-01-04 1970-12-08 Gen Electric Electrically tunable microwave band-stop switch
US3495125A (en) * 1968-03-05 1970-02-10 Atomic Energy Commission Quarter-wave transmission line radio frequency voltage step-up transformer
US4066988A (en) * 1976-09-07 1978-01-03 Stanford Research Institute Electromagnetic resonators having slot-located switches for tuning to different frequencies
US4453139A (en) * 1981-11-12 1984-06-05 Ford Aerospace & Communications Corporation Frequency offset multiple cavity power combiner
US5497050A (en) * 1993-01-11 1996-03-05 Polytechnic University Active RF cavity including a plurality of solid state transistors
US6724261B2 (en) * 2000-12-13 2004-04-20 Aria Microwave Systems, Inc. Active radio frequency cavity amplifier
DE102009053624A1 (en) * 2009-11-17 2011-05-19 Siemens Aktiengesellschaft RF cavity and accelerator with such an RF cavity

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012110112A1 (en) 2012-08-23
DE102011004401A1 (en) 2012-08-23
RU2598029C2 (en) 2016-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2559031C2 (en) Hf resonator and accelerator with such hf resonator
BR112016022161B1 (en) APPARATUS, METHOD AND COMPUTING DEVICE FOR CAPACITIVELY COUPLED INSULATOR SET
TW201533977A (en) Multi-band isolator assembly
EP2824998A1 (en) Plasma generation device with microstrip resonator
WO2015129910A4 (en) Element for generating or detecting electromagnetic waves which includes a resonance unit and a differential negative resistance
RU2013129243A (en) METHOD AND DEVICE FOR TRANSPORTING AND MODIFICATION OF A HYDROCARBON RESOURCE
JP2015091117A5 (en)
Li et al. A wideband printed slot antenna with harmonic suppression
RU2012101309A (en) HF DEVICE AND ACCELERATOR WITH SUCH A HF DEVICE
RU2610387C1 (en) Capacitive double-resonance array for frequency usb
RU2012101771A (en) HF DEVICE
RU2020107095A (en) ISOLATING DEVICE FOR ELECTROSURGICAL DEVICE
TWI641185B (en) Communication device and antenna assembly thereof
Pidgurska Quadruple mode of the rectangular dielectric resonators
Li et al. FPC and Hi-Pass Filter HOM Coupler Design for the RF Dipole Crab Cavity for the LHC HiLumi Upgrade
RU2364995C1 (en) Microstrip feeding line
EP3182513B1 (en) Mobile terminal with a transmission line antenna
KR101377469B1 (en) Plasma processing device and plasma processing method
Bhattacharyya et al. Investigations on effects of finite ground plane on slot antennas using characteristic modes
RU2579748C2 (en) Coaxial waveguide with microwave transmitter
Legenkiy et al. About possibility to create a small antenna based on inhomogeneous biconical line
KR20130066705A (en) Low impedance slot fed antenna
RU2010140806A (en) SUPER HIGH FREQUENCY CYCLOTRON PROTECTIVE DEVICE
Zarifi et al. Tunable open ended planar spiral coil for wireless power transmission
Centeno Whispering-gallery mode dielectric resonators for millimeter wave integrated circuit filters and oscillators

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191014