RU2583955C1 - Емкостная моп диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений - Google Patents
Емкостная моп диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2583955C1 RU2583955C1 RU2014144849/28A RU2014144849A RU2583955C1 RU 2583955 C1 RU2583955 C1 RU 2583955C1 RU 2014144849/28 A RU2014144849/28 A RU 2014144849/28A RU 2014144849 A RU2014144849 A RU 2014144849A RU 2583955 C1 RU2583955 C1 RU 2583955C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- bus
- output
- mos
- diode
- photodetector
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам ионизирующих частиц. В емкостной МОП диодной ячейке фотоприемника-детектора излучений применена новая электрическая схема, в которой используются усилительный обогащенный p-МОП транзистор, конденсатор, p-i-n-диод, поликремниевые резисторы, дополнительные p-МОП и n-МОП транзисторы и оригинальной конструкции ячейки координатного фотоприемника-детектора. Также использована функционально-интегрированная структура p-i-n-диода, в которой расположена емкость, разделяющая высокое напряжение, приложенное к p-i-n-диоду, и низкое напряжение питания для КМОП электронных схем. Это позволяет увеличить надежность работы, чувствительность и координатную точность фотоприемника-детектора излучений. 4 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам ионизирующих частиц, а также квантово-цифровым детекторам-приемникам изображений.
Известны ячейки (пиксели) для монолитных фотоприемников и детекторов излучений на основе p-i-n-диода (1. D. Patti et al. United States Patent № US6, 465, 857, B1 Date Oct. 15.2002, US 006465857 B1), которая не обеспечивает усиления сигнала в пикселе и, следовательно, быстродействие и чувствительность детектора. Диодно-емкостная КМОП ячейка (2. I. Peric «А novel monolithic pixelated particle detector implemented in high-voltage CMOS technology» Nucl. Inst. Meth. Band A 582, pp. 876-885, August 2007), на основе DEPMOS - МОП транзистора с управлением по подложке имеет низкую крутизну и относительно высокий уровень шумов, из-за управления по подложке, что ограничивает их спектральную чувствительность. Биполярные транзисторные структуры (3. J. Kemmer, G. Lutz: Nucl. Instrum. Methods A 273, 588-598 (1988); 4. Координационный детектор релятивистских частиц, патент РФ №2197036 от 20.01.2003; 5. Интегральная БИ-МОП ячейка детектора излучений, патент РФ №2383968 от 20.03.2006 г. ) имеют пониженное напряжение пробоя из-за плавающего потенциала базы и нелинейность усиления при малом уровне сигнала (плотности тока).
Наиболее близкой по технической сущности является «МОП диодная ячейка монолитного фотоприемника-детектора излучений» (6. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений, патент РФ №2494497 от 21.07.2011 г.), электрическая схема и конструкция которой выбрана в качестве прототипа (фиг. 1, 2 соответственно).
Данная ячейка не обладает максимальной чувствительностью и надежностью работы из-за отделения (потери) части ионизационного тока, создаваемого ионизирующей частицей в область p-кармана (см. фиг. 2), кроме этого, высокое напряжение, приложенное к p-n-переходу карман, - подложка при наличии интенсивного излучения приводит к лавинному пробою p-n-перехода кармана, в случае использования в электрической схеме пиксели n-МОП и р-МОП транзисторов, расположенных в «двойном» кармане, возникает возможность включения тиристорной р+-n-р-n+-структуры (фиг. 2), что ведет к потере работоспособности детектора.
Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и надежности работы монолитного фотоприемника-детектора излучений.
Технический результат достигается следующим образом, емкостная МОП диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений содержит общую шину, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, шину напряжения смещения, выходную шину, а также содержит усиливающий МОП транзистор, содержащий сток, исток, подзатворную область, область затвора, при этом его сток подсоединен к выходной шине, она содержит p-i-n-диод, катод (анод) которого подсоединен к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, а анод (катод) - к первому выводу регистрирующего резистора. Усиливающий МОП транзистор является обогащенным транзистором р (n) типа проводимости, при этом его подзатворная область подсоединена к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, исток - к второй выходной шине, его затвор соединен с первым выводом резистора смещения, второй вывод которого подключен к шине напряжения смещения, затвор МОП транзистора также соединен с первым выводом конденсатора, второй вывод которого соединен с анодом (катодом) p-i-n-диода и первым выводом регистрирующего резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной.
Электрическая схема (см. фиг. 3): усиливающий МОП транзистор - Т1, который является обогащенным транзистором р (n) типа проводимости, его подзатворная область подсоединена к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания +VDD, сток и исток к первой выходной шине - X и второй выходной шине - Y соответственно, его затвор соединен с первым выводом резистора смещения - R2, второй вывод которого соединен с шиной напряжения смещения - VCM, затвор усиливающего МОП транзистора - Т1 подключен к первому выводу конденсатора - С, второй вывод которого подсоединен к аноду (катоду) р-i-n-диода - D и первому выводу регистрирующего резистора - R1, второй вывод которого подсоединен к общей шине - Ш.
Конструкция (фиг. 4) функционально-интегрированной структуры емкостной МОП диодной ячейки фотоприемника-детектора излучений содержит общую шину, шину смещения, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, выходную шину, расположенные на верхней поверхности слаболегированной полупроводниковую подложки 1-го типа проводимости, на нижней поверхности подложки расположен сильно легированный слой 1-го типа проводимости катода (анода) p-i-n-диода, на котором расположен электрод катода (анода), подсоединенный к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, а на верхней поверхности подложки расположены толстый и тонкий диэлектрики, область 2-го типа проводимости, образующая анод (катод) p-i-n-диода, на которой расположен электрод анода (катода), подсоединенный к первому выводу поликремниевого регистрирующего резистора, расположенного на толстом диэлектрике, на тонком диэлектрике расположен поликремниевый затвор усиливающего МОП транзистора, в подложке также расположены области стока и истока усиливающего МОП транзистора, на которых расположены электроды стока и истока, соединенные с выходными шинами, в которой усиливающий МОП транзистор является обогащенным транзистором с каналом второго типа проводимости р (n) типа, его области стока и истока расположены на поверхности подложки и являются областями второго типа проводимости, при этом его подзатворная область одновременно является слаболегированной i-областью p-i-n-диода первого типа проводимости, на поверхности толстого диэлектрика расположен поликремниевый резистор смещения, первый вывод которого соединен с затвором усиливающего МОП транзистора, а второй - с шиной напряжения смещения; затвор МОП транзистора соединен с поликремниевым электродом МОП конденсатора, второй электрод которого одновременно является областью второго типа проводимости p-i-n-диода, которая через поликремниевый регистрирующий резистор подсоединена к общей шине.
Однако данная ячейка не обладает минимальными размерами, необходимыми для получения максимальной точности координатного детектирования из-за наличия в ней поликремниевых резисторов, обладающих значительными размерами.
Изобретение поясняется приведенными чертежами.
Электрическая схема для прототипа выбрана электрическая схема «МОП диодной ячейки монолитного детектора излучений» (фиг. 1), содержащая усиливающий МОП транзистор - Т1, p-i-n-диод - D, регистрирующий резистор - R1.
На фиг. 2 представлен разрез структуры ячейки прототипа.
Функционально-интегрированная структура интегральной схемы n-МОП ячейки детектора содержит полупроводниковую подложку 1-го типа проводимости - 1, на нижней поверхности подложки расположен сильно легированный слой 1-го типа проводимости - 2, на котором расположен электрод подложки - 3, подсоединенный к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания +VDD, а на верхней поверхности подложки слой тонкого диэлектрика - 7, на котором расположен электрод - затвора МОП транзистора - 8, в подложке также расположена область 2-го типа проводимости - 4, являющаяся подзатворной областью МОП транзистора, в которой расположена область 1-го типа проводимости - 5, являющаяся областью стока МОП транзистора, на поверхности области стока расположен электрод - 6, соединенный с выходной шиной X и область 1-го типа проводимости - 9, являющаяся областью истока МОП транзистора, причем на ее поверхности и поверхности области 2-го типа проводимости - 4 расположен электрод - 10, соединенный с общей шиной. На поверхности подложки - 1 расположен толстый диэлектрик - 11, на его поверхности расположен поликремниевый резистор - 12, на поверхности которого расположено два его электрода, при этом первый - 13 соединен с электродом затвора - 8, второй - 14 соединен с источником отрицательного (положительного) напряжения питания - Vcc, в подложке - 1 расположена вторая область 2-го типа проводимости, образующая анод (катод) p-i-n-диода - 15, на ее поверхности расположен электрод - 16, соединенный с электродом затвора - 8 и первым электродом - 13 резистора.
На фиг. 3 приведен вариант электрической схемы изобретения.
Электрическая схема фиг. 3 содержит: - первый усиливающий МОП транзистор - Т1, который является обогащенным транзистором р (n) типа проводимости, его подзатворная область подсоединена к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания +VDD, сток и исток к первой выходной шине - X и второй выходной шине - Y соответственно, его затвор соединен с первым выводом дополнительного резистора смещения - R2, второй вывод которого соединен с шиной напряжения смещения - VCM, затвор усиливающего МОП транзистора - Т1 подключен к первому выводу конденсатора - С, второй вывод которого подсоединен к аноду (катоду) p-i-n-диода - D и первому выводу регистрирующего резистора - R1, второй вывод которого подсоединен к шине.
На фиг. 4 представлен разрез структуры ячейки изобретения.
Функционально-интегрированная структура емкостной МОП диодной ячейки фотоприемника-детектора излучений содержит полупроводниковую подложку 1-го типа проводимости - 1, на нижней поверхности подложки расположен сильно легированный слой 1-го типа проводимости - 2, на котором расположен электрод подложки - 3, подсоединенный к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания +VDD, а на верхней поверхности подложки, являющейся подзатворной областью усиливающего р (n) - МОП транзистора - Т1, на которой расположен слой тонкого диэлектрика - 4, на котором расположен электрод затвора - 5, в которой расположены области 2-го типа проводимости - стока - 6 и истока - 7 усиливающего МОП транзистора, на поверхности которых расположены электроды - 8, 9 выходных шин - X, Y соответственно, на поверхности подложки - 1 расположен толстый диэлектрик - 10 и осаждаемый диэлектрик - 11. На поверхности толстого диэлектрика - 10 расположен поликремниевый регистрирующий резистор - 12 (R1), на поверхности которого расположено два его электрода - 13, 14, при этом первый электрод - 13 соединен с электродом - 16 анодом (катодом), расположенным на области второго типа проводимости - 15 p-i-n-диода - D, второй электрод - 14 регистрирующего резистора - 12 соединен с общей шиной питания - Ш, электрод затвора - 5 усиливающего МОП транзистора - T1 соединен с первым электродом - 17 поликремниевого резистора смещения - 18 (R2) и электродом затвора - 5 усиливающего транзистора - Т1, второй электрод 19 усиливающего транзистора соединен с шиной напряжения смещения - VCM, электрод затвора - 5 соединен с электродом первой обкладки - 20 конденсатора - С, образованного поликремниевым слоем - 21, тонким оксидом - 4 и областью второго типа проводимости - 15.
Следует отметить, что в ячейке используется функционально-интегрированная структура p-i-n-диода, в которой расположена емкость (конденсатор), разделяющая высокое напряжение, приложенное к p-i-n-диоду и низкое напряжение питания низковольтной для КМОП электронных схем.
МОП диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений работает следующим образом (схема на фиг. 3, конструкция на фиг 4).
При прохождении через подложку - 1 ионизирующей частицы (фиг. 2), например, релятивистского электрона, вдоль ее трека образуются электронно-дырочные пары в области пространственного заряда (ОПЗ) р-i-n-перехода, образованного подложкой - 1 n-типа и анодом - 4 диода р+-типа проводимости и частично в квазинейтральной области. Образованные ионизирующей частицей в квазинейтральной области (КНО) электронно-дырочные пары разделяются полем положительного напряжения +VDD и образуют ионизационный ток p-i-n-диода - D, который, протекая через регистрирующий резистор - R1 к общей шине - Ш, создает на нем импульс напряжения сигнала положительного знака, который проходит через конденсатор - С, подзакрывая усиливающий р-МОП транзистор. Протекающий через усиливающий р-МОП транзистор ток создает в выходных координатных шинах X, Y сигнал о времени ее прихода, энергии (спектре) и координате. При этом резистор смещения - R2, подключенный к шине напряжения смещения VCM, задает рабочий (линейный) режим работы усиливающего транзистора - Т1.
Пример конкретной реализации.
Двумерная матрица пиксель-ячеек фотоприемника-детектора излучений может быть выполнена по близкой к стандартной n-МОП (или КМОП) технологи, используемой при изготовлении интегральных схем, например по следующему технологическому маршруту:
а) формирование n+-контактной области - 2 в пластине кремния - 1 сопротивлением ρv~5 кОм/см с ориентацией 100, например диффузией фосфора в обратную сторону пластины;
б) окисление поверхности кремния и формирование в толстом оксиде - 11 окон для р-областей - 4, 15 (р-карман) с помощью процесса 1-й фотолитографии и формирование области путем имплантации атомов бора и последующем режиме отжига и разгонки примеси в глубину подложки;
в) окисление поверхности кремния и формирование в толстом оксиде - 11 окон для - области 22 (n-кармана) с помощью процесса 2-й фотолитографии и формирование области путем имплантации атомов фосфора и последующем режиме отжига и разгонки примеси в глубину подложки;
г) окисление поверхности кремния, формирование тонкого подзатворного оксида - 7 и осаждение поликристаллического слоя кремния на поверхность пластины и проведение операции 3-й фотолитографии - обтрава поликремния - 12;
д) проведение 4-й фотолитографии и последующей имплантации в поликремний мышьяка, т.е. формирование области затвора - 8 и областей стока, истока n-типа МОП транзистора с последующим термическим отжигом;
е) проведение 5-й фотолитографии и последующей имплантации в поликремний бора, т.е. формирование области затвора - и областей стока, истока p-типа МОП транзистора с последующим термическим отжигом;
ж) формирование резистора путем имплантации фосфора в поликремний и последующим отжигом;
з) осаждение низкотемпературного диэлектрика и формирование в нем 6-й фотолитографией контактных окон;
и) осаждение алюминия и проведение 7-й фотолитографии разводки (обтрава) алюминия.
Изготовленные по данной технологии p-i-n-диоды имели пробивное напряжение Vпр свыше 300 В, р-МОП транзисторы имели пороговое напряжение Vт=-1,0 В, а n-МОП транзисторы пороговое напряжение Vт=+1,0 В.
Claims (1)
- Емкостная МОП диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений, содержащая общую шину, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, шину напряжения смещения, выходную шину, а также содержит усиливающий МОП транзистор, содержащий сток, исток, подзатворную область, область затвора, при этом его сток подсоединен к выходной шине, она содержит p-i-n-диод, катод (анод) которого подсоединен к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, а анод (катод) - к первому выводу регистрирующего резистора, отличающаяся тем, что усиливающий МОП транзистор является обогащенным транзистором р (n) типа проводимости, при этом его подзатворная область подсоединена к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, исток - ко второй выходной шине, его затвор соединен с первым выводом резистора смещения, второй вывод которого подключен к шине напряжения смещения, затвор МОП транзистора также соединен с первым выводом конденсатора, второй вывод которого соединен с анодом (катодом) p-i-n-диода и первым выводом регистрирующего резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014144849/28A RU2583955C1 (ru) | 2014-11-10 | 2014-11-10 | Емкостная моп диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014144849/28A RU2583955C1 (ru) | 2014-11-10 | 2014-11-10 | Емкостная моп диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2583955C1 true RU2583955C1 (ru) | 2016-05-10 |
Family
ID=55960278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014144849/28A RU2583955C1 (ru) | 2014-11-10 | 2014-11-10 | Емкостная моп диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2583955C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0850059A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Nikon Corp | 赤外線検出装置 |
| US6465857B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Stmicroelectronics S.R.L. | Semiconductor particle detector and a method for its manufacture |
| US7148485B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-12-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Low-energy charged particle detector |
| RU2383968C2 (ru) * | 2006-03-20 | 2010-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ" | Интегральная би-моп ячейка детектора излучений |
| RU2494497C2 (ru) * | 2011-07-21 | 2013-09-27 | Виктор Николаевич Мурашев | Моп диодная ячейка монолитного детектора излучений |
| RU2517917C2 (ru) * | 2012-07-20 | 2014-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы |
-
2014
- 2014-11-10 RU RU2014144849/28A patent/RU2583955C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0850059A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Nikon Corp | 赤外線検出装置 |
| US6465857B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Stmicroelectronics S.R.L. | Semiconductor particle detector and a method for its manufacture |
| US7148485B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-12-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Low-energy charged particle detector |
| RU2383968C2 (ru) * | 2006-03-20 | 2010-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ" | Интегральная би-моп ячейка детектора излучений |
| RU2494497C2 (ru) * | 2011-07-21 | 2013-09-27 | Виктор Николаевич Мурашев | Моп диодная ячейка монолитного детектора излучений |
| RU2517917C2 (ru) * | 2012-07-20 | 2014-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10283664B2 (en) | Avalanche diode including vertical PN junction | |
| CN109804472B (zh) | 雪崩光电二极管 | |
| US8749017B2 (en) | Semiconductor device | |
| RU2387049C2 (ru) | Полупроводниковый детектор излучения, оптимизированный для обнаружения видимого света | |
| US4885620A (en) | Semiconductor element | |
| US3849678A (en) | Detector array | |
| US11860033B2 (en) | Photodetector, photodetector array, and drive method comprising a second transistor including a channel of first conductivity type and a first transistor including a channel of second conductivity type that has polarity opposite to polarity of the first conductivity type | |
| RU2494497C2 (ru) | Моп диодная ячейка монолитного детектора излучений | |
| US20120086079A1 (en) | Semiconductor device | |
| EP0015596B1 (en) | Charge-coupled devices | |
| RU2583955C1 (ru) | Емкостная моп диодная ячейка фотоприемника-детектора излучений | |
| CN111279493B (zh) | 电离辐射和电离粒子的集成传感器 | |
| JP2013145180A (ja) | 放射線検出器，放射線検出装置及びそれらの動作方法 | |
| US10535693B2 (en) | Infra-red response enhancement for image sensor | |
| RU2383968C2 (ru) | Интегральная би-моп ячейка детектора излучений | |
| JP5202331B2 (ja) | 可視光検知半導体放射線検出器 | |
| EP1969632A1 (en) | Visible light detecting semiconductor radiation detector | |
| RU2583857C1 (ru) | Биполярная ячейка координатного фотоприемника - детектора излучений | |
| WO2001003207A1 (en) | A monolithic semiconductor detector | |
| US8921213B2 (en) | Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device | |
| Nouri et al. | Characterization of single-photon avalanche diodes in standard CMOS | |
| JP7199013B2 (ja) | 光検出器 | |
| CN110914995B (zh) | 包括雪崩双极型晶体管的具有单电子计数能力的半导体器件 | |
| RU2532241C1 (ru) | Монолитный быстродействующий координатный детектор ионизирующих частиц | |
| US20230223418A1 (en) | Optical sensor |