RU2577260C1 - Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов - Google Patents

Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2577260C1
RU2577260C1 RU2015108861/05A RU2015108861A RU2577260C1 RU 2577260 C1 RU2577260 C1 RU 2577260C1 RU 2015108861/05 A RU2015108861/05 A RU 2015108861/05A RU 2015108861 A RU2015108861 A RU 2015108861A RU 2577260 C1 RU2577260 C1 RU 2577260C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
starting material
laser radiation
single crystal
producing single
source material
Prior art date
Application number
RU2015108861/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Павлович Бирюков
Элгуджа Георгиевич Гудушаури
Денис Юрьевич Татаркин
Алексей Анатольевич Фишков
Ольга Николаевна Чурляева
Original Assignee
Владимир Павлович Бирюков
Элгуджа Георгиевич Гудушаури
Денис Юрьевич Татаркин
Алексей Анатольевич Фишков
Ольга Николаевна Чурляева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Владимир Павлович Бирюков, Элгуджа Георгиевич Гудушаури, Денис Юрьевич Татаркин, Алексей Анатольевич Фишков, Ольга Николаевна Чурляева filed Critical Владимир Павлович Бирюков
Priority to RU2015108861/05A priority Critical patent/RU2577260C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2577260C1 publication Critical patent/RU2577260C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области металлургии, в частности к выращиванию волокон из расплава. Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов включает размещение в вакуумной камере питателя исходного материала в виде прутка, подачу лазерного излучения на поверхность исходного материала и вытягивание исходного материала с образованием волокна, при этом при подаче лазерного излучения на поверхность исходного материала лазерный луч сканируют в двух взаимно перпендикулярных плоскостях с частотами f1=f2, равными 200÷300 Гц, с амплитудой A, равной 1,5-5 B, где B - наибольший размер держателя питателя исходного материала. Технический результат изобретения заключается в снижении энергетических потерь лазерного излучения, повышении интенсивности лазерного луча по поперечному сечению и однородности структуры получаемого волокна. 1 ил.

Description

Изобретение относится к области металлургий, в частности к выращиванию волокон из расплава, и может быть использовано для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов.
Известен способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов включающий размещение затравки в камере роста над поверхностью исходного твердого материала волокна, подачу лазерного излучения в камеру роста на торцевую поверхность исходного материала волокна, перемещение затравки к торцевой поверхности до ее касания с исходным материалом с последующим отводом затравки с обеспечением вытягивания расплавленного материала с образованием волокна (патент США №5607506, МКИ C30B 15/34 от 4.03.1997 г.).
Недостатком данного способа является значительная потеря энергии лазерного излучения, обусловленная недостаточно равномерным распределением интенсивности по поперечному сечению лазерного луча, что в конечном итоге ведет к неравномерному прогреву исходного материала и, соответственно, к снижению качества получаемого волокна.
Наиболее близким техническим решением по совокупности существенных признаков является способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов, реализованный в устройстве, описанном в патенте на полезную модель №120103, кл. C30B 13/22 от 10.09.2012 г. Способ включает размещение в вакуумной камере питателя исходного материала в виде прутка, подачу лазерного излучения на поверхность исходного материала и вытягивание исходного материала с образованием волокна.
Недостатком данного способа является потеря энергии лазерного излучения, обусловленная недостаточно равномерным распределением интенсивности по поперечному сечению лазерного луча, что снижает однородность структуры получаемого волокна.
Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, заключается в снижений энергетических потерь лазерного излучения и повышении качества волокна.
Поставленная задача решается за счет того, что в способе получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов, включающем размещение в вакуумной камере питателя исходного материала в виде прутка, подачу лазерного излучения на поверхность исходного материала и вытягивание исходного материала с образованием волокна, при подаче лазерного излучения на поверхность исходного материала лазерный луч сканируют в двух взаимно перпендикулярных плоскостях с частотами f1=f2=200÷300 Гц, с амплитудой A=1,5-5 B, где B - наибольший размер держателя питателя исходного материала.
На фиг. 1 представлена иллюстрация способа получения монокристаллических пленок из тугоплавких материалов, где 1 - питатель исходного материала, 2 - держатель питателя, 3 - параболическое зеркало, поворотные плоские зеркала 4, 5 и лазерный луч 6.
Сканирование лазерного луча осуществляют поворотом зеркала 4 вокруг оси 7 и поворотом зеркала 5 вокруг оси А-А.
Способ заключается в следующем.
Лазерное излучение подается на плоское зеркало с последующей передачей его на зеркало 5. Отраженный от зеркала 5 луч подается на параболическое зеркало, отражаясь от которого луч фокусируется на торце питателя 1 и нагревает его до расплавления исходного материала.
При подаче лазерного излучения луч при помощи зеркал 5 и 4 сканируют в двух взаимно перпендикулярных плоскостях с частотами f1=f2=200÷300 Гц, с амплитудой A=1,5-5 B, где B - наибольший размер держателя питателя исходного материала.
Это позволяет снизить энергетические потери лазерного излучения, повысить интенсивность по поперечному сечению лазерного луча и повысить однородность структуры получаемого волокна.

Claims (1)

  1. Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов, включающий размещение в вакуумной камере питателя исходного материала в виде прутка, подачу лазерного излучения на поверхность исходного материала и вытягивание исходного материала с образованием волокна, отличающийся тем, что при подаче лазерного излучения на поверхность исходного материала лазерный луч сканируют в двух взаимно перпендикулярных плоскостях с частотами f1=f2=200÷300 Гц, с амплитудой А=1,5-5 В, где В - наибольший размер держателя питателя исходного материала.
RU2015108861/05A 2015-03-16 2015-03-16 Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов RU2577260C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015108861/05A RU2577260C1 (ru) 2015-03-16 2015-03-16 Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015108861/05A RU2577260C1 (ru) 2015-03-16 2015-03-16 Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2577260C1 true RU2577260C1 (ru) 2016-03-10

Family

ID=55654465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015108861/05A RU2577260C1 (ru) 2015-03-16 2015-03-16 Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2577260C1 (ru)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05341139A (ja) * 1992-06-12 1993-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 単結晶光ファイバの製造装置
RU120103U1 (ru) * 2012-03-15 2012-09-10 Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Машиноведения Им. А.А. Благонравова Российской Академии Наук Устройство для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05341139A (ja) * 1992-06-12 1993-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 単結晶光ファイバの製造装置
RU120103U1 (ru) * 2012-03-15 2012-09-10 Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Машиноведения Им. А.А. Благонравова Российской Академии Наук Устройство для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FEJER M.M. et al, Laser-heated miniature pedestal growth apparatus for single-crystal optical fibers, "Rev. Sci. Instrum.", 1984, 55, 1791-1796. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106994564B (zh) 一种激光切割装置及其切割方法
TWI564099B (zh) 複合光束產生裝置及其用於粉體熔融或燒結的方法
CN106891096B (zh) 一种激光切割装置和切割方法
US4421721A (en) Apparatus for growing crystal fibers
RU2539135C2 (ru) Способ получения объемных изделий из порошков и устройство для его осуществления
CN107735373B (zh) 管状玻璃的切断方法及切断装置、以及管状玻璃产品的制造方法
WO2015132640A1 (ru) Способ лазерной наплавки и устройство для его осуществления
WO2017073118A1 (ja) 管ガラスの切断方法及び切断装置、並びに管ガラス製品の製造方法
CN1720116A (zh) 激光加工装置
CN109014566B (zh) 一种简易控制激光诱导表面周期性结构排布方向的方法
JP5181396B2 (ja) 単結晶育成装置および単結晶育成方法
CN103874312B (zh) 一种面向z箍缩的壳层等离子体柱产生方法及其装置
CN206717293U (zh) 一种新型自动变更光斑长宽的玻璃切割光学装置
RU2577260C1 (ru) Способ получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов
JP4738966B2 (ja) 浮遊帯域溶融装置
JP2012148541A (ja) 薄板樹脂成形品のバリ処理方法
US10508052B2 (en) Tube glass cutting method and cutting device, and tube glass product manufacturing method
Wu et al. Factors influencing optical uniformity of YAG single-crystal fiber grown by micro-pulling-down technology
CN1890189A (zh) 拉伸光纤基材的方法和拉伸设备
JPS5780030A (en) Manufacture of plastic bottle
TWI653113B (zh) 剖面端部不加工鏡面切斷法
WO2022107345A1 (ja) 単結晶ファイバー製造装置及び単結晶ファイバー製造方法
RU152718U1 (ru) Сканатор сопла газопорошковой струи
JP2022534355A (ja) 材料の表面上に虹色効果を生み出すための方法および該方法を実施するためのデバイス
JP2019019046A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170317