RU2574459C1 - Composition of polishing etching agent for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride - Google Patents
Composition of polishing etching agent for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride Download PDFInfo
- Publication number
- RU2574459C1 RU2574459C1 RU2014147278/05A RU2014147278A RU2574459C1 RU 2574459 C1 RU2574459 C1 RU 2574459C1 RU 2014147278/05 A RU2014147278/05 A RU 2014147278/05A RU 2014147278 A RU2014147278 A RU 2014147278A RU 2574459 C1 RU2574459 C1 RU 2574459C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polishing
- cadmium
- zinc telluride
- chemical
- composition
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 15
- -1 cadmium-zinc Chemical compound 0.000 title claims description 18
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title abstract description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 229940093476 ethylene glycol Drugs 0.000 abstract 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 abstract 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N Peroxymonosulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N oxygen atom Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к материаловедению, в частности к области обработки поверхности теллурида кадмия-цинка (КЦТ) ориентации (111) химико-механическим полирующим травлением.The invention relates to materials science, in particular to the field of surface treatment of cadmium-zinc telluride (CCT) orientation (111) by chemical-mechanical polishing etching.
От состояния поверхности полупроводникового материала, ее дефектности зависит качество нанесения антиотражающего покрытия (АОП) при изготовлении полупроводниковых приборов. Для улучшения адгезии на границе раздела КЦТ-АОП необходимо, чтобы перед проведением нанесения АОП шероховатости поверхности были минимальны. Лучшим способом подготовки поверхности является полирующее химико-механическое травление.The quality of the antireflection coating (AOP) in the manufacture of semiconductor devices depends on the state of the surface of the semiconductor material and its imperfection. To improve adhesion at the CCT-AOP interface, it is necessary that the surface roughness is minimal before applying AOP. The best way to prepare the surface is polishing chemical-mechanical etching.
Целью данного изобретения является разработка состава травителя, который позволяет вести процесс полирующего химико-механического травления теллурида кадмия-цинка.The aim of this invention is to develop an etchant composition that allows the process of polishing chemical-mechanical etching of cadmium-zinc telluride.
Процесс полирующего травления может иметь место только в случае гомогенности физико-химических свойств обрабатываемой поверхности. Для гомогенизации поверхности необходимо обеспечить условия, при которых скорость электронного обмена между гетерогенными в физико-химическом отношении точками поверхности будет больше или равна скорости электронного обмена между этими точками и реагентами (травителем) в растворе.The process of polishing etching can take place only in case of homogeneity of the physicochemical properties of the treated surface. For surface homogenization, it is necessary to ensure conditions under which the rate of electronic exchange between physically and chemically heterogeneous points of the surface is greater than or equal to the rate of electronic exchange between these points and reagents (etching agent) in solution.
Согласно известным теориям эффект химического полирующего травления может быть достигнут при условии, что в процессе травления вблизи поверхности образуется вязкая пленка из продуктов растворения полупроводников. Этот тип пленки является гомогенной.According to well-known theories, the effect of chemical polishing etching can be achieved provided that during the etching process a viscous film is formed near the surface of the dissolution products of semiconductors. This type of film is homogeneous.
Поэтому на практике для достижения эффекта полирующего травления обычно используют концентрированные вязкие растворы, часто с добавками ингибиторов (вода).Therefore, in practice, concentrated viscous solutions are often used to achieve the effect of polishing etching, often with the addition of inhibitors (water).
Процесс полирующего травления осуществляется за счет относительно малого содержания растворителя по сравнению с окислителем, то есть процесс растворения полупроводникового материала протекает в диффузионном режиме, при этом вблизи поверхности образуется вязкая пленка из продуктов растворения полупроводникового материала. Растворение полупроводникового материала в системе кислот зависит от стадии окисления поверхности и последующего растворения окисла (в заявляемом изобретении растворение теллурида кадмия-цинка) происходит за счет появления активного атомарного кислорода в процессе реакций взаимодействия:The process of polishing etching is carried out due to the relatively low solvent content compared with the oxidizing agent, that is, the process of dissolution of the semiconductor material proceeds in the diffusion mode, and a viscous film is formed near the surface of the products of dissolution of the semiconductor material. The dissolution of the semiconductor material in the acid system depends on the stage of surface oxidation and the subsequent dissolution of the oxide (in the present invention, the dissolution of cadmium-zinc telluride) occurs due to the appearance of active atomic oxygen in the process of interaction reactions:
(H2SO4+H2O2=H2SO5+H2O; H2SO5=H2SO4+2O*).(H 2 SO 4 + H 2 O 2 = H 2 SO 5 + H 2 O; H 2 SO 5 = H 2 SO 4 + 2O *).
Для растворения образующихся на поверхности оксидов целесообразно добавлять в травитель комплексообразователь (в заявляемом изобретении функцию комплексообразователя выполняет этиленгликоль). Различные многоосновные спирты (например, этиленгликоль, глицерин) благодаря высокой вязкости и малой константе ионизации уменьшают скорость растворения, что очень важно при полирующем травлении. Таким образом, процессы растворения полупроводниковых материалов в области полирующих составов протекают по окислительно-гидротационному механизму.To dissolve the oxides formed on the surface, it is advisable to add a complexing agent to the etchant (in the present invention, the function of the complexing agent is ethylene glycol). Various polybasic alcohols (for example, ethylene glycol, glycerin), due to their high viscosity and low ionization constant, reduce the dissolution rate, which is very important for polishing etching. Thus, the processes of dissolution of semiconductor materials in the field of polishing compositions proceed by the oxidation-hydration mechanism.
В кислых растворах подавляется диссоциация органических веществ, которые являются комплексообразователями. Поэтому на практике для достижения эффекта полирующего травления подбирается пара: неорганическая кислота - комплексообразователь.In acidic solutions, the dissociation of organic substances, which are complexing agents, is suppressed. Therefore, in practice, to achieve the effect of polishing etching, a pair is selected: inorganic acid is a complexing agent.
Для теллурида кадмия-цинка наиболее распространены травители на основе брома в метаноле или бромистоводородной кислоты с добавлением этиленгликоля, глицерина. Известны составы для травления теллурида кадмия-цинка, содержащие метанол, молочную кислоту, бром и этиленгликоль в различных соотношениях. Например, 5 объемных % (об. %) брома в метаноле + 20 об. % молочной кислоты + 2 об. % брома в этиленгликоле [Method for surface treatment of a cadmium zinc telluride crystal, US 55933706 А, дата публикации 3 авг.1999, авторы изобретения: Burger A., Chang Н., Kuo-Tong Chen, James R.]. Для случая полирующего травления теллурида кадмия-цинка травитель этого состава неприемлем, так как бром, являясь активным и токсичным веществом, сильно усложняет процесс химико-механического полирования.For cadmium zinc telluride, the most common are bromine-based etchants in methanol or hydrobromic acid with the addition of ethylene glycol, glycerol. Known compositions for the etching of cadmium-zinc telluride containing methanol, lactic acid, bromine and ethylene glycol in various ratios. For example, 5 volume% (vol.%) Bromine in methanol + 20 vol. % lactic acid + 2 vol. % bromine in ethylene glycol [Method for surface treatment of a cadmium zinc telluride crystal, US 55933706 A, publication date Aug 3, 1999, inventors: Burger A., Chang N., Kuo-Tong Chen, James R.]. For the case of polishing etching of cadmium-zinc telluride, an etchant of this composition is unacceptable, since bromine, being an active and toxic substance, greatly complicates the process of chemical-mechanical polishing.
Задача изобретения - разработка состава для химико-механического полирующего травления теллурида кадмия-цинка, который обеспечивает полирующее травление при шероховатости поверхности в среднем не более 7 нм.The objective of the invention is the development of a composition for chemical-mechanical polishing etching of cadmium-zinc telluride, which provides polishing etching with a surface roughness of an average of not more than 7 nm.
Задача решается за счет того, что состав для химико-механического полирующего травления теллурида кадмия-цинка представляет из себя систему из 7 об. частей H2SO4 (98%), 1 об. части H2O2 (30%), 1 об. части H2O, 3,5 об. частей этиленгликоля.The problem is solved due to the fact that the composition for chemical-mechanical polishing etching of cadmium-zinc telluride is a system of 7 vol. parts H 2 SO 4 (98%), 1 vol. parts of H 2 O 2 (30%), 1 vol. parts of H 2 O, 3.5 vol. parts of ethylene glycol.
В литературе схожий состав для полирующего травления теллурида кадмия-цинка при химико-механической полировки не упоминается.In the literature, a similar composition for polishing etching of cadmium-zinc telluride during chemical-mechanical polishing is not mentioned.
Основа для нашего травителя была взята из кремниевой технологии для окисления верхнего слоя кремниевых пластин: серная кислота и перекись водорода.The basis for our etchant was taken from silicon technology for the oxidation of the upper layer of silicon wafers: sulfuric acid and hydrogen peroxide.
Серная кислота, взаимодействуя с перекисью водорода, образует пероксомоносерную кислоту (кислота Каро), которая является сильным окислителем:Sulfuric acid, interacting with hydrogen peroxide, forms peroxomonosulfuric acid (Caro acid), which is a strong oxidizing agent:
H2SO4+H2O2=H2SO5+H2O.H 2 SO 4 + H 2 O 2 = H 2 SO 5 + H 2 O.
Раствор этой кислоты не стабилен и разлагается по следующей реакции:The solution of this acid is not stable and decomposes according to the following reaction:
H2SO5(раствор)=H2SO4+2O*.H 2 SO 5 (solution) = H 2 SO 4 + 2O *.
Активный кислород окисляет теллур, кадмий и цинк по следующим реакциям:Active oxygen oxidizes tellurium, cadmium and zinc in the following reactions:
Те2+2O2*=2TeO2,Te 2 + 2O 2 * = 2 TeO 2 ,
2Zn+O2*=2ZnO,2Zn + O 2 * = 2ZnO,
2Cd+O2*=2CdO.2Cd + O 2 * = 2CdO.
В этой системе H2SO4-H2O2 увеличили концентрацию серной кислоты и добавили этиленгликоль.In this system, H 2 SO 4 —H 2 O 2 increased the concentration of sulfuric acid and ethylene glycol was added.
Добавление дополнительной серной кислоты способствует растворению оксидов и выведению их из зоны реакции.The addition of additional sulfuric acid promotes the dissolution of oxides and their removal from the reaction zone.
Взаимодействие серной кислоты с оксидами происходит по следующим реакциям:The interaction of sulfuric acid with oxides occurs according to the following reactions:
ZnO+H2SO4=ZnSO4+H2O,ZnO + H 2 SO 4 = ZnSO 4 + H 2 O,
CdO+H2SO4=CdSO4+H2O.CdO + H 2 SO 4 = CdSO 4 + H 2 O.
Добавление этиленгликоля увеличивает время контакта травителя с образцом.The addition of ethylene glycol increases the contact time of the etchant with the sample.
Необходимость использования этиленгликоля обусловлена тем, что он, являясь многоосновным спиртом и имея высокую вязкость, имеет также малую константу ионизации, которая уменьшает скорость растворения, что очень важно при полирующем травлении.The need to use ethylene glycol is due to the fact that, being a polybasic alcohol and having a high viscosity, it also has a small ionization constant, which reduces the dissolution rate, which is very important for polishing etching.
Таким образом, процессы растворения полупроводниковых материалов в области полирующих составов протекают по окислительно-гидротационному механизму. В кислых растворах подавляется диссоциация органических веществ, которые являются комплексообразователями. Поэтому на практике для достижения эффекта полирующего травления подбирается пара: неорганическая кислота - комплексообразователь. В нашем случае это серная кислота и этиленгликоль.Thus, the processes of dissolution of semiconductor materials in the field of polishing compositions proceed by the oxidation-hydration mechanism. In acidic solutions, the dissociation of organic substances, which are complexing agents, is suppressed. Therefore, in practice, to achieve the effect of polishing etching, a pair is selected: inorganic acid is a complexing agent. In our case, it is sulfuric acid and ethylene glycol.
При соблюдении объемных соотношений 7 об. частей H2SO4 (98%), 1 об. части H2O2 (30%), 1 об. части H2O, 3,5 об. частей этиленгликоля и скорости подачи травителя на полировальный диск 1 капля в 4 секунды (таблица, фиг. 1) обеспечивает шероховатость поверхности в среднем менее 7 нм (фиг. 2).Subject to volumetric ratios of 7 vol. parts of H 2 SO 4 (98%), 1 vol. parts of H 2 O 2 (30%), 1 vol. parts of H 2 O, 3.5 vol. parts of ethylene glycol and the feed rate of the etchant to the
Таким образом, для осуществления полирующего травления состав отвечает следующим требованиям:Thus, for polishing etching the composition meets the following requirements:
- процесс растворения полупроводникового материала протекает в диффузионном режиме, поэтому процесс полирования поверхности проходит с минимальной скоростью;- the process of dissolution of the semiconductor material proceeds in a diffusion mode, therefore, the process of polishing the surface takes place at a minimum speed;
- за счет того, что радиус кривизны неровностей при дуффузионном режиме намного меньше толщины диффузионного слоя, искривление растворяющейся поверхности не будет оказывать существенного влияния на скорость переноса вещества внутри диффузионного слоя, и шероховатость поверхности будет минимальна.- due to the fact that the radius of curvature of irregularities during the diffusion regime is much smaller than the thickness of the diffusion layer, the curvature of the dissolving surface will not have a significant effect on the transfer rate of the substance inside the diffusion layer, and the surface roughness will be minimal.
Каждый из перечисленных признаков необходим, а вместе они достаточны для решения задачи изобретения.Each of the listed features is necessary, and together they are sufficient to solve the problem of the invention.
Технический результат изобретения заключается в получении высококачественной поверхности теллурида кадмия-цинка с минимальной шероховатостью и улучшении качества адгезии АОП при изготовлении фотоэлектронных приборов. Сущность изобретения: для полирующего травления используют раствор теллурида кадмия-цинка, имеющий содержание следующих компонентов, в объемных долях: серная кислота (98%) - 7; перекись водорода (30%) - 1; вода - 1; этиленгликоль - 3,5.The technical result of the invention is to obtain a high-quality cadmium-zinc telluride surface with minimal roughness and improving the quality of AOP adhesion in the manufacture of photoelectronic devices. The essence of the invention: for polishing etching using a solution of cadmium-zinc telluride, having the content of the following components, in volume fractions: sulfuric acid (98%) - 7; hydrogen peroxide (30%) - 1; water - 1; ethylene glycol - 3.5.
В качестве примера осуществления изобретения приведем испытанный состав для химико-механического полирующего травления теллурида кадмия-цинка в составе следующих компонентов, в объемных соотношениях: серная кислота (98%) - 7; перекись водорода (30%) - 1; вода - 1; этиленгликоль - 3,5.As an example embodiment of the invention, we give a tested composition for chemical-mechanical polishing etching of cadmium-zinc telluride in the composition of the following components, in volume ratios: sulfuric acid (98%) - 7; hydrogen peroxide (30%) - 1; water - 1; ethylene glycol - 3.5.
В качестве образцов использовались подложки теллурида кадмия-цинка ориентации (111). Наличие полирующего эффекта травления устанавливалось наблюдением поверхности образцов после химико-механического полирования методом атомно-силовой микроскопии (АСМ). Шероховатость поверхности определялась при помощи анализа АСМ изображений профилей образцов. В предлагаемых соотношениях компонентов удалось осуществить полирующее химико-механическое полирование поверхности теллурида кадмия-цинка ориентации (111) со средней шероховатостью поверхности не более 7 нм. Данные, характеризующие шероховатости поверхности образцов, были получены при помощи программного обеспечения «Integra Maximus».The samples used were cadmium-zinc telluride substrates of the (111) orientation. The presence of the polishing effect of etching was established by observing the surface of the samples after chemical-mechanical polishing by atomic force microscopy (AFM). The surface roughness was determined by analyzing the AFM images of the profiles of the samples. In the proposed ratios of the components, it was possible to polish the chemical-mechanical polishing surface of the cadmium-zinc telluride of orientation (111) with an average surface roughness of not more than 7 nm. The data characterizing the surface roughness of the samples were obtained using the Integra Maximus software.
Таким образом, предлагаемый состав позволяет получать полирующий эффект на образцах теллурида кадмия-цинка с кристаллографической ориентацией (111) с шероховатостью поверхности не более 7 нм.Thus, the proposed composition allows to obtain a polishing effect on cadmium-zinc telluride samples with a crystallographic orientation of (111) with a surface roughness of not more than 7 nm.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2574459C1 true RU2574459C1 (en) | 2016-02-10 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2627711C1 (en) * | 2016-11-02 | 2017-08-10 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Polishing etchant composition for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3948703A (en) * | 1973-03-27 | 1976-04-06 | Tokai Denka Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of chemically polishing copper and copper alloy |
| SU842111A1 (en) * | 1979-01-10 | 1981-06-30 | Днепродзержинский Индустриальныйинститут Им. M.И. Арсеничева | Solution for chemical polishing of copper and its alloys |
| RU2097871C1 (en) * | 1995-04-05 | 1997-11-27 | Институт физики полупроводников СО РАН | Method for producing semiconductor device matrices on substrate |
| US5933706A (en) * | 1997-05-28 | 1999-08-03 | James; Ralph | Method for surface treatment of a cadmium zinc telluride crystal |
| RU2507312C1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ)" | Method of cleaning metal surfaces from corrosion deposits |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3948703A (en) * | 1973-03-27 | 1976-04-06 | Tokai Denka Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of chemically polishing copper and copper alloy |
| SU842111A1 (en) * | 1979-01-10 | 1981-06-30 | Днепродзержинский Индустриальныйинститут Им. M.И. Арсеничева | Solution for chemical polishing of copper and its alloys |
| RU2097871C1 (en) * | 1995-04-05 | 1997-11-27 | Институт физики полупроводников СО РАН | Method for producing semiconductor device matrices on substrate |
| US5933706A (en) * | 1997-05-28 | 1999-08-03 | James; Ralph | Method for surface treatment of a cadmium zinc telluride crystal |
| RU2507312C1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ)" | Method of cleaning metal surfaces from corrosion deposits |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2627711C1 (en) * | 2016-11-02 | 2017-08-10 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Polishing etchant composition for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5315596B2 (en) | Manufacturing method of bonded SOI wafer | |
| TWI757441B (en) | Cleaning liquid composition | |
| Cuypers et al. | Study of InP surfaces after wet chemical treatments | |
| Meuris et al. | Implementation of the IMEC-cleaning in advanced CMOS manufacturing | |
| EP2575162A2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device with a step of selectively removing a layer of silicon-germanium | |
| Matovu et al. | Use of multifunctional carboxylic acids and hydrogen peroxide to improve surface quality and minimize phosphine evolution during chemical mechanical polishing of indium phosphide surfaces | |
| Bryce et al. | Kinetics of GaAs dissolution in H2O2− NH4OH− H2O solutions | |
| JP2014057039A (en) | Process of manufacturing semiconductor substrate product and etchant | |
| TWI795547B (en) | Silicon wafer cleaning method | |
| JP4817887B2 (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
| Seo et al. | Behavior of a GaSb (100) surface in the presence of H2O2 in wet-etching solutions | |
| RU2574459C1 (en) | Composition of polishing etching agent for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride | |
| RU2627711C1 (en) | Polishing etchant composition for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride | |
| Ashok et al. | Growth and etch rate study of low temperature anodic silicon dioxide thin films | |
| TWI594315B (en) | Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same | |
| TWI620811B (en) | Titanium oxide film removal method and removal device | |
| Gu et al. | Effect of additives in organic acid solutions for post-CMP cleaning on polymer low-k fluorocarbon | |
| Lie et al. | Controlled oxide removal and surface morphology on InSb (100) using gas phase HF/H2O | |
| JP2015197596A (en) | Composition for forming silicon-containing film and pattern forming method | |
| US7988876B2 (en) | Method for reducing and homogenizing the thickness of a semiconductor layer which lies on the surface of an electrically insulating material | |
| CN116918041A (en) | Method for cleaning silicon wafer, method for manufacturing silicon wafer, and silicon wafer | |
| Gondek et al. | Etching silicon with aqueous acidic ozone solutions: Reactivity studies and surface investigations | |
| JP5630527B2 (en) | Manufacturing method of bonded SOI wafer | |
| JP7279753B2 (en) | Silicon wafer cleaning method and manufacturing method | |
| Sato et al. | Comparative surface study on hydrogen terminated Si surface covered with alcohols |