RU2567783C1 - Method for producing spattering target of magnetron source for coating deposition - Google Patents
Method for producing spattering target of magnetron source for coating deposition Download PDFInfo
- Publication number
- RU2567783C1 RU2567783C1 RU2014117827/02A RU2014117827A RU2567783C1 RU 2567783 C1 RU2567783 C1 RU 2567783C1 RU 2014117827/02 A RU2014117827/02 A RU 2014117827/02A RU 2014117827 A RU2014117827 A RU 2014117827A RU 2567783 C1 RU2567783 C1 RU 2567783C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- recess
- magnetron source
- coating
- spattering
- metallic substrate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к вакуумной напылительной технике, используемой в электронной промышленности, а именно к способам изготовления распыляемых мишеней. Наиболее широко применяют планарные магнетроны (Минайчев В.Е. Нанесение пленок в вакууме. - М.: Высшая школа, 1989 г. - 108 с.). Их основным недостатком является низкий коэффициент использования материала покрытия при его распылении. Мишень должна обеспечивать высокий коэффициент использования материала, что особенно важно, так как она изготавливается из особо чистых и дорогостоящих материалов. Степень химической чистоты материала мишени в первую очередь оказывает влияние на качество наносимого пленочного покрытия, а также на устойчивость и стабилизацию процесса распыления.The invention relates to a vacuum spraying technique used in the electronic industry, and in particular to methods for manufacturing spray targets. The most widely used planar magnetrons (V. Minaichev. Application of films in a vacuum. - M.: Higher School, 1989 - 108 p.). Their main disadvantage is the low utilization of the coating material when spraying. The target should provide a high utilization rate of the material, which is especially important, since it is made from very clean and expensive materials. The degree of chemical purity of the target material primarily affects the quality of the applied film coating, as well as the stability and stabilization of the sputtering process.
Известен способ изготовления и реставрации мишени для магнетронного распыления в вакууме (Патент РФ 2068886, С23С 14/35, 1996), включающий изготовление основы из металла расходуемой части, но с допустимым превышением количества примесей относительно расходуемой части на 0,0049-0,135%, а расходуемую часть формируют из прутка алюминия особой чистоты и после заполнения им углубления основы всю мишень нагревают до 330-450°С и запрессовывают расходуемую часть в углубление.A known method of manufacturing and restoration of a target for magnetron sputtering in vacuum (RF Patent 2068886, C23C 14/35, 1996), including the manufacture of a base of metal of the consumable part, but with a permissible excess of the amount of impurities relative to the consumable part by 0.0049-0.135%, and the consumable part is formed from a rod of aluminum of high purity and after filling the recess of the base with it, the entire target is heated to 330-450 ° C and the consumable part is pressed into the recess.
К недостаткам известного способа можно отнести то, что способ не учитывает существующие отклонения конфигурации электрических и магнитных полей, которые наблюдаются в процессе нанесения покрытий, поэтому не гарантирует получения абсолютной чистоты химического состава наносимых покрытий, так как в основе имеются незначительные примеси и он применим только для нанесения алюминиевых покрытий.The disadvantages of this method include the fact that the method does not take into account the existing deviations in the configuration of electric and magnetic fields that are observed during the coating process, therefore, it does not guarantee the absolute purity of the chemical composition of the applied coatings, since there are minor impurities in the base and it is applicable only for applying aluminum coatings.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ изготовления мишени магнетронного источника, включающий выполнение углубления в основе распылением материала основы в магнетронном источнике с заполнением углубления материалом покрытия, который принят за прототип (Авторское свидетельство СССР №1025754, С23С 15/00, 1983).The closest in technical essence and the achieved result is a method of manufacturing a magnetron source target, comprising making a recess in the base by spraying the base material in a magnetron source with filling the recess with a coating material, which is adopted as a prototype (USSR Author's Certificate No. 1025754, С23С 15/00, 1983) .
Недостатком известного способа является то, что при отклонении конфигурации электрических и магнитных полей происходят смещения зон плазмы и эрозии, приводящие к распылению материала основы и загрязнению химического состава покрытия, снижающие их качество.The disadvantage of this method is that when the configuration of the electric and magnetic fields is deviated, displacements of the plasma and erosion zones occur, leading to dispersion of the base material and contamination of the chemical composition of the coating, reducing their quality.
Задача изобретения - обеспечение необходимого качества напыления особо чистых дорогостоящих материалов.The objective of the invention is the provision of the required quality of the spraying of particularly pure expensive materials.
Задача достигается тем, что в способе изготовления распыляемой мишени магнетронного источника для нанесения покрытия, включающем выполнение углубления в металлической основе распылением материала металлической основы в магнетронном источнике и заполнение углубления материалом покрытия, симметрично с двух сторон проводят механическую обработку выполненного в металлической основе углубления и обеспечивают увеличение его ширины на 28…30% путем снятия материала металлической основы по профилю углубления для устранения распыления основы в случае отклонения конфигурации электрических и магнитных полей.The objective is achieved in that in a method for manufacturing a sprayable target of a magnetron source for coating, including making a recess in the metal base by spraying the metal base material in the magnetron source and filling the recess with the coating material, the machining of the recess made in the metal base is symmetrically performed on both sides and provides an increase its width by 28 ... 30% by removing the material of the metal base along the profile of the recess to eliminate the spraying of the main you in the case of the configuration deviation of electric and magnetic fields.
Длительные наблюдения за процессом нанесения покрытий показали (см. фиг), что максимальные отклонения электрических (1) и магнитных полей (2) от идеальной формы могут достигать 25-28%. При этом смешиваются зоны плазмы (3) и эрозии (4), что приводит к распылению материала основы, который загрязняет химический состав покрытия.Long-term observations of the coating process showed (see FIG.) That the maximum deviations of the electric (1) and magnetic fields (2) from the ideal shape can reach 25-28%. In this case, the plasma zones (3) and erosion (4) are mixed, which leads to the spraying of the base material, which contaminates the chemical composition of the coating.
Мишень планарного магнетронного источника для распыления серебра была получена в виде диска из нержавеющей стали (Х18Н10Т) диаметром 170 мм и толщиной 10 мм с углублением 5 мм. Углубление нужной формы было получено ионным распылением в планарном магнетронном источнике. Затем механической обработкой ширина углубления d2 была увеличена на 28…30% по сравнению с первоначальной шириной d1 снятием металла по профилю углубления. Нанесение покрытия осуществляется на тех же режимах, что и при получении углубления в основе.The target of a planar magnetron source for silver sputtering was obtained in the form of a stainless steel disk (X18H10T) with a diameter of 170 mm and a thickness of 10 mm with a recess of 5 mm. The deepening of the desired shape was obtained by ion sputtering in a planar magnetron source. Then, by machining, the width of the recess d 2 was increased by 28 ... 30% compared with the initial width d 1 by removing metal along the profile of the recess. The coating is carried out in the same modes as when receiving the recess in the base.
Результаты проведенных исследований показали, что при применении заявляемого способа обеспечивается чистота химического состава наносимых покрытий, это гарантирует качество покрытия, что важно в электронной промышленности.The results of the studies showed that when applying the proposed method ensures the purity of the chemical composition of the applied coatings, this guarantees the quality of the coating, which is important in the electronic industry.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014117827/02A RU2567783C1 (en) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | Method for producing spattering target of magnetron source for coating deposition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014117827/02A RU2567783C1 (en) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | Method for producing spattering target of magnetron source for coating deposition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2567783C1 true RU2567783C1 (en) | 2015-11-10 |
Family
ID=54537173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014117827/02A RU2567783C1 (en) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | Method for producing spattering target of magnetron source for coating deposition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2567783C1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1025754A1 (en) * | 1979-07-24 | 1983-06-30 | Предприятие П/Я А-3562 | Method for making target of magnetron source |
SU1494559A1 (en) * | 1986-05-28 | 1996-03-10 | Ярославское научно-производственное объединение ЭЛЕКТРОНПРИБОР" | Method of manufacturing target for vacuum spraying |
RU2068886C1 (en) * | 1991-06-10 | 1996-11-10 | Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" | Method of preparing and restoring target for magnetron atomization in vacuum |
WO1999025892A1 (en) * | 1997-11-19 | 1999-05-27 | Tosoh Smd, Inc. | METHOD FOR MAKING Ni-Si MAGNETRON SPUTTERING TARGETS AND TARGETS MADE THEREBY |
-
2014
- 2014-04-29 RU RU2014117827/02A patent/RU2567783C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1025754A1 (en) * | 1979-07-24 | 1983-06-30 | Предприятие П/Я А-3562 | Method for making target of magnetron source |
SU1494559A1 (en) * | 1986-05-28 | 1996-03-10 | Ярославское научно-производственное объединение ЭЛЕКТРОНПРИБОР" | Method of manufacturing target for vacuum spraying |
RU2068886C1 (en) * | 1991-06-10 | 1996-11-10 | Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" | Method of preparing and restoring target for magnetron atomization in vacuum |
WO1999025892A1 (en) * | 1997-11-19 | 1999-05-27 | Tosoh Smd, Inc. | METHOD FOR MAKING Ni-Si MAGNETRON SPUTTERING TARGETS AND TARGETS MADE THEREBY |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lin et al. | Diamond like carbon films deposited by HiPIMS using oscillatory voltage pulses | |
JP6830992B2 (en) | Method for Producing Metal Hobide Carbide Layer on Substrate | |
RU2489514C1 (en) | METHOD FOR OBTAINING WEAR-RESISTANT COATING BASED ON INTERMETALLIC COMPOUND OF Ti-Al SYSTEM | |
US10378095B2 (en) | TiB2 layers and manufacture thereof | |
US20230135238A1 (en) | TICN Having Reduced Growth Defects by Means of HIPIMS | |
CN106868460A (en) | A kind of mass thickness is 400 ~ 2000 μ g/cm2The preparation technology of self-supporting Ir targets | |
RU2567783C1 (en) | Method for producing spattering target of magnetron source for coating deposition | |
Oskirko et al. | Dual mode of deep oscillation magnetron sputtering | |
JP2014517870A (en) | High power impulse magnetron sputtering method for improving ionization of sputtered particles and apparatus for implementing the same | |
RU2522874C1 (en) | Method to protect aluminium surface against corrosion | |
RU2013130575A (en) | METHOD FOR APPLYING PROTECTIVE COATING TO SURFACE OF STEEL PRODUCT | |
Yakovin et al. | Integral cluster set-up for complex compound composites syntesis | |
RU2009114631A (en) | METHOD FOR APPLYING METAL COATINGS ON PRODUCTS FROM CERAMICS | |
RU144988U1 (en) | COMPOSITE TARGET FOR PRODUCING PLANAR-GRADIENT METAL-DIELECTRIC COMPOSITE FILMS | |
RU2016103909A (en) | TARGET FOR REACTIVE DEPOSITION OF ELECTRIC INSULATING LAYERS BY ION SPRAYING METHOD | |
JP6899322B2 (en) | A method for producing a two-layer coated cutting tool with improved wear resistance | |
RU2588973C2 (en) | Method for treatment of working surfaces of parts of bladed machines | |
RU2014108807A (en) | NANOSTRUCTURAL COATING FROM ZIRCONIUM OXIDE AND METHOD OF ITS APPLICATION | |
Sivin et al. | Investigation of the possibility of unfiltered aluminium vacuum arc plasma application for high-frequency short-pulse plasma immersion ion implantation | |
JP2013185158A (en) | Film deposition method | |
RU2016129671A (en) | METHOD FOR PRODUCING WEAR-RESISTANT COATINGS OF CUTTING TOOL | |
Hwang | The Effects of Deposition Time and Surface Temperature on the TiN Films for KP-4 Steel Mold | |
KR20060125670A (en) | Thin film deposition method by pulsed magnetron sputtering and thin metal film using the same | |
RU2657671C2 (en) | Device for forming multicomponent and multilayer coatings | |
Hwang | Upgrading the Ti/TiN Film Depositions on KP-1 Steel by Using the Anode Ring Bias Voltage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170430 |