RU2561312C1 - Входной узел полупроводникового прибора - Google Patents

Входной узел полупроводникового прибора Download PDF

Info

Publication number
RU2561312C1
RU2561312C1 RU2014108838/28A RU2014108838A RU2561312C1 RU 2561312 C1 RU2561312 C1 RU 2561312C1 RU 2014108838/28 A RU2014108838/28 A RU 2014108838/28A RU 2014108838 A RU2014108838 A RU 2014108838A RU 2561312 C1 RU2561312 C1 RU 2561312C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photosensitive element
base
semiconductor device
input unit
input window
Prior art date
Application number
RU2014108838/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Станислав Афанасьевич Плахов
Валентин Артемович Арутюнов
Елена Юрьевна Илисавская
Галина Анатольевна Максимова
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" filed Critical Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
Priority to RU2014108838/28A priority Critical patent/RU2561312C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2561312C1 publication Critical patent/RU2561312C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

Использование: для изготовления модульных (гибридных) оптико-электронных наблюдательных и регистрирующих приборов различных спектров действия, предназначенных для эксплуатации в условиях низкой освещенности. Сущность изобретения заключается в том, что входной узел полупроводникового прибора имеет входное окно и основание с фоточувствительным элементом в соответствующем корпусе, на основании с фоточувствительным элементом размещены столбиковые опоры, выполненные методом фотолитографии, расположенные по периметру фоточувствительного элемента, превосходящие по высоте уровень контактных площадок фоточувствительного элемента. Технический результат: обеспечение возможности образования минимального зазора между поверхностью волоконно-оптического входного окна и поверхностью светочувствительного элемента, при этом обеспечивая защиту светочувствительного элемента от соприкосновения с поверхностью входного окна. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области электронно-оптической и полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении модульных (гибридных) оптико-электронных наблюдательных и регистрирующих приборов различных спектров действия, предназначенных для эксплуатации в условиях низкой освещенности.
Так, известен патент на изобретение №2472250 «Фотоэлектронное устройство» (МПК H01J 31/048, H01J 31/50, от 05.08.2001). В данном патенте описан прибор, содержащий волоконно-оптическую пластину (ВОП), состыкованную с фоточувствительным прибором с зарядовой связью (ФПЗС) путем совмещения через слой иммерсионной жидкости площадки чувствительного элемента ФПЗС с площадкой, сформированной выходной поверхностью ВОП, при этом расстояние между поверхностью площадки чувствительного элемента ФПЗС и поверхностью площадки, сформированной выходной поверхностью ВОП, не превышает 1 мкм. Иммерсионная жидкость вводится в оптическую систему для уменьшения показателя рассеивания света при прохождении излучения через устройство.
Недостаток данного технического решения заключается в том, что изготовление входного узла существенно усложняется из-за ввода в зазор между ВОП и ФПЗС иммерсионной жидкости. Кроме того, иммерсионная жидкость ухудшает эксплуатационные характеристики прибора: при пониженной температуре возможна кристаллизация иммерсионной жидкости, образование пустот и пузырей, а при нагревании - расширение.
Технический результат настоящего изобретения заключается в создании входного узла полупроводникового прибора, который позволяет образовать минимальный зазор между поверхностью волоконно-оптического входного окна и полупроводниковой поверхностью светочувствительного элемента, при этом обеспечить защиту светочувствительного элемента от механических повреждений, которые могут возникнуть в результате соприкосновения светочувствительного элемента с поверхностью входного окна.
Данный технический результат достигается за счет того, что входной узел полупроводникового прибора, имеющий волоконно-оптическое входное окно и основание с фоточувствительным элементом в соответствующем корпусе, отличается тем, что на основании с фоточувствительным элементом размещены столбиковые опоры, выполненные методом фотолитографии, расположенные вдоль как минимум части периметра фоточувствительного элемента, превосходящие по высоте уровень контактных площадок фоточувствительного элемента.
Данные столбиковые опоры служат для опоры входного окна и защиты фоточувствительной области от соприкосновения с поверхностью волоконно-оптического входного окна при образовании минимального зазора между поверхностью входного окна и поверхностью фоточувствительного элемента.
Конструкция входного узла может служить для состыковки волоконно-оптического ЭОП с ПЗС с минимальным зазором.
На рис. 1 и 2 изображена схема данного технического решения.
Входной узел полупроводникового прибора имеет входное окно 1, выполненное как правило в виде волоконно-оптической пластины, и основание 2 с фоточувствительным элементом 3, например матрица ФПЗС. На поверхности основания 2 расположены выполненные методом фотолитографии разделительные элементы 4 (столбиковые опоры), расположенные по периметру фоточувствительного элемента 3, превосходящие по высоте уровень контактных площадок 5.
Данное техническое решение выполнено следующим образом.
После формирования на основании 2 фоточувствительного элемента 3 и контактных площадок 5 на поверхность основания 2 наносится с целью защиты плазмохимический окисел SiO2 (ПХО) (на рис. не показан, возможен вариант создания опорных столбиков без слоя SiO2). Толщина слоя составляет порядка 1-2 микрон. Затем на слой ПХО наносится слой фоторезиста так, чтобы этот слой по высоте перекрывал высоту контактных площадок. Слой фоторезиста, нанесенный на слой ПХО, автоматически оказывается выше уровня контактных площадок. Далее по периметру фоточувствительной области вытравливаются столбиковые опоры 4 с применением технологии фотолитографии, высотой в 3-5 микрона. В общем случае данные столбиковые опоры 4 могут быть выполнены любой формы, как отдельными элементами (столбцами), так и сплошным элементом (стеночкой).
Столбиковые опоры 4 могут быть расположены как между контактными площадками 5 и фоточувствительным элементом 3, так и за контактными площадками 5. После формирования столбиковых опор и разварки контактов на основание накладывают входное окно 1, выполненное как правило в виде волоконно-оптической шайбы, так чтобы входное окно упиралось в данные столбики. Получившийся зазор заполняют азотом.
Таким образом, данные столбиковые опоры служат для опоры волоконно-оптического входного окна и защиты фоточувствительной области от соприкосновения с поверхностью входного окна при образовании минимального зазора между поверхностью входного окна и поверхностью фоточувствительного элемента, составляющего порядка 5-7 микрон.

Claims (1)

  1. Входной узел полупроводникового прибора, имеющий входное окно и основание с фоточувствительным элементом, находящиеся в соответствующем корпусе, отличающийся тем, что на основании с фоточувствительным элементом размещены столбиковые опоры, выполненные методом фотолитографии, расположенные вдоль как минимум части периметра фоточувствительного элемента, превосходящие по высоте уровень контактных площадок фоточувствительного элемента.
RU2014108838/28A 2014-03-06 2014-03-06 Входной узел полупроводникового прибора RU2561312C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014108838/28A RU2561312C1 (ru) 2014-03-06 2014-03-06 Входной узел полупроводникового прибора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014108838/28A RU2561312C1 (ru) 2014-03-06 2014-03-06 Входной узел полупроводникового прибора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2561312C1 true RU2561312C1 (ru) 2015-08-27

Family

ID=54015575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014108838/28A RU2561312C1 (ru) 2014-03-06 2014-03-06 Входной узел полупроводникового прибора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2561312C1 (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5142193A (en) * 1989-06-06 1992-08-25 Kaman Sciences Corporation Photonic cathode ray tube
US5719623A (en) * 1993-03-23 1998-02-17 Hamamatsu Photonics K.K. Streak tube
RU2244365C1 (ru) * 2003-12-09 2005-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" Фотоприемное устройство
EP2061289A1 (en) * 2007-11-13 2009-05-20 St Microelectronics S.A. Interconnection of embedded passive components and substrates
RU2392691C1 (ru) * 2009-03-16 2010-06-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" Фотоприемное устройство
RU2470406C2 (ru) * 2011-02-09 2012-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Входной узел времяанализирующего электронно-оптического преобразователя

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5142193A (en) * 1989-06-06 1992-08-25 Kaman Sciences Corporation Photonic cathode ray tube
US5719623A (en) * 1993-03-23 1998-02-17 Hamamatsu Photonics K.K. Streak tube
RU2244365C1 (ru) * 2003-12-09 2005-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" Фотоприемное устройство
EP2061289A1 (en) * 2007-11-13 2009-05-20 St Microelectronics S.A. Interconnection of embedded passive components and substrates
RU2392691C1 (ru) * 2009-03-16 2010-06-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" Фотоприемное устройство
RU2470406C2 (ru) * 2011-02-09 2012-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Входной узел времяанализирующего электронно-оптического преобразователя

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Radulaski et al. Scalable quantum photonics with single color centers in silicon carbide
US9343447B2 (en) Optically pumped sensors or references with die-to-package cavities
WO2012098747A1 (ja) 固体撮像装置
RU2016122443A (ru) Биодатчики для биологического или химического анализа и способы их изготовления
WO2015038064A4 (en) Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
JP2016225584A (ja) イメージセンサ
KR20160082502A (ko) 반도체 장치, 고체 촬상 소자 및 전자 기기
JP2009260269A (ja) 光学デバイス及びその製造方法
JP2013165099A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路装置、回路装置の製造方法、電子機器
RU2561312C1 (ru) Входной узел полупроводникового прибора
JP5616099B2 (ja) 距離センサ及び距離画像センサ
Bartolo-Perez et al. Maximizing absorption in photon‐trapping ultrafast silicon photodetectors
RU143143U1 (ru) Входной узел полупроводникового прибора
KR101709557B1 (ko) 칩 스케일 원자시계를 위한 전기 광학 기능이 구비된 증기셀
JP2016115706A (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US9645390B2 (en) Spatial light modulator and exposure apparatus
US20090121300A1 (en) Microelectronic imager packages and associated methods of packaging
TW201528536A (zh) 具有包括位在光電裝置上方不同高度之光學元件之多個光通道的模組
CN103018826A (zh) 一种光子晶体定向耦合器
Lin et al. Shaping LED Beams with Radially Distributed Waveguide‐Encoded Lattices
JP2006293325A (ja) 光スキャナの配線構造及び製造方法
JP2013236248A (ja) 固体撮像装置
KR20130083543A (ko) 배면광 이미지 소자 및 이를 포함하는 센서 모듈
US9947706B2 (en) Semiconductor device having a light receiving element
JP2010161784A (ja) カメラモジュールの組み立て方法