RU2561312C1 - Входной узел полупроводникового прибора - Google Patents
Входной узел полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2561312C1 RU2561312C1 RU2014108838/28A RU2014108838A RU2561312C1 RU 2561312 C1 RU2561312 C1 RU 2561312C1 RU 2014108838/28 A RU2014108838/28 A RU 2014108838/28A RU 2014108838 A RU2014108838 A RU 2014108838A RU 2561312 C1 RU2561312 C1 RU 2561312C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photosensitive element
- base
- semiconductor device
- input unit
- input window
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления модульных (гибридных) оптико-электронных наблюдательных и регистрирующих приборов различных спектров действия, предназначенных для эксплуатации в условиях низкой освещенности. Сущность изобретения заключается в том, что входной узел полупроводникового прибора имеет входное окно и основание с фоточувствительным элементом в соответствующем корпусе, на основании с фоточувствительным элементом размещены столбиковые опоры, выполненные методом фотолитографии, расположенные по периметру фоточувствительного элемента, превосходящие по высоте уровень контактных площадок фоточувствительного элемента. Технический результат: обеспечение возможности образования минимального зазора между поверхностью волоконно-оптического входного окна и поверхностью светочувствительного элемента, при этом обеспечивая защиту светочувствительного элемента от соприкосновения с поверхностью входного окна. 2 ил.
Description
Изобретение относится к области электронно-оптической и полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении модульных (гибридных) оптико-электронных наблюдательных и регистрирующих приборов различных спектров действия, предназначенных для эксплуатации в условиях низкой освещенности.
Так, известен патент на изобретение №2472250 «Фотоэлектронное устройство» (МПК H01J 31/048, H01J 31/50, от 05.08.2001). В данном патенте описан прибор, содержащий волоконно-оптическую пластину (ВОП), состыкованную с фоточувствительным прибором с зарядовой связью (ФПЗС) путем совмещения через слой иммерсионной жидкости площадки чувствительного элемента ФПЗС с площадкой, сформированной выходной поверхностью ВОП, при этом расстояние между поверхностью площадки чувствительного элемента ФПЗС и поверхностью площадки, сформированной выходной поверхностью ВОП, не превышает 1 мкм. Иммерсионная жидкость вводится в оптическую систему для уменьшения показателя рассеивания света при прохождении излучения через устройство.
Недостаток данного технического решения заключается в том, что изготовление входного узла существенно усложняется из-за ввода в зазор между ВОП и ФПЗС иммерсионной жидкости. Кроме того, иммерсионная жидкость ухудшает эксплуатационные характеристики прибора: при пониженной температуре возможна кристаллизация иммерсионной жидкости, образование пустот и пузырей, а при нагревании - расширение.
Технический результат настоящего изобретения заключается в создании входного узла полупроводникового прибора, который позволяет образовать минимальный зазор между поверхностью волоконно-оптического входного окна и полупроводниковой поверхностью светочувствительного элемента, при этом обеспечить защиту светочувствительного элемента от механических повреждений, которые могут возникнуть в результате соприкосновения светочувствительного элемента с поверхностью входного окна.
Данный технический результат достигается за счет того, что входной узел полупроводникового прибора, имеющий волоконно-оптическое входное окно и основание с фоточувствительным элементом в соответствующем корпусе, отличается тем, что на основании с фоточувствительным элементом размещены столбиковые опоры, выполненные методом фотолитографии, расположенные вдоль как минимум части периметра фоточувствительного элемента, превосходящие по высоте уровень контактных площадок фоточувствительного элемента.
Данные столбиковые опоры служат для опоры входного окна и защиты фоточувствительной области от соприкосновения с поверхностью волоконно-оптического входного окна при образовании минимального зазора между поверхностью входного окна и поверхностью фоточувствительного элемента.
Конструкция входного узла может служить для состыковки волоконно-оптического ЭОП с ПЗС с минимальным зазором.
На рис. 1 и 2 изображена схема данного технического решения.
Входной узел полупроводникового прибора имеет входное окно 1, выполненное как правило в виде волоконно-оптической пластины, и основание 2 с фоточувствительным элементом 3, например матрица ФПЗС. На поверхности основания 2 расположены выполненные методом фотолитографии разделительные элементы 4 (столбиковые опоры), расположенные по периметру фоточувствительного элемента 3, превосходящие по высоте уровень контактных площадок 5.
Данное техническое решение выполнено следующим образом.
После формирования на основании 2 фоточувствительного элемента 3 и контактных площадок 5 на поверхность основания 2 наносится с целью защиты плазмохимический окисел SiO2 (ПХО) (на рис. не показан, возможен вариант создания опорных столбиков без слоя SiO2). Толщина слоя составляет порядка 1-2 микрон. Затем на слой ПХО наносится слой фоторезиста так, чтобы этот слой по высоте перекрывал высоту контактных площадок. Слой фоторезиста, нанесенный на слой ПХО, автоматически оказывается выше уровня контактных площадок. Далее по периметру фоточувствительной области вытравливаются столбиковые опоры 4 с применением технологии фотолитографии, высотой в 3-5 микрона. В общем случае данные столбиковые опоры 4 могут быть выполнены любой формы, как отдельными элементами (столбцами), так и сплошным элементом (стеночкой).
Столбиковые опоры 4 могут быть расположены как между контактными площадками 5 и фоточувствительным элементом 3, так и за контактными площадками 5. После формирования столбиковых опор и разварки контактов на основание накладывают входное окно 1, выполненное как правило в виде волоконно-оптической шайбы, так чтобы входное окно упиралось в данные столбики. Получившийся зазор заполняют азотом.
Таким образом, данные столбиковые опоры служат для опоры волоконно-оптического входного окна и защиты фоточувствительной области от соприкосновения с поверхностью входного окна при образовании минимального зазора между поверхностью входного окна и поверхностью фоточувствительного элемента, составляющего порядка 5-7 микрон.
Claims (1)
- Входной узел полупроводникового прибора, имеющий входное окно и основание с фоточувствительным элементом, находящиеся в соответствующем корпусе, отличающийся тем, что на основании с фоточувствительным элементом размещены столбиковые опоры, выполненные методом фотолитографии, расположенные вдоль как минимум части периметра фоточувствительного элемента, превосходящие по высоте уровень контактных площадок фоточувствительного элемента.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014108838/28A RU2561312C1 (ru) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | Входной узел полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014108838/28A RU2561312C1 (ru) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | Входной узел полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2561312C1 true RU2561312C1 (ru) | 2015-08-27 |
Family
ID=54015575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014108838/28A RU2561312C1 (ru) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | Входной узел полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2561312C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5142193A (en) * | 1989-06-06 | 1992-08-25 | Kaman Sciences Corporation | Photonic cathode ray tube |
US5719623A (en) * | 1993-03-23 | 1998-02-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Streak tube |
RU2244365C1 (ru) * | 2003-12-09 | 2005-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" | Фотоприемное устройство |
EP2061289A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-20 | St Microelectronics S.A. | Interconnection of embedded passive components and substrates |
RU2392691C1 (ru) * | 2009-03-16 | 2010-06-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Фотоприемное устройство |
RU2470406C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2012-12-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Входной узел времяанализирующего электронно-оптического преобразователя |
-
2014
- 2014-03-06 RU RU2014108838/28A patent/RU2561312C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5142193A (en) * | 1989-06-06 | 1992-08-25 | Kaman Sciences Corporation | Photonic cathode ray tube |
US5719623A (en) * | 1993-03-23 | 1998-02-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Streak tube |
RU2244365C1 (ru) * | 2003-12-09 | 2005-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" | Фотоприемное устройство |
EP2061289A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-20 | St Microelectronics S.A. | Interconnection of embedded passive components and substrates |
RU2392691C1 (ru) * | 2009-03-16 | 2010-06-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Фотоприемное устройство |
RU2470406C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2012-12-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Входной узел времяанализирующего электронно-оптического преобразователя |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Radulaski et al. | Scalable quantum photonics with single color centers in silicon carbide | |
US9343447B2 (en) | Optically pumped sensors or references with die-to-package cavities | |
JP5680979B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
Kameshima et al. | Development of an X-ray pixel detector with multi-port charge-coupled device for X-ray free-electron laser experiments | |
RU2016122443A (ru) | Биодатчики для биологического или химического анализа и способы их изготовления | |
WO2015038064A4 (en) | Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules | |
Xiao et al. | Ultrafast exciton transport with a long diffusion length in layered perovskites with organic cation functionalization | |
JP2017041618A5 (ru) | ||
JP6406404B2 (ja) | イメージセンサモジュール | |
Bartolo-Perez et al. | Maximizing absorption in photon‐trapping ultrafast silicon photodetectors | |
RU2561312C1 (ru) | Входной узел полупроводникового прибора | |
JP5616099B2 (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
RU143143U1 (ru) | Входной узел полупроводникового прибора | |
KR101709557B1 (ko) | 칩 스케일 원자시계를 위한 전기 광학 기능이 구비된 증기셀 | |
JP6106970B2 (ja) | 空間光変調器および露光装置 | |
CN103018826A (zh) | 一种光子晶体定向耦合器 | |
Lin et al. | Shaping LED Beams with Radially Distributed Waveguide‐Encoded Lattices | |
US20140169739A1 (en) | Waveguide lens for coupling laser light source and optical element | |
EA201991079A1 (ru) | Антисейсмическое защитное устройство | |
JP2006293325A (ja) | 光スキャナの配線構造及び製造方法 | |
KR20130083543A (ko) | 배면광 이미지 소자 및 이를 포함하는 센서 모듈 | |
US9947706B2 (en) | Semiconductor device having a light receiving element | |
JP2016072340A (ja) | 放射線検出器用アレイ基板、および放射線検出器 | |
Etoh et al. | A 100 Mfps image sensor for biological applications | |
Zhang et al. | Performance jump characteristics of CCD image sensor under laser irradiation |