RU2558323C1 - Method of metallisation of substrate from aluminium-nitride ceramics - Google Patents
Method of metallisation of substrate from aluminium-nitride ceramics Download PDFInfo
- Publication number
- RU2558323C1 RU2558323C1 RU2014115444/02A RU2014115444A RU2558323C1 RU 2558323 C1 RU2558323 C1 RU 2558323C1 RU 2014115444/02 A RU2014115444/02 A RU 2014115444/02A RU 2014115444 A RU2014115444 A RU 2014115444A RU 2558323 C1 RU2558323 C1 RU 2558323C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- copper
- layer
- silver
- adhesive layer
- heat treatment
- Prior art date
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может найти применение в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных транзисторов и сверхъярких светодиодов.The invention relates to the field of producing metal coatings on aluminum nitride ceramic plates and can be used in the electronic, electrical and radio engineering industries for the production of metallized substrates for power modules, heat-releasing elements of high-power transistors and super-bright LEDs.
Известна керамическая подложка для электронных силовых модулей, металлизированная методом DBC [1]. Сущность метода DBC состоит в том, что предварительно проводят окисление поверхности A1N керамики, после чего керамику соединяют с медью, расплавленной при температуре 1064°C эвтектикой Cu-CuO2. Одним из недостатков метода DBC является то, что процесс требует очень точного температурного режима, поскольку проводится при температуре, близкой к температуре плавления меди, равной 1084°C. Кроме того, поскольку эвтектика Cu-CuO2 отличается повышенной хрупкостью, то следует ожидать пониженную стойкость соединения в условиях циклического изменения температур. Также изделия из керамики, металлизированной по данному способу, нельзя паять высокотемпературными припоями в среде водорода из-за восстановления CuO2 до меди, приводящего к нарушению соединения.Known ceramic substrate for electronic power modules, metallized by DBC [1]. The essence of the DBC method is that the surface of the A1N ceramics is oxidized first, after which the ceramics are combined with copper melted at a temperature of 1064 ° C by the Cu-CuO 2 eutectic. One of the drawbacks of the DBC method is that the process requires a very accurate temperature regime, since it is carried out at a temperature close to the copper melting temperature of 1084 ° C. In addition, since the Cu-CuO 2 eutectic is characterized by increased fragility, a lower resistance of the compound should be expected under cyclic temperature changes. Also, ceramic products metallized by this method cannot be soldered with high-temperature solders in a hydrogen medium due to the reduction of CuO 2 to copper, which leads to a failure of the compound.
Известен способ металлизации керамики, включающий нанесение на керамическую пластину адгезионного слоя, а именно слоя молибден-марганцевого состава, и слоя порошкообразной меди, с последующим одновременным их вжиганием при 800-1100°C [2]. С помощью вжигания обеспечивается расплавление меди и проникновение ее между зернами молибден-марганцевого состава. Медь, образуя с марганцем активный расплав, взаимодействует с керамикой. На поверхности подложки образуется покрытие, прочно сцепленное с керамикой, позволяющее осуществлять пайку различными припоями.A known method of metallization of ceramics, including applying an adhesive layer to a ceramic plate, namely a layer of molybdenum-manganese composition and a layer of powdered copper, followed by their simultaneous burning at 800-1100 ° C [2]. With the help of burning, copper is melted and penetrated between the grains of the molybdenum-manganese composition. Copper, forming an active melt with manganese, interacts with ceramics. A coating is formed on the surface of the substrate that adheres firmly to the ceramics, which allows soldering with various solders.
Основным недостатком данного способа является то, что топологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. Получение топологического рисунка на такой металлизации методом фотолитографического травления связано с существенными трудностями. Прежде всего, очень сложно подобрать раствор для травления, обеспечивающий высокое сопротивление изоляции между электрически изолированными элементами топологического рисунка. Кроме того, требуется разработка фоторезиста, достаточно устойчивого для процесса травления такой металлизации.The main disadvantage of this method is that the topological metallization pattern can be formed only by the method of network printing. Obtaining a topological pattern on such metallization by photolithographic etching is associated with significant difficulties. First of all, it is very difficult to choose an etching solution that provides high insulation resistance between the electrically isolated elements of the topological pattern. In addition, the development of a photoresist that is sufficiently stable for the etching process of such metallization is required.
Наиболее близким техническим решением является способ металлизации керамики [3], в котором на керамическую пластину сверху и снизу наносят адгезионный слой на основе молибдена и марганца и проводят его вжигание при температуре 1320-1350°C, затем методом холодного газодинамического напыления наносят слой порошкообразной меди, после чего проводят отжиг при температуре 900-1100°C, кроме того, дополнительно устанавливают пластины медной фольги толщиной 100-700 мкм, прижимают их под давлением 0,7-1,6 кгс/мм2 и проводят термообработку в вакууме или водороде при температуре 850-1000°C. Слои металлизации наносят с заранее сформированным топологическим рисунком. The closest technical solution is the method of metallization of ceramics [3], in which an adhesive layer based on molybdenum and manganese is applied to the ceramic plate from above and below and it is burned at a temperature of 1320-1350 ° C, then a layer of powdered copper is applied by cold gas-dynamic spraying, then annealing is carried out at a temperature of 900-1100 ° C, furthermore, the plate is additionally installed copper foil of thickness 100-700 microns, pressed under a pressure of 0.7-1.6 kgf / mm 2 and heat-treated in vacuum or hydrogen at a temperature of 850-1000 ° C. Metallization layers are applied with a preformed topological pattern.
Основным недостатком данного способа является то, что типологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. На металлизированных подложках данным способом невозможно формировать топологический рисунок металлизации методом фотолитографического травления. Кроме того, данный процесс требует приложения большого усилия сдавливания при термообработке. Например, при металлизации подложек стандартного размера 48×60 мм усилие составит от 2 до 5 тонн. Такое сдавливание сложно обеспечить в вакуумной или водородной печи. Кроме того, такое сдавливание может привести к появлению трещин на пластине.The main disadvantage of this method is that the typological pattern of metallization can be formed only by the method of network printing. It is impossible to form a topological metallization pattern on metallized substrates using the photolithographic etching method. In addition, this process requires the application of a large compressive force during heat treatment. For example, when metallizing substrates of a standard size of 48 × 60 mm, the force will be from 2 to 5 tons. Such compression is difficult to provide in a vacuum or hydrogen furnace. In addition, such compression may cause cracks in the plate.
Технический результат, обеспечиваемый изобретением, достигается тем, что в способе металлизации керамики, включающем нанесение на поверхности керамической пластин адгезионного слоя и слоя меди, прижим к слою меди пластин медной фольги и последующую термообработку в среде вакуума, адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C. Термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2.The technical result provided by the invention is achieved by the fact that in the ceramic metallization method, including applying an adhesive layer and a copper layer to the surface of ceramic plates, pressing copper foil plates to a copper layer and subsequent heat treatment in a vacuum environment, the adhesive layer is formed by vacuum deposition in the form of a titanium system - copper with a layer thickness of 0.1-0.5 μm, a copper layer 5-15 μm thick and a silver layer 3-12 μm thick are subsequently galvanically deposited onto the adhesive layer, then to a silver-coated surface m is pressed against the plate of the copper foil and heat-treated at a temperature of 800-850 ° C. Heat treatment is carried out under a pressure of 0.1-0.5 kgf / mm 2 .
Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.No technical solutions containing features similar to the distinctive ones have been identified, which allows us to draw conclusions about the conformity of the claimed technical solutions with the novelty criterion.
Металлизированная медью подложка из алюмонитридной керамики, допускающая высокотемпературную пайку в среде водорода, допускающая формирование топологического рисунка металлизации фотолитографическим травлением при существенном снижении прижимающего давления в процессе термообработки, получена благодаря тому, что адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C. Термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2. Осажденный в вакууме адгезионный слой, состоящий из титана толщиной 0,1-0,5 мкм и осажденной на него меди толщиной 0,1-0,5 мкм, обеспечивает высокую адгезию к керамике из нитрида алюминия и возможность последующего гальванического осаждения меди. Прижим с давлением 0,1-0,5 кгс/мм2 достаточен для получения годных металлизированных подложек.A copper metallized substrate made of aluminitride ceramic, allowing high-temperature brazing in a hydrogen medium, allowing the formation of a topological metallization pattern by photolithographic etching with a significant reduction in the pressing pressure during heat treatment, was obtained due to the fact that the adhesive layer is formed by vacuum deposition in the form of a titanium-copper system with a layer thickness of 0 , 1-0.5 microns, a copper layer 5-15 microns thick and a silver layer 3-12 microns thick, subsequently galvanically deposited on the adhesive layer, then copper foil plates are pressed onto the silver-coated surfaces and heat treated at a temperature of 800-850 ° C. Heat treatment is carried out under a pressure of 0.1-0.5 kgf / mm 2 . The vacuum-deposited adhesive layer, consisting of titanium with a thickness of 0.1-0.5 microns and copper deposited on it with a thickness of 0.1-0.5 microns, provides high adhesion to ceramic made of aluminum nitride and the possibility of subsequent galvanic deposition of copper. The clamp with a pressure of 0.1-0.5 kgf / mm 2 is sufficient to obtain suitable metallized substrates.
В процессе термообработки при температуре 800-850°C между покрытым серебром гальваническим слоем меди и медной фольгой образуется припой на основе серебра, поскольку температура эвтектики, содержащей 72% серебра и 28% меди, равна 778°C. Таким образом, пластина из медной фольги присоединяется к гальванически осажденному слою меди посредством высокотемпературной пайки. При этом часть меди как со стороны гальванически осажденного слоя, так и со стороны медной фольги переходит в припой. Толщина гальванического слоя меди при этом должна быть достаточной, чтобы не произошел полный переход этого слоя в припой, что приведет к присоединению медной фольги к подложке из нитрида алюминия активной пайкой (активный металл - титан). При активной пайке будет сформирован переходный слой между алюмонитридной керамикой и медью, представляющий собой сложный сплав меди, серебра и титана, который при фотолитографическом травлении не удается полностью удалить. Между электрически изолированными элементами топологического рисунка будут оставаться металлические включения, снижающие электрическое сопротивление электроизолирующих зазоров и приводящие к их заращиванию при последующих химических покрытиях конструкционных элементов из металлизированной алюмонитридной керамики в составе приборов.During heat treatment at a temperature of 800-850 ° C, silver-based solder is formed between the silver-plated copper plating layer and the copper foil, since the temperature of the eutectic containing 72% silver and 28% copper is 778 ° C. Thus, a copper foil plate is attached to a galvanically deposited copper layer by high temperature brazing. In this case, part of the copper, both from the side of the galvanically deposited layer and from the side of the copper foil, goes into solder. The thickness of the galvanic layer of copper should be sufficient so that there is no complete transition of this layer to solder, which will lead to the attachment of the copper foil to the substrate of aluminum nitride by active soldering (active metal - titanium). With active soldering, a transition layer will be formed between the aluminitride ceramic and copper, which is a complex alloy of copper, silver and titanium, which cannot be completely removed during photolithographic etching. Between the electrically isolated elements of the topological pattern there will remain metal inclusions, which reduce the electrical resistance of the electrically insulating gaps and lead to their overgrowing during subsequent chemical coatings of structural elements made of metallized aluminitride ceramic in the composition of the devices.
Толщина гальванически осажденного слоя меди, равная 5 мкм, является достаточной даже при толщине слоя серебра, равной 12 мкм, так как в припой перейдет не более 7 мкм, учитывая равный переход меди в припой также и со стороны медной фольги. Увеличение гальванического слоя меди более 15 мкм может привести к отрыву слоя меди при термообработке из-за большого рассогласования по тепловому расширению меди и алюмонитридной керамики.A thickness of a galvanically deposited copper layer of 5 μm is sufficient even with a silver layer thickness of 12 μm, since no more than 7 μm will go into the solder, given the equal transition of copper into the solder from the side of the copper foil. An increase in the galvanic layer of copper more than 15 μm can lead to separation of the copper layer during heat treatment due to the large mismatch in the thermal expansion of copper and aluminitride ceramics.
Термообработку необходимо проводить в вакууме, так как в водороде происходит гидрирование титана, что приведет к нарушению адгезии покрытия к керамике.Heat treatment must be carried out in vacuum, since titanium is hydrogenated in hydrogen, which will lead to a violation of the adhesion of the coating to ceramics.
При термообработке достаточным является прижимающее давление, равное 0,1-0,5 кгс/мм2, присоединение фольги происходит не за счет диффузионной сварки, а за счет пайки припоем. При толщине слоя серебра 12 мкм достаточным может быть давление, равное 0,1 кгс/мм2, а при толщине слоя серебра 3 мкм целесообразно проводить процесс при большем давлении, так как при этом образуется довольно тонкий слой припоя.During heat treatment, a pressing pressure of 0.1-0.5 kgf / mm 2 is sufficient; the foil is attached not by diffusion welding, but by soldering with solder. With a silver layer thickness of 12 μm, a pressure of 0.1 kgf / mm 2 may be sufficient, and with a silver layer thickness of 3 μm, it is advisable to carry out the process at a higher pressure, since a rather thin solder layer is formed.
При толщине серебра менее 3 мкм может не хватить образующегося при термообработке слоя припоя для сплошной припайки фольги к гальванически осажденному слою меди.With a silver thickness of less than 3 μm, a layer of solder formed during heat treatment may not be sufficient for continuous brazing of the foil to a galvanically deposited copper layer.
При толщине серебра более 12 мкм может произойти активная припайка меди к подложке из нитрида алюминия, что приведет к образованию переходного слоя между алюмонитридной керамикой и медью, который при фотолитографическом травлении не удается полностью удалить, а между электрически изолированными элементами топологического рисунка будут оставаться металлические включения, снижающие электрическое сопротивление электроизолирующих зазоров и приводящие к их заращиванию при последующих химических покрытиях конструкционных элементов из металлизированной алюмонитридной керамики в составе приборов.With a silver thickness of more than 12 μm, active soldering of copper to an aluminum nitride substrate can occur, which will lead to the formation of a transition layer between the aluminitride ceramic and copper, which cannot be completely removed during photolithographic etching, and metal inclusions will remain between the electrically isolated elements of the topological pattern, reducing the electrical resistance of electrical insulating gaps and leading to their overgrowing during subsequent chemical coatings of structural elements from etallizirovannoy alyumonitridnoy ceramics as part of the instrument.
Для обеспечения гарантированного образования припоя серебро-медь и его достаточной смачивающей способности, термообработку следует проводить при температуре не ниже 800°C, превышающей температуру образования эвтектики серебро-медь на 22°C. Повышение температуры термообработки более 850°C может привести к образованию припоя, сильно отличающегося от эвтектического состава, который содержит большее количество меди, что может привести к расплавлению адгезионного слоя и к появлению вздутий на поверхности присоединенной фольги.To ensure guaranteed formation of silver-copper solder and its sufficient wetting ability, heat treatment should be carried out at a temperature not lower than 800 ° C, which exceeds the silver-copper eutectic formation temperature by 22 ° C. Raising the heat treatment temperature of more than 850 ° C can lead to the formation of solder, which is very different from the eutectic composition, which contains a larger amount of copper, which can lead to melting of the adhesive layer and to the appearance of blisters on the surface of the attached foil.
Для проведения испытаний были изготовлены опытные образцы металлизированных подложек из алюмонитридной керамики.For testing, prototypes of metallized substrates from aluminitride ceramics were made.
Процессы металлизации проводили на подложках из алюмонитридной керамики с размерами 48×60 мм при толщине 1 мм. Присоединяли медную фольгу толщиной 0,1 мм, 0,3 мм и 0,5 мм при давлениях прижима (P).Metallization processes were carried out on aluminitride ceramic substrates with dimensions 48 × 60 mm and a thickness of 1 mm. A copper foil with a thickness of 0.1 mm, 0.3 mm and 0.5 mm was attached at pressure pressures (P).
На полученных образцах были замерены величины электрического сопротивления (R) зазоров шириной 0,3 мм и длиной 18 мм между электроизолированными участками металлизации. Топологический рисунок был сформирован фотолитографическим травлением в растворе для травления меди серебра и титана по фоторезисту ФП-25. Для дополнительной проверки качества полученных электроизолирующих зазоров металлизированные поверхности покрывали никелем в растворе химического никелирования. Такой процесс, как правило, проводят после сборки корпусов силовых модулей с теплоотводящими платами, имеющими сформированный топологический рисунок металлизации. Кроме того, учитывая, что сборку изделий с конструктивными элементами из металлизированной алюмонитридной керамики проводят, как правило, пайкой припоем ПСр 72 при температуре примерно 820°C в водороде, металлизированные подложки нагревали до 820°C в водороде без прижима. Такая операция проводилась для проверки металлизации на вспучивание. Результаты испытаний приведены в таблице.On the obtained samples, the electrical resistance values (R) of the gaps with a width of 0.3 mm and a length of 18 mm between the electrically insulated metallization sections were measured. The topological pattern was formed by photolithographic etching in a solution for etching silver and titanium copper using the FP-25 photoresist. To further check the quality of the obtained insulating gaps, metallized surfaces were coated with nickel in a chemical nickel plating solution. Such a process, as a rule, is carried out after assembling the cases of power modules with heat sink boards having a formed topological metallization pattern. In addition, given that the assembly of products with structural elements of metallized aluminitride ceramic is usually carried out by soldering with PSR 72 solder at a temperature of about 820 ° C in hydrogen, the metallized substrates were heated to 820 ° C in hydrogen without pressure. Such an operation was carried out to check for metallization for expansion. The test results are shown in the table.
На металлизированных подложках, изготовленных в соответствии с предложенным техническим решением, после нагрева до 820°C в водороде вспучивания металлизации не наблюдалось. Как видно из таблицы, образцы, изготовленные в соответствии с предложенным техническим решением, пригодны для использования в качестве теплоотводящих элементов и плат для мощных транзисторов, силовой электроники и иных изделий, где необходим эффективный отвод тепла и способность электропроводящих элементов выдерживать большие токовые нагрузки.On metallized substrates made in accordance with the proposed technical solution, after heating to 820 ° C, no metallization swelling was observed in hydrogen. As can be seen from the table, the samples made in accordance with the proposed technical solution are suitable for use as heat sink elements and circuit boards for high-power transistors, power electronics, and other products where efficient heat dissipation and the ability of electrically conductive elements to withstand high current loads are required.
Источники информации Information sources
1. Юрген Шульц-Хардер. Медно-керамические подложки - основа современной силовой электроники. Новые возможности технологии DBC, перспективы и проблемы создания нового поколения изделий силовой электроники. Компоненты и технологии, 2005, №3.1. Jürgen Schulz-Harder. Copper-ceramic substrates are the basis of modern power electronics. New features of DBC technology, prospects and problems of creating a new generation of power electronics products. Components and Technologies, 2005, No. 3.
2. Авторское свидетельство СССР №564293, МКИ C04B 41/14, заявл. 27.12.71, опубл. 05.07.77.2. USSR author's certificate No. 564293, MKI C04B 41/14, decl. 12/27/71, publ. 07/05/77.
3. Патент РФ №2490237, заявл. 12.08.2011, опубл. 20.08.2013.3. RF patent No. 2490237, application. 08/12/2011, publ. 08/20/2013.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014115444/02A RU2558323C1 (en) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Method of metallisation of substrate from aluminium-nitride ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014115444/02A RU2558323C1 (en) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Method of metallisation of substrate from aluminium-nitride ceramics |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2558323C1 true RU2558323C1 (en) | 2015-07-27 |
Family
ID=53762799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014115444/02A RU2558323C1 (en) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Method of metallisation of substrate from aluminium-nitride ceramics |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2558323C1 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2704149C1 (en) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Method of making boards based on aluminum nitride with transition holes |
| RU193413U1 (en) * | 2019-05-17 | 2019-10-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Ceramic Power Module Board |
| RU2724291C1 (en) * | 2019-10-31 | 2020-06-22 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization |
| RU201795U1 (en) * | 2020-07-23 | 2021-01-13 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | ELECTRIC CONDUCTIVE COATING |
| RU2748182C1 (en) * | 2020-07-23 | 2021-05-20 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | Electric conductive coating |
| RU220113U1 (en) * | 2023-03-15 | 2023-08-25 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Metallized ceramic substrate for semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU564293A1 (en) * | 1971-12-27 | 1977-07-05 | Предприятие П/Я В-2604 | Method for ceramics plating |
| WO2004059027A2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ionic Fusion Corporation | Ionic plasma deposition of anti-microbial surfaces and the anti-microbial surfaces resulting therefrom |
| RU2490237C2 (en) * | 2011-08-12 | 2013-08-20 | Холдинговая компания "Новосибирский Электровакуумный Завод-Союз" в форме открытого акционерного общества | Metalised ceramic substrate for electronic power packs and method of ceramics metalisation |
-
2014
- 2014-04-18 RU RU2014115444/02A patent/RU2558323C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU564293A1 (en) * | 1971-12-27 | 1977-07-05 | Предприятие П/Я В-2604 | Method for ceramics plating |
| WO2004059027A2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ionic Fusion Corporation | Ionic plasma deposition of anti-microbial surfaces and the anti-microbial surfaces resulting therefrom |
| RU2490237C2 (en) * | 2011-08-12 | 2013-08-20 | Холдинговая компания "Новосибирский Электровакуумный Завод-Союз" в форме открытого акционерного общества | Metalised ceramic substrate for electronic power packs and method of ceramics metalisation |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2704149C1 (en) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Method of making boards based on aluminum nitride with transition holes |
| RU193413U1 (en) * | 2019-05-17 | 2019-10-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Ceramic Power Module Board |
| RU2724291C1 (en) * | 2019-10-31 | 2020-06-22 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization |
| RU201795U1 (en) * | 2020-07-23 | 2021-01-13 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | ELECTRIC CONDUCTIVE COATING |
| RU2748182C1 (en) * | 2020-07-23 | 2021-05-20 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | Electric conductive coating |
| RU220113U1 (en) * | 2023-03-15 | 2023-08-25 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Metallized ceramic substrate for semiconductor device |
| RU2819952C1 (en) * | 2023-05-31 | 2024-05-28 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Method of metalizing ceramic substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2558323C1 (en) | Method of metallisation of substrate from aluminium-nitride ceramics | |
| WO2015164593A1 (en) | Metal core printed circuit board with insulation layer | |
| JP2007201346A (en) | Ceramics circuit board and its manufacturing method | |
| CN105887149B (en) | A kind of metallized ceramic electro-plating method | |
| JPH0525199B2 (en) | ||
| WO2010017327A1 (en) | A microheat exchanger for laser diode cooling | |
| CN101483217A (en) | LED high heat conduction ceramic copper coating heat radiation circuit board | |
| US20080292874A1 (en) | Sintered power semiconductor substrate and method of producing the substrate | |
| TWI512150B (en) | Preparation of copper - clad copper - clad copper clad copper | |
| WO2018225809A1 (en) | Ceramic circuit substrate | |
| RU2490237C2 (en) | Metalised ceramic substrate for electronic power packs and method of ceramics metalisation | |
| CN112752414A (en) | Composite layer aluminum nitride ceramic circuit board | |
| US11037862B2 (en) | Method for electrically contacting a component by galvanic connection of an open-pored contact piece, and corresponding component module | |
| JP5069485B2 (en) | Metal base circuit board | |
| CN108200716A (en) | Ceramic PCB manufacturing process based on graphene material | |
| RU2704149C1 (en) | Method of making boards based on aluminum nitride with transition holes | |
| TWI636716B (en) | Process to produce multiple plane metalization on a ceramic substrate | |
| CN107785470B (en) | UV-LED auxiliary frame ceramic substrate and manufacturing method thereof | |
| CN111885852A (en) | Preparation method of ceramic copper-clad plate | |
| RU2819952C1 (en) | Method of metalizing ceramic substrates | |
| RU2405229C2 (en) | Solid-state device package | |
| RU220113U1 (en) | Metallized ceramic substrate for semiconductor device | |
| CN114364134B (en) | Substrate with PIN structure and manufacturing method thereof | |
| RU2803667C1 (en) | Method for manufacturing ceramic boards for microwave monolithic integrated circuits | |
| JP2000154081A (en) | Ceramic parts and their production |