RU2534442C1 - Method for manufacture of powerful shf transistor - Google Patents

Method for manufacture of powerful shf transistor Download PDF

Info

Publication number
RU2534442C1
RU2534442C1 RU2013130424/28A RU2013130424A RU2534442C1 RU 2534442 C1 RU2534442 C1 RU 2534442C1 RU 2013130424/28 A RU2013130424/28 A RU 2013130424/28A RU 2013130424 A RU2013130424 A RU 2013130424A RU 2534442 C1 RU2534442 C1 RU 2534442C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
transistor
polycrystalline diamond
pedestal
layers
Prior art date
Application number
RU2013130424/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Грачик Хачатурович Аветисян
Алексей Сергеевич Адонин
Юрий Владимирович Колковский
Виктор Алексеевич Курмачев
Вадим Минхатович Миннебаев
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"
Priority to RU2013130424/28A priority Critical patent/RU2534442C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2534442C1 publication Critical patent/RU2534442C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: method for manufacture of powerful SHF transistor includes application of a solder layer to the flange, shaping of pedestal, application of a sublayer fixing the transistor crystal to the pedestal, formation of p-type conductivity oriented at the plane (111) at the base substrate of single-crystalline silicon and auxiliary epitaxial layers, application of the basic layer and buffer layer for growing of epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-gap III-nitrides, application of heat conductive layer of CVD polycrystalline diamond to the basic layer, removal of the basic substrate with auxiliary epitaxial layers up to the basic layer, growing of heteroepitaxial structure based on wide-gap III-nitrides on the basic layer and formation of the source, gate and drain. The heat conductive layer of CVD polycrystalline diamond is used as a pedestal; nickel is implanted to its surficial region and annealed. Before formation of the source, gate and drain an additional layer of insulating polycrystalline diamond and additional layers of hafnium dioxide and aluminium oxide are deposited on top of the transistor crystal; the total thickness of the above layers is 1.0-4.0 nm.
EFFECT: invention allows increased heat removal from the active part of SHF-transistor and minimisation of gate current losses.
6 cl, 4 dwg

Description

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (HEMT), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (HBT), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие.The invention relates to the field of semiconductor technology and can be used in the manufacture of devices such as, for example, heterojunction field effect transistors (HEMT), bipolar transistors (BJT), heterobipolar transistors (HBT), p-i-n diodes, Schottky barrier diodes and many others.

Из уровня техники известен способ изготовления полупроводникового прибора, в котором слои ГЭС наносятся эпитаксиальными методами, такими как метод химического осаждения из паров металлоорганических соединений (MOCVD), метод молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE), метод гидридной эпитаксии из паровой фазы (HVPE) и другими. В отличие от традиционных полупроводниковых материалов широкозонные III-нитриды имеют гексагональный тип кристаллической решетки и их получают в виде тонких гетероэпитаксиальных структур на подложках, имеющих гексагональный тип решетки. Для этой цели, как правило, используют подложки из сапфира (Al2O3), карбида кремния (SiC), объемного нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN), псевдообъемного GaN, подложки из кремния с ориентацией по плоскости (111) (Si(111)), а также заготовки GaN (или AlN) на подложке, служить которой может одна из вышеперечисленных (см. Compound Semiconductor. October 2004, 27-31).The prior art method for the manufacture of a semiconductor device in which layers of HES are applied by epitaxial methods, such as the method of chemical vapor deposition of organometallic compounds (MOCVD), the method of molecular beam epitaxy (MBE), the method of hydride vapor-phase epitaxy (HVPE) and others . Unlike traditional semiconductor materials, wide-gap III-nitrides have a hexagonal type of crystal lattice and are obtained in the form of thin heteroepitaxial structures on substrates having a hexagonal type of lattice. For this purpose, as a rule, substrates of sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), bulk aluminum nitride (AlN) or gallium nitride (GaN), pseudovolume GaN, a silicon substrate with a (111) plane orientation are used (Si (111)), as well as GaN (or AlN) preforms on a substrate, one of which can serve (see Compound Semiconductor. October 2004, 27-31).

Недостатками известного способа являются низкая эффективность полупроводниковых приборов, высокая деградация, обусловленные низким теплоотводом от его активной части.The disadvantages of this method are the low efficiency of semiconductor devices, high degradation due to the low heat sink from its active part.

Кроме того, из уровня техники известен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий выращивание на базовой подложке поликристаллического алмаза, эпитаксиальных вспомогательных слоев и эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов. На поверхности базовой подложки формируют вспомогательные эпитаксиальные слои, один из которых является базовым для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов. На вспомогательных эпитаксиальных слоях выращивают поликристаллический алмаз, а после выращивания алмаза базовую подложку удаляют вместе со вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, на котором выращивают эпитаксиальную структуру полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов (см. патент РФ №2368031, опубл. 20.09.2009).In addition, a method for manufacturing a semiconductor device is known from the prior art, comprising growing on a base substrate a polycrystalline diamond, epitaxial auxiliary layers and an epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-gap III-nitrides. Auxiliary epitaxial layers are formed on the surface of the base substrate, one of which is basic for growing the epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-band III-nitrides. Polycrystalline diamond is grown on auxiliary epitaxial layers, and after growing diamond, the base substrate is removed together with auxiliary epitaxial layers to the base layer, on which the epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-band III-nitrides is grown (see RF patent No. 2368031, publ. September 20, 2009 )

Недостатками известного способа также являются достаточна быстрая и высокая деградация полупроводникового прибора, обусловленная низким теплоотводом.The disadvantages of this method are also sufficiently fast and high degradation of the semiconductor device due to the low heat sink.

Задачей настоящего изобретения является устранение вышеуказанных недостатков.The objective of the present invention is to remedy the above disadvantages.

Технический результат заключается в увеличении теплоотвода от активной части СВЧ-транзистора и минимизации утечки тока затвора.The technical result consists in increasing the heat sink from the active part of the microwave transistor and minimizing the leakage of the gate current.

Технический результат обеспечивается тем, что способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из монокристаллического кремния p-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), вспомогательных эпитаксиальных слоев, нанесение базового слоя и буферного слоя для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, нанесение на базовый слой теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза, удаление базовой подложки вместе со вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, наращивание на базовом слое гетероэпитаксиальной структуры на основе широкозонных III-нитридов и формирование истока, затвора и стока. В качестве пьедестала используют теплопроводящий слой CVD поликристаллического алмаза, в приповерхностную область которого имплантируют никель и отжигают. Перед формированием стока, затвора и истока поверх кристалла транзистора последовательно осаждают дополнительный слой из изолирующего поликристаллического алмаза и дополнительные барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия, с суммарной толщиной 1,0-4,0 нм.The technical result is ensured by the fact that the method of manufacturing a high-power microwave transistor involves applying a solder layer to the flange, forming a pedestal, applying a sublayer that secures the transistor's crystal to the pedestal, forming p-type conductivity oriented on a (111) plane on single-crystal silicon auxiliary epitaxial layers, applying a base layer and a buffer layer for growing the epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-band III-nit readings, applying polycrystalline diamond to the base CVD heat-conducting CVD layer, removing the base substrate together with auxiliary epitaxial layers to the base layer, building up a heteroepitaxial structure on the base layer based on wide-band III-nitrides and forming the source, gate and drain. As a pedestal, a thermally conductive CVD layer of polycrystalline diamond is used, in the surface region of which nickel is implanted and annealed. Before the runoff, gate, and source are formed on top of the transistor crystal, an additional layer of insulating polycrystalline diamond and additional barrier layers of hafnium dioxide and alumina, with a total thickness of 1.0-4.0 nm, are sequentially deposited.

В соответствии с частными случаями выполнения изобретение имеет следующие особенности.In accordance with particular cases, the invention has the following features.

Буферный слой выполняют из AlN или из HfN.The buffer layer is made of AlN or HfN.

Базовый слой выполняют из твердого раствора AlxGa1-xN, где 0≤x≤1.The base layer is made of a solid solution Al x Ga 1-x N, where 0≤x≤1.

На базовом слое наращивают гетероэпитаксиальную структуру в виде слоев из нелегированного GaN, из твердого раствора AlGaN, из твердого раствора AlGaN n+типа проводимости и из твердого раствора AlGaN.A heteroepitaxial structure is grown on the base layer in the form of layers of undoped GaN, from AlGaN solid solution, from AlGaN n + solid solution of the conductivity type and from AlGaN solid solution.

Покрывают пьедестал подслоем из сплава AuGe.Cover the pedestal with an AuGe alloy sublayer.

Сущность настоящего изобретения поясняется следующими иллюстрациями:The essence of the present invention is illustrated by the following illustrations:

фиг.1-4 - отображает последовательность изготовления многослойной эпитаксиальной структуры.figure 1-4 - displays the sequence of manufacturing a multilayer epitaxial structure.

На поверхности базовой подложки 1 из монокристаллического кремния p-типа, ориентированного по плоскости (III), осаждают эпитаксиальные слои 2 (фиг.1), по крайней мере, базовый слой 3 (фиг.2) из которых предназначен для выращивания эпитаксиальной структуры III-нитридов. В качестве базового слоя 3, на котором выращивают поликристаллический алмаз 4, либо на одном из вспомогательных эпитаксиальных слоев, расположенных над слоем 3. После выращивания поликристаллического алмаза базовую подложку 1, например из кремния, удаляют широко известными методами мокрого и сухого травления вместе с эпитаксиальными слоями до базового слоя 3 (фиг.3), на котором выращивают эпитаксиальную структуру 5 III-нитридов (фиг.4).On the surface of the base substrate 1 of p-type monocrystalline silicon oriented along the plane (III), epitaxial layers 2 are deposited (FIG. 1), at least the base layer 3 (FIG. 2) of which is intended for growing the III- epitaxial structure nitrides. As the base layer 3, on which polycrystalline diamond 4 is grown, or on one of the auxiliary epitaxial layers located above layer 3. After growing the polycrystalline diamond, the base substrate 1, for example, from silicon, is removed by widely known methods of wet and dry etching together with epitaxial layers to the base layer 3 (FIG. 3), on which the epitaxial structure of 5 III-nitrides is grown (FIG. 4).

Мощный СВЧ-транзистор изготавливают следующим образом.Powerful microwave transistor is made as follows.

На фланце марки МД-40 толщиной 1600 мкм наносят слой припоя из AuSn толщиной 25 мкм, на который запаивают пьедестал из теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза толщиной около 0,15 мкм. Поверх слоя поликристаллического алмаза после имплантации в его приповерхностную область никеля и последующего отжига осаждают подслой состава AuGe, толщиной ~25 мкм, который в дальнейшем служит основой для укрепления кристалла транзистора к пьедесталу из CVD поликристаллического алмаза. В качестве базовой подложки используют монокристаллический кремний p-типа проводимости, ориентированный по плоскости (111). На поверхности базовой подложки с эпитаксиальным слоем из AlN толщиной 0,1 мкм наращивают базовый слой из твердого раствора AlxGa1-xN, где 0≤x≤1, поверх которого осаждается теплопроводящий слой CVD поликристаллического алмаза толщиной ≥0,15 мм. После осаждения слоя CVD поликристаллического алмаза на базовый слой базовую подложку из кремния удаляют широко известными методами мокрого и сухого травления, а в свободную поверхность слоя CVD поликристаллического алмаза подготавливают для крепления кристалла транзистора к пьедесталу, имплантируют в приповерхностную область слоя поликристаллического алмаза никель и проводят отжиг. В дальнейшем на базовый слой наращивают буферный слой AlN (в другом частном случае выполнения - HfN). Сверху буферного слоя последовательно наращивают многослойные гетероэпитаксиальные слои III-нитридов, состоящие из нелегированного буферного слоя GaN, твердого раствора AlGaN (спейс), твердого раствора AlGaN n+типа проводимости, слоя твердого раствора AlGaN (крыша). On the MD-40 brand flange with a thickness of 1600 μm, a 25 μm thick AuSn solder layer is applied, onto which a pedestal from a heat-conducting CVD layer of polycrystalline diamond with a thickness of about 0.15 μm is sealed. After implantation of nickel into its surface region of nickel and subsequent annealing, a sublayer of AuGe composition, ~ 25 μm thick, is deposited on top of the polycrystalline diamond layer, which subsequently serves as the basis for strengthening the transistor crystal to a CVD pedestal of polycrystalline diamond. P-type single crystal silicon, oriented along the (111) plane, is used as the base substrate. On the surface of the base substrate with an AlN epitaxial layer of 0.1 μm thickness, a base layer of Al x Ga 1-x N solid solution is grown, where 0≤x≤1, over which a thermally conductive CVD layer of polycrystalline diamond with a thickness of ≥0.15 mm is deposited. After the CVD layer of polycrystalline diamond is deposited on the base layer, the silicon base substrate is removed by the well-known wet and dry etching methods, and in the free surface of the CVD layer of polycrystalline diamond, they are prepared to attach the transistor crystal to the pedestal, they are implanted in the surface region of the polycrystalline diamond layer and nickel is applied from. Subsequently, an AlN buffer layer (in another particular embodiment, HfN) is built up on the base layer. On top of the buffer layer, multilayer heteroepitaxial layers of III-nitrides are successively grown, consisting of an undoped GaN buffer layer, AlGaN solid solution (space), AlGaN n + solid solution of the conductivity type, AlGaN solid solution layer (roof).

После изготовления в области расположения истока и стока низкоомных подконтактных участков n+типа проводимости поверх кристалла транзистора осаждают слой изолирующего поликристаллического алмаза. Удаляют слой изолирующего поликристаллического алмаза с участка будущего расположения затвора, осаждают дополнительные барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия. Барьерные слои имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм. В области будущего затвора эти слои располагаются непосредственно на поверхности твердого раствора AlGaN. После вытравливания окон в слое изолирующего поликристаллического алмаза и в дополнительных барьерных слоях над подконтактными слоями формируют исток, затвор, сток, омические контакты к истоку, к стоку и кристалл СВЧ-транзистора соединяют с пьедесталом.After manufacturing in the region of the source and drain location of low-resistance nontact type contact regions of the n + type, a layer of insulating polycrystalline diamond is deposited on top of the transistor crystal. The layer of insulating polycrystalline diamond is removed from the site of the future gate location, additional barrier layers of hafnium dioxide and alumina are deposited. The barrier layers have a total thickness of 1.0-4.0 nm. In the region of the future shutter, these layers are located directly on the surface of the AlGaN solid solution. After etching the windows in the layer of insulating polycrystalline diamond and in additional barrier layers above the contact layers, a source, a gate, a drain, ohmic contacts to the source, to the drain, and the microwave transistor crystal are connected to the pedestal.

В настоящем способе изготовления транзистора применяется технология сглаживания поверхности слоя CVD поликристаллического алмаза до состояния, пригодного для технологии термоприсоединения слоев при дальнейшем изготовлении приборов, методом имплантации никеля в приповерхностную область слоя CVD поликристаллического алмаза с последующим отжигом.In the present method of manufacturing a transistor, the technology of smoothing the surface of the CVD layer of polycrystalline diamond is applied to a state suitable for the technology of thermal bonding of the layers in the further manufacture of devices by nickel implantation in the surface region of the CVD layer of polycrystalline diamond, followed by annealing.

Достоинством настоящего способа является то, что все слои в структурах получены с использованием хорошо известных эпитаксиальных методов и не требуются специальные технологии обработки и/или способы присоединения слоев. Полупроводниковая структура оказывается сформированной практически как на поверхности подложки большой конструкционной толщины, так и на поверхности кристалла и в качестве пьедестала транзистора - из высокотеплопроводного поликристаллического алмаза. Исключается необходимость в проведении трудоемкой операции полировки поверхности слоя CVD поликристаллического алмаза до состояния, пригодного для технологии термоприсоединения слоев при дальнейшем изготовлении приборов.The advantage of this method is that all layers in the structures are obtained using well-known epitaxial methods and do not require special processing technologies and / or methods for attaching layers. The semiconductor structure is formed almost both on the surface of the substrate of large structural thickness, and on the surface of the crystal and, as a transistor pedestal, from high-conductivity polycrystalline diamond. Eliminates the need for a time-consuming operation of polishing the surface of the CVD layer of polycrystalline diamond to a state suitable for the technology of thermal bonding of layers in the further manufacture of devices.

Использование технического решения обеспечивает дополнительный отвод тепла и снижение утечек тока в кристалле СВЧ-транзистора через дополнительные слои теплопроводящего поликристаллического алмаза и двуокиси гафния и оксида алюминия, нанесенные на поверхность кристалла между истоком, затвором и стоком мощного СВЧ GaN транзистора. Такое выполнение уменьшает тепловое сопротивление транзисторной структуры более чем 1.5 раза и существенно снижает утечки тока затвора.The use of a technical solution provides additional heat removal and reduction of current leakage in the crystal of a microwave transistor through additional layers of heat-conducting polycrystalline diamond and hafnium dioxide and aluminum oxide deposited on the crystal surface between the source, gate and drain of a high-power microwave GaN transistor. This embodiment reduces the thermal resistance of the transistor structure by more than 1.5 times and significantly reduces the leakage current of the gate.

Использование дополнительного слоя теплопроводящего поликристаллического алмаза на поверхности кристалла транзистора между истоком, затвором и стоком СВЧ-транзистора увеличивает пробивное напряжение транзистора более 30%. Это также обеспечивается изготовлением под затвором (на поверхности твердого раствора AlGaN n-типа проводимости) дополнительных барьерных слоев из двуокиси гафния и оксида алюминия (маска), которые существенно снижают утечки тока.The use of an additional layer of thermally conductive polycrystalline diamond on the transistor's crystal surface between the source, gate and drain of the microwave transistor increases the breakdown voltage of the transistor by more than 30%. This is also ensured by the production of additional barrier layers of hafnium dioxide and alumina (mask) under the gate (on the surface of an AlGaN solid solution of n-type conductivity), which significantly reduce current leakage.

Claims (6)

1. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора, включающий нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из монокристаллического кремния p-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), вспомогательных эпитаксиальных слоев, нанесение базового слоя и буферного слоя для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, нанесение на базовый слой теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза, удаление базовой подложки вместе со вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, наращивание на базовом слое гетероэпитаксиальной структуры на основе широкозонных III-нитридов и формирование истока, затвора и стока, отличающийся тем, что в качестве пьедестала используют теплопроводящий слой CVD поликристаллического алмаза, в приповерхностную область которого имплантируют никель и отжигают, а перед формированием стока, затвора и истока поверх кристалла транзистора последовательно осаждают дополнительный слой из изолирующего поликристаллического алмаза и дополнительные барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия, с суммарной толщиной 1,0-4,0 нм.1. A method of manufacturing a high-power microwave transistor, including applying a solder layer to the flange, forming a pedestal, applying a sublayer that secures the transistor's crystal to the pedestal, forming auxiliary epitaxial conductivity of p-type monocrystalline silicon oriented along the (111) plane layers, applying a base layer and a buffer layer for growing the epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-band III-nitrides, applying heat conductors to the base layer CVD polycrystalline diamond, removing the base substrate together with auxiliary epitaxial layers to the base layer, building up a heteroepitaxial structure on the base layer based on wide-band III-nitrides and forming a source, gate and drain, characterized in that the heat-conducting CVD layer of polycrystalline diamond is used as a pedestal , in the surface region of which nickel is implanted and annealed, and before the formation of the drain, gate and source on top of the transistor crystal, press an additional layer of insulating polycrystalline diamond and additional barrier layers of hafnium dioxide and alumina, with a total thickness of 1.0-4.0 nm. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполняют из AlN.2. The method according to claim 1, characterized in that the buffer layer is made of AlN. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполняют из HfN.3. The method according to claim 1, characterized in that the buffer layer is made of HfN. 4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что базовый слой выполняют из твердого раствора AlxGa1-xN, где 0≤x≤1.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the base layer is made of a solid solution Al x Ga 1-x N, where 0≤x≤1. 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что на базовом слое наращивают гетероэпитаксиальную структуру в виде слоев из нелегированного GaN, из твердого раствора AlGaN, из твердого раствора AlGaN n+типа проводимости и из твердого раствора AlGaN.5. The method according to claim 4, characterized in that the heteroepitaxial structure is increased on the base layer in the form of layers of undoped GaN, from AlGaN solid solution, from AlGaN n + solid solution of the conductivity type and from AlGaN solid solution. 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что покрывают пьедестал подслоем из сплава AuGe. 6. The method according to claim 1, characterized in that the pedestal is coated with an AuGe alloy sublayer.
RU2013130424/28A 2013-07-04 2013-07-04 Method for manufacture of powerful shf transistor RU2534442C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013130424/28A RU2534442C1 (en) 2013-07-04 2013-07-04 Method for manufacture of powerful shf transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013130424/28A RU2534442C1 (en) 2013-07-04 2013-07-04 Method for manufacture of powerful shf transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2534442C1 true RU2534442C1 (en) 2014-11-27

Family

ID=53383054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013130424/28A RU2534442C1 (en) 2013-07-04 2013-07-04 Method for manufacture of powerful shf transistor

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2534442C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2668635C1 (en) * 2017-12-26 2018-10-02 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor
WO2022019799A1 (en) 2020-07-24 2022-01-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Вандер Технолоджис" Heteroepitaxial structure with a diamond heat sink
RU2787550C1 (en) * 2022-04-21 2023-01-10 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" им. А.И. Шокина"(АО "НПП "Исток" им. Шокина") Method for manufacturing a high-power microwave field-effect transistor based on a semiconductor heterostructure based on gallium nitride

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2272090C2 (en) * 2000-03-13 2006-03-20 Кри, Инк. Boule of the iii-v groups element nitride used for production of substrates and the method of its manufacture and application
US7033912B2 (en) * 2004-01-22 2006-04-25 Cree, Inc. Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods
RU2368031C1 (en) * 2008-04-01 2009-09-20 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" Method for manufacturing of semiconductor device
RU129299U1 (en) * 2012-12-25 2013-06-20 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" POWERFUL MICROWAVE TRANSISTOR

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2272090C2 (en) * 2000-03-13 2006-03-20 Кри, Инк. Boule of the iii-v groups element nitride used for production of substrates and the method of its manufacture and application
US7033912B2 (en) * 2004-01-22 2006-04-25 Cree, Inc. Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods
US7579626B2 (en) * 2004-01-22 2009-08-25 Cree, Inc. Silicon carbide layer on diamond substrate for supporting group III nitride heterostructure device
RU2368031C1 (en) * 2008-04-01 2009-09-20 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" Method for manufacturing of semiconductor device
RU129299U1 (en) * 2012-12-25 2013-06-20 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" POWERFUL MICROWAVE TRANSISTOR

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2668635C1 (en) * 2017-12-26 2018-10-02 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor
WO2022019799A1 (en) 2020-07-24 2022-01-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Вандер Технолоджис" Heteroepitaxial structure with a diamond heat sink
RU2787550C1 (en) * 2022-04-21 2023-01-10 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" им. А.И. Шокина"(АО "НПП "Исток" им. Шокина") Method for manufacturing a high-power microwave field-effect transistor based on a semiconductor heterostructure based on gallium nitride

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI732925B (en) Electronic power devices integrated with an engineered substrate
JP5355888B2 (en) Method for fabricating a nitride-based transistor having a cap layer and a buried gate
KR101123459B1 (en) Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US8698162B2 (en) Gallium nitride based semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US20090078943A1 (en) Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101933230B1 (en) Semiconductor device, hemt device, and method of manufacturing semiconductor device
US9466481B2 (en) Electronic device and epitaxial multilayer wafer of group III nitride semiconductor having specified dislocation density, oxygen/electron concentration, and active layer thickness
KR20150091706A (en) Nitride semiconductor and method thereof
US20120168771A1 (en) Semiconductor element, hemt element, and method of manufacturing semiconductor element
TWI797814B (en) Semiconductor structure and manufacturing method thereof
WO2022041674A1 (en) Low thermal resistance gallium nitride on silicon microwave/millimeter wave device material structure and preparation method
RU2534442C1 (en) Method for manufacture of powerful shf transistor
KR20140112272A (en) High Electron Mobility Transistor and method of manufacturing the same
CN104465403A (en) Enhanced AlGaN/GaN HEMT device preparation method
KR101871712B1 (en) Nitride-based heterojunction semiconductor device and method for the same
RU2368031C1 (en) Method for manufacturing of semiconductor device
KR20150000753A (en) Nitride semiconductor and method thereof
CN108831932B (en) Transverse MIS-Schottky mixed anode diode of gallium nitride
CN116053306A (en) Gallium nitride-based high electron mobility transistor device and preparation method thereof
CN105448977A (en) High electron mobility transistor and fabrication method thereof
CN213212169U (en) Epitaxial structure of semiconductor device and semiconductor device
KR20150012119A (en) Nitride semiconductor and method thereof
RU2507634C1 (en) Semiconductor device and method of its manufacturing
KR20120060303A (en) Method for manufacturing nitride semiconductor device and the same manufactured thereof
CN104733510A (en) Semi-insulating GaN extension structure