RU2529417C1 - Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов - Google Patents

Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2529417C1
RU2529417C1 RU2013147833/07A RU2013147833A RU2529417C1 RU 2529417 C1 RU2529417 C1 RU 2529417C1 RU 2013147833/07 A RU2013147833/07 A RU 2013147833/07A RU 2013147833 A RU2013147833 A RU 2013147833A RU 2529417 C1 RU2529417 C1 RU 2529417C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
probe
waveguide
dielectric
plane
diaphragm
Prior art date
Application number
RU2013147833/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Александрович Усанов
Сергей Сергеевич Горбатов
Владимир Юрьевич Кваско
Алексей Владимирович Фадеев
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского"
Priority to RU2013147833/07A priority Critical patent/RU2529417C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2529417C1 publication Critical patent/RU2529417C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано для измерения электрофизических параметров материалов. Технический результат заключается в повышении разрешающей способности до порядка 1 микрометра, а также повышении чувствительности до уровня, достаточного для определения параметров материалов с диэлектрической проницаемостью в диапазоне 1.5÷400 и проводимостью в диапазоне 2·10-2-1·м-1÷107 Ом-1·м-1.Заявленное устройство содержит СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим измерительное устройство с волноводной резонансной системой в качестве оконечного устройства, причем оконечное устройство содержит емкостную металлическую диафрагму, согласно решению на емкостную металлическую диафрагму наложен плоскопараллельный образец диэлектрика с площадью, равной площади фланца волновода, а на образец диэлектрика наложен зонд в виде металлической проволоки с длиной от 12 до 20 мм и диаметром от 0,1 до 0,5 мм с заостренным концом, изогнутым под прямым углом, отрезок зонда большей длины расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, отрезок зонда с заостренным концом меньшей длины перпендикулярен плоскости образца диэлектрика, при этом толщина плоскопараллельного образца диэлектрика t выбрана из условия t ε λ в
Figure 00000001
, где λв - длина волны основного типа в волноводе, ε - диэлектрическая проницаемость пластины. 3 ил., 1 прим.
.

Description

зобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано как самостоятельно для измерения электрофизических параметров материалов (совместно с генератором СВЧ и измерителем КСВН), так и в составе более сложных функциональных устройств: комплексных измерительных систем, комплексных систем по производству и контролю параметров материалов, автоматизированных измерительных, производственных и производственно-измерительных комплексов и т.д.
Известно устройство на основе коаксиального зонда, представляющее собой разомкнутый на конце, коаксиальный кабель с выступающим за пределы коаксиала внутренним проводником (Устройство для измерения диэлектрической проницаемости материалов / Д.А. Усанов, А.Ю. Вагарин, А.А. Безменов // А.С. 1114979, СССР. Заявлено 22.06.82. Опубл. 07.08.84. Бюл. №35).
Однако данное устройство обладает недостаточно высокой чувствительностью для использования в микро- и наноэлектронике.
Известно близкое по принципу действия устройство на основе коаксиальной линии, представляющее собой резонансный, разомкнутый на конце, коаксиальный кабель с выступающим за пределы коаксиала внутренним проводником, подключенный через разделительный конденсатор и ответвитель к СВЧ-генератору. Измерения производятся при поднесении к разомкнутому концу коаксиального кабеля образца в широком диапазоне значений диэлектрической проницаемости (1-230) (S.M. Anlage, D.E. Steinhauer, B.J. Feenstra, C.P. Vlahacos, V.C. Welstood. Near-Field Microwave Microscopy of Material properties // Microwave Superconductivity. - Amsterdam. - 2001. - P.239-269). Контролируемый прижим внутреннего проводника обеспечивал пространственное разрешение порядка 1 мкм.
Однако данное устройство в бесконтактном режиме обеспечивает пространственное разрешение не более 30 мкм, что также ограничивает сферу его применения.
Известно близкое по принципу действия к предлагаемому решению устройство на основе коаксиальной линии, совмещенное с туннельным микроскопом. Оно представляет собой резонансный, разомкнутый на конце, коаксиальный кабель с выступающим за пределы коаксиала внутренним проводником, подключенный через разделительный конденсатор и ответвитель к СВЧ-генератору, совмещенный с туннельным микроскопом, позволяющим точно контролировать расстояние между зондом и исследуемым материалом, обеспечивающее разрешение по высоте 2,5 нм. Такое разрешение достигнуто при работе генератора на частоте из диапазона 7-11 ГГц (A. Imtiaz, S. Anlage. A novel Microwave Frequeny Scanning Capacitance Microscope // Ultramicroscopy. - 2003. - V.94 - Issues 3-4. - P.209-216).
Однако данное устройство не позволяет осуществлять контроль в широком диапазоне значений проводимости образцов полупроводниковых материалов вследствие низкой добротности резонансной системы и требует контроля расстояния между зондом и исследуемым материалом с точностью до 2.5 нм.
Известно близкое по конструктивному исполнению к предлагаемому решению устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ. В ближнеполевом СВЧ-микроскопе, предложенном авторами (M. Golosovsky, D. Davidov. Novel millimeter-wave neareld resistivity microscope. - Appl. Phys. Lett.1996.- т.68, v.11 - p.p.1579-1581), роль резонатора выполняла резонансная диафрагма, устанавливаемая на конце прямоугольного волновода и перекрывающее его поперечное сечение. Отверстие в диафрагме представляло собой узкую щель шириной b и длиной а, вырезанную в тонкой проводящей пластине вдоль ее широкой стороны. Следует отметить, что нагруженная добротность такой резонансной диафрагмы может быть существенно меньше 100.
Однако данное устройство вследствие низкой локальности неспособно различать участки исследуемого образца с размерами менее 30 микрометров, что недостаточно для использования в микро- и наноэлектронике.
Известно близкое по принципу действия к предлагаемому решению устройство для измерения параметров материала, предложенное авторами (Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско // Пат. РФ №2373545, - №2009122332/19; Заявлено 03.06.09. Опубл. 20.11.09. Бюл. №32). Устройство представляет собой прямоугольный волновод с введенным штырем, установленным в центральной части на одной из широких стенок волновода параллельно короткозамыкателю с зазором между ним и другой широкой стенкой. Короткозамыкатель имеет на поверхности, обращенной внутрь волновода, полукруглую выемку, по всей его ширине параллельную штырю, и отверстие, расположенное в выемке, в котором коаксиально расположен зонд в виде иглы, с помощью петли связи гальванически соединенный с короткозамыкателем, выступающим за пределы волновода.
Однако данная система вследствие недостаточной добротности резонатора обладает невысокой чувствительностью измерений в широком диапазоне значений диэлектрической проницаемости и проводимости.
Наиболее близким по конструктивному исполнению к заявляемому решению является устройство для измерения электрофизических параметров материалов на СВЧ в ближнеполевом СВЧ-микроскопе, предложенном авторами (Резонансное ближнеполевое устройство для СВЧ-микроскопа/Д.А. Усанов, С.С. Горбатов//Пат.РФ №2417379, №2009142478/28; Заявлено 19.11.09. Опубл. 27.04.11. Бюл. №12.). Резонансное ближнеполевое устройство СВЧ-микроскопа содержит СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим измерительное устройство, отличающееся тем, что в него введена в качестве оконечного устройства волноводная резонансная система, содержащая входную индуктивную и выходную емкостную диафрагмы, и два прямоугольных выступа между диафрагмами, гальванически соединенных с выходной емкостной диафрагмой, установленных в центральной части на широких стенках волновода параллельно поперечному сечению волновода, при этом расстояние между диафрагмами выбрано из условия возникновения резонанса и составляет величину, много меньшую длины волны.
Однако данное устройство обладает недостаточно высокой чувствительностью, не позволяющей разрешать объекты с локальностью менее 10 мкм.
Задача настоящего изобретения заключается в получении информации о топологии структур с локальностью порядка 1 микрометра и менее, с одновременным измерением параметров материала (диэлектрической проницаемости в диапазоне 1.5÷400, проводимости в диапазоне 2·10-2-1·м-1÷107 Ом-1·м-1).
Технический результат заключается в повышении разрешающей способности до порядка 1 микрометра, а также повышении чувствительности до уровня, достаточного для определения параметров материалов с диэлектрической проницаемостью в диапазоне 1.5÷400 и проводимостью в диапазоне 2·10-2-1·м-1÷107 Ом-1·м-1.
Указанный технический результат достигается тем, что устройство для ближнеполевого СВЧ-контроля параметров материалов содержит СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим измерительное устройство с волноводной резонансной системой в качестве оконечного устройства, причем оконечное устройство содержит емкостную металлическую диафрагму, согласно решению на емкостную металлическую диафрагму наложен плоскопараллельный образец диэлектрика с площадью, равной площади фланца волновода, а на образец диэлектрика наложен зонд в виде металлической проволоки с длиной от 12 до 20 мм и диаметром от 0,1 до 0,5 мм с заостренным концом, изогнутым под прямым углом, отрезок зонда большей длины расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, отрезок зонда с заостренным концом меньшей длины перпендикулярен плоскости образца диэлектрика, при этом толщина плоскопараллельного образца диэлектрика t выбрана из условия t ε λ в
Figure 00000001
, где λв - длина волны основного типа в волноводе, ε - диэлектрическая проницаемость пластины.
Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 и 2 приведено изображение предлагаемого устройства для измерения параметров материалов, на фиг.3 приведена зависимость отраженного сигнала от исследуемой встречно-штыревой периодической структуры в предлагаемом решении. Позициями на чертежах обозначены:
1 - волновод;
2 - металлическая диафрагма;
3 - плоскопараллельный образец диэлектрика;
4 - зонд;
5 - щель;
а - размер широкой стенки волновода;
b - размер узкой стенки волновода;
m - толщина диафрагмы 2;
t - толщина диэлектрика 3;
f - длина щели,
g - ширина щели 5.
Заявляемое устройство представляет собой прямоугольный волновод 1 с подключенным к нему СВЧ-генератором (не показано), измерительное устройство (не показано). Устройство содержит металлическую диафрагму 2, установленную на конце прямоугольного волновода и перекрывающую его поперечное сечение. Отверстие в диафрагме представляет собой узкую щель шириной g и длиной f, вырезанную в проводящей пластине вдоль ее широкой стороны. С внешней стороны на диафрагму наложен плоскопараллельный образец диэлектрика 3 с площадью, равной площади фланца волновода, и толщиной t, значительно меньшей длины волны. Толщина образца диэлектрика может изменяться в пределах от 10 мкм до 500 мкм. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика 2-9.8. Электрическая длина диэлектрика должна быть намного меньше длины волны основного типа λв, чтобы обеспечить эффективное возбуждение зонда полем излучения диафрагмы, что соответствует выполнению условия t ε λ в
Figure 00000001
. На поверхности диэлектрической пластины закреплен металлический зонд 4, расположенный напротив середины щели 5 в диафрагме, перпендикулярно ей. Зонд представляет собой отрезок проволоки диаметром от 0.1 до 1.5 мм, состоящий из двух участков разной длины, изогнутых под прямым углом друг к другу. Общая длина отрезка проволоки составляет от 12 мм до 20 мм. Длинная часть отрезка проволоки расположена в плоскости диэлектрика перпендикулярно щели в диафрагме. Короткая часть отрезка изогнутой проволоки перпендикулярна плоскости диафрагмы и имеет заостренный конец. Зонд не имеет гальванического контакта с диафрагмой. В такой системе можно ожидать более высокой степени локальности, чем в прототипе, поскольку она определяется заостренным концом проволоки. Размер острия составляет 100 нм и менее. Экспериментально установлено, что наилучшая локальность составляет ≈2 нм.
Резонансные свойства проявляются за счет взаимодействия емкостной щели и зонда, причем вследствие высокой концентрации СВЧ поля, создаваемой металлической диафрагмой, плоскопараллельным образцом диэлектрика и зондом, достигается высокая добротность такой системы, а следовательно, высокая чувствительность к изменению характеристик близко расположенного к зонду образца.
Устройство работает следующим образом. СВЧ сигнал от генератора поступает в волновод 1. Происходит взаимодействие в волноводе 1 СВЧ сигнала с металлической диафрагмой 2. В результате возникает ближнее поле, приводящее к возникновению резонанса. Ближнее поле через отверстие в металлической диафрагме и диэлектрик 3 взаимодействует с зондом 4. Ближнее поле, локализованное вблизи зонда, взаимодействует с образцом, который располагается вблизи зонда. В измерительное устройство поступает отраженный сигнал, и проводятся измерения частоты резонанса, добротности и коэффициента отражения. В данном измерительном устройстве, благодаря взаимодействию ближнего поля вблизи зонда с измеряемым образцом при незначительном расстоянии между образцом и зондом (несколько десятков мкм или контакт без усилия) возникает перестройка резонансной картины, выражающаяся в изменении частоты резонанса, его добротности и величины коэффициента отражения на частоте резонанса в зависимости от величины диэлектрической проницаемости, проводимости исследуемого слоя. Данные измерений сравниваются с калибровочными кривыми, в результате чего делается вывод обо всех вышеперечисленных величинах.
На фиг.3 приведены данные о топологии фрагмента встречно-штыревой структуры (фоновое изображение) с локальностью порядка менее 1 микрометра. В этом случае зонд устанавливался на расстоянии 2 мкм от исследуемой структуры. Установка зонда и контроль его положения при движении осуществлялось при помощи длиннофокусного оптического микрометрического объектива. На фиг.3 поверх фотоизображения тестовой структуры приведена экспериментальная зависимость частоты резонанса системы от смещения измерительного зонда вдоль оси х. Образец перемещался относительно зонда с помощью микрометрического винта. Видно, что при изменении местоположения зонда происходит изменение резонансной частоты, что позволяет судить о разрешении металлических элементов исследуемой структуры с шириной менее 1 мкм. Значения резонансной частоты при прохождении зонда над неметаллизированной частью встречно-штыревой структуры были различными в зависимости от наличия или отсутствия на ней следов не удаленного фоторезиста.
Пример практической реализации устройства.
Разрабатывалось устройство в трехсантиметровом диапазоне длин волн со следующими параметрами:
Рабочий диапазон генератора, ГГц 8-12
Резонансная частота, ГГц 8,488
Коэффициент отражения при отсутствии образцов 0,012
Добротность системы при отсутствии образцов 9500
Добротность системы при измерении образцов
(нагруженная добротность) 9500
Таким образом, использование системы из плоскопараллельного образца диэлектрика и металлической диафрагмы позволяет получить разрешение менее 1 мкм и обеспечить измерение диэлектрической проницаемости в диапазоне 1.5÷400 и проводимости в диапазоне 2·10-2-1·м-1÷107 Ом-1·м-1, что значительно превышает разрешение устройства-прототипа.
Чувствительность системы при изменении размеров длинной части зонда от 17 мм до 9 мм при постоянной короткой части, равной 3 мм, толщина диэлектрика 500 мкм, угол наклона зонда 90°.
Размер длинной части зонда, мм Диэлектрическая проницаемость Чувствительность по частоте, кГц/(ε+Δε)
17 4.8 470
16 4.7 620
15 4.6 810
14 4.5 1120
13 4.4 970
12 4.3 1030
11 4.2 1090
Чувствительность системы при изменении размеров короткой части зонда от 9 мм до 3 мм при постоянной длинной части, равной 14 мм, толщина диэлектрика 500 мкм, угол наклона зонда 90°.
Размер короткой части зонда, мм Диэлектрическая проницаемость Чувствительность по частоте, кГц/(ε+Δε)
9 4.8 410
8 4.7 530
7 4.6 340
6 4.5 1160
5 4.4 370
4 4.3 290
3 4.2 1120
Чувствительность системы при изменении угла наклона зонда от 0 до 90, размер короткой части зонда 3 мм, длинной части - 14 мм, толщина диэлектрика 500 мкм.
Угол наклона зонда, градусы Диэлектрическая проницаемость Чувствительность по частоте, кГц/(ε+Δε)
0 4.8 100
15 4.7 220
30 4.6 150
45 4.5 1010
60 4.4 510
75 4.3 1370
90 4.2 1120
Чувствительность системы при изменении толщины диэлектрика, размер короткой части зонда 3 мм, длинной части - 14 мм, угол наклона зонда 90°.
Толщина диэлектрика, мкм Диэлектрическая проницаемость Чувствительность по частоте, кГц/(ε+Δε)
15 4.8 150
30 4.7 190
45 4.6 650
60 4.5 780
75 4.4 1070
90 4.3 1100
105 4.2 1060
500 4.8 1120
1500 4.7 140
Чувствительность системы при изменении диэлектрической проницаемости диэлектрика, размер короткой части зонда 3 мм, длинной части - 14 мм, угол наклона зонда 90°, толщина плоскопараллельного образца диэлектрика между зондом и металлической диафрагмой 90 мкм.
Диэлектрическая проницаемость Чувствительность по частоте, кГц
2.1 150
9.8 190
16 650
60 780
70 700
90 600
400 1060
Чувствительность системы при изменении проводимости в диапазоне 2·10-2-1·м-1÷107 Ом-1·м-1, размер короткой части зонда 3 мм, длинной части - 14 мм, угол наклона зонда 90°, толщина плоскопараллельного образца диэлектрика между зондом и металлической диафрагмой 90 мкм.
Проводимость, Ом-1·м-1 Чувствительность по частоте, кГц
2·102 150
104 190
105 650
107 180
Приведенные таблицы позволяют оценить чувствительность системы при различных параметрах плоскопараллельного диэлектрического образца, металлической диафрагмы и зонда с длиной от 12 до 20 мм в виде металлической проволоки с диаметром от 0,1 до 0,5 мм с заостренным концом, изогнутой под прямым углом. Отрезок зонда большей длины расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, отрезок зонда с заостренным концом меньшей длины перпендикулярен плоскости широкой стенки волновода.

Claims (1)

  1. Устройство для ближнеполевого СВЧ-контроля параметров материалов, содержащее СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим измерительное устройство с волноводной резонансной системой в качестве оконечного устройства, причем оконечное устройство содержит емкостную металлическую диафрагму, отличающееся тем, что на емкостную металлическую диафрагму наложен плоскопараллельный образец диэлектрика с площадью, равной площади фланца волновода, а на образец диэлектрика наложен зонд в виде металлической проволоки с длиной от 12 до 20 мм и диаметром от 0,1 до 0,5 мм с заостренным концом, изогнутым под прямым углом, отрезок зонда большей длины расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, отрезок зонда с заостренным концом меньшей длины перпендикулярен плоскости образца диэлектрика, при этом толщина плоскопараллельного образца диэлектрика t выбрана из условия t ε λ в
    Figure 00000001
    , где λв - длина волны основного типа в волноводе, ε - диэлектрическая проницаемость пластины.
RU2013147833/07A 2013-10-25 2013-10-25 Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов RU2529417C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013147833/07A RU2529417C1 (ru) 2013-10-25 2013-10-25 Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013147833/07A RU2529417C1 (ru) 2013-10-25 2013-10-25 Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2529417C1 true RU2529417C1 (ru) 2014-09-27

Family

ID=51656684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013147833/07A RU2529417C1 (ru) 2013-10-25 2013-10-25 Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2529417C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU170734U1 (ru) * 2016-11-25 2017-05-04 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) Резонаторное устройство измерения модуля и фазы коэффициента отражения листовых материалов

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1114979A1 (ru) * 1982-06-22 1984-09-23 Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.Н.Г.Чернышевского Устройство дл измерени диэлектрической проницаемости материалов
RU2373545C1 (ru) * 2008-06-03 2009-11-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" Устройство для измерения параметров материалов
RU2417379C1 (ru) * 2009-11-19 2011-04-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" Резонансное ближнеполевое устройство для свч микроскопа
RU2430383C1 (ru) * 2010-02-09 2011-09-27 ООО Научно-производственная фирма "ЭЛЕКТРОН" Устройство для измерения электрофизических параметров полупроводников бесконтактным свч методом
JP2012220495A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 General Electric Co <Ge> 媒体中に混入した物質の存在を判定する際に用いる装置および方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1114979A1 (ru) * 1982-06-22 1984-09-23 Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.Н.Г.Чернышевского Устройство дл измерени диэлектрической проницаемости материалов
RU2373545C1 (ru) * 2008-06-03 2009-11-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" Устройство для измерения параметров материалов
RU2417379C1 (ru) * 2009-11-19 2011-04-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" Резонансное ближнеполевое устройство для свч микроскопа
RU2430383C1 (ru) * 2010-02-09 2011-09-27 ООО Научно-производственная фирма "ЭЛЕКТРОН" Устройство для измерения электрофизических параметров полупроводников бесконтактным свч методом
JP2012220495A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 General Electric Co <Ge> 媒体中に混入した物質の存在を判定する際に用いる装置および方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU170734U1 (ru) * 2016-11-25 2017-05-04 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) Резонаторное устройство измерения модуля и фазы коэффициента отражения листовых материалов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3198263B1 (en) A biosensor with integrated antenna and measurement method for biosensing applications
Gao et al. Quantitative microwave near-field microscopy of dielectric properties
Sheen Study of microwave dielectric properties measurements by various resonance techniques
US7285963B2 (en) Method and system for measurement of dielectric constant of thin films using a near field microwave probe
US3400331A (en) Gaging device including a probe having a plurality of concentric and coextensive electrodes
US6532806B1 (en) Scanning evanescent electro-magnetic microscope
US11079339B2 (en) Biosensor with integrated antenna and measurement method for biosensing applications
Bagci et al. Dual-band measurement of complex permittivity in a microwave waveguide with a flexible, thin and sensitive metamaterial-based sensor
Albishi et al. Surface crack detection in metallic materials using sensitive microwave-based sensors
RU2529417C1 (ru) Резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов
Al-Mudhafar et al. High-precise microwave active antenna sensor (MAAS) formulated for sensing liquid properties
US5874832A (en) Precise high resolution non-contact method to measure dielectric homogeneity
CN111141796A (zh) 微波电容传感器及被测物介电特性和绝对位置的测量方法
Gregory et al. A near-field scanning microwave microscope for measurement of the permittivity and loss of high-loss materials
RU2534728C1 (ru) Устройство для определения параметров металлодиэлектрических структур
RU2417379C1 (ru) Резонансное ближнеполевое устройство для свч микроскопа
Haddadi et al. Combined scanning microwave and electron microscopy: A novel toolbox for hybrid nanoscale material analysis
JPH11166952A (ja) 誘電体材料の高周波特性測定方法
Costa et al. Dielectric permittivity measurement technique based on waveguide FSS filters
JP2003509696A (ja) 誘電体誘電率および同調性の定量結像
Usanov et al. Near-field microwave microscopy. Capabilities. Application areas
RU2373545C1 (ru) Устройство для измерения параметров материалов
Haddadi et al. Near-field scanning millimeter-wave microscope combined with a scanning electron microscope
Bahar et al. Dielectric properties measurement based on split ring resonator for microfluidic characterization
Jing et al. A well-designed sensor based on split-ring resonators at microwave frequencies