RU2522591C2 - Способ синтеза монокристаллических селенидов железа - Google Patents

Способ синтеза монокристаллических селенидов железа Download PDF

Info

Publication number
RU2522591C2
RU2522591C2 RU2012129650/05A RU2012129650A RU2522591C2 RU 2522591 C2 RU2522591 C2 RU 2522591C2 RU 2012129650/05 A RU2012129650/05 A RU 2012129650/05A RU 2012129650 A RU2012129650 A RU 2012129650A RU 2522591 C2 RU2522591 C2 RU 2522591C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
temperature
iron
selenium
charge
heating
Prior art date
Application number
RU2012129650/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012129650A (ru
Inventor
Дмитрий Александрович Чареев
Ольга Сергеевна Волкова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ)
Priority to RU2012129650/05A priority Critical patent/RU2522591C2/ru
Publication of RU2012129650A publication Critical patent/RU2012129650A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2522591C2 publication Critical patent/RU2522591C2/ru

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано для лабораторного и промышленного получения монокристаллических материалов. Способ синтеза тетрагонального моноселенида железа включает нагрев герметичной ампулы с размещенной в одном ее конце шихты из селена и железа и заполненной солевым расплавом. Нагрев ампулы осуществляют с градиентом температур от величины 450°C-350°C со стороны размещения шихты до температуры, уменьшенной на 30°C-100°C с противоположной стороны. При этом в качестве солевого расплава используют смеси эвтектического состава, включающие хлорид алюминия. Нагрев осуществляют в течение времени, необходимого для переноса шихты из селена и железа в противоположный конец ампулы. Изобретение позволяет увеличить крупность кристаллов FeSe при уменьшении температуры их синтеза. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 4 пр.

Description

Изобретение относится к неорганической химии, а именно, к технологии создания и обработки кристаллических материалов, которая входит в перечень критических технологий Российской Федерации, а именно к лабораторному и промышленному получению монокристаллических селенидов железа, включая сверхпроводящий тетрагональный FeSe1-x.
Из уровня техники известен синтез Fe-Se из расплавов, когда кристаллы растут при охлаждении собственного расплава (V. Tsurkan, J. Deisenhofer, A. Günther, Ch. Kant, H.-A. Krug von Nidda, F. Schrettle, A. Loidl, European Physical Journal В 79, 2011, 289.) Недостатком метода является высокая температура синтеза, при которой большинство веществ неустойчивы, или имеют дефектную структуру, и/или большое отклонение от равновесных условий, вызванных охлаждением стартовых веществ.
Известен способ синтеза монокристаллических селенидов железа с использованием метода газового транспорта, когда в шихту добавляется небольшое количество транспортного реагента (катализатора), и кристалл растет из газовой фазы в условии градиента температур. (A. Serafin, A.I. Coldea, A.Y. Ganin, M.J. Rosseinsky, K. Prassides, D. Vignolles, and A. Carrington, Phys. Rev. В 82, 104514, 2010).) Однако данный метод также плохо работает для фаз, устойчивых при низкой температуре.
Известен синтез монокристаллов в расплавах олова с растворенным в них Fe и Se при медленном охлаждении. (N. Ni, S.L. Bud′ko, A. Kreyssig, S. Nandi, G.E. Rustan, A.I. Goldman, S. Gupta, J.D. Corbett, A. Kracher, and P.C. Canfield, Phys. Rev. В 78, 014507, 2008.) Недостатком данного метода является сложность отделения олова от продуктов синтеза и постепенное изменение температуры синтеза монокристаллов в процессе роста, которое приводит к постепенному изменению свойств монокристаллов (зональности).
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является способ синтеза монокристаллов в расплавах галоидных солей щелочных металлов с растворенными в них Fe и Se при медленном охлаждении. В качестве среды используют комбинации хлоридов щелочных металлов. (R. Hu, Н. Lei, M. Abeykoon, E.S. Bozin, S.J.L. Billinge, J.B. Warren, T. Siegrist, and C. Petrovic, Phys. Rev. В 83, 224502, 2011.) Недостатком данного метода является постепенное изменение температуры синтеза монокристаллов в процессе роста, которое приводит к постепенному изменению свойств монокристаллов (зональности). Кроме того, большинство хлоридов щелочных металлов кристаллизуется при температурах заведомо выше температур устойчивости селенидов железа, в частности сверхпроводящего FeSe.
Задачей и техническим результатом изобретения являются разработка технологии, обеспечивающей получение более крупных кристаллов FeSe при уменьшении температуры их синтеза.
Поставленная задача решается тем, что в способе синтеза селенидов железа, включающий нагрев герметичной ампулы с размещенной в одном ее конце шихты из селена и железа, и заполненной солевым расплавом, согласно изобретению, нагрев ампулы осуществляют с градиентом температур от величины 450-350°C, со стороны размещения шихты до температуры, уменьшенной на 30-100°C с противоположной стороны, при этом в качестве солевого расплава используют смеси эвтектического состава, включающие хлорид алюминия, а нагрев осуществляют в течении времени, обеспечивающем перенос шихты из селена и железа в противоположный конец ампулы. В качестве солевого расплава может быть использована смесь из хлорида алюминия и хлорида калия в мольном соотношении 1,5-2:1.
Таким образом, технический результат достигается за счет использования нового способа синтеза, включающего создание определенных условий синтеза кристаллов, когда рост происходит в при миграции селена и железа в солевой эвтектике под действием градиента температур от горячего конца к холодному. Температура плавно уменьшается по мере следования от горячего конца ампулы к холодному. При этом данные температуры из интервала значительно ниже температур, которые используются в известных способах. Достигается это за счет использования в качестве транспортной среды легкоплавкого солевого расплава с участием хлорида алюминия.
Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена схема реализации изобретения. Позициями на фигуре обозначены: 1 - монокристаллы селенидов железа, 2 - ампула, 3 - солевой расплав, 4 - печь, 5 - горячий конец ампулы, 6 - холодный конец ампулы, 7 - шихта из железа и селена.
Способ может быть реализован с помощью устройства, представленного на фигуре.
Рост кристаллов 1 происходит в запечатанных ампулах 2, заполненных солевым расплавом 3, в условиях высокотемпературного воздействия. Синтез в ампулах из кварцевого стекла может быть реализован аналогично методу, представленному в источнике информации - Kullerud, G. Experimental techniques in dry sulfide research. In: Ulmer, G.C. (ed.) Research Techniques for High Pressure and High Temperature, Spinger-Verlag, New York, pp.288-315 (1971). Синтез в расправах солей описан у Moh G.H., Taylor L.A., Laboratory techniques in experimental sulfide petrology. Neues Jahrb. Mineral. Monatsch. 1971, No 10, 450-459. Ампулы помещают в печь 4 в горизонтальном положении и создается градиент температур. Рост кристаллов происходит в условиях градиента температур, при этом температура «горячего» конца 5 ампулы, в которой изначально располагают шихту из селена и железа 7, составляет 450-350°C, температура «холодного» конца 6 - на 30-100°C ниже температуры «горячего» конца. В качестве солевого расплава используют смеси эвтектического состава (или близкого к эвтектическому) с обязательным участием хлорида алюминия. Шихта из селена и железа в процессе «градиентного» температурного воздействия (в режиме плавного непрерывного снижения температуры от «холодного» конца ампулы к ее «горячему» концу) постепенно переносится из «горячего» конца ампулы в «холодный» конец из-за понижения растворимости селена и серы в солевом расплаве по мере охлаждения. Время роста кристаллов составляет не менее одного месяца.
Данный способ был опробован при различных температурах:
Пример 1. Ампулы длинной 100 мм, внутренним диаметром 8 мм из кварцевого стекла заполнялись шихтой 1000 мг селена, 700 мг железа и засыпались хлоридом алюминия и хлоридом калия в мольном соотношении 2:1. Ампулы запаивались в вакууме и помещались в трубчатую печь сопротивления ручной работы на температуру 400°C на 3-4 недели. Градиент температуры обеспечивался близостью «холодного» конца ампул к краю печи. Температура холодного конца составляла 350°C. В результате были получены образцы монокристаллов FeSe с размерами не менее 2×2×1 мм с хорошо сформированным габитусом.
Пример 2. Ампулы аналогичного размера с аналогичным заполнением были помещены в аналогичную печь с температурой 457°С в горячем конце и с температурой 400°C с температурой в холодном конце. Синтез продолжался 21 день. В результате были получены образцы размера 1×1×0.5 с плохо сформированным габитусом и, вероятно, обладающие ферромагнитной примесью.
Пример 3. Кварцевые ампулы аналогичного размера с аналогичной Fe/Se шихтой и эвтектической смесью AlCl3/NaCl/KCl были помещены в аналогичную печь с температурой 300°C в горячем конце, и температурой 270°С в холодном конце. Синтез продолжался 45 дней. В результате на холодном конце ампулы были обнаружены только незначительные следы порошка FeSe.
Пример 4. Кварцевые ампулы аналогичного размера с аналогичной Fe/Se шихтой и эвтектической смесью AlCl3/NaCl/KCl/AgCl (использовали смесь из хлорида алюминия, хлорида калия и хлорида натрия в примерном мольном соотношении 1,5-2:1:1.) были помещены в аналогичную печь с температурой 360°C в горячем конце, и температурой 280°C в холодном конце. Синтез продолжался 60 дней. В результате были получены образцы монокристаллов FeSe с размерами не менее 1×1×0.2 мм со сформированным габитусом.
Таким образом, на основании данных экспериментов, был сделан вывод о том, что оптимальный рост кристаллов наблюдается при температуре горячего конца 450-350°C и температуре холодного конца на 30-100 градусов ниже.

Claims (2)

1. Способ синтеза тетрагонального моноселенида железа, включающий нагрев герметичной ампулы с размещенной в одном ее конце шихты из селена и железа и заполненной солевым расплавом, отличающийся тем, что нагрев ампулы осуществляют с градиентом температур от величины 450°C-350°C со стороны размещения шихты до температуры, уменьшенной на 30°C-100°C с противоположной стороны, при этом в качестве солевого расплава используют смеси эвтектического состава, включающие хлорид алюминия, а нагрев осуществляют в течение времени, обеспечивающего перенос шихты из селена и железа в противоположный конец ампулы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве солевого расплава используют смесь из хлорида алюминия и хлорида калия в мольном соотношении (1,5-2):2.
RU2012129650/05A 2012-07-13 2012-07-13 Способ синтеза монокристаллических селенидов железа RU2522591C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012129650/05A RU2522591C2 (ru) 2012-07-13 2012-07-13 Способ синтеза монокристаллических селенидов железа

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012129650/05A RU2522591C2 (ru) 2012-07-13 2012-07-13 Способ синтеза монокристаллических селенидов железа

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012129650A RU2012129650A (ru) 2014-01-20
RU2522591C2 true RU2522591C2 (ru) 2014-07-20

Family

ID=49944987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012129650/05A RU2522591C2 (ru) 2012-07-13 2012-07-13 Способ синтеза монокристаллических селенидов железа

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2522591C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111559915A (zh) * 2019-11-18 2020-08-21 天津科技大学 一种具有高晶粒间连接性石墨烯/FeSe复合材料及制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113178571B (zh) * 2021-03-17 2022-06-24 湖南理工学院 一种层级多孔状Fe3Se4@NC@CNTs复合材料及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU149765A1 (ru) * 1961-09-29 1961-11-30 В.Н. Нестеров Способ извлечени селена из шламов
CN101559931A (zh) * 2009-05-19 2009-10-21 武汉理工大学 硒化亚铁纳米花的制备方法
WO2010140593A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 独立行政法人物質・材料研究機構 鉄系超電導線材とその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU149765A1 (ru) * 1961-09-29 1961-11-30 В.Н. Нестеров Способ извлечени селена из шламов
CN101559931A (zh) * 2009-05-19 2009-10-21 武汉理工大学 硒化亚铁纳米花的制备方法
WO2010140593A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 独立行政法人物質・材料研究機構 鉄系超電導線材とその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R.HU et al., Synthesis, crystal structure, and magnetism of β-Fe 1.00(2) Se 1.00(3) single crystals, Physical Review, В 83, 2011, 224502, p. 1-8. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111559915A (zh) * 2019-11-18 2020-08-21 天津科技大学 一种具有高晶粒间连接性石墨烯/FeSe复合材料及制备方法
CN111559915B (zh) * 2019-11-18 2022-04-19 天津科技大学 一种具有高晶粒间连接性石墨烯/FeSe复合材料及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012129650A (ru) 2014-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Holness et al. Melted rocks under the microscope: microstructures and their interpretation
Dickson et al. The stability relations of cinnabar and metacinnabar
Zhimulev et al. Effect of sulfur concentration on diamond crystallization in the Fe–C–S system at 5.3–5.5 GPa and 1300–1370 C
RU2522591C2 (ru) Способ синтеза монокристаллических селенидов железа
Boyko et al. Promising approaches to crystallization of macromolecules suppressing the convective mass transport to the growing crystal
McFee Foreign ion rejection in the growth of sodium chloride single crystals from the melt
Drebushchak et al. Crystallization of sodium chloride dihydrate (hydrohalite)
Bekker et al. Crystal Growth and Phase Equilibria in the BaB2O4− NaF System
INUZUKA et al. On In2Te3, its preparation and lattice constant
Frazer et al. Cupric oxide inclusions in cuprous oxide crystals grown by the floating zone method
Bockowski et al. GaN crystallization by the high-pressure solution growth method on HVPE bulk seed
Roland Phase relations below 575 degrees C in the system Ag-As-S
RU2538740C2 (ru) Способ синтеза монокристаллических тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных серой и/или селеном
Van Enckevort et al. In situ microscopy of the growth of bismuth germante crystals from high temperature melts
RU2784150C1 (ru) Способ синтеза альфа- и бета-кристаллических модификаций монокристаллического оксоселенида железа
Reddi et al. Phase equilibria, crystallization, thermal and microstructural studies on organic monotectic analog of nonmetal–nonmetal system; urea–4-bromo-2-nitroaniline
GIESS Solubility and Crystal Growth of ZnAl2, O4 and AI2O3 in Molten PbF2 Solutions
Blake Crystal Growth, Evaluation and Handling
Romanyuk et al. Phase equilibria in the quasi-ternary Cu2Se–ZnSe–GeSe2 system
Boedtker et al. Melting of gallium
Hayakawa et al. Drop experiments on crystallization of InGaSb semiconductor
Sakata et al. Thermal properties of molten InSb, GaSb, and InxGa1− xSb alloy semiconductor materials in preparation for crystal growth experiments on the international space station
Hicher et al. Experimental evidence that a high electric field acts as an efficient external parameter during crystalline growth of bulk oxide
Zhu et al. Two-temperature synthesis of non-linear optical compound CdGeAs2
Rzaguliev et al. Phase Equilibria in the Ag 2 Se–Cu 2 SnSe 3 and Ag 8 SnSe 6–Cu 2 SnSe 3 Systems