RU2520943C2 - Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа - Google Patents
Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа Download PDFInfo
- Publication number
- RU2520943C2 RU2520943C2 RU2012144878/28A RU2012144878A RU2520943C2 RU 2520943 C2 RU2520943 C2 RU 2520943C2 RU 2012144878/28 A RU2012144878/28 A RU 2012144878/28A RU 2012144878 A RU2012144878 A RU 2012144878A RU 2520943 C2 RU2520943 C2 RU 2520943C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ratio
- determined
- flat surface
- distance
- nano
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давлений жидких и газообразных агрессивных сред в условиях воздействия широкого диапазона стационарных и нестационарных температур. Устройство содержит корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из мембраны с силопередающим штоком, соединенным с балкой, имеющей отверстия и прорези, на плоской поверхности которой образована гетерогенная структура из тонких пленок материалов, контактной колодки, соединительных проводников. B гетерогенной структуре НиМЭМС сформированы тензорезисторы, которые состоят из идентичных тензоэлементов, соединенных тонкопленочными перемычками, включенными в мостовую измерительную цепь. Тензоэлементы выполнены в форме двух трапеций, соединенных между собой малыми основаниями по линии их центра. При этом размещение тензоэлементов на плоской поверхности балки связано определенными соотношениями. Технический результат заключается в повышении точности и чувствительности датчика. 4 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении датчиков повышенной точности и чувствительности для измерения давлений жидких и газообразных агрессивных сред в условиях воздействия широкого диапазона стационарных и нестационарных температур.
Современные тонкопленочные тензорезисторные датчики давления относятся к изделиям нано- и микросистемной техники [1, 2], они содержат нано- и микроэлектромеханические системы (НиМЭМС), состоящие из упругого элемента (УЭ) простой (мембрана, стержень, балка и т.п.) или сложной формы (две мембраны, соединенные между собой штоком; мембрана, соединенная со стержнем; балка с отверстиями и прорезями и др.), гетерогенной структуры, герметизирующей контактной колодки, соединительных проводников. Гетерогенная структура состоит из нано- и микроразмерных тонкопленочных диэлектрических, тензорезистивных, терморезистивных, контактных и других слоев, сформированных на балке с отверстиями и прорезями. В случае металлической балки высота ее микронеровностей составляет не более 50 - 100 нм. По данным последних исследований толщина тензорезистивного слоя может иметь 40 - 100 нм. Образованные в гетерогенной структуре элементы (тензорезисторы, терморезисторы, контактные проводники и др.) объединяются в измерительную цепь.
Известны тензорезисторные датчики давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с упругим элементом в виде балки, на которой установлены тензорезисторы, объединенные в мостовую измерительную цепь [3, 4]. Их общим недостатком является недостаточно высокая точность и чувствительность вследствие неоптимального расположения тензорезисторов на поверхности балки, конструкции балки.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа, содержащий корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС, состоящую из мембраны с силопередающим штоком, соединенным с балкой, имеющей отверстия и прорези, на плоской поверхности которой образована гетерогенная структура из тонких пленок материалов, контактной колодки, соединительных проводников. В гетерогенной структуре НиМЭМС сформированы тензорезисторы, состоящие из идентичных тензоэлементов, соединенных тонкопленочными перемычками, включенными в мостовую измерительную цепь [5]. Практически одинаковая температура тензорезисторов на балке в каждый момент времени вызывает одинаковые изменения сопротивлений тензорезисторов, которые вследствие включения тензорезисторов в мостовую схему взаимно компенсируются, чем обеспечивается устойчивость к воздействию широкого диапазона стационарных и нестационарных температур.
Недостатком прототипа является недостаточно высокая точность и чувствительность из-за неоптимального расположения тензоэлементов (тензорезисторов) на поверхности балки, конструкции балки. При неоптимальном расположении тензоэлементов на плоской поверхности балки, в зонах с разными по абсолютной величине деформациями, происходит неодинаковое изменение сопротивлений тензоэлементов (тензорезисторов) смежных плеч мостовой измерительной цепи, что приводит к возникновению погрешности от нелинейности мостовой измерительной цепи. Нелинейность измерительной цепи датчика зависит от коэффициента симметрии k и относительных изменений сопротивлений плеч мостовой измерительной цепи ε1, ε2, ε3, ε4 [6].
На фиг.1 показана мостовая измерительная цепь (измерительный мост) с тензорезисторами R1, R2, R3 и R4, которым соответствуют относительные изменения сопротивлений ε1, ε2, ε3, ε4 при воздействии деформаций. Для тензорезисторных датчиков, у которых относительное изменение сопротивления одного плеча обычно не превышает 0,01, при k=1 величина нелинейности составляет ~ 0,3÷0,6%, если рабочими являются два плеча.
Кроме того, к недостаткам известной конструкции (прототипа) следует отнести то, что при расположении тензоэлементов в зонах не, соответствующих максимальным деформациям, снижается чувствительность, так как относительные изменения сопротивлений тензоэлементов пропорциональны относительным деформациям в зонах их размещения.
Таким образом, прототипу свойственна невысокая точность из-за возникновения погрешности от нелинейности мостовой измерительной цепи и относительно низкой чувствительности.
Задачей предлагаемого изобретения является повышение точности датчика давления за счет уменьшения нелинейности и повышения чувствительности.
Техническим результатом изобретения является повышение точности датчика давления за счет уменьшения нелинейности и повышения чувствительности путем оптимального расположения тензоэлементов (тензорезисторов) на плоской поверхности балки НиМЭМС и оптимизации конструкции балки.
Это достигается тем, что в датчике давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа, содержащем корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС) состоящую из мембраны с силопередающим штоком, соединенным с балкой, имеющей отверстия и прорези, на плоской поверхности которой образована гетерогенная структура из тонких пленок материалов, контактной колодки, соединительных проводников, в которой сформированные в гетерогенной структуре тензорезисторы состоят из идентичных тензоэлементов, соединенных тонкопленочными перемычками, включенными в мостовую измерительную цепь, в соответствии с предлагаемым изобретением, тензоэлементы выполнены в форме двух трапеций, соединенных между собой малыми основаниями по линии их центра, при этом центры одних тензоэлементов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи, размещены на плоской поверхности балки на расстоянии l1 от ее середины, которое определено по соотношению l1=0,326l, а центры других тензоэлементов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи, размещены на плоской поверхности балки на расстоянии L2 от ее середины, которое определено по соотношению L2=0,366l, где l - длина балки, причем расстояние от середины балки до первых отверстий определено по соотношению l3=0,183l, а расстояние от середины балки до вторых отверстий определено по соотношению l4=0,364l, ширина балки определена по соотношению h=0,182l, диаметр 1-го отверстия определен по соотношению d1=0,637h, диаметр 2-го отверстия определен по соотношению d2=0,781h, а прорезь шириной l5 выполнена на расстоянии l4 и определена по соотношению l5=0,671d2.
На фиг.2 показана конструкция датчика давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа. Датчик содержит корпус 1 со штуцером 2, установленную в нем НиМЭМС 3 состоящую из мембраны 5 с силопередающим штоком 6, соединенным с балкой 7. Балка 7 (из упругого материала) размещена параллельно диаметру мембраны и закреплена своими краями на дополнительных выступах 8. В балке 7 имеются отверстия 9, 10 и прорези, выполненные по центру отверстий 9.
На фиг.3 показаны: балка 7 (фиг.3а), график зависимости относительной деформации по длине балки (фиг.3б), вид сверху на НиМЭМС 3 датчика (фиг.3в) в разрезе А-А (см. фиг.2).
На плоской поверхности 11 (фиг.3 в) балки 7 (фиг.3 а) образована гетерогенная структура 12 (фиг.3 в) из тонких пленок материалов. НиМЭМС 3 (фиг.2) содержит соединительные проводники 13, идентичные контактные колодки 14 и 15 (фиг.3в). Тензорезисторы 16-19 (см. фиг.4), а также 20-23 (сформированные в гетерогенной структуре 12) состоят из идентичных тензоэлементов, соединенных тонкопленочными перемычками 24, включенными в мостовую измерительную цепь. Тензоэлементы (тензорезисторы) 16-19 и 20-23 выполнены в форме двух трапеций, соединенных между собой малыми основаниями по линии их центра. Центры одних тензоэлементов (тензорезисторов) 16, 17 и 20, 21 (включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи), размещены на плоской поверхности балки 7 на расстоянии l1 от ее середины, которое определено по соотношению l1=0,326·l, а центры других тензоэлементов (тензорезисторов) 18, 19 и 22, 23 (включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи), размещены на плоской поверхности балки 7 на расстоянии l2 от ее середины, которое определено по соотношению l2=0,366·l, где l - длина балки. Расстояние от середины балки до первых отверстий соответствует соотношению l3=0,183l, а расстояние от середины балки до вторых отверстий соответствует соотношению l4=0,364l, ширина балки соответствует соотношению l2=0,182l, диаметр 1-го отверстия соответствует соотношению d1=0,637h, диаметр 2-го отверстия соответствует соотношению d2=0,781h, а прорезь шириной l5 выполнена на расстоянии l4 и соответствует соотношению l5=0,671d2.
Гетерогенная структура 12 может состоять из четырех нано- и микроразмерных слоев, образованных на плоской поверхности балки 7 (в качестве материала балки может быть сталь 36НХТЮ) с высотой микронеровностей не более 50-100 нм (при высоте микронеровностей балки более 100 нм становится принципиально невозможным получение устойчивых тонкопленочных структур, а следовательно, и новых качественных показателей, характерных для датчика).
Первый слой - подслой диэлектрика. Подслой диэлектрика, во-первых, служит демпфером между балкой и диэлектриком для снятия температурных напряжений, возникающих в процессе напыления, а, во-вторых, обеспечивает адгезию диэлектрической пленки с материалом балки. Толщина подслоя равна 150-300 нм. Материалом подслоя диэлектрика может быть хром, Cr.
Второй - диэлектрический слой. Его задачей является обеспечение электрической изоляции между тензосхемой и балкой в широком диапазоне температур. Поэтому к диэлектрику предъявляются жесткие требования по пористости, высокому удельному сопротивлению и, в связи с тем, что он работает при воздействии значительных механических нагрузок, высоким прочностным характеристикам. В качестве диэлектрического слоя может быть тонкопленочная структура SiO-Si02.
Третий - резистивный слой. Его толщина составляет 40…100 нм. К нему предъявляются очень жесткие требования: максимальный коэффициент тензочувствительности; высокие механические характеристики; большое удельное сопротивление; высокая температурная стабильность; хорошая адгезия с диэлектрическим слоем и материалом контактных групп; низкое значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС); широкий рабочий диапазон температур (от криогенных до 300°C); его температурный коэффициент тензочувствительности (ТКТ) должен быть близок к температурному коэффициенту модуля упругости (ТКМУ) материала балки и др. Материалом резистивного слоя может быть Х20Н75Ю.
Четвертый слой - контактная группа (площадки, перемычки, проводники). К нему предъявляются следующие требования: хорошая адгезия и низкое переходное сопротивление с материалом тензорезистора; низкое удельное сопротивление; малый уровень тепловой и электромиграции; хорошая свариваемость с выводными проводниками при минимальной толщине; широкий диапазон рабочих температур; низкий уровень окисления при воздействии рабочих температур и во времени. Толщина контактных площадок и проводников для исключения отслоения от диэлектрика, особенно при воздействии широкого диапазона температур, должна быть не более 100 нм. В качестве контактной группы может быть структура V-Au.
Датчик давления работает следующим образом. Измеряемое давление приводит к перемещению мембраны 5, с ее помощью давление преобразуется в силу, которая передается силопередающим штоком 6 балке 7. Балка 7 изгибается, деформация балки воспринимается сформированными и расположенными на ней тензоэлементами (тензорезисторами) 16-19, а также 20-23 (образующими мостовые измерительные цепи). При действии давления на мембрану 5 (фиг.2) на плоской поверхности балки 7 возникают деформации, распределение которых показано на фиг.3б (показана зависимость относительной деформации ε от текущей координаты х в относительных единицах).
Как видно из фиг.3б, на плоской поверхности балки возникают относительные деформации разного знака, симметрично относительно центра балки. Имеются максимумы и минимумы относительных деформаций. Распределение относительных деформаций по длине балки было получено численным моделированием с применением метода конечных элементов.
При определенных соотношениях параметров балки, отверстий и пазов, указанных выше, обеспечивается равенство по абсолютной величине положительных и отрицательных деформаций в максимумах и минимумах функции, описывающей распределение относительных деформаций по длине балки. Распределение относительных деформаций по длине балки от ее центра хорошо описывается функцией:
где x - текущая координата, изменяющийся от 0,5 до 1;
a,b,c - коэффициенты, приведенные в таблице 1.
Таблица 1 | |||
индекс i | коэффициенты | ||
ai | bi | ci | |
1 | 0,003259 | 0,827 | 0,02213 |
2 | 0,002193 | 0,8072 | 0,03421 |
3 | 0,0016 | 0,8411 | 0,01365 |
4 | 5,578·10-5 | 0,7951 | 0,00373 |
5 | -0,004887 | 0,8296 | 0,06204 |
6 | 0,0002501 | 0,5782 | 0,1308 |
7 | 0,002408 | 0,7994 | 0,05458 |
8 | 0,0002891 | 0,6387 | 0,02995 |
С помощью формулы (1) представляется возможным определять: относительные деформации по длине балки; максимумы и минимумы деформаций; текущие координаты xi мест для расположения i-x тензоэлементов, где относительные деформации равны по абсолютной величине и противоположны по знаку.
Равные по абсолютной величине, положительные деформации воспринимаются тензоэлементами (тензорезисторами) 16, 17 и 20, 21 (фиг.4), а отрицательные - тензоэлементами (тензорезисторами) 18, 19 и 22, 23. Так как тензорезисторы 16, 17 и 18, 19, а также 20, 21 и 22, 23 включены, соответственно, в противоположные плечи мостовых измерительных цепей, то относительные изменения сопротивлений тензорезисторов складываются, что приводит к увеличению чувствительности. Выходной сигнал мостовых измерительных цепей пропорционален давлению и его величина максимальна, так как все тензоэлементы (тензорезисторы) расположены в оптимальных местах (максимумах и минимумах относительных деформаций, причем равных по абсолютной величине).
Предлагаемый датчик давления обладает уменьшенной температурной погрешностью, обусловленной температурными деформациями балки при воздействии нестационарных температур, за счет расположения тензорезисторов в зонах близких по величине температурных деформаций и компенсации влияния температурных деформаций балки в мостовой измерительной цепи.
Благодаря тому, что тензоэлементы (тензорезисторов) 16-19 и 20-23 (фиг.4) выполнены в форме двух трапеций, соединенных между собой малыми основаниями по линии их центра, относительное изменение сопротивлений таких тензоэлементов (тензорезисторов) при воздействии деформаций в большей мере определяется их центральной частью. Именно центральной частью тензоэлементы (тензорезисторы) 16, 17 и 20, 21 размещены в точках максимума положительных деформаций, а центры других тензоэлементов (тензорезисторов) 18, 19 и 22, 23 размещены в точках максимума отрицательных деформаций (см. фиг.3а, б, в). В связи с этим также повышается чувствительность.
Чувствительность НиМЭМС балочного типа повышается еще за счет того, что по центру отверстий 9 в балке 7 (фиг.2) сделаны сквозные прорези со стороны, противоположной плоской поверхности балки. Такие прорези позволяют не только выровнять по абсолютной величине максимумы деформаций противоположного знака на плоской поверхности балки, но и существенно увеличить их значение.
Повышение чувствительности также приводит к повышению точности.
Таким образом, благодаря отличительным признакам изобретения повышается точность за счет улучшения линейности выходной характеристики и повышения чувствительности, тем самым повышается достоверность получаемой информации о величине давления.
Предлагаемый датчик давления выгодно отличается от известных ранее и может найти широкое применение для измерения давлений в условиях воздействия широкого диапазона стационарных и нестационарных температур.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е. Тонкопленочные тензорезисторные датчики давления - изделия нано- и микросистемной техники. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - №. 12. - С.49-51.
2. Белозубов Е.М., Васильев В.А., Громков Н.В. Проблемы и основные направления исследований тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем датчиков давления. // Датчики и системы. - М., 2009 - №8.
3. Васильев В.А. Технологические особенности твердотельных мембранных чувствительных элементов. // Вестник Московского государственного технического университета. Сер. Приборостроение - М., 2002 - №4 -С.97-108.
4. Белозубов Е.М. Патент РФ №2166741, G01L 904. Датчик давления. Опубл. 27.02.2003, Бюл. №6.
5. Белозубов Е.М. Патент РФ №2082125, G01L 904. Датчик давления. Опубл. 27.11.2001, Бюл. №33.
6. Васильев В.А., Тихонов А.И. Анализ и синтез измерительных цепей преобразователей информации на основе твердотельных структур. // Метрология. - М., 2003. - №1. - С.3-20.
Claims (1)
- Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа, содержащий корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из мембраны с силопередающим штоком, соединенным с балкой, имеющей отверстия и прорези, на плоской поверхности которой образована гетерогенная структура из тонких пленок материалов, контактной колодки, соединительных проводников, в которой сформированные в гетерогенной структуре тензорезисторы состоят из идентичных тензоэлементов, соединенных тонкопленочными перемычками, включенными в мостовую измерительную цепь, отличающийся тем, что тензоэлементы выполнены в форме двух трапеций, соединенных между собой малыми основаниями по линии их центра, при этом центры одних тензоэлементов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи, размещены на плоской поверхности балки на расстоянии l1 от ее середины, которое определено по соотношению l1=0,326l, а центры других тензоэлементов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи, размещены на плоской поверхности балки на расстоянии l2 от ее середины, которое определено по соотношению l2=0,366l, где l - длина балки, причем расстояние от середины балки до первых отверстий определено по соотношению l3=0,183l, а расстояние от середины балки до вторых отверстий определено по соотношению l4=0,364l, ширина балки определена по соотношению h=0,182l, диаметр 1-го отверстия определен по соотношению d1=0,637h, диаметр 2-го отверстия определен по соотношению d2=0,781h, а прорезь шириной l5 выполнена на расстоянии l4 и определена по соотношению l5=0,671d2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012144878/28A RU2520943C2 (ru) | 2012-10-22 | 2012-10-22 | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012144878/28A RU2520943C2 (ru) | 2012-10-22 | 2012-10-22 | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012144878A RU2012144878A (ru) | 2014-04-27 |
RU2520943C2 true RU2520943C2 (ru) | 2014-06-27 |
Family
ID=50515272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012144878/28A RU2520943C2 (ru) | 2012-10-22 | 2012-10-22 | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2520943C2 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2082125C1 (ru) * | 1994-04-14 | 1997-06-20 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Датчик давления |
RU2166741C2 (ru) * | 1998-02-12 | 2001-05-10 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Датчик давления |
RU2312319C2 (ru) * | 2006-01-23 | 2007-12-10 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Тонкопленочный датчик давления |
RU2345341C1 (ru) * | 2007-06-19 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт физических измерений | Тонкопленочный датчик давления |
-
2012
- 2012-10-22 RU RU2012144878/28A patent/RU2520943C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2082125C1 (ru) * | 1994-04-14 | 1997-06-20 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Датчик давления |
RU2166741C2 (ru) * | 1998-02-12 | 2001-05-10 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Датчик давления |
RU2312319C2 (ru) * | 2006-01-23 | 2007-12-10 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Тонкопленочный датчик давления |
RU2345341C1 (ru) * | 2007-06-19 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт физических измерений | Тонкопленочный датчик давления |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Васильев В.А. Технологические особенности твердотельных мембранных чувствительных элементов // Вестник Московского государственного технического университета. Сер. Приборостроение - М., 2002, N4, с.97-108. Белозубов Е.М., Васильев В.А., Громков Н.В. Проблемы и основные направления исследований тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем датчиков давления // Датчики и системы - М., 2009, N8, с.54-58 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2012144878A (ru) | 2014-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2398195C1 (ru) | Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе | |
Tran et al. | The development of a new piezoresistive pressure sensor for low pressures | |
Lim et al. | Flexible membrane pressure sensor | |
Sandmaier et al. | A square-diaphragm piezoresistive pressure sensor with a rectangular central boss for low-pressure ranges | |
Basov et al. | Development of high-sensitivity piezoresistive pressure sensors for− 0.5…+ 0.5 kPa | |
RU2399031C1 (ru) | Датчик давления с тонкопленочной тензорезисторной нано- и микроэлектромеханической системой | |
CN111238361A (zh) | 石墨烯温度应变传感器 | |
RU2411474C1 (ru) | Датчик давления повышенной точности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкопленочными тензорезисторами | |
RU2397460C1 (ru) | Датчик давления на основе тензорезисторной тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы | |
RU2391640C1 (ru) | Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы | |
RU2520943C2 (ru) | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа | |
JP2000111368A (ja) | 圧力、歪み及び温度の同時測定装置、同時測定方法及び薄膜センサ | |
RU2619447C1 (ru) | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с балочным упругим элементом | |
Frantlović et al. | A method enabling simultaneous pressure and temperature measurement using a single piezoresistive MEMS pressure sensor | |
Lee et al. | Development of a piezoresistive MEMS pressure sensor for a precision air data module | |
RU2451270C1 (ru) | Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности | |
JP4988938B2 (ja) | 感温感歪複合センサ | |
CN111122026A (zh) | 一种压力传感器 | |
JP2003083820A (ja) | 面圧センサ | |
RU2398196C1 (ru) | Устройство для измерения давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом | |
JP7396912B2 (ja) | 圧力センサ | |
CN210893522U (zh) | 一种mems压力传感器 | |
SU1717946A1 (ru) | Тензорезистор | |
CN112710405A (zh) | 一种温度传感器 | |
RU2601613C1 (ru) | Термоустойчивый датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с мембраной, имеющей жёсткий центр |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141023 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20160410 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171023 |