RU2515201C1 - Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов - Google Patents

Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов Download PDF

Info

Publication number
RU2515201C1
RU2515201C1 RU2013104057/08A RU2013104057A RU2515201C1 RU 2515201 C1 RU2515201 C1 RU 2515201C1 RU 2013104057/08 A RU2013104057/08 A RU 2013104057/08A RU 2013104057 A RU2013104057 A RU 2013104057A RU 2515201 C1 RU2515201 C1 RU 2515201C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
bases
transistors
emitter
additional
Prior art date
Application number
RU2013104057/08A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Николай Владимирович Бутырлагин
Анна Витальевна Бугакова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2013104057/08A priority Critical patent/RU2515201C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2515201C1 publication Critical patent/RU2515201C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области усилителей оптических сигналов. Техническим результатом является расширение допустимого диапазона изменения сопротивления передачи трансрезистивных усилителей. Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов содержит входной каскад (1) с первым (2) и вторым (3) низкоомными токовыми входами и первым (4) и вторым (5) токовыми выходами, связанными с эмиттерами первого (6) и второго (7) согласующих транзисторов, базы которых объединены, а коллекторы соединены с базами соответствующих первого (11) и второго (12) выходных транзисторов, эмиттеры которых соединены с выходами устройства (13) и (14). В схему введены первый (18) и второй (19) дополнительные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения (20), эмиттер первого (18) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого (6) согласующего транзистора, эмиттер второго (19) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго (7) согласующего транзистора, а объединенные базы первого (6) и второго (7) согласующих транзисторов соединены с первым (13) выходом устройства через первый (21) дополнительный резистор, а со вторым (14) выходом устройства - через второй (22) дополнительный резистор. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в системах обработки оптической информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п.
Оптическое излучение (ОИ) включает спектры ультрафиолетовых, видимых и инфракрасных диапазонов. Оно может регистрироваться различными типами фотоприемников, среди которых наиболее часто применяются фотодиоды и кремниевые фотоумножители, реагирующие, как правило, на определенный спектр излучений. Рассматриваемое устройство относится к таким типам преобразователей сигналов.
В задачах выделения оптических сигналов сегодня широко используются преобразователи выходных токов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей в выходное напряжение, реализуемые на основе каскадов с низким входным сопротивлением - так называемых трансрезистивных усилителей (ТРУ) [1-10]. Их основной параметр - сопротивление передачи R0, определяет усилительные свойства ТРУ:
uвых=iвхR0,
где iвх, uвых - входной ток и выходное напряжение ТРУ.
В зависимости от численных значений iвх=iвх.max схема ТРУ должна допускать изменение (по усмотрению разработчика) величины R0 в широких пределах без изменения статического режима активных элементов.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей, представленный в монографии «Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем / Н.Н.Прокопенко, О.В.Дворников, С.Г.Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н.Прокопенко - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - С.22, рис.1.12». Он содержит входной каскад 1 с первым 2 и вторым 3 низкоомными токовыми входами и первым 4 и вторым 5 токовыми выходами, связанными с эмиттерами первого 6 и второго 7 согласующих транзисторов, базы которых объединены, а коллекторы связаны с первой 8 шиной источника питания через соответствующие первый 9 и второй 10 токостабилизирующие двухполюсники, а также соединены с базами соответствующих первого 11 и второго 12 выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к первой 8 шине источника питания, а эмиттеры соединены с выходами устройства 13 и 14, первый 15 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между второй 16 шиной источника питания и первым 13 выходом устройства, второй 17 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между вторым 14 выходом устройства и второй 16 шиной источника питания.
Существенный недостаток известного трансрезистивного усилителя-прототипа состоит в том, что он не обеспечивает широкий диапазон изменения сопротивления передачи R0.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в расширении допустимого диапазона изменения сопротивления передачи R0 ТРУ, которое определяется в заявляемой схеме численными значениями сопротивления дополнительного резистора, не влияющего на статический режим транзисторов схемы.
Поставленная задача решается тем, что в трансрезистивном усилителе сигналов лавинных фотодиодов фиг.1, содержащем входной каскад 1 с первым 2 и вторым 3 низкоомными токовыми входами и первым 4 и вторым 5 токовыми выходами, связанными с эмиттерами первого 6 и второго 7 согласующих транзисторов, базы которых объединены, а коллекторы связаны с первой 8 шиной источника питания через соответствующие первый 9 и второй 10 токостабилизирующие двухполюсники, а также соединены с базами соответствующих первого 11 и второго 12 выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к первой 8 шине источника питания, а эмиттеры соединены с выходами устройства 13 и 14, первый 15 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между второй 16 шиной источника питания и первым 13 выходом устройства, второй 17 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между вторым 14 выходом устройства и второй 16 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 18 и второй 19 дополнительные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения 20, эмиттер первого 18 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого 6 согласующего транзистора, эмиттер второго 19 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго 7 согласующего транзистора, а объединенные базы первого 6 и второго 7 согласующих транзисторов соединены с первым 13 выходом устройства через первый 21 дополнительный резистор, а со вторым 14 выходом устройства - через второй 22 дополнительный резистор.
На чертеже фиг.1 представлена схема усилителя-прототипа, а на чертеже фиг.2 - схема заявляемого устройства в соответствии с пп.1-3 формулы изобретения.
На чертеже фиг.3 представлен частный случай выполнения входного каскада 1.
На чертеже фиг.4 представлена схема фиг.2 в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП HI 111 «Пульсар».
На чертеже фиг.5 приведена зависимость коэффициента усиления от частоты усилителя фиг.4 при разных значениях сопротивления третьего 23 дополнительного резистора.
Чертеж фиг.6 характеризует зависимость коэффициента преобразования ТРУ фиг.4 от численных значений сопротивления третьего 23 дополнительного резистора.
Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов фиг.2 содержит входной каскад 1 с первым 2 и вторым 3 низкоомными токовыми входами и первым 4 и вторым 5 токовыми выходами, связанными с эмиттерами первого 6 и второго 7 согласующих транзисторов, базы которых объединены, а коллекторы связаны с первой 8 шиной источника питания через соответствующие первый 9 и второй 10 токостабилизирующие двухполюсники, а также соединены с базами соответствующих первого 11 и второго 12 выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к первой 8 шине источника питания, а эмиттеры соединены с выходами устройства 13 и 14, первый 15 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между второй 16 шиной источника питания и первым 13 выходом устройства, второй 17 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между вторым 14 выходом устройства и второй 16 шиной источника питания. В схему введены первый 18 и второй 19 дополнительные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения 20, эмиттер первого 18 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого 6 согласующего транзистора, эмиттер второго 19 дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго 7 согласующего транзистора, а объединенные базы первого 6 и второго 7 согласующих транзисторов соединены с первым 13 выходом устройства через первый 21 дополнительный резистор, а со вторым 14 выходом устройства - через второй 22 дополнительный резистор.
В частном случае (фиг.2) входной каскад 1 содержит транзисторы 25, 26, разделительные конденсаторы 28, 31, резисторы цепи стабилизации статического режима 29, 30 и источник отрицательного напряжения смещения 27.
На чертеже фиг.3 представлен частный случай выполнения входного каскада 1, который реализован на основе токостабилизирующих двухполюсников 34, 35 и разделительных конденсаторов 32, 33.
На чертеже фиг.2, в соответствии с п.2 формулы изобретения, между базами первого 11 и второго 12 выходных транзисторов включен третий 23 дополнительный резистор, определяющий величину усилительного параметра заявляемого устройства.
На чертеже фиг.2, в соответствии с п.3 формулы изобретения, в качестве источника вспомогательного напряжения 20 используется общая шина источников питания 24.
Рассмотрим работу схемы фиг.2 для случая, когда на вход Вх.1(2) подается ток Iвх.1 от фотодиода, а второй вход (Вх.2) не используется.
Изменение входного тока ТРУ вызывает соответствующее изменение эмиттерного и коллекторного тока транзистора 25:
i к 25 i э 25 i в х .                                              (1)
Figure 00000001
Выходной ток i4 входного каскада делится между эмиттерами транзисторов 6 и 18:
i э 6 К д i 4 = К д i 25 = К д i в х ,                                       (2)
Figure 00000002
где К д = r э 18 r э 18 + r э 6
Figure 00000003
- коэффициент деления тока i4 между эмиттерами транзисторов 6 и 18;
rэi - сопротивление эмиттерного перехода i-гo транзистора.
Причем за счет выбора площадей эмиттерных переходов rэ18>rэ6. Поэтому Кд≈0,8÷0,9.
Приращение коллекторного тока транзисторов 6 передается в нагрузку 23 и вызывает (за счет отрицательной обратной связи) соответствующее изменение выходного дифференциального напряжения ТРУ:
u в ы х К д R 23 i в х .                                           (3)
Figure 00000004
Таким образом, сопротивление передачи заявляемого ТРУ определяется величиной сопротивления третьего 23 дополнительного резистора, не влияющего на статический режим схемы
R 0 = К д R 23 .                                                 (4)
Figure 00000005
Результаты моделирования схемы фиг.3 подтверждают эффект существенного расширения допустимого диапазона изменения сопротивления передачи R0, которое обеспечивается без изменения статического режима транзисторов.
Таким образом, предлагаемое схемотехническое решение трансрезистивного усилителя сигналов характеризуется широким диапазоном регулировки усилительного параметра R0 (например, от -20 дБ до 60 дБ), что является его существенным преимуществом в сравнении с прототипом.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 6.590.455 fig.1
2. Патент US 6.069.534 fig.6
3. Патент US 6.801.084
4. Патент US 6.218.905
5. Патент US 6.639.477 fig.3В
6. Патент US 6.809.594 fig.1
7. Патент US 5.714.909 fig.2
8. Патент US 7.042.295
9. Патент US 4.511.857 fig.3a
10. Патент US 5.345.073 fig.3.

Claims (3)

1. Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов, содержащий входной каскад (1) с первым (2) и вторым (3) низкоомными токовыми входами и первым (4) и вторым (5) токовыми выходами, связанными с эмиттерами первого (6) и второго (7) согласующих транзисторов, базы которых объединены, а коллекторы связаны с первой (8) шиной источника питания через соответствующие первый (9) и второй (10) токостабилизирующие двухполюсники, а также соединены с базами соответствующих первого (11) и второго (12) выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к первой (8) шине источника питания, а эмиттеры соединены с выходами устройства (13) и (14), первый (15) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между второй (16) шиной источника питания и первым (13) выходом устройства, второй (17) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между вторым (14) выходом устройства и второй (16) шиной источника питания, отличающийся тем, что в схему введены первый (18) и второй (19) дополнительные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения (20), эмиттер первого (18) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру первого (6) согласующего транзистора, эмиттер второго (19) дополнительного транзистора подключен к эмиттеру второго (7) согласующего транзистора, а объединенные базы первого (6) и второго (7) согласующих транзисторов соединены с первым (13) выходом устройства через первый (21) дополнительный резистор, а со вторым (14) выходом устройства - через второй (22) дополнительный резистор.
2. Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов по п.1, отличающийся тем, что между базами первого (11) и второго (12) выходных транзисторов включен третий (23) дополнительный резистор.
3. Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов по п.1, отличающийся тем, что в качестве источника вспомогательного напряжения (20) используется общая шина источников питания (24).
RU2013104057/08A 2013-01-30 2013-01-30 Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов RU2515201C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013104057/08A RU2515201C1 (ru) 2013-01-30 2013-01-30 Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013104057/08A RU2515201C1 (ru) 2013-01-30 2013-01-30 Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2515201C1 true RU2515201C1 (ru) 2014-05-10

Family

ID=50629738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013104057/08A RU2515201C1 (ru) 2013-01-30 2013-01-30 Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2515201C1 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590455B1 (en) * 2002-04-25 2003-07-08 Sirenza Microdevices, Inc. Common-base amplifier with high input overload and/or tunable transimpedance
EP2141803A1 (en) * 2007-03-29 2010-01-06 NEC Corporation Signal amplifier for optical receiving circuit
RU2410833C2 (ru) * 2008-09-10 2011-01-27 Валерий Васильевич Овчинников Схема усилителя фотодиода

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590455B1 (en) * 2002-04-25 2003-07-08 Sirenza Microdevices, Inc. Common-base amplifier with high input overload and/or tunable transimpedance
EP2141803A1 (en) * 2007-03-29 2010-01-06 NEC Corporation Signal amplifier for optical receiving circuit
RU2410833C2 (ru) * 2008-09-10 2011-01-27 Валерий Васильевич Овчинников Схема усилителя фотодиода

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2523124C1 (ru) Мультидифференциальный операционный усилитель
RU2566963C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов
RU2677401C1 (ru) Биполярно-полевой буферный усилитель
RU2571578C1 (ru) Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса
RU2515201C1 (ru) Трансрезистивный усилитель сигналов лавинных фотодиодов
RU2523947C1 (ru) Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов
RU2595927C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2536672C1 (ru) Составной транзистор с малой выходной емкостью
RU2615068C1 (ru) Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель
RU2615070C1 (ru) Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель
RU2534758C1 (ru) Трансрезистивный усилитель с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов
RU2416155C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель
RU2568317C1 (ru) Широкополосная цепь смещения статического уровня в транзисторных каскадах усиления и преобразования сигналов
RU2595923C1 (ru) Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода
RU2439780C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2642337C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2595926C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2474952C1 (ru) Операционный усилитель
RU2421897C1 (ru) Управляемый комплементарный дифференциальный усилитель
RU2439778C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2571579C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса
RU2474953C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном изменения входного синфазного сигнала
RU2568318C1 (ru) Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2459348C1 (ru) Операционный усилитель с цепью коррекции коэффициента усиления
RU2423779C1 (ru) Дифференциальный усилитель с низковольтными входными транзисторами

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150131