RU2504746C1 - Method of making pressure sensor having carbon nanotubes - Google Patents
Method of making pressure sensor having carbon nanotubes Download PDFInfo
- Publication number
- RU2504746C1 RU2504746C1 RU2012125245/28A RU2012125245A RU2504746C1 RU 2504746 C1 RU2504746 C1 RU 2504746C1 RU 2012125245/28 A RU2012125245/28 A RU 2012125245/28A RU 2012125245 A RU2012125245 A RU 2012125245A RU 2504746 C1 RU2504746 C1 RU 2504746C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon nanotubes
- layer
- substrate
- carbon
- forming
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к способам изготовления датчиков давления. Изобретение может быть использовано в микро- и наноэлектронике для изготовлении систем для измерения давления окружающей среды.The invention relates to methods for manufacturing pressure sensors. The invention can be used in micro- and nanoelectronics for the manufacture of systems for measuring environmental pressure.
В настоящее время известно техническое решение «Carbon nanotube temperature and pressure sensors» по заявке США на изобретение №2011/0051775 (МПК G01L 9/00, G01K 7/02, опубликовано 03.03.2011 г.). В изобретении описан способ изготовления датчика давления, соде ржащего массив углеродных нанотрубок. Способ изготовления датчика включает осаждение из суспензии на поверхность подложки слоя углеродных нанотрубок (УНТ), формирование электрической разводки, формирование над слоем углеродных нанотрубок гибкой мембраны, деформирующейся при оказании давления на поверхность массива. Недостатком данного технического решения являются ограниченные минимальные размеры функционального элемента из углеродных нанотрубок в виду использования способа изготовления слоя углеродных нанотрубок методом осаждения из суспензии, соответственно, невысокая чувствительность датчика; отсутствие защиты от экстремальных механических воздействий на массив углеродных нанотрубок.Currently, the technical solution "Carbon nanotube temperature and pressure sensors" is known according to the application for US invention No. 2011/0051775 (IPC G01L 9/00, G01K 7/02, published 03.03.2011). The invention describes a method for manufacturing a pressure sensor containing an array of carbon nanotubes. A method of manufacturing a sensor includes the deposition of a layer of carbon nanotubes (CNTs) from a suspension onto a substrate surface, the formation of electrical wiring, the formation of a flexible membrane over a layer of carbon nanotubes that deforms when pressure is applied to the surface of the array. The disadvantage of this technical solution is the limited minimum dimensions of the functional element of carbon nanotubes in view of the use of the method of manufacturing a layer of carbon nanotubes by the method of deposition from a suspension, respectively, the low sensitivity of the sensor; lack of protection against extreme mechanical stresses on an array of carbon nanotubes.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков (прототипом) изобретения является способ изготовления датчика давления, описанный в диссертации Kun Guo «Synthesis and Applications of Carbon Nanotubes in Nano-Electro-Mechanical System» (The University of Toledo, August 2008). В данной работе описан способ изготовления датчика давления на основе вертикально ориентированных массивов углеродных нанорубок. Согласно данной публикации, для формирования функционального элемента датчика давления изготавливается мембрана из нитрида кремния, на поверхность мембраны наносят каталитический слой кобальта для роста углеродных нанотрубок, выращивают массив углеродных нанотрубок методом химического газофазного осаждения в потоке метана при температуре 600°C, формируют электрические контакты к массиву УНТ из золота и закрепляют полученную структуру на стеклянной подложке.The closest set of essential features (prototype) of the invention is the method of manufacturing a pressure sensor described in Kun Guo's dissertation, “Synthesis and Applications of Carbon Nanotubes in Nano-Electro-Mechanical System” (The University of Toledo, August 2008). This paper describes a method for manufacturing a pressure sensor based on vertically oriented arrays of carbon nanotubes. According to this publication, to form a functional element of the pressure sensor, a silicon nitride membrane is made, a cobalt catalytic layer is applied to the membrane surface to grow carbon nanotubes, an array of carbon nanotubes is grown by chemical vapor deposition in a methane stream at a temperature of 600 ° C, electrical contacts are formed to the array CNTs are made of gold and fix the resulting structure on a glass substrate.
Недостатками данного технического решения являются: невысокая чувствительность датчика давления из-за использования мембраны, жесткость которой определяет чувствительность датчика давления; зависимость точности измерений от состояния окружающей среды, т.к. при изменении состояния рабочей среды, например при увеличении влажности, из-за высокой сорбционной способности массива углеродных нанотрубок изменяются электрофизические характеристики массива углеродных нанотрубок в виду того, что существует непосредственный контакт массива углеродных нанотрубок с рабочей средой; отмечается ограниченная сфера использования датчика давления в виду отсутствия защиты от экстремальных механических воздействий на массив углеродных нанотрубок.The disadvantages of this technical solution are: low sensitivity of the pressure sensor due to the use of a membrane, the rigidity of which determines the sensitivity of the pressure sensor; dependence of measurement accuracy on the state of the environment, as when the state of the working medium changes, for example, when humidity increases, due to the high sorption ability of the carbon nanotube array, the electrophysical characteristics of the carbon nanotube array change due to the direct contact of the carbon nanotube array with the working medium; there is a limited scope for the use of a pressure sensor in view of the lack of protection against extreme mechanical stresses on an array of carbon nanotubes.
Задачей настоящего изобретения является разработка способа изготовления датчика давления на основе массивов углеродных нанотрубок с высокой степенью надежности работы датчика.The present invention is to develop a method of manufacturing a pressure sensor based on arrays of carbon nanotubes with a high degree of reliability of the sensor.
Технический результат заключается в обеспечении повышенной надежности функционирования чувствительного элемента датчика давления, повышенной чувствительности датчика давления, достижении стабильности функционирования датчика вне зависимости от изменений параметров рабочей среды.The technical result consists in providing increased reliability of the functioning of the sensitive element of the pressure sensor, increased sensitivity of the pressure sensor, achieving a stable functioning of the sensor regardless of changes in the parameters of the working environment.
Для достижения вышеуказанного технического результата способ изготовления датчика давления, содержащего углеродные нанотрубки, включает: нанесение первого диэлектрического слоя на поверхность подложки, формирование электрической разводки, формирование второго диэлектрического слоя, формирование области роста массива углеродных нанотрубок в виде углубления в подложке литографией, формирование буферного слоя, формирование над буферным слоем функционального слоя, содержащего катализатор роста углеродных нанотрубок, удаление маски резиста, нанесенной в процессе фотолитографии, проведение синтеза углеродных нанотрубок с плазменной стимуляцией процесса роста углеродных нанотрубок.To achieve the above technical result, a method of manufacturing a pressure sensor containing carbon nanotubes includes: applying a first dielectric layer to the surface of the substrate, forming an electrical wiring, forming a second dielectric layer, forming a growth region of the carbon nanotube array in the form of a recess in the substrate by lithography, forming a buffer layer, the formation of a functional layer above the buffer layer containing a carbon nanotube growth catalyst, mask removal resist applied during photolithography, the synthesis of carbon nanotubes with plasma stimulation of the growth of carbon nanotubes.
От прототипа датчик отличается тем, что фотолитографией формируют область роста массива углеродных нанотрубок в виде углубления в подложке, проводят формирование буферного слоя и формирование над буферным слоем функционального слоя, содержащего катализатор роста углеродных нанотрубок.The sensor differs from the prototype in that photolithography forms the growth region of the carbon nanotube array in the form of a depression in the substrate, conducts the formation of a buffer layer and the formation of a functional layer containing a carbon nanotube growth catalyst over the buffer layer.
Формирование углубления на подложке, последующее формирование в углублении функционального слоя, содержащего содержащего катализатор роста углеродных нанотрубок, и последующее проведение синтеза углеродных нанотрубок, обеспечивают размещение массива углеродных нанотрубок в углублении подложки. Таким образом, формируется датчик давления с чувствительным элементом, размещенным в полузакрытой полости, что обеспечивает надежную защиту его от механических повреждений. Формирование электрической разводки между диэлектрическими слоями, последовательно сформированными на подложке, обеспечивает надежный контакт.The formation of a depression on a substrate, the subsequent formation in the depression of a functional layer containing a carbon nanotube growth catalyst, and the subsequent synthesis of carbon nanotubes, provide an array of carbon nanotubes in the recess of the substrate. Thus, a pressure sensor is formed with a sensitive element placed in a half-closed cavity, which provides reliable protection from mechanical damage. The formation of the electrical wiring between the dielectric layers sequentially formed on the substrate provides reliable contact.
В частных случаях выполнения изобретения проведение синтеза углеродных нанотрубок осуществляют путем введения подложки в объем рабочей камеры и помещения ее на поверхность нагретого рабочего стола, подачу газа-носителя, введение в нагретый реактор углеродсодержащего газа, стабилизацию давления, поджиг плазмы.In particular cases of carrying out the invention, the synthesis of carbon nanotubes is carried out by introducing a substrate into the volume of the working chamber and placing it on the surface of a heated working table, supplying a carrier gas, introducing carbon-containing gas into a heated reactor, stabilizing the pressure, and igniting the plasma.
В частных случаях выполнения изобретения в качестве газа-носителя используют аргон и/или аммиак, и/или водород, и/или гелий, и/или азот.In particular cases of the invention, argon and / or ammonia and / or hydrogen and / or helium and / or nitrogen are used as a carrier gas.
В частных случаях выполнения изобретения в качестве углеродсодержащего газа используют метан и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода.In particular cases of the invention, methane and / or ethylene and / or acetylene and / or carbon monoxide are used as the carbon-containing gas.
В частных случаях выполнения изобретения давление в рабочей камере задается в диапазоне от 50 Па до 700 Па.In particular cases of the invention, the pressure in the working chamber is set in the range from 50 Pa to 700 Pa.
В частных случаях выполнения изобретения температура рабочего стола задается в диапазоне от 400°C до 800°C.In particular cases of the invention, the temperature of the working table is set in the range from 400 ° C to 800 ° C.
В частных случаях выполнения изобретения для поджига плазмы в рабочую камеру подается от генератора электромагнитное излучение с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 10 Вт до 200 Вт.In particular cases of the invention, for igniting the plasma, electromagnetic radiation with a frequency of 13.56 MHz and a power in the range from 10 W to 200 W is supplied to the working chamber from the generator.
В частных случаях выполнения изобретения углубление в подложке выполняют в виде меандра или прямоугольника или овала.In particular cases of the invention, the recess in the substrate is made in the form of a meander or rectangle or oval.
В частных случаях выполнения изобретения электрическую разводку выполняют из титана, и/или молибдена, и/или золота, и/или платины, и/или алюминия, и/или меди, и/или хрома, и/или легированного поликремния толщиной от 0,1 мкм до 5 мкм.In particular cases of the invention, the electrical wiring is made of titanium, and / or molybdenum, and / or gold, and / or platinum, and / or aluminum, and / or copper, and / or chromium, and / or doped polysilicon with a thickness of 0, 1 μm to 5 μm.
В частных случаях выполнения изобретения используют подложку из кварца, и/или кремния, и/или оксида кремния, и/или оксида алюминия, и/или нитрида кремния.In particular cases of carrying out the invention, a substrate of quartz and / or silicon and / or silicon oxide and / or aluminum oxide and / or silicon nitride is used.
В частных случаях выполнения изобретения первый и/или второй диэлектрический слой выполняют из оксида кремния, оксида алюминия, нитрида кремния, поликремния или их композиции толщиной от 10 нм до 5 мкм.In particular cases of the invention, the first and / or second dielectric layer is made of silicon oxide, aluminum oxide, silicon nitride, polysilicon or their composition with a thickness of 10 nm to 5 μm.
В частных случаях выполнения изобретения углубление в подложке выполняют глубиной от 0,5 мкм до 100 мкм.In particular cases of the invention, the recess in the substrate is performed with a depth of from 0.5 μm to 100 μm.
В частных случаях выполнения изобретения буферный слой выполняют из алюминия, и/или оксида алюминия, и/или оксида кремния толщиной от 1 нм до 200 нм.In particular cases of the invention, the buffer layer is made of aluminum and / or aluminum oxide and / or silicon oxide with a thickness of 1 nm to 200 nm.
В частных случаях выполнения изобретения функциональный слой, содержащий катализатор роста углеродных нанотрубок, содержит железо или кобальт или никель или их сплавы.In particular cases of the invention, the functional layer containing the catalyst for the growth of carbon nanotubes contains iron or cobalt or nickel or their alloys.
В частных случаях выполнения изобретения дополнительно формируют верхний герметизирующий слой, по меньшей мере, над массивом углеродных нанотрубок.In particular cases of the invention, an upper sealing layer is additionally formed at least over the carbon nanotube array.
Верхний слой, расположенный, по меньшей мере, над массивом углеродных нанотрубок, герметизирует массив углеродных нанотрубок, что позволяет исключить влияние рабочей среды на электрофизические свойства углеродных нанотрубок.The upper layer, located at least above the carbon nanotube array, seals the carbon nanotube array, which eliminates the influence of the working medium on the electrophysical properties of carbon nanotubes.
В частных случаях выполнения изобретения верхний герметизирующий слой выполняют из оксида кремния, и/или оксида алюминия, и/или нитрида кремния, и/или поликремния толщиной от 0,5 мкм до 200 мкм.In particular cases of the invention, the upper sealing layer is made of silicon oxide and / or aluminum oxide and / or silicon nitride and / or polysilicon with a thickness of 0.5 μm to 200 μm.
В частных случаях выполнения изобретения верхний слой соединяют с поверхностью методом сращивания.In particular cases of the invention, the top layer is connected to the surface by splicing.
В частных случаях выполнения изобретения верхний слой формируют методом осаждения.In particular cases of the invention, the top layer is formed by the deposition method.
Совокупность признаков, характеризующих изобретение, позволяет изготовить датчик давления с повышенной надежностью функционирования и повышенной чувствительностью датчика давления.The combination of features characterizing the invention allows to manufacture a pressure sensor with increased reliability and increased sensitivity of the pressure sensor.
Изобретение поясняется чертежами, гдеThe invention is illustrated by drawings, where
на фиг.1 - подложка с первым диэлектрическим слоем, сформированной электрической разводкой и вторым диэлектрическим слоем: а) - вид спереди, разрез; б) - вид сверху,figure 1 - substrate with a first dielectric layer formed by the electrical wiring and the second dielectric layer: a) is a front view, section; b) - top view
на фиг.2 - формирование области роста массива углеродных нанотрубок в виде углубления в подложке фотолитографией: а) - вид спереди, разрез; б) - вид сверху,figure 2 - the formation of the growth region of the array of carbon nanotubes in the form of a recess in the substrate by photolithography: a) is a front view, a section; b) - top view
на фиг.3 - формирование буферного слоя, формирование над буферным слоем функционального слоя, содержащего активатор распада металлорганического соединения,figure 3 - the formation of the buffer layer, the formation of the functional layer above the buffer layer containing the decay activator of the organometallic compound,
на фиг.4 - схема сформированного датчика давления.figure 4 is a diagram of the generated pressure sensor.
Способ изготовления датчика давления, содержащего углеродные нанотрубки, включает: нанесение на поверхность подложки 1 первого диэлектрического слоя 2, формирование электрической разводки 3, формирование второго диэлектрического слоя 4 (фиг.1). Формирование области роста массива углеродных нанотрубок в виде углубления 5 (фиг.2) в подложке 1 проводят фотолитографией следующим образом: изделие покрывают маской фоторезиста 6, производят сушку фоторезиста, экспонирование фоторезиста излучением через фотошаблон в виде меандра или прямоугольника или овала, проявление скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного участка, дубление, травление облученного участка с образованием углубления 5 в подложке 1 глубиной от 0,5 мкм до 100 мкм. Далее проводят формирование буферного слоя 7 и формирование над буферным слоем 7 функционального слоя 8 (фиг.3), содержащего содержащий катализатор роста углеродных нанотрубок. Буферный слой 7 выполняют из алюминия и/или оксида алюминия, и/или оксида кремния толщиной от 1 нм до 200 нм. Затем проводят удаление маски фоторезиста 6, нанесенной в процессе фотолитографии, при этом удаляются буферный слой 7 и функциональный слой 8 со всей поверхности, за исключением области углубления 5. Далее проводят синтез углеродных нанотрубок 9. Проведение синтеза углеродных нанотрубок осуществляют путем введения подложки в объем рабочей камеры и помещения ее на поверхность нагретого рабочего стола, подачу газа-носителя, введение в нагретый реактор углеродсодержащего газа, стабилизацию давления, поджиг плазмы. В качестве газа-носителя используют аргон и/или аммиак, и/или водород, и/или гелий, и/или азот. В качестве углеродсодержащего газа используют метан, и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода.A method of manufacturing a pressure sensor containing carbon nanotubes includes: applying a first
Для проведения синтеза может быть использована установка «Plasmalab System 100» фирмы «Oxford Instruments». Для этого образцы со сформированной структурой размещают на держателе образцов в загрузочной камере, производится откачка загрузочной камеры, затем с помощью загрузочного устройства образцы вводятся в рабочую камеру и помещаются на поверхность рабочего стола, нагретого до температуры от 400 до 800°C. Производится откачка рабочей камеры до давления ниже 7,5×10-3 Па. После чего через рабочую камеру обеспечивается проток газа-носителя (5÷500 см3/мин) и углеродсодержащего газа со скоростью подачи 10÷100 см3/мин. Непосредственно перед проведением синтеза стабилизируют давление до требуемого значения (50-700 Па) в объеме рабочей камеры с помощью системы контроля и регулирования давления в камере. Производят поджиг высокочастотной плазмы при помощи генератора работающего на частоте 13,56 МГц с подачей заданной мощности электромагнитного излучения (10÷200 Вт). По окончании процесса синтеза УНТ прекращается подача электромагнитного излучения от генератора, затем прекращается подача газа-носителя и углеродсодержащего газа, происходит откачка рабочей камеры до давления ниже 7,5×10-3 Па, после чего образцы извлекаются с помощью загрузочного устройства в загрузочную камеру, откуда их можно извлечь для дальнейшего использования.For the synthesis, the Plasmalab System 100 apparatus of Oxford Instruments can be used. To do this, samples with the formed structure are placed on the sample holder in the loading chamber, the loading chamber is pumped out, then, using the loading device, the samples are introduced into the working chamber and placed on the surface of the working table heated to a temperature of 400 to 800 ° C. The working chamber is pumped out to a pressure below 7.5 × 10 -3 Pa. Then, through the working chamber is provided a flow of carrier gas (5 ÷ 500 cm 3 / min) and carbon-containing gas with a feed rate of 10 ÷ 100 cm 3 / min. Immediately before the synthesis, the pressure is stabilized to the desired value (50-700 Pa) in the volume of the working chamber using a system for monitoring and regulating the pressure in the chamber. High-frequency plasma is ignited using a generator operating at a frequency of 13.56 MHz with a given electromagnetic radiation power (10 ÷ 200 W). At the end of the CNT synthesis process, the supply of electromagnetic radiation from the generator is stopped, then the carrier gas and carbon-containing gas are stopped, the working chamber is pumped out to a pressure below 7.5 × 10 -3 Pa, after which the samples are removed using the loading device into the loading chamber, where can they be extracted for future use.
В процессе синтеза углеродных нанотрубок функциональный слой 7, содержащий катализатор роста углеродных нанотрубок расходуется. В последующем может быть сформирован верхний герметизирующий слой 10, по меньшей мере, над массивом углеродных нанотрубок 9. Верхний герметизирующий слой 10 выполняют из оксида кремния, и/или оксида алюминия, и/или нитрида кремния, и/или поликремния толщиной от 0,5 мкм до 200 мкм. Верхний слой 10 соединяют с поверхностью методом сращивания или формируют методом осаждения (фиг.4).In the process of synthesis of carbon nanotubes, a
ПримерExample
Для формирования датчика давления на подложку из кремния осажден первый диэлектрический слой из нитрида кремния толщиной 50 нм. Для формирования электрической разводки 3 осажден слой титана толщиной 200 нм и литографией сформирован топологический рисунок электрической разводки. Далее в качестве второго диэлектрического слоя сформирован методом осаждения слой нитрида кремния толщиной 100 нм. На второй диэлектрический слой осажден слой фоторезиста толщиной 1,5 мкм. Затем методом литографии сформировано углубление 7 в подложке 1 глубиной 5 мкм. Далее наносится буферный слой из нитрида титана толщиной 20 нм, поверх которого осажден слой, содержащий катализатор для роста углеродных нанотрубок - слой никеля толщиной 5 нм. После чего был удален фоторезист.To form a pressure sensor on a silicon substrate, a first 50 nm thick silicon nitride dielectric layer is deposited. To form the
Далее образцы со сформированной структурой размещают на держателе образцов в загрузочной камере, производится откачка загрузочной камеры, затем с помощью загрузочного устройства образцы вводятся в рабочую камеру и помещаются на поверхность рабочего стола, нагретого до температуры 680°C. Производится откачка рабочей камеры до давления 5×10-4 Па. После чего через рабочую камеру обеспечивается проток аргона со скоростью подачи 100 см3/мин и этилена со скоростью подачи 25 см3/мин. Непосредственно перед проведением синтеза стабилизируют давление до 150 Па в объеме рабочей камеры с помощью системы контроля и регулирования давления в камере. Производят поджиг высокочастотной плазмы с подачей электромагнитного излучения мощностью 100 Вт от генератора. По окончании процесса синтеза УНТ прекращается подача электромагнитного излучения от генератора, затем прекращается подача аргона и этилена, происходит откачка рабочей камеры до давления 5×10-4 Па, после чего образцы извлекаются. После синтеза массива углеродных нанотрубок было проведено осаждение верхнего слоя из оксида кремния толщиной 1,5 мкм.Next, the samples with the formed structure are placed on the sample holder in the loading chamber, the loading chamber is pumped out, then, using the loading device, the samples are introduced into the working chamber and placed on the surface of the working table heated to a temperature of 680 ° C. The working chamber is pumped out to a pressure of 5 × 10 -4 Pa. Then through the working chamber is provided a flow of argon with a feed rate of 100 cm 3 / min and ethylene with a feed rate of 25 cm 3 / min. Immediately before the synthesis, the pressure is stabilized up to 150 Pa in the volume of the working chamber using a system for monitoring and regulating the pressure in the chamber. A high-frequency plasma is ignited with the supply of electromagnetic radiation with a power of 100 W from the generator. At the end of the synthesis of CNTs, the supply of electromagnetic radiation from the generator is stopped, then the supply of argon and ethylene is stopped, the working chamber is pumped out to a pressure of 5 × 10 -4 Pa, after which the samples are removed. After synthesizing an array of carbon nanotubes, a deposition of the upper layer of silicon oxide 1.5 μm thick was carried out.
Таким образом, сформирован датчик давления, в котором массив углеродных нанотрубок защищен от механических воздействий с пяти сторон: со стороны дна подложкой, с боковых сторон подложкой, а также двумя диэлектрическими слоями по верхнему краю. Сверху массив углеродных нанотрубок закрыт верхним слоем, что обеспечивает его герметизацию и защиту от внешней среды.Thus, a pressure sensor is formed in which the carbon nanotube array is protected from mechanical stress on five sides: from the bottom of the substrate, from the sides of the substrate, and also by two dielectric layers along the upper edge. From above, the array of carbon nanotubes is closed by the upper layer, which ensures its sealing and protection from the external environment.
Claims (18)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012125245/28A RU2504746C1 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of making pressure sensor having carbon nanotubes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012125245/28A RU2504746C1 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of making pressure sensor having carbon nanotubes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012125245A RU2012125245A (en) | 2013-12-27 |
| RU2504746C1 true RU2504746C1 (en) | 2014-01-20 |
Family
ID=49785739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012125245/28A RU2504746C1 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of making pressure sensor having carbon nanotubes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2504746C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU214243U1 (en) * | 2022-06-23 | 2022-10-18 | Михаил Сергеевич Ефимов | Dual Variable Flexible Humidity and Temperature Sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113831562B (en) * | 2021-09-28 | 2022-10-04 | 电子科技大学 | Flexible sensor film containing carbon nano cup base and preparation method and application thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080067619A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Farahani Mohammad M | Stress sensor for in-situ measurement of package-induced stress in semiconductor devices |
| US20110051775A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | Ut-Battelle, Llc | Carbon nanotube temperature and pressure sensors |
-
2012
- 2012-06-19 RU RU2012125245/28A patent/RU2504746C1/en active IP Right Revival
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080067619A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Farahani Mohammad M | Stress sensor for in-situ measurement of package-induced stress in semiconductor devices |
| US20110051775A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | Ut-Battelle, Llc | Carbon nanotube temperature and pressure sensors |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Kun Guo "Synthesis and Applications of Carbon Nanotubes in Nano-Electro-Mechanical System" (The University of Toledo, August 2008). * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU214243U1 (en) * | 2022-06-23 | 2022-10-18 | Михаил Сергеевич Ефимов | Dual Variable Flexible Humidity and Temperature Sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012125245A (en) | 2013-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wu et al. | Wafer-scale synthesis of graphene by chemical vapor deposition and its application in hydrogen sensing | |
| Li et al. | Grain boundary structures and electronic properties of hexagonal boron nitride on Cu (111) | |
| Wei et al. | Low temperature critical growth of high quality nitrogen doped graphene on dielectrics by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| Martin-Olmos et al. | Graphene MEMS: AFM probe performance improvement | |
| Shu et al. | Edge structural stability and kinetics of graphene chemical vapor deposition growth | |
| Xu et al. | Auger electron spectroscopy: a rational method for determining thickness of graphene films | |
| Silva et al. | Graphene nanoflakes: thermal stability, infrared signatures, and potential applications in the field of spintronics and optical nanodevices | |
| JP5872557B2 (en) | Large-scale graphene sheet, article incorporating the same, composition, method and apparatus | |
| JP5839571B2 (en) | Method for producing graphene film doped with nitrogen atoms | |
| CN106198674A (en) | A kind of mesoporous Graphene preparation technology and based on mesoporous graphene field effect transistor biosensor | |
| Yang et al. | Transfer-free growth of multilayer graphene using self-assembled monolayers | |
| RU2504746C1 (en) | Method of making pressure sensor having carbon nanotubes | |
| Huang et al. | Modification of the interlayer coupling and chemical reactivity of multilayer graphene through wrinkle engineering | |
| Lu et al. | Graphene on Nanoscale-Thick Au Films: Implications for Anticorrosion in Smart Wearable Electronics | |
| KR20090093098A (en) | Manufacturing method of nano wire and nanowire hydrogen gas sensor | |
| Milovanov et al. | Ethanol gas sensing performance of electrochemically anodized freestanding porous SiC | |
| RU2576353C1 (en) | Sensing element of optical sensor | |
| Darbari et al. | Branched carbon nanotubes to realize a novel capacitive sensor and actuator device | |
| Schiattarella et al. | CVD transfer-free graphene for sensing applications | |
| Marsden et al. | Growth of large crystalline grains of vanadyl‐phthalocyanine without epitaxy on graphene | |
| JP4639334B2 (en) | Diamond film, manufacturing method thereof, electrochemical device, and manufacturing method thereof | |
| Cai et al. | Fabrication of gas sensor based on field ionization from SWCNTs with tripolar microelectrode | |
| Fan et al. | Fullerene Transformed into a 3-D Structure of Nitrogen-Doped Few-Layer Graphene Sheets: Growth and Field Emission Properties | |
| KR100775412B1 (en) | Fabrication method of carbon nanotube gas sensors using anodic aluminum oxide templates | |
| EA021268B1 (en) | Method of making pressure sensor having carbon nanotubes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140620 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20150720 |